JP7287772B2 - 透明基板の接合方法及び積層体 - Google Patents
透明基板の接合方法及び積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7287772B2 JP7287772B2 JP2018219838A JP2018219838A JP7287772B2 JP 7287772 B2 JP7287772 B2 JP 7287772B2 JP 2018219838 A JP2018219838 A JP 2018219838A JP 2018219838 A JP2018219838 A JP 2018219838A JP 7287772 B2 JP7287772 B2 JP 7287772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bonding
- heating
- substrates
- aluminum oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 296
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 71
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 63
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 62
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 34
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000012966 insertion method Methods 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015842 Hesperis Nutrition 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 235000012633 Iberis amara Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/04—Joining glass to metal by means of an interlayer
- C03C27/042—Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, glass-ceramic or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5826—Treatment with charged particles
- C23C14/5833—Ion beam bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/214—Al2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/34—Masking
Description
1対の透明基板を用意することと、
透明基板の接合面に、スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することと、
酸化アルミニウムの薄膜を大気中で接触させて1対の透明基板を接合することと、
接合された1対の透明基板を加熱することと、
を備える方法が提供される。
「透明基板」とは、可視光を含む光の透過率が高い基板をいう。例えば可視光線透過率が90%以上であってもよい。「透明基板」は、SiO2を含むガラス、強化ガラス、高分子などを基材とし又は含む基板であってもよい。本開示に含まれる基板の接合方法は、多数の利点を有するが、一つの利点として、透過性を損ねる又は大きく低下させえることなく接合することがこれまでできなかったSiO2を含む基板も、高い光透過率を維持しつつ接合できる。
酸化アルミニウムの薄膜を基板の接合表面に形成することは、スパッタ法(スパッタリング法)で行ってもよく、スパッタ法を含む手法又は工程で行われてもよい。スパッタ法は、イオンビームスパッタ法でもイオンビームアシストスパッタ法でもよい。イオンビームスパッタ法で形成された金属酸化物は、結晶性が比較的低く、結晶欠陥も比較的多く、また原子ベルで露出している表面が比較的多く、いわゆるダングリングボンドを多く有していると考えられる。したがって、比較的活性が高く、その表面が活性化されている状態にあり、接合しやすくなっていると考えられる。ただし、この物理的考察は推論であり、本開示はこのメカニズムはこれに限定されない。
貼り合わせは、酸化アルミニウムの薄膜を介して、基板の接合面を互いに接触させることを含んでいてもよい。接触させる際に基板の接合面と反対側又は接合面以外の面から、基板に対して力を加えてもよい。例えば、接合面に垂直方向の力を基板の外側から加えてもよい。ある実施形態では、加圧は、接触した接合面全体に実質的に均等になるように力を加えてもよい。別の実施形態では、加圧は、接触した接合面の異なる面に対してそれぞれのタイミングで行われてもよい。加圧の際の、力の強さは時間的に一定であってもよく、可変であってもよい。加圧は、接合面の各部位に対して異なるタイミングで行ってもよい。接触した基板に対して、加圧装置をスライドさせて動かすことで、接合面に対して順次加圧してもよい。当該加圧装置は、ローラ状の加圧部を有していてもよい。
本開示に含まれる基板の接合方法は、貼り合わせの後に、積層体に対して加熱することを更に含んでいてもよい。加熱の温度は、実質的に又はおおよそ、80℃(摂氏80度、以下同様)、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃などの温度以上又はそれより高くてもよい。加熱温度は、実質的にまたはおおよそ、550℃、500℃、450℃、400℃、350℃、300℃、250℃、200℃などの温度以下又はそれより低くてもよい。加熱は、基板全体に対して同時行ってもよく、基板の部分ごとに行ってもよい。
ある実施形態では、酸化アルミニウム膜の成膜前に基板の接合表面に対してエネルギー粒子を照射することを更に含んでいてもよい。エネルギー粒子の照射により、基板の接合表面を活性化することで、当該接合表面とその上に形成される薄膜との接合強度を上げることができる。
ある実施形態では、成膜された酸化アルミニウム膜の表面に対して表面活性化処理を行ってもよい。ある実施形態では、表面活性化処理の後に、酸化アルミニウム膜の接合面を大気に暴露し、暴露後に接触させて貼り合わせてもよい。
本開示の一例として、ガラス基板を接合し、その光透過率を評価した。
上記のように、基板が貼り合わされてできた基板積層体を、更に100℃、150℃、200℃、300℃でそれぞれ1時間加熱した。加熱後の接合強度は、加熱なしの接合強度に比べ一般に上昇することが確認された。加熱処理での雰囲気は、大気であってもよく、窒素やアルゴンなどの不活性ガスであってもよい。
A01
透明基板の接合法であって、
1対の透明基板を用意することと、
前記透明基板の接合面に、スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することと、
前記酸化アルミニウムの薄膜を大気中で接触させて前記1対の透明基板を接合することと、
前記接合された1対の透明基板を加熱することと、
を備える方法。
A02
前記スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することは、
アルミニウムのターゲットに対して希ガスと酸素ガスのエネルギーを照射することを含む、
実施形態A01に記載の方法。
A03
前記希ガスはアルゴンガスを含んでいる、
実施形態A02に記載の方法。
A04
前記加熱することは、
摂氏80度以上摂氏550度未満の温度で加熱することを含む、
実施形態A01からA03のいずれか一項に記載の方法。
A05
前記加熱することは、
摂氏150度以上の温度で加熱することを含む、
実施形態A04に記載の方法。
A06
前記加熱することは、
摂氏200度以上の温度で加熱することを含む、
実施形態A05に記載の方法。
A07
前記加熱することは、
摂氏300度以下の温度で加熱することを含む、
実施形態A06に記載の方法。
A08
前記加熱することは、
10分以上加熱することを含む、
実施形態A04からA07のいずれか一項に記載の方法。
A09
前記酸化アルミニウムの薄膜を形成することの後に、前記透明基板の接合面又は前記酸化アルミニウムの薄膜の表面に対して活性化処理を行わずに、前記1対の透明基板を接合する、
実施形態A01からA08のいずれか一項に記載の方法。
A10
前記形成された酸化アルミニウムの薄膜の表面に対して活性化処理を行うことを更に備える、
実施形態A01からA08のいずれか一項に記載の方法。
A11
前記加熱後の接合強度が1.5J/m2以上である、
実施形態A01からA10のいずれか一項に記載の方法。
A12
前記加熱後の接合強度が2J/m2以上である、
実施形態A11に記載の方法。
A13
前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の93%以上である、
実施形態A01からA12のいずれか一項に記載の方法。
A14
前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の99%以上である、
実施形態A13に記載の方法。
A15
前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の99.5%以上である、
実施形態A14に記載の方法。
B01
1対の透明基板と、
前記1対の透明基板の間に、スパッタリング法により形成された酸化アルミニウム薄膜と
を備える、
透明基板積層体/積層透明基板。
B02
前記透明基板積層体の接合強度が1.5J/m2以上である、
実施形態B01に記載の透明基板積層体。
B03
前記透明基板積層体の接合強度が2J/m2以上である、
実施形態B02に記載の透明基板積層体。
B04
前記透明基板積層体の透過率が、前記透明基板自体の透過率の93%以上である、
実施形態B01からB03のいずれか一項に記載の透明基板積層体。
B05
前記透明基板積層体の透過率が、前記透明基板自体の透過率の99%以上である、
実施形態B04に記載の透明基板積層体。
B06
前記透明基板積層体の透過率が、前記透明基板自体の透過率の99.5%以上である、
実施形態B05に記載の透明基板積層体。
Claims (16)
- 透明基板の接合法であって、
1対の透明基板を用意することと、
前記透明基板の接合面に、スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することと、
前記酸化アルミニウムの薄膜を大気に暴露し、暴露させた前記薄膜同士を大気中で接触させて前記1対の透明基板を接合することと、
前記接合された1対の透明基板を加熱することと、
を備える方法。 - 前記透明基板がガラスを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記透明基板の可視光線透過率が90%以上である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することは、
アルミニウムのターゲットに対して希ガスと酸素ガスのエネルギーを照射することを含む、
請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記希ガスはアルゴンガスを含んでいる、
請求項4に記載の方法。 - 前記加熱することは、
摂氏80度以上摂氏550度未満の温度で加熱することを含む、
請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記加熱することは、
摂氏150度以上の温度で加熱することを含む、
請求項6に記載の方法。 - 前記加熱することは、
摂氏200度以上の温度で加熱することを含む、
請求項6に記載の方法。 - 前記加熱することは、
摂氏300度以下の温度で加熱することを含む、
請求項6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記加熱することは、
10分以上加熱することを含む、
請求項6から9のいずれか一項に記載の方法。 - 前記酸化アルミニウムの薄膜を形成することの後に、前記透明基板の接合面又は前記酸化アルミニウムの薄膜の表面に対して活性化することを行わずに、前記1対の透明基板を接合する、
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記形成された酸化アルミニウムの薄膜の表面に対して活性化処理を行うことを更に備える、
請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記加熱後の接合強度が1.5J/m2以上である、
請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。 - 前記加熱後の接合強度が2J/m2以上である、
請求項13に記載の方法。 - 前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の93%以上である、
請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。 - 前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の99%以上である、
請求項15に記載の方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018219838A JP7287772B2 (ja) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 透明基板の接合方法及び積層体 |
CN201980077447.XA CN113196878A (zh) | 2018-11-26 | 2019-11-25 | 透明基板的接合方法和层叠体 |
US17/296,490 US20220332637A1 (en) | 2018-11-26 | 2019-11-25 | Method for joining transparent substrates, and laminated body |
PCT/JP2019/046041 WO2020111015A1 (ja) | 2018-11-26 | 2019-11-25 | 透明基板の接合方法及び積層体 |
KR1020217019909A KR20210099043A (ko) | 2018-11-26 | 2019-11-25 | 투명기판의 접합방법 및 적층체 |
EP19888990.9A EP3890442A4 (en) | 2018-11-26 | 2019-11-25 | METHOD FOR JUNCTION OF TRANSPARENT SUBSTRATES, AND LAMINATED BODY |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018219838A JP7287772B2 (ja) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 透明基板の接合方法及び積層体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020087689A JP2020087689A (ja) | 2020-06-04 |
JP2020087689A5 JP2020087689A5 (ja) | 2021-12-23 |
JP7287772B2 true JP7287772B2 (ja) | 2023-06-06 |
Family
ID=70853911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018219838A Active JP7287772B2 (ja) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 透明基板の接合方法及び積層体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220332637A1 (ja) |
EP (1) | EP3890442A4 (ja) |
JP (1) | JP7287772B2 (ja) |
KR (1) | KR20210099043A (ja) |
CN (1) | CN113196878A (ja) |
WO (1) | WO2020111015A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113322442B (zh) * | 2021-06-03 | 2022-11-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种抗原子氧性能优异的γ-三氧化二铝薄膜的制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327402A (ja) | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 防湿エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2008207221A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Takehito Shimazu | 常温接合方法 |
JP2014123514A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Ran Technical Service Kk | 電子素子の封止方法及び封止構造 |
JP2015141738A (ja) | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
WO2015125770A1 (ja) | 2014-02-18 | 2015-08-27 | 日本碍子株式会社 | 半導体用複合基板のハンドル基板および半導体用複合基板 |
WO2015146305A1 (ja) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性接着剤および有機電子装置 |
JP2017188204A (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | ランテクニカルサービス株式会社 | 薄型基板およびその製造方法、並びに基板の剥離方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4790920A (en) * | 1985-12-20 | 1988-12-13 | Intel Corporation | Method for depositing an al2 O3 cap layer on an integrated circuit substrate |
JPH07246342A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Showa Aircraft Ind Co Ltd | 触媒装置用メタル担体およびその製造方法 |
KR100634528B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 단결정 실리콘 필름의 제조방법 |
JP4442671B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2010-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 接合膜付き基材、接合方法および接合体 |
JP4348454B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-10-21 | 三菱重工業株式会社 | デバイスおよびデバイス製造方法 |
US8796109B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-08-05 | Medtronic, Inc. | Techniques for bonding substrates using an intermediate layer |
JP6122297B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2017-04-26 | 須賀 唯知 | 接合基板作成方法、基板接合方法、及び接合基板作成装置 |
KR102092737B1 (ko) * | 2012-04-10 | 2020-05-27 | 랜 테크니컬 서비스 가부시키가이샤 | 고분자 필름과 고분자 필름을 접합하는 방법, 고분자 필름과 무기재료 기판을 접합하는 방법, 고분자 필름 적층체 및 고분자 필름과 무기재료 기판의 적층체 |
FR3036224B1 (fr) * | 2015-05-13 | 2017-06-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de collage direct |
JP7045186B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-03-31 | ランテクニカルサービス株式会社 | 基板の接合方法、透明基板積層体及び基板積層体を備えるデバイス |
-
2018
- 2018-11-26 JP JP2018219838A patent/JP7287772B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-25 EP EP19888990.9A patent/EP3890442A4/en active Pending
- 2019-11-25 US US17/296,490 patent/US20220332637A1/en active Pending
- 2019-11-25 WO PCT/JP2019/046041 patent/WO2020111015A1/ja unknown
- 2019-11-25 KR KR1020217019909A patent/KR20210099043A/ko active Search and Examination
- 2019-11-25 CN CN201980077447.XA patent/CN113196878A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327402A (ja) | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 防湿エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2008207221A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Takehito Shimazu | 常温接合方法 |
JP2014123514A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Ran Technical Service Kk | 電子素子の封止方法及び封止構造 |
JP2015141738A (ja) | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
WO2015125770A1 (ja) | 2014-02-18 | 2015-08-27 | 日本碍子株式会社 | 半導体用複合基板のハンドル基板および半導体用複合基板 |
WO2015146305A1 (ja) | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性接着剤および有機電子装置 |
JP2017188204A (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | ランテクニカルサービス株式会社 | 薄型基板およびその製造方法、並びに基板の剥離方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113196878A (zh) | 2021-07-30 |
WO2020111015A1 (ja) | 2020-06-04 |
US20220332637A1 (en) | 2022-10-20 |
EP3890442A4 (en) | 2022-08-17 |
EP3890442A1 (en) | 2021-10-06 |
JP2020087689A (ja) | 2020-06-04 |
KR20210099043A (ko) | 2021-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111655490B (zh) | 基板的接合方法、基板层叠体和具备基板层叠体的器件 | |
US11195987B2 (en) | Method for producing composite wafer having oxide single-crystal film | |
US9962908B2 (en) | Method for bonding polymer film and polymer film, method for bonding polymer film and inorganic material substrate, polymer film laminate, and laminate of polymer film and inorganic material substrate | |
JP5704619B2 (ja) | 電子素子の封止方法及び基板接合体 | |
WO2005085918A1 (ja) | 光学素子 | |
JP2010102046A (ja) | 光学素子および光学素子の製造方法 | |
US10043975B2 (en) | Thin substrate, method for manufacturing same, and method for transporting substrate | |
JP7287772B2 (ja) | 透明基板の接合方法及び積層体 | |
US9117562B2 (en) | Method for producing scintillator panel, scintillator panel and flat panel detector | |
JP4277721B2 (ja) | 光学ローパスフィルタの製造方法 | |
JP5288753B2 (ja) | 紫外線硬化型導波路材料の積層方法及び装置 | |
JP2003191370A (ja) | 水蒸気バリア性プラスチックフィルム及びこれを用いたエレクトロルミネッセンス用ディスプレイ基板 | |
JP2017188204A (ja) | 薄型基板およびその製造方法、並びに基板の剥離方法 | |
JP2000286593A (ja) | 電磁波遮蔽積層体の製造方法 | |
EP3893606A1 (en) | Device sealing method | |
KR20180079698A (ko) | 다층 필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 투명 전극 필름 | |
WO2020050112A1 (ja) | 成膜方法 | |
JP2006083532A (ja) | 調光シャッター及びその製造方法 | |
JP2013214452A (ja) | バリア膜の製造方法および製造装置 | |
JP2010107681A (ja) | 光学素子および光学素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221102 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221223 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20230104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230502 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7287772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |