JP7290691B2 - 情報処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、情報処理装置、表示装置および電子機器に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
近年、表示装置を備える電子機器の多様化が進められている。その一つに携帯電話やスマ
ートフォン、タブレット端末、ウェアラブル端末などの情報処理装置がある。
表示装置としては、代表的には有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）
素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光
素子を備える発光装置、液晶表示装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパー
などが挙げられる。特許文献１、特許文献２には、有機ＥＬ素子が適用されたフレキシブ
ルな発光装置が開示されている。
特開２０１４－１９７５２２号公報 特開２０１５－０６４５７０号公報
近年では特に、大きな表示領域を有する情報処理装置、表示装置および電子機器が求めら
れている。表示領域を大きくすることで、一覧性が向上する、表示可能な情報量が増える
、などのメリットがある。一方、携帯型の電子機器においては、表示領域を大きくすると
可搬性（ポータビリティ）が低下してしまう。そのため、表示の一覧性の向上と可搬性の
向上を両立することは困難であった。
本発明の一態様は、大きな表示領域を有する電子機器を提供することを課題の一とする。
または、電子機器の可搬性を向上させることを課題の一とする。または、表示の一覧性の
向上と可搬性の向上を両立させることを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供
することを課題の一とする。または、電子機器の信頼性を向上させることを課題の一とす
る。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様の情報処理装置は、第１のフィルムと、第２のフィルムと、パネル基板と
、第１の筐体と、を有する。第１の筐体は、第１のスリットを有し、パネル基板は、第１
のフィルムおよび第２のフィルムの間に挟まれる領域を備え、第１のスリットは、この領
域を収納する機能を備え、パネル基板、第１のフィルム、第２のフィルム、の何れか一ま
たは複数は、第１のスリットに沿って摺動可能である。
本発明の一態様の情報処理装置は、第１の筐体と、第２の筐体と、第３の筐体と、第１の
ヒンジと、第２のヒンジと、第１のスリットと、第２のスリットと、第３のスリットと、
パネル基板と、第１のフィルムと、第２のフィルムと、を有する。第１のヒンジは、第１
の軸を備え、第２のヒンジは、第２の軸を備え、第２の軸は、第１の軸と並行に配置され
、第２の筐体は、第１のヒンジを介して、第１の軸を中心に回転可能に第１の筐体と連結
され、第３の筐体は、第２のヒンジを介して、第２の軸を中心に回転可能に第２の筐体と
連結される。第１の筐体は、第１のスリットを備え、第２の筐体は、第２のスリットを備
え、第３の筐体は、第３のスリットを備え、パネル基板は、第１のフィルムおよび第２の
フィルムの間に挟まれる領域を備え、第１のスリット、第２のスリット、及び第３のスリ
ットの何れか一または複数は、領域を収納する機能を備える。パネル基板、第１のフィル
ム、第２のフィルム、の何れか一または複数は、第３のスリットに沿って摺動可能である
。
上記各構成においてパネル基板は、可撓性および表示領域を備え、第２のフィルムは、表
示領域および第１の筐体の間に挟まれる領域を備え、第１のフィルムは、可視光の透過性
、および可撓性を備え、第２のフィルムは、可撓性を備えると好ましい。
上記各構成において、第１のフィルムは、第１の筐体の一部に固定され、第１のフィルム
と、第２のフィルムと、パネル基板と、は、第１の筐体と第２の筐体とを、第１の軸を中
心に回転させることにより、第２のスリットと、第３のスリットと、に沿って摺動可能で
あると好ましい。
上記各構成において、第１のフィルムは、第１の筐体に固定され、第１の筐体と第２の筐
体とを、第１の軸を中心に回転させることにより、第２のスリットと、第３のスリットに
沿って摺動可能であり、第２のフィルムは、第１の筐体と、第２の筐体と、第３の筐体と
、に固定されると好ましい。
上記各構成において、第３の筐体に、第２のヒンジと並行な端部を有し、第１のフィルム
と、第２のフィルムと、パネル基板と、の各々が、第３のスリット内にて摺動するとき、
第１のフィルムと端部との距離、第２のフィルムと端部との距離、パネル基板と端部との
距離、は、いずれも０より大であると好ましい。
上記各構成において、回路基板を有し、回路基板は、パネル基板と接続され第１の筐体に
収納されると好ましい。
上記各構成において、少なくとも１の駆動回路が、パネル基板上にＣＯＧ法を用いて設け
られ、ＣＯＧ法を用いて設けられた領域と表示領域との間に、湾曲部を有し、パネル基板
は、湾曲部にて折り曲げられていると好ましい。あるいは上記各構成において、パネル基
板は、画像信号線駆動回路を有し、画像信号線駆動回路と表示領域との間に、湾曲部を有
し、パネル基板は、湾曲部にて折り曲げられていると好ましい。
上記各構成において、パネル基板は、タッチパネルであると好ましい。あるいは上記各構
成において、パネル基板は、タッチパネルであり、表示領域を制御する信号を送信または
受信するＦＰＣと、タッチパネルを制御する信号を送信または受信するＦＰＣと、が第１
の筐体内に収納されると好ましい。
本発明の一態様によれば、可搬性及び信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。
または、操作性に優れた新規な情報処理装置を提供できる。または、新規な情報処理装置
や新規な表示装置などを提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨
げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必
要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明
らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出
することが可能である。
実施の形態に係る情報処理装置の断面を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の断面を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置の筐体を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができるタッチパネルの構成を説明する図。 実施の形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法を説明する図。 実施の形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法を説明する図。 実施の形態に係る折り曲げ可能な装置を作製する方法を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の有する、折り曲げ可能なタッチパネ
ルについて、図１乃至図４を参照しながら説明する。タッチパネルは表示部分と、タッチ
センサとを有する。
＜断面図の説明＞
図１（Ａ）に本発明の一態様の折り曲げ可能な情報処理装置の一状態の断面図を示す。ま
た図１（Ｂ）は本発明の一態様の折り曲げ可能な情報処理装置の別の一状態を示す図であ
る。
本発明の一態様では、折り曲げ可能な情報処理装置は、パネル基板１０１、第１のフィル
ム１０２、第２のフィルム１０３、第１の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２（図４
参照）、第３の筐体１０４－３、ヒンジ１０５－１、ヒンジ１０５－２、回路基板１０６
、ＦＰＣ１０７を有する。パネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１
０３、はいずれも可撓性を有する。ヒンジ１０５－１の軸、またはヒンジ１０５－２の軸
を中心に、第１の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２、または第３の筐体１０４－３
を回転させる動作をすることができる。図１（Ａ）はヒンジ１０５－１の軸、及びヒンジ
１０５－２の軸を中心に、情報処理装置を折り曲げた状態であると言える。
図１（Ａ）にて、第１の筐体１０４－１は第１の部分１０４－１Ａと、第２の部分１０４
－１Ｂと、端部１１１と、を含む。第２の筐体１０４－２は第１の部分１０４－２Ａと第
２の部分（図示しない）と、端部（図示しない）とを含む。第３の筐体１０４－３は第１
の部分１０４－３Ａと第２の部分１０４－３Ｂと端部１１０と、を含む。第１の部分１０
４－１Ａ、第１の部分１０４－２Ａ、第１の部分１０４－３Ａ、は、ヒンジ１０５－１、
ヒンジ１０５－２の何れかに接続されており、第１の部分１０４－１Ａには回路基板１０
６と、ＦＰＣ１０７とが収納される。第１の筐体１０４－１に含まれる第２の部分１０４
－１Ｂは、第１の部分１０４－１Ａと空隙を介して重なる領域である。第２の筐体１０４
－２に含まれる第２の部分（図示しない）は、第１の部分１０４－２Ａと空隙を介して重
なる領域である。第３の筐体１０４－３に含まれる第２の部分１０４－３Ｂは、第１の部
分１０４－３Ａと空隙を介して重なる領域である。端部１１１は、第１の部分１０４－１
Ａと第２の部分１０４－１Ｂとの間に位置する。また、端部１１０は、第１の部分１０４
－３Ａと第２の部分１０４－３Ｂとの間に位置する。例えば、第１の筐体１０４－１にお
いて、第１の部分１０４－１Ａと第２の部分１０４－１Ｂと端部１１１の間は空隙（スリ
ット）となる。すなわち、第１の筐体１０４－１の有するスリット１０８－１、第２の筐
体１０４－２の有するスリット１０８－２、第３の筐体１０４－３の有するスリット１０
８－３が折り曲げ可能な情報処理装置に設けられる。
スリット１０８－１と、スリット１０８－２と、スリット１０８－３と、を含む空間に、
第１のフィルム１０２、パネル基板１０１、第２のフィルム１０３、が重ねられ収納され
る。
パネル基板に駆動回路を設ける場合、インセル型で設けても、ＣＯＧ法を用いて設けても
良い。図１（Ａ）、図１（Ｂ）にはＣＯＧ法を用いて設ける場合のソケット１０９が示さ
れる。
本発明の一態様の情報処理装置は、折り曲げ可能なパネル基板１０１と、透明で且つ厚さ
５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは８０μｍ以上１５０μｍ以下の第１のフィルム
１０２を有する。第１のフィルム１０２を有することによってパネル基板１０１の表面の
機械的破損を防止し、且つ、パネル基板１０１が第１の筐体１０４－１、第２の筐体１０
４－２、第３の筐体１０４－３、から浮き上がる状態になることを防止する。またパネル
基板１０１と、第１の筐体１０４－１または第２の筐体１０４－２または第３の筐体１０
４－３、との間に第２のフィルム１０３が収められる。第１のフィルム１０２と第２のフ
ィルム１０３とに摺動可能に挟まれることにより、パネル基板１０１は、第１の筐体１０
４－１、第２の筐体１０４－２、第３の筐体１０４－３に支持される。
本発明の一態様では、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３は、それぞれ第１の
筐体１０４－１と接する部分に固定することで支持される。図１（Ａ）に示すように、第
１のフィルム１０２は支持部１１６により第１の筐体１０４－１と固定される。第２のフ
ィルム１０３は支持部１１７により第１の筐体１０４－１と固定される。
本発明の一態様では、パネル基板１０１には回路基板１０６がＦＰＣ１０７により接続さ
れる。回路基板１０６は第１の筐体１０４－１に固定される。パネル基板１０１は第１の
筐体１０４－１に対して、パネル基板１０１の折りたたまれた部分と端部１１１近傍の第
１の筐体１０４－１との摩擦力と、及びＦＰＣ１０７部分での回路基板１０６との接続と
、により支持される。
第１のフィルム１０２とパネル基板１０１、パネル基板１０１と第２のフィルム１０３、
は、第１の筐体１０４－１の有するスリット１０８－１においては互いに固定されていて
も良い。なぜなら、情報処理装置の折り曲げの動作を行ったとき、第２の筐体１０４－２
の有するスリット１０８－２、第３の筐体１０４－３の有するスリット１０８－３内でパ
ネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３が互いに摺動することで
、応力によるパネル基板の破損を防ぐことができるからである。
第１のフィルム１０２はパネル基板１０１に対して固定されていない領域を有する。第１
のフィルム１０２とパネル基板１０１とが固定された状態で情報処理装置の折り曲げをお
こなうと、パネル基板１０１が応力により破損しやすくなる。本発明の一態様では、上記
情報処理装置の折り曲げの動作を行ったとき、第１のフィルム１０２とパネル基板１０１
とが摺動することで、応力によるパネル基板１０１の破損を低減する。
本発明の一態様の情報処理装置において、表示部分は、第１のフィルム１０２を通して視
認されることができる。すなわち第１のフィルム１０２は可視光領域の波長の光に対して
透過性をもつ。第１のフィルム１０２を通して表示部分を見たとき、図２（Ａ）は表示さ
れる面が凹となるように、情報処理装置を折り曲げた状態である。図２（Ａ）では、第１
のフィルム１０２の方が、第２のフィルム１０３より、端部１１０に近くなっている。ま
た図２（Ｂ）は表示される面が凸となるように、情報処理装置を折り曲げた状態である。
図２（Ｂ）では、第２のフィルム１０３の方が、第１のフィルム１０２より、端部１１０
に近くなっている。このように第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、及びパネ
ル基板１０１が摺動することにより、パネル基板１０１にかかる曲げ応力、圧縮応力、及
び引っ張り応力を低減することができる。
＜パネル基板の上面図の説明＞
本実施の形態でパネル基板１０１として用いることのできる一例として、タッチパネル３
００と、あるいはタッチパネル４００と、を示す（図３（Ａ）、図３（Ｂ）参照）。タッ
チパネル３００、タッチパネル４００はそれぞれ表示部３０１を有する。
表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は
表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用い
てタッチセンサを構成することができる。
画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子および
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
画素回路は、選択信号を供給することができる配線および画像信号を供給することができ
る配線と、電気的に接続される。
図３（Ａ）に示されるタッチパネル３００は、インセル型の回路である、選択信号を画素
３０２に供給することができる走査線駆動回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２
に供給することができる画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）とを有する。また図３（Ｂ）
に示されるタッチパネル４００は、選択信号を画素３０２に供給することができる走査線
駆動回路と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路とを、そ
れぞれＣＯＧ法を用いて設ける場合において、ソケット１０９が配置される領域４０１（
１）と領域４０１（２）とを有する。
撮像画素３０８は、光電変換素子および光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。
撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線および電源電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される。
制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することが
できる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、および撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
タッチパネル３００、タッチパネル４００は制御信号を撮像画素３０８に供給することが
できる撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）を備える。タッチパネル３００は撮像信号を読み
出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。
タッチパネル３００、タッチパネル４００は、それぞれ線分４０６、線分４０７、線分４
０８で示される付近の領域で折り曲げられる。タッチパネル３００、タッチパネル４００
は、線分４０６は端部１１１付近にて、線分４０７はヒンジ１０５－１付近にて、線分４
０８はヒンジ１０５－２付近にて折り曲げられる。前記折り曲げが成される領域をそれぞ
れ湾曲部としたとき、線分４０６、線分４０７を含むそれぞれの湾曲部のパネル基板に対
する位置はほぼ同じであるが、線分４０８を含む湾曲部は、ヒンジ１０５－１による折り
曲げの状態によりパネル基板に対する位置が変わる。
タッチパネル３００は、画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）、撮像信号線駆動回路３０３
ｓ（２）が配置される領域と、表示部分との間にて折りたたまれる。タッチパネル４００
は、領域４０１（１）と領域４０１（２）とが配置される領域と、表示部分との間に線分
４０６が位置する。このような線分４０６の配置により、第１の筐体１０４－１の第２の
部分１０４－１Ｂの上面から投影した面積を小さくし、かつタッチパネル３００において
は画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）と、撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）との面積、
タッチパネル４００においては領域４０１（１）と領域４０１（２）との面積、を大きく
することができる。
＜筐体の上面図の説明＞
本実施の形態で筐体として用いることのできる構成の一例を図４に示す。図４には、第１
の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２、第３の筐体１０４－３、ヒンジ１０５－１、
ヒンジ１０５－２、スリット１０８－１、スリット１０８－２、スリット１０８－３、端
部１１０、端部１１１が示される。
端部１１０は、スリット１０８－３において、ヒンジ１０５－２の軸と並行な辺に設けら
れる。また同様に、端部１１１は、スリット１０８－１において、ヒンジ１０５－１の軸
と並行な辺に設けられる。
パネル基板１０１、第１のフィルム１０２、および第２のフィルム１０３、はそれぞれ第
１の筐体１０４－１の何れかの部分で固定されている。そのため情報処理装置の折り曲げ
により、パネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３、と端部１１
１との距離は変化しない。一方、情報処理装置の折り曲げにより、パネル基板１０１、第
１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３のそれぞれと、端部１１０との距離は変化す
る。該距離の最大値と最小値は、ヒンジ１０５－１の軸とパネル基板１０１との距離、及
びヒンジ１０５－２の軸とパネル基板１０１との距離、によって変わる。
第２のフィルム１０３を第１の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２、第３の筐体１０
４－３と固定したとき、情報処理装置の折り曲げ動作によって、第２のフィルム１０３に
、強い曲げ応力、圧縮応力、及び引っ張り応力が与えられない場合は、第２のフィルム１
０３を第１の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２、第３の筐体１０４－３と固定して
も良い。
図１（Ａ）、図１（Ｂ）、および図４では、ヒンジ１０５－１、ヒンジ１０５－２は簡略
化して示されているものの、ヒンジ１０５－１の軸、ヒンジ１０５－２の軸は、図１（Ｂ
）の状態としたとき、パネル基板１０１と重なることが好ましい。このような軸とパネル
基板１０１との配置により、情報処理装置の折り曲げによるパネル基板１０１、第１のフ
ィルム１０２、第２のフィルム１０３の摺動の長さを小さくすることができる。
情報処理装置の折り曲げによりパネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィル
ム１０３が互いに摺動したとき、パネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィ
ルム１０３が、いずれも端部１１０に接触しないよう、端部１１０を第３の筐体１０４－
３に設ける。言い換えれば、パネル基板１０１と端部１１０の距離、第１のフィルム１０
２と端部１１０の距離、第２のフィルム１０３と端部１１０の距離、はいずれも０より大
である。また情報処理装置の折り曲げをしたとき、第１のフィルム１０２の端部は、常に
第３の筐体１０４－３の第２の部分１０４－３Ｂと重なるようにする。このような第２の
部分１０４－３Ｂを有することで、パネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフ
ィルム１０３の端部が第２の部分１０４－３Ｂから脱落する、あるいは第２の部分１０４
－３Ｂの端部と衝突することを防止することができる。すなわち本発明の一態様では、パ
ネル基板１０１、第１のフィルム１０２、第２のフィルム１０３は、端部１１０との接触
によるたわみ、劣化、破損を防ぐことができる。
本発明の一態様では、パネル基板１０１に表示部分、第１のフィルム１０２にタッチセン
サの回路を設けることも可能である。しかし、第１のフィルム１０２とパネル基板１０１
は摺動することにより、表示部とタッチセンサとの位置がずれたとき、かつずれた表示領
域上に入力した場合、意図しない入力がなされる可能性がある。そのためタッチセンサ回
路及び表示部分を、いずれもパネル基板１０１に設けることが好ましい。
本発明の一態様の情報処理装置は、第１のフィルム１０２とパネル基板１０１のみの構成
でも良い。このときパネル基板１０１は、第１のフィルム１０２と摺動可能に接触し、第
１の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２、第３の筐体１０４－３に支持される。
本発明の一態様の情報処理装置は、３以上のフィルムとパネル基板１０１のみの構成でも
良い。このときパネル基板１０１は、一面に接触するフィルムと、反対側の一面に接触す
るフィルムとに摺動可能に接触し、第１の筐体１０４－１、第２の筐体１０４－２、第３
の筐体１０４－３に支持される。
本発明の一態様の情報処理装置は、筐体を１、２、または４以上有する構成としても良い
。情報処理装置を構成する、接続された筐体の一つを第１の筐体としたとき、第１の筐体
以外のスリット内で、第１のフィルム１０２とパネル基板１０１とが摺動可能な構成とし
ても良い。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の有する、折り曲げ可能なタッチパネ
ルの構成について、図５を参照しながら説明する。
図５（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置に適用可能なタッチパネルの構造を説明する
上面図である。図５（Ａ）にて各部分は、図３（Ａ）に対応している。
図５（Ｂ）は図５（Ａ）の切断線Ａ－Ｂおよび切断線Ｃ－Ｄにおける断面図である。
図５（Ｃ）は図５（Ａ）の切断線Ｅ－Ｆにおける断面図である。
＜断面図の説明＞
タッチパネル３００は、基板３１０および基板３１０に対向する対向基板３７０を有する
（図５（Ｂ）参照）。
基板３１０および対向基板３７０に可撓性を有する材料を適用することにより、可撓性を
タッチパネル３００に付与することができる。
なお、可撓性を有するタッチパネル３００を変形すると、タッチパネル３００に設けられ
た機能素子は応力を受ける。機能素子を基板３１０と対向基板３７０のおよそ中央に配置
すると機能素子の変形を抑制することができ好ましい。
また、線膨張率がおよそ等しい材料を基板３１０および対向基板３７０に用いると好まし
い。材料の線膨張率は１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好
ましくは１×１０－５／Ｋ以下であるとよい。
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシリコ
ーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板３１０および対向基板３７０に
用いることができる。
基板３１０は、可撓性を有する基板３１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜
３１０ａおよび基板３１０ｂとバリア膜３１０ａを貼り合わせる樹脂層３１０ｃが積層さ
れた積層体である。
対向基板３７０は、可撓性を有する基材３７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリ
ア膜３７０ａおよび基材３７０ｂとバリア膜３７０ａを貼り合わせる樹脂層３７０ｃの積
層体である（図５（Ｂ）参照）。
封止材３６０は対向基板３７０と基板３１０を貼り合わせている。また、封止材３６０は
空気より大きい屈折率を備え、光学的に接合する機能を有する層を兼ねる。画素回路およ
び発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板３１０と対向基板３７０の間にある
。
＜画素の構成＞
画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇおよび副画素３０２Ｂを有する（図５（
Ｃ）参照）。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは
発光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。
例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒおよび第１の発光素子３５０Ｒに電力
を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図５（Ｂ）参照
）。また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒおよび光学素子（例えば第
１の着色層３６７Ｒ）を備える。
第１の発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、第１の下部電極
３５１Ｒと上部電極３５２の間に発光性の有機化合物を含む層３５３を有する（図５（Ｃ
）参照）。
発光性の有機化合物を含む層３５３は、発光ユニット３５３ａ、発光ユニット３５３ｂお
よび発光ユニット３５３ａと発光ユニット３５３ｂの間に中間層３５４を備える。
発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを対向基板３７０に有する。着色層は
特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈
する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそ
のまま透過する領域を設けてもよい。
例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒに
接する封止材３６０を有する。
第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第１
の発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学的に接合する機能を有する層を兼ねる封止
材３６０および第１の着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュー
ル３８０Ｒの外部に射出される。本発明の一態様の情報処理装置は、この矢印の方向に、
第１のフィルム１０２を有する。
＜表示パネルの構成＞
タッチパネル３００は、遮光層３６７ＢＭを対向基板３７０に有する。遮光層３６７ＢＭ
は、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。
タッチパネル３００は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射
防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
タッチパネル３００は、絶縁膜３２１を備える。図５（Ｂ）にて絶縁膜３２１はトランジ
スタ３０２ｔを覆っている。なお、絶縁膜３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化する
ための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を
抑制することができる層が積層された絶縁膜を、絶縁膜３２１に適用することができる。
タッチパネル３００は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁膜３２１上に
有する。
タッチパネル３００は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁膜３２
１上に有する（図５（Ｃ）参照）。また、基板３１０と対向基板３７０の間隔を制御する
スペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。
＜画像信号線駆動回路の構成＞
画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔおよび容量３０３ｃを含む
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
＜撮像画素の構成＞
撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐおよび光電変換素子３０８ｐに照射された光を
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを
含む。
例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。
＜他の構成＞
タッチパネル３００は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配
線３１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することがで
きるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。端子３１９に、ＦＰＣ
３０９（１）とＦＰＣ３０９（２）で分割して接続する構成でも良いし（図５（Ａ）参照
）、ＦＰＣ３０９と一つで接続する構成でも良い。
なお、ＦＰＣ３０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い
。
同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ
、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。
ボトムゲート型、トップゲート型等の構造を有するトランジスタを適用できる。
様々な半導体をトランジスタに適用できる。例えば、酸化物半導体、単結晶シリコン、ポ
リシリコンまたはアモルファスシリコンなどを適用できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の有するパネル基板に適用することが
できる、可撓性を有するタッチパネルの構成について、図６及び図７を参照しながら説明
する。
図６（Ａ）は、本実施の形態で例示するタッチパネル５００の斜視図である。なお明瞭化
のため、代表的な構成要素を図６に示す。図６（Ｂ）は、タッチパネル５００の斜視図で
ある。
図７（Ａ）は、図６（Ａ）に示すタッチパネル５００のＸ１－Ｘ２における断面図である
。
タッチパネル５００は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図６（Ｂ）参照）
。また、タッチパネル５００は、基板５１０、基板５７０および基板５９０を有する。な
お、基板５１０、基板５７０および基板５９０はいずれも可撓性を有する。
表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素および当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線５１１、および画像信号線駆動回路５０３ｓ（１）を備える。
複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子５１９を構
成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。
＜タッチセンサ＞
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の
配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は
端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、
図６（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設け
られるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量
方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図６（Ｂ）を用
いて説明する。
なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用
することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５
９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の
他のいずれかと電気的に接続する。
電極５９２は、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四
辺形が角部で接続された形状を有する。
電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置さ
れている。
配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極
５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより
、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果
、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば
、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９
２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい
。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電
極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
タッチセンサ５９５の構成を、図７を用いて説明する。
タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及び
電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１を
電気的に接続する配線５９４を備える。
樹脂層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基板
５７０に貼り合わせている。
電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有す
る導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお
、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成
された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては
、熱を加える方法等を挙げることができる。
透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォト
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１
及び電極５９２を形成することができる。
また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シ
リコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸
化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５
９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まることが
できるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２
より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることがで
きる。
一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている。
配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。
一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１を
電気的に接続している。
なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要は
なく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部
は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、
ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジ
ウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護す
ることができる。
また、図７には示していないが接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気
的に接続する。
接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
樹脂層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いること
ができ、具体的には、アクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシリコーンな
どのシロキサン結合を有する樹脂などを用いることができる。
＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。
本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に
適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式やエレクトロウェッティン
グ方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭ
Ｓ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を表示素子
に用いることができる。また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反
射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液
晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または
、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、
または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合
、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さ
らに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な
画素回路から選択して用いることができる。
また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画
素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦ
Ｄ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。
可撓性を有する材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる。
不純物の透過が抑制された材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができ
る。例えば、水蒸気の透過率が１０－５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０－６
ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。
線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０および基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が１×１０－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０－５／Ｋ以下、より好
ましくは１×１０－５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
基板５１０は、可撓性を有する基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜
５１０ａおよび基板５１０ｂとバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃが積層さ
れた積層体である。
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシリ
コーンなどのシロキサン結合を有する樹脂などを樹脂層５１０ｃに用いることができる。
基板５７０は、可撓性を有する基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜
５７０ａおよび基板５７０ｂとバリア膜５７０ａを貼り合わせる樹脂層５７０ｃの積層体
である。
封止材５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止材５６０は空気より大
きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学
的に接合する機能を有する層を兼ねる。画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子
５５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。
＜画素の構成＞
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を備
える。
第１の発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有
機化合物を含む層を有する。
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層
は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を
呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発
光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、第１の発
光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。
第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第１
の発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢
印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。本発明の一態様の情報処理装置
は、この矢印の方向に、第１のフィルム１０２を有する。
＜表示部の構成＞
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐ
として、例えば円偏光板を用いることができる。
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の
低下を抑制できる。
表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する
。
表示部５０１は、下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、
基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。
＜走査線駆動回路の構成＞
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
＜他の構成＞
表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるＦ
ＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。
なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い
。
表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々導電膜を配線に用
いることができる。
具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上
述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いる
ことができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合
金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒
化膜を積層する積層構造を用いることができる。
また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いても
よい。
＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図７（Ａ）およ
び図７（Ｂ）に図示する。
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図７（Ａ）に図示す
るトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある
。
酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
－Ｌａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｃｅ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｐｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－
Ｎｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ｄ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｂ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｄｙ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｏ
－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｅｒ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｔｍ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｙｂ－
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｌｕ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈ
ｆ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ａｌ－Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｈｆ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｈｆ－Ａｌ－Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ－Ｇ
ａ系酸化物を用いることができる。
なお、ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図７（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用する
ことができる。
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図７（Ｃ）に図
示する。
例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図７（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０
３ｔに適用することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に適用することができる可撓性を有す
るタッチパネルの構成について、図８を参照しながら説明する。
図８は、タッチパネル５００Ｂの断面図である。
本実施の形態で説明するタッチパネル５００Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが
設けられている側に表示する表示部５０１を備える点およびタッチセンサが表示部の基板
５１０側に設けられている点が、実施の形態３で説明するタッチパネル５００とは異なる
。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、
上記の説明を援用する。
＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。
＜画素の構成＞
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。
発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば第１の着色層
５６７Ｒ）を備える。
第１の発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有
機化合物を含む層を有する。
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層
は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を
呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発
光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図８（Ａ）
に示す第１の発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出
する。これにより、第１の発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを
透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。本発明
の一態様の情報処理装置は、この矢印の方向に、第１のフィルム１０２を有する。
＜表示部の構成＞
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、例えば第１の着色層５６７Ｒから拡散する不純物による
トランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。
＜タッチセンサ＞
タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図８（Ａ）参照
）。
樹脂層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９
５を貼り合わせる。
＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。
ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図８（Ａ）およ
び図８（Ｂ）に図示する。
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図８（Ａ）に図示す
るトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。また、一
対のゲート電極をトランジスタのチャネルが形成される領域を上下に挟むように設けても
よい。これにより、トランジスタの特性の変動を抑制し、信頼性を高めることができる。
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図８（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２
ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図８（Ｃ）に図
示する。
例えば、多結晶シリコンまたは転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図８（
Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができ
る。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置や電子機器などに適用することができ
る折り曲げ可能な装置を作製する方法について、図９乃至図１１を参照しながら説明する
。なお、折り曲げ可能な装置の例としては、表示装置、発光装置、入力装置などがあげら
れる。入力装置の例としては、タッチセンサ、タッチパネルなどがあげられる。発光装置
の例としては、有機ＥＬパネル、照明装置などがあげられる。表示装置の例としては、発
光装置、有機ＥＬパネル、液晶表示装置などがあげられる。なお、表示装置や発光装置の
内部に、タッチセンサなどの入力装置の機能が設けられている場合もある。例えば、表示
装置や発光装置が有する対向基板（例えば、トランジスタが設けられていない基板）に、
タッチセンサが設けられている場合がある。または、表示装置や発光装置が有する素子基
板（例えば、トランジスタが設けられている基板）に、タッチセンサが設けられている場
合がある。または、表示装置や発光装置が有する対向基板と、表示装置や発光装置が有す
る素子基板とに、タッチセンサが設けられている場合がある。
まず、作製基板７０１上に剥離層７０３を形成し、剥離層７０３上に被剥離層７０５を形
成する（図９（Ａ））。また、作製基板７２１上に剥離層７２３を形成し、剥離層７２３
上に被剥離層７２５を形成する（図９（Ｂ））。
例えば、剥離層としてタングステン膜を用いたときに、タングステン膜上に、Ｎ２Ｏ等の
酸素を含むガスにてプラズマ処理を行うことや、酸素を含むガス雰囲気中でアニールする
ことや、酸素を含むガス雰囲気中でスパッタ等の方法で酸化タングステン膜を形成するこ
と等の酸化方法を用いて、タングステン膜と被剥離層の間に酸化タングステン膜を形成す
ることができる。
酸化タングステン膜は剥離転置工程を行う時点で、酸化タングステンの組成において、タ
ングステンに対する酸素の比が３より小さい組成を多く含むことが好ましい。酸化タング
ステンには、ｎを１以上の自然数としたとき、ＷｎＯ（３ｎ－１），ＷｎＯ（３ｎ－２）
というホモロガス系列の場合結晶光学的せん断面が存在し、過熱することでせん断が起き
やすくなる。Ｎ２Ｏプラズマ処理を行い、酸化タングステン膜を形成することで、小さい
力で被剥離層を基板から剥離することができる。
もしくは、タングステン膜を形成せず、酸化タングステン膜を直接形成することができる
。例えば、十分薄いタングステン膜に対して、酸素を含むガスにてプラズマ処理を行うこ
とや、酸素を含むガス雰囲気中でアニール処理を行うことや、酸素を含むガス雰囲気中で
スパッタ等の方法で酸化タングステン膜を形成することで、酸化タングステン膜のみを剥
離層として形成しても良い。
このとき、タングステン膜と酸化タングステン膜の界面または酸化タングステン膜の内部
で分離することで、被剥離層側に酸化タングステン膜が残存する場合がある。そして、酸
化タングステン膜が残存することで、トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことがある。
したがって、剥離層と被剥離層の分離工程の後に、酸化タングステン膜を除去する工程を
有することが好ましい。なお、上述の基板からの剥離方法では、必ずしもＮ２Ｏプラズマ
処理を行わなくてもよいため、酸化タングステン膜を除去する工程も削減することは可能
である。この場合、より簡便に装置の作製を行うことができる。
また、本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上２００ｎｍ未満のタングステン
膜を用いる。
剥離層には、タングステン膜以外では、モリブデン、チタン、バナジウム、タンタル、シ
リコン、アルミニウムや、これらの合金を含む膜を用いても良い。また、これらの膜と、
その酸化膜との積層構造を用いてもよい。剥離層は無機膜に限定されず、ポリイミド等の
有機膜を用いても良い。
剥離層に有機樹脂を用いた場合に、低温ポリシリコンを半導体層として用いようとすると
、３５０℃以下でプロセスを処理する必要がある。そのため、シリコン結晶化のための脱
水素ベーク、シリコン中欠陥終端のための水素化、ドーピングされた領域の活性化などを
十分にすることができず、性能が制限されてしまう。一方、無機膜を用いた場合には、成
膜温度は３５０℃に制限されず、優れた特性を発揮することが可能となる。
剥離層に有機樹脂を用いた場合は、結晶化時のレーザ照射により有機樹脂や機能素子にダ
メージが入ってしまうことがあるが、剥離層に無機膜を用いた場合には、そのような問題
は発生しないので好ましい。
また、剥離層に有機樹脂を用いた場合は、樹脂の剥離のためのレーザ照射により有機樹脂
が収縮してしまい、ＦＰＣ等の端子の接触部に接触不良を発生させることがあるため、高
精細なディスプレイなど、端子数が多い機能素子を、歩留り高く剥離転置することが難し
い場合がある。剥離層に無機膜を用いた場合には、そのような制限はなく、高精細なディ
スプレイなど、端子数が多い機能素子に関しても、歩留り高く剥離転置することが可能で
ある。
本発明の一態様の基板からの機能素子の剥離方法では、作製基板上に絶縁層やトランジス
タを６００℃以下で形成することができる。この場合、高温ポリシリコンを半導体層に用
いることができる。この場合、従来の高温ポリシリコンのラインを用いて、デバイス動作
速度が速く、ガスバリア性が高く、信頼性も高い半導体装置を量産することが可能である
。この場合、６００℃以下のプロセスで形成された絶縁層及びトランジスタを用いること
で、有機ＥＬ素子の上下に６００℃以下の成膜条件で形成したガスバリア性の高い絶縁層
を配置することができる。これにより、有機ＥＬ素子や半導体層に水分等の不純物が混入
することを抑制し、剥離層に有機樹脂などを用いた場合と比較して、桁違いに信頼性の高
い発光装置を実現することができる。
もしくは作製基板上に絶縁層やトランジスタを５００℃以下で形成することができる。こ
の場合、低温ポリシリコンや酸化物半導体を半導体層に用いることができ、従来の低温ポ
リシリコン生産ラインを用いて量産が可能である。この場合も、５００℃以下のプロセス
で形成された絶縁層及びトランジスタを用いることで、有機ＥＬ素子の上下に５００℃以
下の成膜条件で形成したガスバリア性の高い絶縁層を配置することができる。これにより
、有機ＥＬ素子や半導体層に水分等の不純物が混入することを抑制し、剥離層に有機樹脂
などを用いた場合と比較して、非常に信頼性の高い発光装置を実現することができる。
もしくは作製基板上に絶縁層やトランジスタを４００℃以下で形成することが可能である
。この場合、アモルファスシリコンや酸化粒半導体を半導体層に用いることができ、従来
のアモルファスシリコンの生産ラインを用いて量産が可能である。この場合も、４００℃
以下のプロセスで形成された絶縁層及びトランジスタを用いることで、有機ＥＬ素子の上
下に４００℃以下の成膜条件で形成したガスバリア性の高い絶縁層を配置することができ
る。これにより、有機ＥＬ素子や半導体層に水分等の不純物が混入することを抑制し、剥
離層に有機樹脂などを用いた場合と比較して、信頼性の高い発光装置を実現することがで
きる。
次に、作製基板７０１と作製基板７２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向
するように、接合層７０７及び枠状の接合層７１１を用いて貼り合わせ、接合層７０７及
び枠状の接合層７１１を硬化させる（図９（Ｃ））。ここでは、被剥離層７２５上に枠状
の接合層７１１と、枠状の接合層７１１の内側の接合層７０７とを設けた後、作製基板７
０１と作製基板７２１とを、対向させ、貼り合わせる。
なお、作製基板７０１と作製基板７２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好まし
い。
なお、図９（Ｃ）では、剥離層７０３との剥離層７２３の大きさが異なる場合を示したが
、図９（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
接合層７０７は剥離層７０３、被剥離層７０５、被剥離層７２５、及び剥離層７２３と重
なるように配置する。そして、接合層７０７の端部は、剥離層７０３又は剥離層７２３の
少なくとも一方（先に基板から剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好まし
い。これにより、作製基板７０１と作製基板７２１が強く密着することを抑制でき、後の
剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。
次に、レーザ光の照射により、基板からの第１の剥離の起点７４１を形成する（図１０（
Ａ）、（Ｂ））。
作製基板７０１及び作製基板７２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異な
る場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基
板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を
作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離して
もよい。ここでは、作製基板７０１を先に剥離する例を示す。
レーザ光は、硬化状態の接合層７０７又は硬化状態の枠状の接合層７１１と、被剥離層７
０５と、剥離層７０３とが重なる領域に対して照射する。ここでは、接合層７０７が硬化
状態であり、枠状の接合層７１１が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接合層７
０７にレーザ光を照射する（図１０（Ａ）の矢印Ｐ３参照）。
被剥離層７０５の一部を除去することで、基板からの第１の剥離の起点７４１を形成でき
る（図１０（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。このとき、被剥離層７０５だけでなく、被
剥離層７０５の他の層や、剥離層７０３、接合層７０７の一部を除去してもよい。
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層
７０３と剥離層７２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層７０５及び
被剥離層７２５のうち被剥離層７０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板
７０１及び剥離層７０３を剥離することができる（図１０（Ｂ）の点線で囲った領域参照
）。
剥離層７０３と剥離層７２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、剥離層７０３側の
被剥離層７０５と剥離層７２３側の被剥離層７２５の両方に基板からの剥離の起点を形成
してしまうと、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したが
って、一方の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限され
る場合がある。基板からの第１の剥離の起点７４１の形成方法は、レーザ光の照射に限定
されず、カッターなどの鋭利な刃物によって形成されてもよい。
そして、形成した基板からの第１の剥離の起点７４１から、被剥離層７０５と作製基板７
０１とを分離する（図１０（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層７０５を作製基板７
０１から作製基板７２１に転置することができる。
図１０（Ｄ）に示す工程で作製基板７０１から分離した被剥離層７０５と、基板７３１と
を接合層７３３を用いて貼り合わせ、接合層７３３を硬化させる（図１１（Ａ））。
次に、カッターなどの鋭利な刃物により、基板からの第２の剥離の起点７４３を形成する
（図１１（Ｂ）、（Ｃ））。基板からの第２の剥離の起点７４３の形成方法はカッターな
どの鋭利な刃物に限定されず、レーサ光照射などによって形成されてもよい。
剥離層７２３が設けられていない側の基板７３１が刃物等で切断できる場合、基板７３１
、接合層７３３、及び被剥離層７２５に切り込みを入れてもよい（図１１（Ｂ）の矢印Ｐ
５参照）。これにより、被剥離層７２５の一部を除去し、基板からの第２の剥離の起点７
４３を形成できる（図１１（Ｃ）の点線で囲った領域参照）。
図１１（Ｂ）、（Ｃ）で示すように、作製基板７２１及び基板７３１が剥離層７２３と重
ならない領域で接合層７３３によって貼り合わされている場合、作製基板７２１側と基板
７３１側の密着性の高さにより、その後の基板からの剥離工程の歩留まりが低下すること
がある。したがって、硬化状態の接合層７３３と剥離層７２３とが重なる領域に枠状に切
り込みを入れ、実線状に基板からの第２の剥離の起点７４３を形成することが好ましい。
これにより、基板からの剥離工程の歩留まりを高めることができる。
そして、形成した基板からの第２の剥離の起点７４３から、被剥離層７２５と作製基板７
２１とを分離する（図１１（Ｄ））。これにより、被剥離層７２５を作製基板７２１から
基板７３１に転置することができる。
例えばタングステン膜等の無機膜上にＮ２Ｏプラズマ等でしっかりとアンカリングされた
酸化タングステン膜を形成する場合、成膜時は密着性を比較的高くすることが可能である
。その後剥離の起点を形成すると、そこから劈開が発生し、容易に被剥離層を剥離して、
作製基板から基板に転置することが可能となる。
また、剥離層７２３と被剥離層７２５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板７２
１と被剥離層７２５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層７２３と被剥離
層７２５の間にしみこむことで、基板からの剥離時に生じる静電気が、被剥離層７２５に
含まれるＦＥＴ等の機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊され
るなど）を抑制できる。
また、Ｍ－Ｏ－Ｗという結合（Ｍは任意の元素）に物理的力を加えて結合を分断する場合
、そのすきまに液体がしみこむことで、Ｍ－ＯＨ ＨＯ－Ｗという結合となった方が結合
距離が遠くなるため、分離を促進することができる。
なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体としては、純水や有機溶剤など
を用いることができ、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶
液などを用いてもよい。
また、力学的に剥離する時の液体および基板の温度は室温から１２０℃の間、好ましくは
６０℃以上９０℃以下とすることがよい。
以上に示した本発明の一態様の基板からの剥離方法では、鋭利な刃物等により基板からの
第２の剥離の起点７４３を形成し、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
作製基板の剥離を行う。これにより、基板からの剥離工程の歩留まりを向上させることが
できる。
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、そ
れぞれの作製基板を剥離し、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる
。したがって、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせ
ることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を
向上させることができる。
本発明の一態様の基板からの剥離方法は、酸化物層の上層に設けられる被剥離層に、加熱
により水素を放出する第１の層及び第２の層を設ける。さらに加熱処理によって当該被剥
離層から放出された水素により、酸化物層内のＷＯ３を還元し、ＷＯ２を多く含有する酸
化物層を形成することができる。その結果、基板からの剥離性を向上させることができる
。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施すること
ができる。
１０１ パネル基板
１０２ フィルム
１０３ フィルム
１０４－１ 筐体
１０４－１Ａ 第１の部分
１０４－１Ｂ 第２の部分
１０４－２ 筐体
１０４－２Ａ 第１の部分
１０４－２Ｂ 第２の部分
１０４－３ 筐体
１０４－３Ａ 第１の部分
１０４－３Ｂ 第２の部分
１０５－１ ヒンジ
１０５－２ ヒンジ
１０６ 回路基板
１０７ ＦＰＣ
１０８－１ スリット
１０８－２ スリット
１０８－３ スリット
１０９ ソケット
１１０ 端部
１１１ 端部
１１６ 支持部
１１７ 支持部
３００ タッチパネル
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１０ 基板
３１０ａ バリア膜
３１０ｂ 基板
３１０ｃ 樹脂層
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁膜
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ 層
３５３ａ 発光ユニット
３５３ｂ 発光ユニット
３５４ 中間層
３６０ 封止材
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３７０ 対向基板
３７０ａ バリア膜
３７０ｂ 基材
３７０ｃ 樹脂層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
４００ タッチパネル
４０１（１） 領域
４０１（２） 領域
４０６ 線分
４０７ 線分
４０８ 線分
５００ タッチパネル
５００Ｂ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基板
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止材
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ バリア膜
５７０ｂ 基板
５７０ｃ 樹脂層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 樹脂層
５９８ 配線
５９９ 接続層
７０１ 作製基板
７０３ 剥離層
７０５ 被剥離層
７０７ 接合層
７１１ 枠状の接合層
７２１ 作製基板
７２３ 剥離層
７２５ 被剥離層
７３１ 基板
７３３ 接合層
７４１ 第１の剥離の起点
７４３ 第２の剥離の起点

Claims (1)

  1. 第１の筐体と、第２の筐体と、第３の筐体と、
    第１のヒンジと、第２のヒンジと、
    可撓性を有するパネル基板と、
    前記第１の筐体に固定され、可撓性を有する第１のフィルムと、
    前記第１の筐体に固定され、可撓性を有する第２のフィルムと、を有し、
    前記第２の筐体は、前記第１のヒンジを介して、前記第１の筐体と連結され、
    前記第３の筐体は、前記第２のヒンジを介して、前記第２の筐体と連結され、
    前記パネル基板は、前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとに摺動可能に挟まれる領域を備え、
    前記第２のフィルムは、前記第１の筐体と前記パネル基板の間に挟まれる領域を備え、
    前記第２のフィルムは、前記第２の筐体と前記パネル基板の間に挟まれる領域を備え、
    前記第２のフィルムは、前記第３の筐体と前記パネル基板の間に挟まれる領域を備え、
    前記パネル基板、前記第１のフィルム、前記第２のフィルム、の何れか一または複数は、前記第１の筐体と前記第２の筐体とを、前記第１のヒンジが備える軸を中心に回転させることにより、前記第２の筐体が備えるスリットと、前記第３の筐体が備えるスリットに沿って摺動可能である情報処理装置。
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