JP7286966B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
ΔQA=-ΔV・CgsA
である。トランジスタ510Bがオンするときの電荷の変化ΔQBは、よって:
ΔQB=ΔV・(CgsB+CgdB)
である。CgsA=CgdA且つCgsB=CgdBとすると、これはMOSFETにとって有用であり、2つの関連するスイッチング事象のための基準信号入力ノード104へのゼロ正味電荷注入の場合に:
ΔQA+ΔQB=0
となり、よって、
CgsA=CgsB+CgdB=2・CgsB
となる。
A1.局所的レギュレーション回路、局所的基準ノード及び演算回路を夫々有する複数の演算ユニットであり、各演算ユニットがその局所的基準ノードで供給されている基準信号に依存した演算を実行するよう動作可能である、前記複数の演算ユニットと、
前記局所的レギュレーション回路を有し、前記局所的基準ノードで各々の基準信号を供給するよう接続される基準レギュレーション回路と
を有し、
前記複数の演算ユニットの夫々について、
前記局所的レギュレーション回路は、前記基準レギュレーション回路から制御信号を受信するよう接続された入力端子を備え、該受信された制御信号に基づき前記局所的基準ノードで基準信号をレギュレートするよう構成され、
前記局所的レギュレーション回路の前記入力端子は、比較的少量の電流が前記基準レギュレーション回路から前記入力端子によって引き込まれるように高い入力インピーダンスを有し、
前記局所的レギュレーション回路は、比較的多量の電流を電圧源から引き込み、その電流を、関連する前記演算回路へ前記局所的基準ノードで供給するよう構成される、
半導体集積回路[1]。
大域的基準ノード及び配電回路を有し、
前記演算回路の前記局所的基準ノードは、前記配電回路を介して前記大域的基準ノードへ接続され、
夫々の演算ユニットについて、前記局所的レギュレーション回路は、前記比較的多量の電流を前記電圧源から引き込み、その電流を、関連する前記演算回路へ前記局所的基準ノードで供給して、前記局所的基準ノードから前記演算回路によって引き込まれる電流の一部が、前記大域的基準ノードからよりむしろ前記局所的レギュレーション回路によって前記電圧源から供給されるようにするよう構成される、
前記半導体集積回路。
夫々の演算ユニットについて、
前記局所的レギュレーション回路は、ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタとして構成されたトランジスタを有し、
前記局所的レギュレーション回路の前記入力端子は、前記ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタのゲート又はベース端子であり、
前記局所的レギュレーション回路は、前記比較的多量の電流を前記ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタのソース又はエミッタ端子から前記演算回路へ供給するよう構成される、
前記半導体集積回路。
各演算ユニットは、Nが2以上の整数であるとして、第1乃至第Nの前記局所的レギュレーション回路と、第1乃至第Nの前記局所的基準ノードとを有し、
各演算ユニットは、スイッチング回路を有し、
夫々の演算ユニットについて、前記演算回路は、対応する基準信号に夫々依存した一連の第1乃至第Nの演算を実行するよう動作可能であり、前記N個の演算の夫々は、お互いに異なる第1乃至第Nの耐雑音性レベルの中の対応する耐雑音性レベルを有し、
前記基準レギュレーション回路は、前記複数の演算ユニットの夫々の前記N個の局所的レギュレーション回路を有し、夫々の演算ユニットについて、そのN個の局所的基準ノードで第1乃至第Nの各々の別個の基準信号を供給するよう接続され、
当該半導体集積回路は、制御回路を有し、
Xは、1からNをとる整数変数であり、
前記制御回路は、前記演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路を制御するよう構成され、
各耐雑音性レベルは、関連する演算が許容することができる前記用いられる基準信号における雑音のレベルである、
前記半導体集積回路。
第1乃至第Nの前記大域的基準ノードと、
第1乃至第Nの前記配電回路と
を有し、
Xの各値について、前記演算回路のX番目の局所的基準ノードは、X番目の配電回路を介してX番目の大域的基準ノードへ接続される、
前記半導体集積回路。
前記基準レギュレーション回路は、第1乃至第Nの基準レギュレーション回路を有し、
前記第1乃至第Nの基準レギュレーション回路は、第1乃至第Nの大域的レギュレーション回路を有し、
Xの各値について、X番目の基準レギュレーション回路は、前記演算ユニットのX番目の局所的レギュレーション回路を有し、
Xの各値について、X番目の基準レギュレーション回路は、X番目の局所的基準ノードで供給される各々の基準信号と、X番目の大域的基準ノードで供給される基準信号とをレギュレートするよう構成される、
前記半導体集積回路。
Xの各値について、前記X番目の配電回路は、前記X番目の大域的基準ノードと前記X番目の局所的基準ノードとの間で所与の雑音周波数帯域幅にわたって他の配電回路から電気的に切り離され、且つ/あるいは
Xの各値について、前記X番目の配電回路は、前記X番目の大域的基準ノードと前記X番目の局所的基準ノードで他の配電回路から電気的に分離している、
前記半導体集積回路。
前記N個の基準レギュレーション回路は、それらの基準信号をお互いから独立してレギュレートするよう構成され[図6(b)]、あるいは
前記N個の配電回路は夫々が、それらの局所的基準ノードをそれらの大域的基準ノードへ各々のフィルタ回路を介して接続し、前記配電回路の夫々のフィルタ回路は、前記配電回路の他の夫々のフィルタ回路とは異なり、前記N個の基準レギュレーション回路は、共通のレギュレータを共有して、それらが単一のレギュレーション動作でそれらの大域的基準ノードで前記基準信号をレギュレートするようにする[図6(a)]、
前記半導体集積回路。
前記演算ユニットは、異なる演算ユニットがそれらの各々の一連のN個の演算において同じ時点で異なる段階にあるように、タイムインターリーブ方式でそれらの各々の一連の演算を実行するよう構成される、
前記半導体集積回路。
2からNまでのXの各値について、X番目の耐雑音性レベルはX-1番目の耐雑音性レベルよりも低い、
前記半導体集積回路。
前記N個の演算の夫々は、お互いに異なる第1乃至第Nの雑音注入レベルの中の対応する雑音注入レベルを有し、各雑音注入レベルは、関連する演算が関連する局所的基準ノードでの用いられる基準信号に注入する雑音のレベルであり、
任意に、2からNまでのXの各値について、X番目の雑音注入レベルはX-1番目の雑音注入レベルよりも低い、
前記半導体集積回路。
Nは、2又は3又は4に等しい、
前記半導体集積回路。
夫々の演算ユニットについて、
前記一連の演算は、Xが1からNまで大きくなる順序で前記N個の演算を実行することを含み、
前記スイッチング回路は、前記演算回路の基準信号入力ノードを前記第1乃至第Nの局所的基準ノードへ夫々接続する第1乃至第Nのスイッチを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記制御回路は、X番目のスイッチをオンして、X番目の演算のためにX番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給し、次いで、前記X番目のスイッチをオフし且つX+1番目のスイッチをオンして、X+1番目の演算のためにX+1番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を代わりに前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給するよう構成され、
前記スイッチは、1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチがオフされ且つ前記X+1番目のスイッチがオンされる場合に、前記基準ノードから前記演算回路の前記基準信号入力ノードに注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように、お互いに対してサイジングされる、
前記半導体集積回路。
前記スイッチは夫々、少なくとも1つのMOSFETトランジスタを用いて実装され、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅及び長さは、前記注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように設定される、
前記半導体集積回路。
前記局所的基準ノードで供給される前記基準信号は、お互いに略同じ電圧レベルを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチをオフし且つ前記X+1番目のスイッチをオンするよう前記MOSFETトランジスタのゲート端子で供給されるスイッチング信号は、お互いの間で同じポテンシャル差を有する高電圧レベル及び低電圧レベルの間で切り替わり、
前記スイッチは、お互いに同じ数及び配置のMOSFETトランジスタを有し、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅及び長さは、1からNまでのXの各値について、前記X番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのゲートキャパシタンスCgsが、前記X+1番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのゲートキャパシタンスCgs及びCgdの和に等しいように設定される、
前記半導体集積回路。
前記MOSFETトランジスタの夫々についてのゲートキャパシタンスCgs及びCgdは等しく、
前記MOSFETトランジスタのチャネル長さはお互いに同じであり、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅は、前記注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように設定される、
前記半導体集積回路。
1からNまでのXの各値について、前記X番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのチャネル幅は、X+1番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのチャネル幅のサイズの2倍である、
前記半導体集積回路。
各配電回路は、前記演算ユニットの夫々の関連する局所的基準ノードを、関連する大域的基準ノードへ、各々の独立した信号パスを介して接続するよう構成され、
各信号パスは、それに沿って接続されたフィルタ回路を有する、
前記半導体集積回路。
局所的デカップリングキャパシタが、前記局所的基準ノードの夫々又は1つ以上で接続される、
前記半導体集積回路。
前記大域的基準ノードへ接続された大域的デカップリングキャパシタを有する
前記半導体集積回路。
各フィルタ回路は、抵抗として実装される、
前記半導体集積回路。
前記抵抗は、並列に及び/又は直列に接続された1つ以上の抵抗器を有する、
前記半導体集積回路。
各抵抗器は、その線形領域で動作するよう構成されたMOSFETトランジスタとして実装される、
前記半導体集積回路。
前記独立した信号パスは、
前記大域的基準ノードと関連する前記局所的基準ノードとの間で所与の雑音周波数帯域幅にわたってお互いから電気的に切り離され、且つ/あるいは
前記大域的基準ノードと関連する前記局所的基準ノードとの間でお互いから電気的に分離される、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、前記用いられる基準信号における雑音のレベルに依存した結果を生成し、且つ/あるいは
夫々の前記演算は、データ信号及び前記用いられる基準信号に依存した結果を生成する、
前記半導体集積回路。
前記基準信号は電圧信号であり、且つ/あるいは
前記基準信号は、お互いに略同じ大きさを有する、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、1つ以上のサブ演算を含む、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算ユニットは、逐次比較型ADCユニットであり、
夫々の前記演算は、1つ以上の比較演算を有し、且つ/あるいは、夫々の前記演算ユニットは、非バイナリ変換を実行するよう構成される、
前記半導体集積回路。
アナログ-デジタル変換器である
前記半導体集積回路。
B1.Nが2以上の整数であるとして、演算回路、スイッチング回路及び第1乃至第Nの局所的基準ノードを有し、前記演算回路が、対応する基準信号に夫々依存した一連の第1乃至第Nの演算を実行するよう動作可能であり、前記N個の演算の夫々が、お互いに異なる第1乃至第Nの耐雑音性レベルの中の対応する耐雑音性レベルを有する、演算ユニットと、
前記N個の局所的基準ノードで第1乃至第Nの各々の別個の基準信号を供給するよう接続された基準レギュレーション回路と、
制御回路と
を有し、
Xは、1からNをとる整数変数であり、
前記制御回路は、前記演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路を制御するよう構成され、
各耐雑音性レベルは、関連する演算が許容することができる前記用いられる基準信号における雑音のレベルである、
半導体集積回路[2]。
複数の前記演算ユニットを有し、
前記基準レギュレーション回路は、夫々の演算ユニットのために、そのN個の基準ノードで第1乃至第Nの別個の基準信号を供給するよう接続され、
前記制御回路は、夫々の演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路制御するよう構成される、
前記半導体集積回路。
第1乃至第Nの大域的基準ノードと、
第1乃至第Nの配電回路と
を有し、
Xの各値について、前記演算回路のX番目の局所的基準ノードは、X番目の配電回路を介してX番目の大域的基準ノードへ接続される、
前記半導体集積回路。
Xの各値について、X番目の基準レギュレーション回路は、X番目の局所的基準ノードで供給される各々の基準信号及び/又はX番目の大域的基準ノードで供給される基準信号をレギュレートするよう構成される、
前記半導体集積回路。
Xの各値について、前記X番目の配電回路は、前記X番目の大域的基準ノードと前記X番目の局所的基準ノードとの間で所与の雑音周波数帯域幅にわたって他の配電回路から電気的に切り離され、且つ/あるいは、
Xの各値について、前記X番目の配電回路は、前記X番目の大域的基準ノードと前記X番目の局所的基準ノードとの間で他の配電回路から電気的に分離している、
前記半導体集積回路。
前記N個の基準レギュレーション回路は、それらの基準信号をお互いから独立してレギュレートするよう構成され[図6(b)]、あるいは
前記N個の配電回路は夫々が、それらの局所的基準ノードをそれらの大域的基準ノードへ各々のフィルタ回路を介して接続し、前記配電回路の夫々のフィルタ回路は、前記配電回路の他の夫々のフィルタ回路とは異なり、前記N個の基準レギュレーション回路は、共通のレギュレータを共有して、それらが単一のレギュレーション動作でそれらの大域的基準ノードで前記基準信号をレギュレートするようにする[図6(a)]、
前記半導体集積回路。
前記演算ユニットは、異なる演算ユニットがそれらの各々の一連のN個の演算において同じ時点で異なる段階にあるように、タイムインターリーブ方式でそれらの各々の一連の演算を実行するよう構成される、
前記半導体集積回路。
2からNまでのXの各値について、X番目の耐雑音性レベルはX-1番目の耐雑音性レベルよりも低い、
前記半導体集積回路。
前記N個の演算の夫々は、お互いに異なる第1乃至第Nの雑音注入レベルの中の対応する雑音注入レベルを有し、各雑音注入レベルは、関連する演算が関連する局所的基準ノードでの用いられる基準信号に注入する雑音のレベルであり、
任意に、2からNまでのXの各値について、X番目の雑音注入レベルはX-1番目の雑音注入レベルよりも低い、
前記半導体集積回路。
Nは、2又は3又は4に等しい、
前記半導体集積回路。
夫々の演算ユニットについて、
前記一連の演算は、Xが1からNまで大きくなる順序で前記N個の演算を実行することを含み、
前記スイッチング回路は、前記演算回路の基準信号入力ノードを前記第1乃至第Nの局所的基準ノードへ夫々接続する第1乃至第Nのスイッチを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記制御回路は、X番目のスイッチをオンして、X番目の演算のためにX番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給し、次いで、前記X番目のスイッチをオフし且つX+1番目のスイッチをオンして、X+1番目の演算のためにX+1番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を代わりに前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給するよう構成され、
前記スイッチは、1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチがオフされ且つ前記X+1番目のスイッチがオンされる場合に、前記基準ノードから前記演算回路の前記基準信号入力ノードに注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように、お互いに対してサイジングされる、
前記半導体集積回路。
前記スイッチは夫々、少なくとも1つのMOSFETトランジスタを用いて実装され、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅及び長さは、前記注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように設定される、
前記半導体集積回路。
前記局所的基準ノードで供給される前記基準信号は、お互いに略同じ電圧レベルを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチをオフし且つ前記X+1番目のスイッチをオンするよう前記MOSFETトランジスタのゲート端子で供給されるスイッチング信号は、お互いの間で同じポテンシャル差を有する高電圧レベル及び低電圧レベルの間で切り替わり、
前記スイッチは、お互いに同じ数及び配置のMOSFETトランジスタを有し、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅及び長さは、1からNまでのXの各値について、前記X番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのゲートキャパシタンスCgsが、前記X+1番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのゲートキャパシタンスCgs及びCgdの和に等しいように設定される、
前記半導体集積回路。
前記MOSFETトランジスタの夫々についてのゲートキャパシタンスCgs及びCgdは等しく、
前記MOSFETトランジスタのチャネル長さはお互いに同じであり、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅は、前記注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように設定される、
前記半導体集積回路。
1からNまでのXの各値について、前記X番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのチャネル幅は、X+1番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのチャネル幅のサイズの2倍である、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算ユニットは、第1乃至第Nの局所的レギュレーション回路を有し、
Xの各値について、X番目の基準レギュレーション回路は、X番目の局所的レギュレーション回路を有し、
Xの各値について、夫々のX番目の局所的レギュレーション回路は、前記X番目の基準レギュレーション回路から制御信号を受信するよう接続された入力端子を備え、該受信された制御信号に基づき関連するX番目の局所的基準ノードで基準信号をレギュレートするよう構成され、
Xの各値について、夫々のX番目の局所的レギュレーション回路の前記入力端子は、比較的少量の電流が前記X番目の基準レギュレーション回路から前記入力端子によって引き込まれるように高い入力インピーダンスを有し、
Xの各値について、夫々のX番目の局所的レギュレーション回路は、比較的多量の電流を電圧源から引き込み、その電流を、関連する前記演算回路へ関連する前記X番目の局所的基準ノードで供給するよう構成される、
前記半導体集積回路。
夫々の演算ユニットについて及びXの各値について、前記X番目の局所的レギュレーション回路は、前記比較的多量の電流を前記電圧源から引き込み、その電流を、関連する前記演算回路へ前記X番目の局所的基準ノードで供給して、前記X番目の局所的基準ノードから前記演算回路によって引き込まれる電流の一部が、X番目の大域的基準ノードからよりむしろ前記X番目の局所的レギュレーション回路によって前記電圧源から供給されるようにするよう構成される、
前記半導体集積回路。
夫々の演算ユニットについて及びXの各値について、
前記X番目の局所的レギュレーション回路は、ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタとして構成されたトランジスタを有し、
前記X番目の局所的レギュレーション回路の前記入力端子は、前記ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタのゲート又はベース端子であり、
前記X番目の局所的レギュレーション回路は、前記比較的多量の電流を前記ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタのソース又はエミッタ端子から前記演算回路へ供給するよう構成される、
前記半導体集積回路。
各配電回路は、前記演算ユニットの夫々の関連する局所的基準ノードを、関連する大域的基準ノードへ、各々の独立した信号パスを介して接続するよう構成され、
各信号パスは、それに沿って接続されたフィルタ回路を有する、
前記半導体集積回路。
局所的デカップリングキャパシタが、前記局所的基準ノードの夫々又は1つ以上で接続される、
前記半導体集積回路。
前記大域的基準ノードへ接続された大域的デカップリングキャパシタを有する
前記半導体集積回路。
各フィルタ回路は、抵抗として実装される、
前記半導体集積回路。
前記抵抗は、並列に及び/又は直列に接続された1つ以上の抵抗器を有する、
前記半導体集積回路。
各抵抗器は、その線形領域で動作するよう構成されたMOSFETトランジスタとして実装される、
前記半導体集積回路。
前記独立した信号パスは、
前記大域的基準ノードと関連する前記局所的基準ノードとの間で所与の雑音周波数帯域幅にわたってお互いから電気的に切り離され、且つ/あるいは
前記大域的基準ノードと関連する前記局所的基準ノードとの間でお互いから電気的に分離される、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、前記用いられる基準信号における雑音のレベルに依存した結果を生成し、且つ/あるいは
夫々の前記演算は、データ信号及び前記用いられる基準信号に依存した結果を生成する、
前記半導体集積回路。
前記基準信号は電圧信号であり、且つ/あるいは
前記基準信号は、お互いに略同じ大きさを有する、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、1つ以上のサブ演算を含む、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算ユニットは、逐次比較型ADCユニットであり、
夫々の前記演算は、1つ以上の比較演算を有し、且つ/あるいは、夫々の前記演算ユニットは、非バイナリ変換を実行するよう構成される、
前記半導体集積回路。
アナログ-デジタル変換器である
前記半導体集積回路。
C1.Nが2以上の整数であるとして、演算回路、スイッチング回路及び第1乃至第Nの局所的基準ノードを有し、前記演算回路が、対応する基準信号に夫々依存した一連の第1乃至第Nの演算を実行するよう動作可能である、演算ユニットと、
前記N個の局所的基準ノードで第1乃至第Nの各々の基準信号を供給するよう接続された基準レギュレーション回路と、
制御回路と
を有し、
Xは、1からNをとる整数変数であり、
前記制御回路は、前記演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路を制御するよう構成され、
前記一連の演算は、Xが1からNまで大きくなる順序で前記N個の演算を実行することを含み、
前記スイッチング回路は、前記演算回路の基準信号入力ノードを前記第1乃至第Nの局所的基準ノードへ夫々接続する第1乃至第Nのスイッチを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記制御回路は、X番目のスイッチをオンして、X番目の演算のためにX番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給し、次いで、前記X番目のスイッチをオフし且つX+1番目のスイッチをオンして、X+1番目の演算のためにX+1番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を代わりに前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給するよう構成され、
前記スイッチは、1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチがオフされ且つ前記X+1番目のスイッチがオンされる場合に、前記基準ノードから前記演算回路の前記基準信号入力ノードに注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように、お互いに対してサイジングされる、
半導体集積回路[3]。
前記スイッチは夫々、少なくとも1つのMOSFETトランジスタを用いて実装され、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅及び長さは、前記注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように設定される、
前記半導体集積回路。
前記局所的基準ノードで供給される前記基準信号は、お互いに略同じ電圧レベルを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチをオフし且つ前記X+1番目のスイッチをオンするよう前記MOSFETトランジスタのゲート端子で供給されるスイッチング信号は、お互いの間で同じポテンシャル差を有する高電圧レベル及び低電圧レベルの間で切り替わり、
前記スイッチは、お互いに同じ数及び配置のMOSFETトランジスタを有し、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅及び長さは、1からNまでのXの各値について、前記X番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのゲートキャパシタンスCgsが、前記X+1番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのゲートキャパシタンスCgs及びCgdの和に等しいように設定される、
前記半導体集積回路。
前記MOSFETトランジスタの夫々についてのゲートキャパシタンスCgs及びCgdは等しく、
前記MOSFETトランジスタのチャネル長さはお互いに同じであり、
前記MOSFETトランジスタのチャネル幅は、前記注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように設定される、
前記半導体集積回路。
1からNまでのXの各値について、前記X番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのチャネル幅は、X+1番目のスイッチの少なくとも1つのMOSFETトランジスタについてのチャネル幅のサイズの2倍である、
前記半導体集積回路。
Nは、2又は3又は4に等しい、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、前記用いられる基準信号における雑音のレベルに依存した結果を生成し、且つ/あるいは
夫々の前記演算は、データ信号及び前記用いられる基準信号に依存した結果を生成する、
前記半導体集積回路。
前記基準信号は電圧信号であり、且つ/あるいは
前記基準信号は、お互いに略同じ大きさを有する、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、1つ以上のサブ演算を含む、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算ユニットは、逐次比較型ADCユニットであり、
夫々の前記演算は、1つ以上の比較演算を有し、且つ/あるいは、夫々の前記演算ユニットは、非バイナリ変換を実行するよう構成される、
前記半導体集積回路。
アナログ-デジタル変換器である
前記半導体集積回路。
D1.局所的基準ノード及び演算回路を夫々有する複数の演算ユニットであり、各演算ユニットがその局所的基準ノードで供給されている基準信号に依存した演算を実行するよう動作可能である、前記複数の演算ユニットと、
大域的基準ノードと、
前記複数の演算ユニットの夫々の前記局所的基準ノードが前記大域的基準ノードへ接続される配電回路と
を有し、
前記配電回路は、前記複数の演算ユニットの夫々の前記局所的基準ノードを前記大域的基準ノードへ各々の独立した信号パスを介して接続するよう構成され、
各信号パスは、それに沿って接続されたフィルタ回路を有する、
半導体集積回路[4]。
局所的デカップリングキャパシタが、前記局所的基準ノードの夫々又は1つ以上で接続される、
前記半導体集積回路。
前記大域的基準ノードへ接続される大域的デカップリングキャパシタを有する
前記半導体集積回路。
各フィルタ回路が抵抗として実装される、
前記半導体集積回路。
前記抵抗は、並列に及び/又は直列に接続された1つ以上の抵抗器を有する、
前記半導体集積回路。
各抵抗器は、その線形領域で動作するよう構成されたMOSFETトランジスタとして実装される、
前記半導体集積回路。
前記独立した信号パスは、
前記大域的基準ノードと関連する前記局所的基準ノードとの間で所与の雑音周波数帯域幅にわたってお互いから電気的に切り離され、且つ/あるいは
前記大域的基準ノードと関連する前記局所的基準ノードとの間でお互いから電気的に分離される、
前記半導体集積回路。
前記局所的基準ノードで供給される各々の基準信号及び/又は前記大域的基準ノードで供給される基準信号をレギュレートするよう構成された基準レギュレーション回路を有する
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、前記用いられる基準信号における雑音のレベルに依存した結果を生成し、且つ/あるいは
夫々の前記演算は、データ信号及び前記用いられる基準信号に依存した結果を生成する、
前記半導体集積回路。
前記基準信号は電圧信号であり、且つ/あるいは
前記基準信号は、お互いに略同じ大きさを有する、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算は、1つ以上のサブ演算を含む、
前記半導体集積回路。
夫々の前記演算ユニットは、逐次比較型ADCユニットであり、
夫々の前記演算は、1つ以上の比較演算を有し、且つ/あるいは、夫々の前記演算ユニットは、非バイナリ変換を実行するよう構成される、
前記半導体集積回路。
アナログ-デジタル変換器である
前記半導体集積回路。
2,20 サンプル段
4,40 サブADC段
6,60 出力段
9 大域的基準生成(レギュレーション)ユニット
10 サブADCユニット
12,120A~C 大域的基準グリッド
80 大域的基準回路
90 大域的基準レギュレーション回路
100 サブADCユニット(演算ユニット)
102 演算回路
104 基準信号入力ノード
220A~C 局所的基準グリッド
230 スイッチ
240A~C フィルタ
250A~C 局所的レギュレーション回路
2000 集積回路
L 局所的基準ノード
Claims (15)
- 大域的基準ノードと、
配電回路と、
局所的レギュレーション回路、局所的基準ノード及び演算回路を夫々有する複数の演算ユニットであり、各演算ユニットがその局所的基準ノードで供給されている基準信号に依存した演算を実行するよう動作可能である、前記複数の演算ユニットと、
前記局所的レギュレーション回路を有し、前記局所的基準ノードで各々の基準信号を供給するよう接続される基準レギュレーション回路と
を有し、
前記複数の演算ユニットの夫々について、前記局所的レギュレーション回路は、前記基準レギュレーション回路から制御信号を受信するよう接続された入力端子を備え、該受信された制御信号に基づき前記局所的基準ノードで基準信号をレギュレートするよう構成され、前記局所的レギュレーション回路の前記入力端子は、第1の電流が前記基準レギュレーション回路から前記入力端子によって引き込まれるように高い入力インピーダンスを有し、前記局所的レギュレーション回路は、電流量が前記第1の電流より多い第2の電流を電圧源から引き込み、引き込まれた前記第2の電流を、関連する前記演算回路へ前記局所的基準ノードで供給するよう構成され、
前記演算回路の前記局所的基準ノードは、前記配電回路を介して前記大域的基準ノードへ接続され、夫々の演算ユニットについて、前記局所的レギュレーション回路は、前記第2の電流を前記電圧源から引き込み、引き込まれた前記第2の電流を、関連する前記演算回路へ前記局所的基準ノードで供給して、前記局所的基準ノードから前記演算回路によって引き込まれる電流の一部が、前記大域的基準ノードからではなく、前記局所的レギュレーション回路によって前記電圧源から供給されるようにするよう構成される、
半導体集積回路。 - 夫々の演算ユニットについて、
前記局所的レギュレーション回路は、ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタとして構成されたトランジスタを有し、
前記局所的レギュレーション回路の前記入力端子は、前記ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタのゲート又はベース端子であり、
前記局所的レギュレーション回路は、前記ソースフォロワ又はエミッタフォロワトランジスタのソース又はエミッタ端子から前記演算回路へ前記第2の電流を供給するよう構成される、
請求項1に記載の半導体集積回路。 - 各演算ユニットは、Nが2以上の整数であるとして、第1乃至第Nの前記局所的レギュレーション回路と、第1乃至第Nの前記局所的基準ノードとを有し、
各演算ユニットは、スイッチング回路を有し、
夫々の演算ユニットについて、前記演算回路は、対応する基準信号に夫々依存した一連の第1乃至第Nの演算を実行するよう動作可能であり、前記N個の演算の夫々は、お互いに異なる第1乃至第Nの耐雑音性レベルの中の対応する耐雑音性レベルを有し、
前記基準レギュレーション回路は、前記複数の演算ユニットの夫々の前記N個の局所的レギュレーション回路を有し、夫々の演算ユニットについて、そのN個の局所的基準ノードで第1乃至第Nの各々の別個の基準信号を供給するよう接続され、
当該半導体集積回路は、制御回路を有し、
Xは、1からNをとる整数変数であり、
前記制御回路は、前記演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路を制御するよう構成され、
各耐雑音性レベルは、前記N個の演算のうちの当該耐雑音性レベルに関連する演算で許容可能な前記用いられる基準信号における雑音のレベルである、
請求項1又は2に記載の半導体集積回路。 - 第1乃至第Nの前記大域的基準ノードと、
第1乃至第Nの前記配電回路と
を有し、
Xの各値について、前記演算回路のX番目の局所的基準ノードは、X番目の配電回路を介してX番目の大域的基準ノードへ接続される、
請求項3に記載の半導体集積回路。 - 前記基準レギュレーション回路は、第1乃至第Nの基準レギュレーション回路を有し、
前記第1乃至第Nの基準レギュレーション回路は、第1乃至第Nの大域的レギュレーション回路を有し、
Xの各値について、X番目の基準レギュレーション回路は、前記演算ユニットのX番目の局所的レギュレーション回路を有し、
Xの各値について、X番目の基準レギュレーション回路は、X番目の局所的基準ノードで供給される各々の基準信号と、X番目の大域的基準ノードで供給される基準信号とをレギュレートするよう構成される、
請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記N個の基準レギュレーション回路は、それらの基準信号をお互いから独立してレギュレートするよう構成され、あるいは
前記N個の配電回路は夫々が、それらの局所的基準ノードをそれらの大域的基準ノードへ各々のフィルタ回路を介して接続し、前記N個の配電回路のうちの各配電回路におけるフィルタ回路は、当該配電回路以外の前記N個の配電回路のうちの他の配電回路の夫々におけるフィルタ回路とは異なり、前記N個の基準レギュレーション回路は、共通のレギュレータを共有して、それらが単一のレギュレーション動作でそれらの大域的基準ノードで前記基準信号をレギュレートするようにする、
請求項5に記載の半導体集積回路。 - 前記演算ユニットは、異なる演算ユニットがそれらの各々の一連のN個の演算において同じ時点で異なる段階にあるように、タイムインターリーブ方式でそれらの各々の一連の演算を実行するよう構成される、
請求項3乃至6のうちいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - X番目の耐雑音性レベルは、2からNまでのXの各値についてX-1番目の耐雑音性レベルよりも低い、
請求項3乃至7のうちいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 前記N個の演算の夫々は、お互いに異なる第1乃至第Nの雑音注入レベルの中の対応する雑音注入レベルを有し、各雑音注入レベルは、関連する演算が関連する局所的基準ノードでの用いられる基準信号に注入する雑音のレベルであり、
X番目の雑音注入レベルは、2からNまでのXの各値についてX-1番目の雑音注入レベルよりも低い、
請求項3乃至8のうちいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 夫々の演算ユニットについて、
前記一連の演算は、Xが1からNまで大きくなる順序で前記N個の演算を実行することを含み、
前記スイッチング回路は、前記演算回路の基準信号入力ノードを前記第1乃至第Nの局所的基準ノードへ夫々接続する第1乃至第Nのスイッチを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記制御回路は、X番目のスイッチをオンして、X番目の演算のためにX番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給し、次いで、前記X番目のスイッチをオフし且つX+1番目のスイッチをオンして、X+1番目の演算のためにX+1番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を代わりに前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給するよう構成され、
前記スイッチは、1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチがオフされ且つ前記X+1番目のスイッチがオンされる場合に、前記局所的基準ノードから前記演算回路の前記基準信号入力ノードに注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように、お互いに対して所定のサイズ比を有する、
請求項3乃至9のうちいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 各配電回路は、前記演算ユニットの夫々の関連する局所的基準ノードを、関連する大域的基準ノードへ、各々の独立した信号パスを介して接続するよう構成され、
各信号パスは、それに沿って接続されたフィルタ回路を有する、
請求項1乃至10のうちいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - 局所的デカップリングキャパシタが、前記局所的基準ノードの夫々又は1つ以上で接続され、
大域的デカップリングキャパシタが、夫々の大域的基準ノードで接続される、
請求項1乃至11のうちいずれか一項に記載の半導体集積回路。 - Nが2以上の整数であるとして、演算回路、スイッチング回路及び第1乃至第Nの局所的基準ノードを有し、前記演算回路が、対応する基準信号に夫々依存した一連の第1乃至第Nの演算を実行するよう動作可能であり、前記N個の演算の夫々が、お互いに異なる第1乃至第Nの耐雑音性レベルの中の対応する耐雑音性レベルを有する、演算ユニットと、
前記N個の局所的基準ノードで第1乃至第Nの各々の別個の基準信号を供給するよう接続された基準レギュレーション回路と、
制御回路と
を有し、
Xは、1からNをとる整数変数であり、
前記制御回路は、前記演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路を制御するよう構成され、
各耐雑音性レベルは、前記N個の演算のうちの当該耐雑音性レベルに関連する演算で許容可能な前記用いられる基準信号における雑音のレベルである、
半導体集積回路。 - Nが2以上の整数であるとして、演算回路、スイッチング回路及び第1乃至第Nの局所的基準ノードを有し、前記演算回路が、対応する基準信号に夫々依存した一連の第1乃至第Nの演算を実行するよう動作可能である、演算ユニットと、
前記N個の局所的基準ノードで第1乃至第Nの各々の基準信号を供給するよう接続された基準レギュレーション回路と、
制御回路と
を有し、
Xは、1からNをとる整数変数であり、
前記制御回路は、前記演算ユニットのために、その演算回路がそのX番目の演算のための基準信号としてそのX番目の局所的基準ノードで供給されるX番目の基準信号を用いるようにその演算回路をその局所的基準ノードへ選択的に接続するよう、前記N個の演算が実行される場合にそのスイッチング回路を制御するよう構成され、
前記一連の演算は、Xが1からNまで大きくなる順序で前記N個の演算を実行することを含み、
前記スイッチング回路は、前記演算回路の基準信号入力ノードを前記第1乃至第Nの局所的基準ノードへ夫々接続する第1乃至第Nのスイッチを有し、
1からN-1までのXの各値について、前記制御回路は、X番目のスイッチをオンして、X番目の演算のためにX番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給し、次いで、前記X番目のスイッチをオフし且つX+1番目のスイッチをオンして、X+1番目の演算のためにX+1番目の局所的基準ノードで供給される基準信号を代わりに前記演算回路の前記基準信号入力ノードに供給するよう構成され、
前記スイッチは、1からN-1までのXの各値について、前記X番目のスイッチがオフされ且つ前記X+1番目のスイッチがオンされる場合に、前記局所的基準ノードから前記演算回路の前記基準信号入力ノードに注入される電荷の正味量を制限する又は最小限にする又は0まで減らすように、お互いに対して所定のサイズ比を有する、
半導体集積回路。 - 半導体集積回路であって、
局所的基準ノード及び演算回路を夫々有する複数の演算ユニットであり、各演算ユニットがその局所的基準ノードで供給されている基準信号に依存した演算を実行するよう動作可能である、前記複数の演算ユニットと、
大域的基準ノードと、
前記複数の演算ユニットの夫々の前記局所的基準ノードが前記大域的基準ノードへ接続される配電回路と
を有し、
前記配電回路は、前記複数の演算ユニットの夫々の前記局所的基準ノードを前記大域的基準ノードへ各々の独立した信号パスを介して接続するよう構成され、
各信号パスは、それに沿って接続されたフィルタ回路を有し、
局所的デカップリングキャパシタが、前記局所的基準ノードの夫々又は1つ以上で接続され、
大域的デカップリングキャパシタが、前記大域的基準ノードで接続され、
当該半導体集積回路は、前記局所的基準ノードで供給される各々の基準信号及び前記大域的基準ノードで供給される基準信号をレギュレートするよう構成された基準レギュレーション回路を有する、
半導体集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18152581.7A EP3514964A1 (en) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | Semiconductor integrated circuitry |
EP18152581.7 | 2018-01-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019129533A JP2019129533A (ja) | 2019-08-01 |
JP7286966B2 true JP7286966B2 (ja) | 2023-06-06 |
Family
ID=61007604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019001086A Active JP7286966B2 (ja) | 2018-01-19 | 2019-01-08 | 半導体集積回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10659073B2 (ja) |
EP (1) | EP3514964A1 (ja) |
JP (1) | JP7286966B2 (ja) |
CN (1) | CN110061741B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP2849346B1 (en) | 2013-09-12 | 2019-08-21 | Socionext Inc. | Mixed-signal circuitry |
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EP3217560A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-09-13 | Socionext Inc. | Analogue-to-digital conversion |
-
2018
- 2018-01-19 EP EP18152581.7A patent/EP3514964A1/en active Pending
-
2019
- 2019-01-08 JP JP2019001086A patent/JP7286966B2/ja active Active
- 2019-01-09 US US16/243,992 patent/US10659073B2/en active Active
- 2019-01-18 CN CN201910048496.2A patent/CN110061741B/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000134079A (ja) | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
US20070236275A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-10-11 | Mellanox Technologies Ltd. | Global Reference Voltage Distribution System With Local Reference Voltages Referred to Ground And Supply |
US20130028014A1 (en) | 2011-07-29 | 2013-01-31 | Micron Technology, Inc. | Reference voltage generators and sensing circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10659073B2 (en) | 2020-05-19 |
JP2019129533A (ja) | 2019-08-01 |
CN110061741A (zh) | 2019-07-26 |
EP3514964A1 (en) | 2019-07-24 |
US20190229745A1 (en) | 2019-07-25 |
CN110061741B (zh) | 2023-05-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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