JP7287933B2 - 銅めっきの強化方法 - Google Patents
銅めっきの強化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7287933B2 JP7287933B2 JP2020173297A JP2020173297A JP7287933B2 JP 7287933 B2 JP7287933 B2 JP 7287933B2 JP 2020173297 A JP2020173297 A JP 2020173297A JP 2020173297 A JP2020173297 A JP 2020173297A JP 7287933 B2 JP7287933 B2 JP 7287933B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- orientation
- grains
- composition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
TMAHによる露出銅粒方位の改良
EBSD検出器(EDAX Inc.、モデルHikari Super)と結合された電界放出型-SEM(FEIモデルHeliosG3)を用いて、WRS材料(Vancouver,WA)から得られる厚さ180nmの銅シード層を有する複数のシリコンウエハをそれらの表面結晶面(111)方位について分析し、データをOIMTM分析ソフトウェアによって分析した。銅シード上の表面結晶面(111)方位粒の優勢は、均一密度の倍数(MUD)値によって表される、Z軸上のIPFの最大によって確認される。全ての試料において50%超のヒット率を提供する、50nmピクセルピッチ及び50Hz走査速度を用いてシード表面の20×20μmの面積上でIPFデータを集めた。Z軸上のIPFのMUD値が高くなればなるほど、銅シード層の表面上に結晶面(111)方位粒がいっそう優勢になった。さらに、具体的には、KSA Analytical Systems,Aubrey,TX製のJade 2010 MDIソフトウェアを用いて2θ回折角に対する回折強度において(111)及び(200)方位に相当する回折ピーク下の領域を比較することによって、銅シードをXRD分光法により分析した。
TMAHで処理された銅シード層上の銅の電気めっき
1cm×2cmのシリコンウエハ上に厚さ180nmの銅シード層の3つの領域をpH=14の0.25MのTMAH水溶液で処理した。3つの別個の処理された領域は、Keyence光学プロフィルメーターを用いて測定したとき3.5mm、4.5mm及び6mmの直径を有した。処理された領域の直径は、6μLから10μL、20μLまで適用されるTMAH溶液の体積を増加させることによって変化させられた。溶液を2分間室温で銅シード層上で作用させておいた。次に、銅シード層を脱イオン水で洗浄し、空気流下で乾燥させた。次に、銅シード層を以下の表1の銅電気めっき浴を用いて2ASD及び25℃の温度で6μmのめっきの目標フィールド高さまで電気めっきした。銅電気めっき浴のpHは<1であった。
TMAHで処理された銅シード層上の銅の電気めっき及びエッチ速度
直径4.2mmを有する、pH=14の0.25MのTMAH水溶液の10μLアリコートを図3に示されるシリコンウエハ62上の厚さ180nmの銅シード層60上に適用した。溶液は銅シード層の表面上で2分間作用して、結晶面(111)方位を有する露出銅粒64を非(111)銅粒及び非結晶材料66よりも増加させる。次に、銅シード層を脱イオン水で洗浄し、空気流下で乾燥させた。次に、シード層を上記の実施例2の表1の銅電気めっき浴を用いて2ASDで6μmのめっきの目標フィールド高さまで電気めっきした。次に、未処理のフィールドに対する処理された領域の結果として得られた特徴の高さを実施例2の場合のようにKeyence光学プロフィルメーターを用いて測定した。特徴は、溶液の接触領域として同じ4.2mmの直径を保った。特徴は、フィールド銅の上面から5.99μm、6.63μm及び6.25μmの68として測定された。処理されていない銅シード層上の電気めっきされたフィールド銅70の高さを測定すると厚さ約6μmであった。
TMAH溶液のpH及び接触時間による特徴の高さの制御
0.25MのTMAH溶液の10μLアリコートをシリコンウエハ上の180nm銅シード上に適用した。硫酸原液の10%水溶液から硫酸を添加して、0.25MのTMAH溶液を14、5、及び3のpHに変化させた。接触時間は60秒、300秒、及び1800秒であった。次に、銅シードを脱イオン水で洗浄し、6μmの目標フィールド厚さまで表2の銅電気めっき浴を使用してめっきした。めっきは25℃及び2ASDの電流密度で行われた。
スタンプを使用する、TMAH溶液の接触時間による特徴の高さの制御
回路特徴のパターンを備えるPDMSスタンプを1分間0.25MのTMAH溶液中に浸漬した。次に、スタンプをシリコンウエハ上の180nm銅シード層上に適用した。溶液をスタンプから銅シード層に移し、回路特徴のパターンを銅シード層上に再現した。接触時間を60秒、14400秒、及び72000秒に変えた。次に、銅シード層を脱イオン水で洗浄し、空気乾燥させ、上記の実施例4~12の表2に開示された銅電気めっき浴を使用してめっきした。プロセスを4つの異なった試料について繰り返した。表4に開示されたデータは、与えられた溶液の適用時間に対して、銅めっきされた特徴の高さが実質的に同じであることを示した。さらに、溶液が銅シード層とより長く接触すればするほど、シード層上の銅めっきされた特徴はより高くなる。
アンモニウムイオンの影響
異なった水酸化アンモニウムの0.25M溶液の10μLアリコートをシリコンウエハ上の180nm銅シード層上に2分間置いた。溶液のpHは約14であった。比較例として、0.25MのNaOHの表面活性化能力もまた調べた。次に、銅表面を実施例4~12の場合と同じ方法で加工した。めっきされた特徴のフィールドの上の高さを表5に記載する。TMAHは銅シード活性化に最も大きな影響を有することが観察されたが、NaOH又はNH4OHは最低の表面活性化を示した。
活性化領域における電気めっき速度の増加
pH=14又はpH=5の硫酸銅五水和物からの様々な濃度の溶解銅(II)イオンを有する0.25MのTMAH溶液の10μLアリコートをシリコンウエハ上の180nm銅シード層上に選択的に適用した。pH=5は、10%の硫酸原液から十分な硫酸を添加することによって達成された。接触時間は1800秒であった。次に、銅を実施例4~12の場合と同じ方法で加工した。特徴の高さの変化は表6に記載されている。データは、0.25MのTMAH溶液中に銅(II)イオン、第二酸化剤を含有することによって酸性pH=5でめっき速度を増加させることができることを示した。
水酸化トリメチルベンジルアンモニウムの濃度に基づいた特徴の高さの制御
様々な濃度を有する10μL液滴の水酸化トリメチルベンジルアンモニウム(trimethylbenyl ammonium hydroxide)溶液をシリコンウエハ上の180nm銅シード層上に適用した。水酸化トリメチルベンジルアンモニウム(trimethylbenyl ammonium hydroxide)の濃度は0から2.4Mに変化した。水酸化アルキルアンモニウムを取り除いた溶液のpHはpH=7であった。0.25M~2.5Mの濃度を保有するトリメチルベンジル水酸化アンモニウム溶液のpHは、13.5~14の範囲であった。接触時間は2分であった。次に、銅表面を実施例4~12の場合と同じ方法で加工した。特徴の高さの変化は表7に記載されている。データは、水酸化トリメチルベンジルアンモニウム(trimethylbenyl ammonium hydroxide)の濃度を使用して、めっきされた特徴の高さを制御することができることを示した。
めっきされた特徴の高さを制御する改良サプレッサーの種類
表8に開示される成分及び量を有する複数の銅電気めっき浴を調製した。浴の唯一の変化しうる成分はサプレッサーの種類であった。サプレッサーは2g/Lの量で添加された。1つの浴はサプレッサーを取り除いた。
特徴の高さを制御するためのレベラーの濃度の改良
表10に開示される成分及び量を有する複数の銅電気めっき浴を調製した。浴の唯一の変化しうる成分はレベラーの濃度であった。1つの浴はレベラーを取り除いた。
回路パターン印刷及び選択的な銅電気めっき
pH=14を有する0.25MのTMAH溶液を装填したFujifilm Dimatix DMP 2800シリーズインクジェットプリンターを用いて回路線パターンをシリコンウエハ上の厚さ180nmの銅シード層上に印刷した。パターン化マスク又はフォトレジストを銅シード層に適用しなかった。回路線パターンを銅シード層上に印刷した後、実施例2、表1の銅電気めっき浴を用いて実施例4~12と同じ方法で銅を加工した。0.25MのTMAH溶液の選択的な適用領域は、6μmの線高さを有する回路線パターンの形成をもたらした。溶液で処理されていない銅シード層は、1μmの銅めっきされた高さを有した。さらに、銅回路線パターンは、1μmの高さまでめっきされた銅よりも明るい外観を有した。めっき高さを制御する他に、0.25MのTMAH処理溶液を用いて銅堆積物の特質を制御することができる。
フォトレジストマスクによる0.25MのTMAHの選択的な適用
厚さ180nmの銅シードの層を有する2つのシリコンウエハ及び10μmのフォトレジストマスクは、IMAT INC.Vancouver,WA,U.S.A.から得られた。PRは、開口による幅50μmの丸みを含む凹んだ特徴と幅30μmの線とのパターンを備えた。導電性シードは、これらの回路特徴の最下部で露出しているにすぎない。pH=14を有する0.25MのTMAHの溶液は画像化フォトレジストを用いてシリコンウエハに適用され、溶液は、PRの開口を通してシードと接触するにすぎない。処理後に、ウエハの1つにおけるPRは、10秒間65℃の1:1DMSO:GBL混合物中に浸漬することによって除去された。次に、シリコンウエハを脱イオン水で洗浄した。次に、ウエハは、6μmの目標フィールド厚さまで表1の実施例2の銅電気めっき浴を用いてめっきされた。めっきは25℃及び2ASDの電流密度で実施された。
TMAH対促進剤で処理された銅シード層
厚さ180nmの銅シード層を有する4つのシリコンウエハをpH=5の100ppm銅(II)イオンを有する0.25MのTMAH水溶液10μL、又はpH=5の1g/Lナトリウムメルカプトエチルスルホネート(MES)水溶液10μL、又はpH=5の1g/Lナトリウムメルカプトプロピルスルホネート(MPS)水溶液10μL、又はpH=5の1g/Lビス-ナトリウムスルホプロピルジスルフィド(SPS)水溶液10 μLのどれかで処理した。10%の硫酸原液から硫酸を添加して全ての溶液を修正してpH5を達成した。次に、シリコンウエハは、以下の銅電気めっき浴を使用してめっきされた。
TMAH対MESで処理された銅シード層
厚さ180nmの銅シード層を有する2つのシリコンウエハをpH=14の0.25MのTMAH水溶液10μL又は同じくpH=14の1g/LMES水溶液10μLで処理した。次に、両方のシリコンウエハを10%の硫酸で洗浄し、次いで以下の銅電気めっき浴を使用してめっきした。
銅酸化剤を含有するテトラメチルアンモニウム溶液
2又は5のpH値の溶解された銅酸化剤化合物1~1000ppmを含有する0.25Mのテトラメチルアンモニウムイオン水溶液をシリコンウエハ上の180nm銅シード層上に適用した。接触時間は60秒であった。次に、表面を実施例4~12の場合と同じ方法で加工した。テトラメチルアンモニウム処理溶液中に異なった酸化剤を含有することによって、酸化剤を有さないTMAH処理溶液を上回るめっき速度を増加させた。任意の余分の酸化剤添加剤を含有しない(溶液のpHに応じた)実施例4~5に対するめっき速度の増大の程度は、表15に記載される。
12 多結晶銅シード層
14 結晶面(111)方位銅粒
16 非(111)銅粒
18 エッチアクチベータ
20 局所的により高い(111)シード
22 領域1
24 領域2
26 突出している銅特徴
28 めっきされた銅
40 多結晶銅シード層
41A アパーチャー
41B アパーチャー
42 画像化フォトレジスト
44 シリコンウエハ基材
46 結晶面(111)方位銅粒
48 非(111)銅粒
50 エッチアクチベータ
52 局所的に分化した銅シード
54A 銅特徴
54B 銅特徴
60 銅シード層
62 シリコンウエハ
64 結晶面(111)方位を有する露出銅粒
66 非結晶材料
70 フィールド銅
72 特徴の高さ
Claims (21)
- a)銅を含む基材を提供する工程と、
b)組成物を前記基材の前記銅に適用して結晶面(111)方位を有する露出銅粒を増加させる工程であって、前記組成物が水、結晶面(111)方位富化化合物、任意選択的にpH調整剤、任意選択的に酸化剤及び任意選択的に界面活性剤からなり、前記組成物のpHが0~3または12~14の範囲である工程と、
c)銅電気めっき浴を用いて結晶面(111)方位を有する増加した露出銅粒を有する前記銅上に銅を電気めっきする工程とを含む方法。 - 前記結晶面(111)方位富化化合物が第四アミンである、請求項1に記載の方法。
- 前記組成物がさらに前記酸化剤からなる、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化剤が銅(II)、セリウム(IV)、チタン(IV)、鉄(III)、マンガン(IV)、マンガン(VI)、マンガン(VII)、バナジウム(III)、バナジウム(V)、ニッケル(II)、ニッケル(IV)、コバルト(III)、銀(I)、モリブデン(IV)、金(I)、パラジウム(II)、白金(II)、イリジウム(I)、ゲルマニウム(II)、ビスマス(III)、及びそれらの混合物からなる群から選択される金属イオンである、請求項4に記載の方法。
- 前記金属イオンが1ppm以上の濃度の銅(II)である、請求項5に記載の方法。
- 前記酸化剤が過酸化水素、モノ過硫酸塩、ヨウ素酸塩、塩素酸塩、マグネシウムペルタレート(magnesium perthalate)、過酢酸、過硫酸塩、臭素酸塩、過臭素酸塩、過酢酸、過ヨウ素酸塩、ハロゲン、次亜塩素酸塩、硝酸塩、硝酸、ベンゾキノン、フェロセン、フェロセンの誘導体、及びそれらの混合物からなる群から選択される化合物である、請求項4に記載の方法。
- a)銅を含む基材を提供する工程と、
b)組成物を前記基材の前記銅に選択的に適用して結晶面(111)方位を有する露出銅粒を増加させる工程であって、前記組成物が水、結晶面(111)方位富化化合物、任意選択的にpH調整剤、任意選択的に酸化剤及び任意選択的に界面活性剤からなり、前記組成物のpHが0~3または12~14の範囲である工程と、
c)銅電気めっき浴を用いて結晶面(111)方位を有する増加した露出銅粒を有する前記基材の前記銅及び前記基材のフィールド銅上に銅を電気めっきする工程であって、前記組成物で処理される前記銅上に電気めっきされる銅が、前記フィールド銅上に電気めっきされる銅よりも速い速度で電気めっきする工程とを含む方法。 - 前記結晶面(111)方位富化化合物が第四アミンである、請求項8に記載の方法。
- 前記組成物がさらに酸化剤からなる、請求項8に記載の方法。
- 前記酸化剤が銅(II)、セリウム(IV)、チタン(IV)、鉄(III)、マンガン(IV)、マンガン(VI)、マンガン(VII)、バナジウム(III)、バナジウム(V)、ニッケル(II)、ニッケル(IV)、コバルト(III)、銀(I)、モリブデン(IV)、金(I)、パラジウム(II)、白金(II)、イリジウム(I)、ゲルマニウム(II)、ビスマス(III)、及びそれらの混合物からなる群から選択される金属イオンである、請求項11に記載の方法。
- 前記金属イオンが1ppm以上の濃度の銅(II)である、請求項12に記載の方法。
- 前記酸化剤が過酸化水素、モノ過硫酸塩、ヨウ素酸塩、塩素酸塩、マグネシウムペルタレート(magnesium perthalate)、過酢酸、過硫酸塩、臭素酸塩、過臭素酸塩、過酢酸、過ヨウ素酸塩、ハロゲン、次亜塩素酸塩、硝酸塩、硝酸、ベンゾキノン、フェロセン、フェロセンの誘導体、及びそれらの混合物からなる群から選択される化合物である、請求項11に記載の方法。
- 前記銅電気めっき浴が銅イオンの1つ又は複数の供給源、サプレッサー、促進剤及び任意選択的にレベラーを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記銅電気めっき浴が前記レベラーをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記促進剤の濃度が前記レベラーの濃度よりも大きい、請求項16に記載の方法。
- 前記促進剤の前記濃度の、前記レベラーの前記濃度に対する比が5:1以上である、請求項17に記載の方法。
- 結晶面(111)方位を有する増加した露出銅粒を有する前記基材の前記銅上にめっきされる銅をエッチする工程と、前記フィールド銅を同時にエッチする工程とをさらに含む請求項8に記載の方法であって、前記フィールド銅が、結晶面(111)方位を有する増加した露出銅粒を有する前記基材の前記銅上にめっきされる前記銅よりも速い速度でエッチされる、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962916478P | 2019-10-17 | 2019-10-17 | |
US62/916,478 | 2019-10-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021066956A JP2021066956A (ja) | 2021-04-30 |
JP7287933B2 true JP7287933B2 (ja) | 2023-06-06 |
Family
ID=72709004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020173297A Active JP7287933B2 (ja) | 2019-10-17 | 2020-10-14 | 銅めっきの強化方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11512406B2 (ja) |
EP (1) | EP3808877B1 (ja) |
JP (1) | JP7287933B2 (ja) |
KR (1) | KR102468093B1 (ja) |
CN (1) | CN112680758A (ja) |
TW (1) | TWI769553B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102685817B1 (ko) * | 2021-10-26 | 2024-07-17 | 컨템포러리 엠퍼렉스 테크놀로지 씨오., 리미티드 | 구리 도금액 및 이로부터 제조된 음극 복합 집전체 |
KR20230112892A (ko) * | 2022-01-21 | 2023-07-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리 도금용 조성물 및 이를 이용한 구리 함유 도전체의 제조 방법 |
WO2024016330A1 (zh) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 扬州纳力新材料科技有限公司 | 无氰镀铜晶粒细化剂、无氰镀铜镀液及其配制方法、应用 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020175414A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Novel copper metal structure for the reduction of intra-metal capacitance |
JP2003525523A (ja) | 1999-09-17 | 2003-08-26 | ナトゥール・インコーポレイテッド | 新規なチップ相互配線およびパッケージング堆積方法および構造体 |
JP2007107037A (ja) | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nikko Kinzoku Kk | 回路用銅又は銅合金箔 |
US20100320081A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
CN101988198A (zh) | 2009-08-03 | 2011-03-23 | 诺发系统有限公司 | 供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物 |
JP2012169597A (ja) | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |
JP2013060634A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Tosoh Corp | エッチング液 |
US20150140814A1 (en) | 2013-11-20 | 2015-05-21 | Lam Research Corporation | Alkaline pretreatment for electroplating |
JP2017195311A (ja) | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 関東化學株式会社 | 単層膜または積層膜のエッチング組成物または前記組成物を用いたエッチング方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3320317A (en) | 1963-07-09 | 1967-05-16 | Dow Chemical Co | Quaternary ammonium adducts of polyepichlorohydrin |
US4038161A (en) | 1976-03-05 | 1977-07-26 | R. O. Hull & Company, Inc. | Acid copper plating and additive composition therefor |
US4336114A (en) | 1981-03-26 | 1982-06-22 | Hooker Chemicals & Plastics Corp. | Electrodeposition of bright copper |
US4880495A (en) * | 1987-04-13 | 1989-11-14 | The Harshaw Chemical Company | Regeneration of copper etch bath |
US5496860A (en) * | 1992-12-28 | 1996-03-05 | Suntory Limited | Antibacterial fiber, textile and water-treating element using the fiber and method of producing the same |
US6242349B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming copper/copper alloy interconnection with reduced electromigration |
US6156642A (en) * | 1999-03-23 | 2000-12-05 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a dual damascene structure in an integrated circuit |
US6610192B1 (en) | 2000-11-02 | 2003-08-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating |
US6899829B2 (en) * | 2000-11-30 | 2005-05-31 | Shipley Company, L.L.C. | Conductive polymer colloidal compositions with selectivity for non-conductive surfaces |
US20040118697A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-06-24 | Applied Materials, Inc. | Metal deposition process with pre-cleaning before electrochemical deposition |
US8372757B2 (en) * | 2003-10-20 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing |
US7879218B1 (en) * | 2003-12-18 | 2011-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Deposit morphology of electroplated copper |
TW200632147A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-09-16 | ||
US9012322B2 (en) * | 2013-04-05 | 2015-04-21 | Intermolecular, Inc. | Selective etching of copper and copper-barrier materials by an aqueous base solution with fluoride addition |
JP2017524636A (ja) * | 2014-06-20 | 2017-08-31 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニアThe Regents Of The University Of California | グラフェンの製造および転写のための方法 |
CN108026127A (zh) * | 2015-10-08 | 2018-05-11 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 含有胺、聚丙烯酰胺和双环氧化物的反应产物的铜电镀浴 |
US10988852B2 (en) * | 2015-10-27 | 2021-04-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating copper into a via on a substrate from an acid copper electroplating bath |
WO2018125066A1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Intel Corporation | Package substrate having copper alloy sputter seed layer and high density interconnects |
US20190136397A1 (en) * | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroplated copper |
-
2020
- 2020-09-21 US US17/026,514 patent/US11512406B2/en active Active
- 2020-09-29 EP EP20199122.1A patent/EP3808877B1/en active Active
- 2020-10-14 JP JP2020173297A patent/JP7287933B2/ja active Active
- 2020-10-14 TW TW109135476A patent/TWI769553B/zh active
- 2020-10-15 CN CN202011101084.XA patent/CN112680758A/zh active Pending
- 2020-10-19 KR KR1020200134962A patent/KR102468093B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-04-01 US US17/711,152 patent/US11686006B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003525523A (ja) | 1999-09-17 | 2003-08-26 | ナトゥール・インコーポレイテッド | 新規なチップ相互配線およびパッケージング堆積方法および構造体 |
US20020175414A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Novel copper metal structure for the reduction of intra-metal capacitance |
JP2007107037A (ja) | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nikko Kinzoku Kk | 回路用銅又は銅合金箔 |
US20100320081A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
CN101988198A (zh) | 2009-08-03 | 2011-03-23 | 诺发系统有限公司 | 供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物 |
JP2012169597A (ja) | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |
JP2013060634A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Tosoh Corp | エッチング液 |
US20150140814A1 (en) | 2013-11-20 | 2015-05-21 | Lam Research Corporation | Alkaline pretreatment for electroplating |
JP2017195311A (ja) | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 関東化學株式会社 | 単層膜または積層膜のエッチング組成物または前記組成物を用いたエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210045950A (ko) | 2021-04-27 |
CN112680758A (zh) | 2021-04-20 |
US11512406B2 (en) | 2022-11-29 |
KR102468093B1 (ko) | 2022-11-16 |
EP3808877A3 (en) | 2021-07-21 |
JP2021066956A (ja) | 2021-04-30 |
US20220228282A1 (en) | 2022-07-21 |
US11686006B2 (en) | 2023-06-27 |
EP3808877A2 (en) | 2021-04-21 |
TW202117091A (zh) | 2021-05-01 |
TWI769553B (zh) | 2022-07-01 |
US20210115581A1 (en) | 2021-04-22 |
EP3808877B1 (en) | 2023-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7287933B2 (ja) | 銅めっきの強化方法 | |
TWI619853B (zh) | 自酸性銅電鍍浴液向基板上之通孔中電鍍銅之方法 | |
EP1619274B1 (en) | Leveler Compounds | |
US6610192B1 (en) | Copper electroplating | |
JP5568250B2 (ja) | 銅を充填する方法 | |
EP2025778B1 (en) | A Copper Plating Process | |
EP2963158B1 (en) | Plating method | |
EP1371757A1 (en) | Leveler compound for copper plating baths | |
WO2011135716A1 (ja) | 新規化合物およびその利用 | |
WO2018033461A1 (en) | Acidic aqueous composition for electrolytic copper plating | |
WO2011135673A1 (ja) | 新規化合物およびその用途 | |
WO2011036076A2 (en) | Copper electroplating composition | |
CN103003473A (zh) | 刻蚀铜和铜合金的方法 | |
WO2019079199A1 (en) | MULTIBANIC PLACING OF A SINGLE METAL | |
CN107326407A (zh) | 整平剂、含其的金属电镀组合物及制备方法、应用 | |
JP7300530B2 (ja) | 非等方的に銅電気めっきすることによるフォトレジスト解像能力の改善 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201014 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20201016 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20210212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230502 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7287933 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |