JP7284695B2 - 粒子ビーム系及び粒子ビーム系を操作する方法 - Google Patents
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Description
3 電子ビーム列
5 イオンビーム列
7 粒子源
9 集光レンズ
11 ブースタ
13 対物レンズ
15 陰極
17 抑制電極
19 引き出し電極
21 電子ビーム
22 ビーム経路
23 対象物
25 対物面
27 内側磁極片
29 外側磁極片
31 励振器コイル
33 ギャップ
35 第1の電極
37 第2の電極
39 第1の検出器
41 出口開口
43 軌道
45 第2の検出器
47 開口
49 軌道
51 イオンビーム
53 共通作業領域
55 主軸
57 主軸
59 偏向器
61 エンドキャップ
63 開口
65 ムーブメント装置
S1 第1のシーケンス
S0, S11, S12, S13, S15, S14 工程
S2 第2のシーケンス
S21, S22, S23, S24, S25 工程
Claims (13)
- 粒子ビーム系(1)を操作する方法であって、
前記粒子ビーム系(1)は、共通作業領域(53)を有する第1の粒子ビーム列(3)及び第2の粒子ビーム列(5)を含み、
前記第1の粒子ビーム列(3)は第1の粒子ビーム(21)を生成するように構成され、
前記第2の粒子ビーム列(5)は第2の粒子ビーム(51)を生成するように構成され;
前記第1の粒子ビーム列(3)は二次粒子を検出するための前記第1の粒子ビーム列(3)内に配置された検出器(39、45)を含み;
前記粒子ビーム系(1)はさらに、開口(63)が配置されたエンドキャップ(61)を含み、
前記エンドキャップ(61)は、前記粒子ビーム系(1)の第1の動作モード中、前記第1の粒子ビーム(21)のビーム経路(22)の外に配置され、
前記エンドキャップ(61)は、前記粒子ビーム系(1)の第2の動作モード中、前記第1の粒子ビーム(21)の前記ビーム経路(22)が前記エンドキャップ(61)の開口(63)を通過し得るようにそして前記作業領域(53)から来る二次粒子が前記エンドキャップ(61)の開口(63)を通過して前記検出器(39、45)へ達するように、配置され、
前記方法は第1のシーケンス及び第2のシーケンスを含み;
前記第1のシーケンスは、
-前記粒子ビーム系(1)が前記第1の動作モードにある間、前記検出器(39、45)を使用することにより、前記作業領域(53)内に配置された対象物(23)から来る前記二次粒子を検出する工程を含み;
前記第2のシーケンスは、
-前記粒子ビーム系(1)が前記第2の動作モードにある間、特に前記第1のシーケンスの過程で検出された前記二次粒子に基づき、前記第2の粒子ビーム(51)により前記対象物(23)を処理する工程を含む、方法。 - 前記第1及び第2のシーケンスの期間中に前記第1の粒子ビーム列(3)により、前記第1の粒子ビーム(21)を減速又は加速するのに適した静電界を生成する工程をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記電界を生成する電圧は前記粒子ビーム系(1)が前記第1及び第2の動作モードにある期間中ほぼ一定に保たれる、請求項2に記載の方法。
- 前記電界は、前記粒子ビーム系(1)が前記第1の動作モードにある間、前記電界の少なくとも一部が出口開口(41)(前記第1の粒子ビーム(21)はこの開口を通り前記第1の粒子ビーム列(3)から出られる)と前記対象物(23)との間に位置するように、生成される、請求項2又は3に記載の方法。
- 前記粒子ビーム系(1)は、前記出口開口(41)と前記対象物(23)との間に前記エンドキャップ(61)を配置することにより、前記第2の動作モードにされる、請求項4に記載の方法。
- 前記粒子ビーム系(1)が前記第2の動作モードにある間、前記エンドキャップ(61)は、前記粒子ビーム系(1)が前記第1の動作モードにある場合と比較して前記エンドキャップ(61)が前記作業領域(53)内の前記電界の強度を低減するように、配置される、請求項2~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のシーケンスはさらに、前記第1の粒子ビーム(21)の前記ビーム経路(22)の外に前記エンドキャップ(61)を配置することにより前記粒子ビーム系(1)を前記第1の動作モードにする工程を含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2のシーケンスはさらに、特に前記第1の粒子ビーム列(3)と前記作業領域(53)との間に前記エンドキャップ(61)を配置することにより前記粒子ビーム系(1)を前記第2の動作モードにする工程を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のシーケンスはさらに、
前記第1のシーケンス中に検出された前記二次粒子に基づき、前記対象物(23)の画像を表す画像データを生成する工程;及び/又は
前記対象物(23)から来る前記二次粒子を生成するために、前記粒子ビーム系(1)が前記第1の動作モードにある間、前記第2の粒子ビーム(51)及び/又は前記第1の粒子ビーム(21)を前記対象物(23)上へ導く工程;及び/又は
特に前記第1のシーケンスの過程で生成された前記画像データに基づき、前記粒子ビーム系(1)が前記第1の動作モードにある間に前記第2の粒子ビーム(51)により前記対象物(23)を処理する工程、を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2のシーケンスはさらに、
前記粒子ビーム系(1)が前記第2の動作モードにある間に、前記対象物(23)から生じ前記エンドキャップ(61)の前記開口(63)を通過する前記二次粒子を前記検出器(39、45)を使用することにより検出する工程;及び/又は
前記対象物(23)の画像を表す画像データを、前記第2のシーケンス中に検出された前記二次粒子に基づき生成する工程;及び/又は
前記対象物(23)から来る前記二次粒子を生成するために、前記粒子ビーム系(1)が前記第2の動作モードにある間に前記エンドキャップ(61)の前記開口(63)を通過した前記第2の粒子ビーム(51)及び/又は前記第1の粒子ビーム(21)を前記対象物(23)上へ導く工程を含む、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第1のシーケンスは前記第2のシーケンスの前、特に直前に行われる、及び/又は、前記第1のシーケンスは前記第2のシーケンスの後、特に直後に行われる、及び/又は、前記第1のシーケンスと第2のシーケンスとは終了条件が満たされるまで交互に逐次的に繰り返される、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の粒子ビームは電子ビーム又はイオンビームであり、前記第2の粒子ビームは電子ビーム又はイオンビームである、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。
- 対象物を処理するための粒子ビーム系(1)であって、共通作業領域(53)を有する第1の粒子ビーム列(3)及び第2の粒子ビーム列(5)を含む粒子ビーム系(1)において、
前記第1の粒子ビーム列(3)は第1の粒子ビーム(21)を生成するように構成され、前記第2の粒子ビーム列(5)は第2の粒子ビーム(51)を生成するように構成され;
前記第1の粒子ビーム列(3)は、
二次粒子を検出するための前記第1の粒子ビーム列(3)内に配置された検出器(39、45)と;
開口(63)が配置されたエンドキャップ(61)であって、前記エンドキャップ(61)は、前記粒子ビーム系(1)の第1の動作モード中、前記第1の粒子ビーム(21)のビーム経路(22)の外に配置され、前記エンドキャップ(61)は、前記粒子ビーム系(1)の第2の動作モード中、前記第1の粒子ビーム(21)の前記ビーム経路(22)が前記エンドキャップ(61)の前記開口(63)を通過し得るように、そして前記作業領域(53)から来る二次粒子が前記エンドキャップ(61)の開口(63)を通過して前記検出器(39、45)へ達するように、配置される、エンドキャップ(61)と、
請求項1~12のいずれか一項に記載の方法を行うようなやり方で前記粒子ビーム系(1)を制御するように構成されたコントローラとを含む、粒子ビーム系(1)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018131609.7 | 2018-12-10 | ||
DE102018131609.7A DE102018131609B3 (de) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | Partikelstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlsystems |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020095958A JP2020095958A (ja) | 2020-06-18 |
JP7284695B2 true JP7284695B2 (ja) | 2023-05-31 |
Family
ID=69168571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019222416A Active JP7284695B2 (ja) | 2018-12-10 | 2019-12-09 | 粒子ビーム系及び粒子ビーム系を操作する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10984983B2 (ja) |
JP (1) | JP7284695B2 (ja) |
CN (1) | CN111293019A (ja) |
CZ (1) | CZ2019742A3 (ja) |
DE (1) | DE102018131609B3 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11127564B2 (en) * | 2019-01-15 | 2021-09-21 | Kkt Holdings Syndicate | Scanning electron microscope with objective lens below sample stage |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087455A (ja) | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡の制御方法 |
JP2008123891A (ja) | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電ビーム装置、及びその鏡体 |
US20090309025A1 (en) | 2006-12-14 | 2009-12-17 | Dirk Preikszas | Particle optical arrangement |
WO2014184881A1 (ja) | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダ及びそれを備えた集束イオンビーム加工装置 |
JP2016146237A (ja) | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
JP2018045811A (ja) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合ビーム装置 |
JP2018163824A (ja) | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2250858B (en) * | 1990-10-22 | 1994-11-30 | Kratos Analytical Ltd | Charged particle extraction arrangement |
JP3372138B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
JP3474082B2 (ja) * | 1997-07-01 | 2003-12-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電子線装置 |
JP3117950B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 荷電粒子装置 |
US7135678B2 (en) * | 2004-07-09 | 2006-11-14 | Credence Systems Corporation | Charged particle guide |
US7112803B2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-09-26 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Beam directing system and method for use in a charged particle beam column |
JP5227512B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線応用装置 |
JP5179253B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2013-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電極ユニット、及び荷電粒子線装置 |
DE102008064856B3 (de) * | 2008-07-15 | 2017-07-13 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts |
DE102010001349B9 (de) | 2010-01-28 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung zum Fokussieren sowie zum Speichern von Ionen |
CN102812533B (zh) * | 2010-04-07 | 2015-12-02 | Fei公司 | 组合激光器和带电粒子束系统 |
US9679741B2 (en) * | 2010-11-09 | 2017-06-13 | Fei Company | Environmental cell for charged particle beam system |
DE102011002583B9 (de) * | 2011-01-12 | 2018-06-28 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät und Verfahren zur Bearbeitung und/oder Analyse einer Probe |
DE102012215945A1 (de) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät und Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts |
EP2950324B1 (en) | 2014-05-28 | 2018-11-21 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Charged particle optical apparatus having a selectively positionable differential pressure module |
CN104934072B (zh) * | 2015-05-12 | 2017-12-05 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 单粒子效应检测方法和系统 |
US10068744B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-09-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle optical apparatus for through-the lens detection of particles |
-
2018
- 2018-12-10 DE DE102018131609.7A patent/DE102018131609B3/de active Active
-
2019
- 2019-12-04 CZ CZ2019-742A patent/CZ2019742A3/cs unknown
- 2019-12-06 US US16/705,953 patent/US10984983B2/en active Active
- 2019-12-09 JP JP2019222416A patent/JP7284695B2/ja active Active
- 2019-12-10 CN CN201911262518.1A patent/CN111293019A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004087455A (ja) | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡の制御方法 |
JP2008123891A (ja) | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電ビーム装置、及びその鏡体 |
US20090309025A1 (en) | 2006-12-14 | 2009-12-17 | Dirk Preikszas | Particle optical arrangement |
JP2010512628A (ja) | 2006-12-14 | 2010-04-22 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | 粒子光学装置 |
WO2014184881A1 (ja) | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダ及びそれを備えた集束イオンビーム加工装置 |
JP2016146237A (ja) | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
JP2018045811A (ja) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合ビーム装置 |
JP2018163824A (ja) | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10984983B2 (en) | 2021-04-20 |
DE102018131609B3 (de) | 2020-02-06 |
CZ2019742A3 (cs) | 2020-06-17 |
CN111293019A (zh) | 2020-06-16 |
JP2020095958A (ja) | 2020-06-18 |
US20200185191A1 (en) | 2020-06-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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