JP2020087689A5 - - Google Patents

Description

接合界面の強度は、ブレード挿入法により測定した。ブレード挿入法は、接合した二枚の基板の間にブレード（刃）を挿入して基板を剥離させ、ブレード歯先から剥離箇所までの長さから、界面エネルギーを評価し、これを接合強度とする手法であり、ウェハ接合の接合強度の評価に使われる手法である。

本開示は以下の実施形態を含む:
Ａ０１
透明基板の接合法であって、
1対の透明基板を用意することと、
前記透明基板の接合面に、スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することと、
前記酸化アルミニウムの薄膜を大気中で接触させて前記1対の透明基板を接合することと、
前記接合された1対の透明基板を加熱することと、
を備える方法。
Ａ０２
前記スパッタリング法により酸化アルミニウムの薄膜を形成することは、
アルミニウムのターゲットに対して希ガスと酸素ガスのエネルギーを照射することを含む、
実施形態Ａ０１に記載の方法。
Ａ０３
前記希ガスはアルゴンガスを含んでいる、
実施形態Ａ０２に記載の方法。
Ａ０４
前記加熱することは、
摂氏８０度以上摂氏５５０度未満の温度で加熱することを含む、
実施形態Ａ０１からＡ０３のいずれか一項に記載の方法。
Ａ０５
前記加熱することは、
摂氏１５０度以上の温度で加熱することを含む、
実施形態A０４に記載の方法。
A０６
前記加熱することは、
摂氏２００度以上の温度で加熱することを含む、
実施形態A０５に記載の方法。
Ａ０７
前記加熱することは、
摂氏３００度以下の温度で加熱することを含む、
実施形態Ａ０６に記載の方法。
Ａ０８
前記加熱することは、
１０分以上加熱することを含む、
実施形態Ａ０４からＡ０７のいずれか一項に記載の方法。
Ａ０９
前記酸化アルミニウムの薄膜を形成することの後に、前記透明基板の接合面又は前記酸化アルミニウムの薄膜の表面に対して活性化処理を行わずに、前記1対の透明基板を接合する、
実施形態Ａ０１からＡ０８のいずれか一項に記載の方法。
Ａ１０
前記形成された酸化アルミニウムの薄膜の表面に対して活性化処理を行うことを更に備える、
実施形態Ａ０１からＡ０８のいずれか一項に記載の方法。
Ａ１１
前記加熱後の接合強度が１．５Ｊ／ｍ^２以上である、
実施形態Ａ０１からＡ１０のいずれか一項に記載の方法。
Ａ１２
前記加熱後の接合強度が２Ｊ／ｍ^２以上である、
実施形態Ａ１１に記載の方法。
Ａ１３
前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の９３％以上である、
実施形態A０１からA１２のいずれか一項に記載の方法。
A１４
前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の９９％以上である、
実施形態A１３に記載の方法。
Ａ１５
前記加熱後の接合基板の透過率が、前記接合前の基板の透過率の９９．５％以上である、
実施形態Ａ１４に記載の方法。
Ｂ０１
1対の透明基板と、
前記1対の透明基板の間に、スパッタリング法により形成された酸化アルミニウム薄膜と
を備える、
透明基板積層体／積層透明基板。
Ｂ０２
前記透明基板積層体の接合強度が１．５Ｊ／ｍ^２以上である、
実施形態Ｂ０１に記載の透明基板積層体。
Ｂ０３
前記透明基板積層体の接合強度が２Ｊ／ｍ^２以上である、
実施形態Ｂ０２に記載の透明基板積層体。
Ｂ０４
前記透明基板積層体の透過率が、前記透明基板自体の透過率の９３％以上である、
実施形態Ｂ０１からＢ０３のいずれか一項に記載の透明基板積層体。
Ｂ０５
前記透明基板積層体の透過率が、前記透明基板自体の透過率の９９％以上である、
実施形態Ｂ０４に記載の透明基板積層体。
Ｂ０６
前記透明基板積層体の透過率が、前記透明基板自体の透過率の９９．５％以上である、
実施形態Ｂ０５に記載の透明基板積層体。

Claims (1)

1. 前記希ガスはアルゴンガスを含んでいる、
   請求項２に記載の方法。