JP2004087455A - 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】試料に負電圧を印加するリターディング法で、試料を傾斜させた場合でも電子ビームの光軸に対する対称性が保たれ、非点収差の発生が抑えられ、高分解能が得られる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電圧を印加するための電源とを備えた走査電子顕微鏡において、前記対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを設け、前記シールド電極には対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電圧を印加するための電源とを備えた走査電子顕微鏡において、前記対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを設け、前記シールド電極には対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は走査電子顕微鏡に関し、特に試料に負電圧を印加するリターディング法を利用した際に、試料を傾斜させても高分解能像を得ることの可能な走査電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】
走査型電子顕微鏡において、試料のチャージアップやダメージを避けるために、低加速電圧の電子ビームを用いる試料観察が行われるが、対物レンズの収差は通過する電子ビームのエネルギーが低いほど悪化する傾向がある。それを避けるため、電子ビームのエネルギーを高くして対物レンズ領域を通過させると共に、試料に負の電位を印加することにより試料直前で電子ビームを減速して試料に入射させる方法が実用化されている。この方法はリターディング法と呼ばれており、低加速電圧においても高い分解能で試料観察が可能である。この場合、試料から発生した2次電子は、対物レンズからの磁界にとらえられて内側磁極の中を通って対物レンズ上部へ進行するため、対物レンズの内部あるいは対物レンズ上部で2次電子を検出する。このリターディング法では、試料と対物レンズとの間に一次電子ビームを減速させる電界が発生しているが、試料を傾斜させない場合においては、試料と対物レンズとの間の電界は電子ビームの光軸に対して軸対称性が保たれるので、一次電子ビームに与える影響(非点収差)は小さい。しかしながら、試料を傾斜させた場合には当該一次電子ビームに与える影響が大きくなるので、このような場合においても高分解能観察が可能となる走査電子顕微鏡の例も検討されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平8−255588号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記に述べたようなリターディング法において、試料を傾斜させたときには、試料と対物レンズとの間の電界は電子ビームの光軸に対して軸対称性が崩れ、光軸に対して横方向の電界成分が発生し、一次電子ビームの非点収差が増大して高分解能が得られない問題が生じる。
【0005】
本発明は、試料を傾斜させた場合でも、当該電界の電子ビーム光軸に対する対称性が保たれ、一次電子ビームの非点収差の発生が抑えられ、分解能の低下を抑えることができる走査電子顕微鏡を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の走査電子顕微鏡は、電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電圧を印加するための電源とを備えた走査電子顕微鏡であって、前記対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを設け、前記シールド電極には対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする。
【0007】
また、本発明の走査電子顕微鏡の制御方法は、電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電位を印加するための電源と、対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを備えた走査電子顕微鏡の制御方法であって、前記シールド電極には前記対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明に基づく走査型電子顕微鏡の一例を示す。1は電子銃で、電子銃1から発生した一次電子ビームEbは、集束レンズ2とセミインレンズ型の対物レンズ3によって試料4上に細く集束される。一次電子ビームEbは、走査コイル5によって偏向され、試料4上を二次元的に走査される。なお、走査コイル5には、図示してない走査信号発生回路から観察倍率に応じた振幅の2次元走査信号が供給される。10は、この走査型電子顕微鏡を制御する制御装置でパソコン等のコンピュータから成り、図示していないがキーボード、マウス等の入力装置と、表示装置(CRT)等を備えている。
【0009】
試料4を載置する試料ステージ7は、一次電子ビームEbの光軸に垂直な平面内のX、Y軸方向の移動を行うための水平移動機構、Z軸方向(光軸方向)の移動を行うための垂直移動機構(試料昇降手段)7b、および傾斜機構(試料傾斜手段)7aを備え、ステージ駆動回路12を介して制御装置10によって制御される。また、試料4(試料ステージ7)には電源11が接続されるが、この電源11は試料4に負電圧を印加し、これにより電子ビームEbを減速させるためのリターディング用の電源である。
【0010】
対物レンズ3は、電子ビーム通路を取り巻くように配置される内側磁極3b、その外側を取り巻くように配置される外側磁極3c、両磁極を接続するヨーク3a及び励磁コイル3dにより構成されている。対物レンズ3の中央付近には、レンズの外側から光軸へむけて磁極3a、3bを貫通する孔3eと3fが光軸に対して対称に開けられている。そして、一方の孔3eには2次電子検出器6が挿入されており、試料4から発生し対物レンズ3内を上昇してきた2次電子は孔3eの中に誘引されて2次電子検出器6へ入射して検出される。
【0011】
2次電子検出器6は図示してないがシンチレータと光電子増倍管とを組み合わせた構造を有しており、先端に設けられた円形のシンチレータの周囲部分にはリング状の電極が設けられ、その電極には2次電子を引き寄せる正の10kV程度の電圧が印加される。2次電子検出器6の検出信号は、図示していないが、増幅器によって増幅された後、表示装置に供給される。これにより、当該検出信号は表示装置の画面において試料4の2次電子像として表示される。
【0012】
8は、対物レンズ3と試料4との間に電子ビームEbの通路を囲むように配置される筒状のシールド電極であり、磁極3b,3cと同じ電位(通常はアース電位)が与えられる。9は、シールド電極を保持して移動させる移動機構である。この移動機構9は、前記孔3fを介して対物レンズ3内に挿入されると共に、シールド電極8を電子ビームEbの光軸に沿って上下に移動させる機構を備えており、最も上に位置させた時、シールド電極8が対物レンズ3内にすべて収納されるようになっている。
【0013】
シールド電極8の試料側の先端部にはリング電極8aが電気的絶縁物を介して取り付けられており、そのリング電極8aには電源13が接続されている。前記移動機構9及びシールド電極8の内面には、電子が入射したときに2次電子を発生する効率の高い材料、例えば重元素材料がコーティングされている。これにより、電子ビームEbの照射により試料4より発生した2次電子が対物レンズ3内に入射して、移動機構9およびシールド電極8の内面に衝突した場合、入射した数より多い2次電子が発生し、対物レンズ内で2次電子を増幅することができる。以上の構成の動作を次に説明する。
【0014】
まず、試料4の傾斜をさせないでリターディング法により観察を行う場合、先に述べたように、対物レンズ3と試料4との間での電界の軸対称性の乱れは発生しないため、シールド電極8は不要であり、制御装置10はシールド電極8を最も上に位置させ、シールド電極8が対物レンズ3内にすべて収納されるようにする。これにより、試料像(2次電子像)を高分解能で観察することができる。
【0015】
一方、試料4の傾斜を行う場合、制御装置10はシールド電極8を下降させて対物レンズ3と試料4との間に配置させるが、その際、試料ステージ7の高さ位置情報Z及び傾斜角度の情報θに基づき、シールド電極8の先端部が試料4に接触しないで適切な間隔を置くような位置でシールド電極8を停止させる。オペレータが、傾斜角度を増すように、すなわち試料傾斜が大きくなるように指示あるいは操作した場合、試料4とシールド電極8の先端部の間隔が縮まるので、制御装置10は傾斜角度の情報θに基づきシールド電極8を電子ビームの通路に沿って上昇させ、適切な間隔が維持されるようにする。オペレータが試料ステージ7の上下を指示した場合にも、全く同様に制御装置10はシールド電極8をそれに合わせて上下させ、適切な間隔が維持されるようにする。これにより、試料昇降手段である垂直移動機構7bによる試料4と対物レンズ3との距離の変化にかかわらず、試料4とシールド電極8との距離が一定に保たれる。
【0016】
このように試料4を傾斜させた状態で2次電子像を観察する場合、図示していない走査信号発生回路から走査信号が走査コイル5に供給され、試料4上の対物レンズ3直下の領域が電子ビームEbによってラスター走査される。電子ビームEbの加速電圧は、例えば−4kVと高く設定され、比較的高いエネルギーで電子ビームEbが対物レンズ3内部を通過することから、電子ビームEbが対物レンズ3から受ける収差は低減される。そして、試料4には電源11より例えば−3kVの負電圧が印加されるため、電子ビームEbは試料4の直前で減速され、1kVのエネルギーにて試料4に照射される。
【0017】
なお、従来このように試料4に負電圧を印加したリターディング法では、試料ステージ7を傾斜させると、接地電位である対物レンズ3と試料4との間に発生する電界には、図2に示すような等電位線の乱れが生じる。これにより破線で示す光軸に対して電界の軸対称性が崩れ、光軸に対して横方向の電界成分が発生し、電子ビームEbは傾斜方向に曲げられる結果、非点収差が増大して高分解能が得られなくなる。
【0018】
本発明では、この弊害を取り除くために、対物レンズ3と試料4との間にシールド電極8を配置し、その中を通して電子ビームEbが試料4に照射されるようにする。シールド電極8は対物レンズ3と同一の電位(通常は接地電位)が与えられているため、シールド電極8には対物レンズの磁極の電位と同等の電位が与えられることとなり、シールド電極8内には軸対称性面で不正電界は発生しない。また、シールド電極8の先端部に取り付けられているリング8aには、試料4に印加される電圧と同じ電圧(例えば−3kV)か、これより若干低めの電圧(例えば−2.95kV)を電源13によって印加する。したがって、このリング8aには試料4の電位と同等の電位が与えられる。これにより、試料4とシールド電極8の先端部とはほぼ同電位となるため、試料4とシールド電極8の先端部との間に付加的な電界は発生しない。そのため、試料4を傾斜した状態でも、分解能低下の原因となる非点収差の発生が抑えられた状態で電子ビームEbが試料4に照射される。従って、試料4を傾斜した状態でも、試料像(2次電子像)を高分解能で観察することができる。
【0019】
なお、制御装置10によるシールド電極8の位置制御は、試料4の垂直位置情報Zと、試料4の傾斜角度情報θの2つのパラメータから決定したシールド電極8の垂直位置情報Z1をテーブルとして記憶しておき、その時その時のZ、θの情報に基づいてテーブルからシールド電極8の垂直位置情報Z1を読み出して行うようにすればよい。
【0020】
図3は、図1におけるシールド電極8を移動させる移動機構9を、対物レンズ3と試料4との間で光軸に直交する方向から光軸上に出し入れする方式に置き換えた実施例を示している。図3において、シールド電極8は光軸に直交するように配置される支持棒15の一端に支持されている。図3(a)では、シールド電極8は電子ビームEbの光軸を囲むように配置されている。この支持棒15の他端は走査電子顕微鏡の試料室(図示せず)を貫通して大気側にまで延び、大気側において駆動機構16に取り付けられている。そして、駆動機構16を操作することにより、支持棒15を前後させれば、図3(a)および図3(b)に示すように、支持棒15の先端に取り付けられているシールド電極8を対物レンズ3と試料4との間の光軸上に挿脱することができる。なお、図3(b)は、支持棒15および駆動機構16の動作により、シールド電極8を電子ビームEbの光軸(電子ビーム通路)から待避させた状態を示しており、支持棒15と駆動機構16とにより待避機構が構成されている。
【0021】
図3の実施例において、試料4を傾斜させる場合には、まず始めに、制御装置10は、シールド電極8が試料4と干渉せずに挿入できるように、試料4の垂直位置を設定する。次に、シールド電極8を図3(a)に示す位置に駆動機構16によって挿入し、シールド電極8のリング電極8aに対して試料4に印加されている負電圧とほぼ同じ電圧を印加する。これによって、前述した実施例と同様に、傾斜した状態であっても、高分解能の2次電子像を得ることができる。
【0022】
以上、本発明の実施例の形態を説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではない。対物レンズ3と試料4との間に電界が発生し、その電界の光軸に関する軸対称性が1次電子ビームEbに対して悪影響を与える走査電子顕微鏡であれば、セミインレンズ型の対物レンズに限らず、他の形態の対物レンズにおいても本発明を適用することができる。また、2次電子検出器は対物レンズ内に配置したが、対物レンズ3の上部に配置してもよい。また、シールド電極8の下端面の形状は、試料傾斜の方向に合わせて適当な傾斜を持たせてもよい。
【0023】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、対物レンズと試料の間に電極を設け、この電極に対して試料に印加する電圧と同一の電圧を印加することによって、試料を傾斜させても電子ビームの光軸に対する対称性が保たれ、非点収差の発生を抑えられ高分解能の観察ができる。また、この電極は試料の傾斜角度や作動距離によって最適な所定位置に制御することにより、より非点収差を改善できる。
【0024】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例である走査電子顕微鏡の概略構成図である。
【図2】負電圧を試料に印加し、試料傾斜したときの対物レンズと試料間の等電位図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す走査電子顕微鏡の概略構成図である。
【符号の説明】
1…電子銃、2…集束レンズ、3…対物レンズ、4…試料、5…走査コイル、6…2次電子検出器、7…試料ステージ、8…シールド電極、9…移動機構、10…制御装置、11、13…電源、14…移動機構制御回路、15…支持棒、16…駆動機構
【発明の属する技術分野】
本発明は走査電子顕微鏡に関し、特に試料に負電圧を印加するリターディング法を利用した際に、試料を傾斜させても高分解能像を得ることの可能な走査電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】
走査型電子顕微鏡において、試料のチャージアップやダメージを避けるために、低加速電圧の電子ビームを用いる試料観察が行われるが、対物レンズの収差は通過する電子ビームのエネルギーが低いほど悪化する傾向がある。それを避けるため、電子ビームのエネルギーを高くして対物レンズ領域を通過させると共に、試料に負の電位を印加することにより試料直前で電子ビームを減速して試料に入射させる方法が実用化されている。この方法はリターディング法と呼ばれており、低加速電圧においても高い分解能で試料観察が可能である。この場合、試料から発生した2次電子は、対物レンズからの磁界にとらえられて内側磁極の中を通って対物レンズ上部へ進行するため、対物レンズの内部あるいは対物レンズ上部で2次電子を検出する。このリターディング法では、試料と対物レンズとの間に一次電子ビームを減速させる電界が発生しているが、試料を傾斜させない場合においては、試料と対物レンズとの間の電界は電子ビームの光軸に対して軸対称性が保たれるので、一次電子ビームに与える影響(非点収差)は小さい。しかしながら、試料を傾斜させた場合には当該一次電子ビームに与える影響が大きくなるので、このような場合においても高分解能観察が可能となる走査電子顕微鏡の例も検討されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平8−255588号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記に述べたようなリターディング法において、試料を傾斜させたときには、試料と対物レンズとの間の電界は電子ビームの光軸に対して軸対称性が崩れ、光軸に対して横方向の電界成分が発生し、一次電子ビームの非点収差が増大して高分解能が得られない問題が生じる。
【0005】
本発明は、試料を傾斜させた場合でも、当該電界の電子ビーム光軸に対する対称性が保たれ、一次電子ビームの非点収差の発生が抑えられ、分解能の低下を抑えることができる走査電子顕微鏡を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の走査電子顕微鏡は、電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電圧を印加するための電源とを備えた走査電子顕微鏡であって、前記対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを設け、前記シールド電極には対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする。
【0007】
また、本発明の走査電子顕微鏡の制御方法は、電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電位を印加するための電源と、対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを備えた走査電子顕微鏡の制御方法であって、前記シールド電極には前記対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明に基づく走査型電子顕微鏡の一例を示す。1は電子銃で、電子銃1から発生した一次電子ビームEbは、集束レンズ2とセミインレンズ型の対物レンズ3によって試料4上に細く集束される。一次電子ビームEbは、走査コイル5によって偏向され、試料4上を二次元的に走査される。なお、走査コイル5には、図示してない走査信号発生回路から観察倍率に応じた振幅の2次元走査信号が供給される。10は、この走査型電子顕微鏡を制御する制御装置でパソコン等のコンピュータから成り、図示していないがキーボード、マウス等の入力装置と、表示装置(CRT)等を備えている。
【0009】
試料4を載置する試料ステージ7は、一次電子ビームEbの光軸に垂直な平面内のX、Y軸方向の移動を行うための水平移動機構、Z軸方向(光軸方向)の移動を行うための垂直移動機構(試料昇降手段)7b、および傾斜機構(試料傾斜手段)7aを備え、ステージ駆動回路12を介して制御装置10によって制御される。また、試料4(試料ステージ7)には電源11が接続されるが、この電源11は試料4に負電圧を印加し、これにより電子ビームEbを減速させるためのリターディング用の電源である。
【0010】
対物レンズ3は、電子ビーム通路を取り巻くように配置される内側磁極3b、その外側を取り巻くように配置される外側磁極3c、両磁極を接続するヨーク3a及び励磁コイル3dにより構成されている。対物レンズ3の中央付近には、レンズの外側から光軸へむけて磁極3a、3bを貫通する孔3eと3fが光軸に対して対称に開けられている。そして、一方の孔3eには2次電子検出器6が挿入されており、試料4から発生し対物レンズ3内を上昇してきた2次電子は孔3eの中に誘引されて2次電子検出器6へ入射して検出される。
【0011】
2次電子検出器6は図示してないがシンチレータと光電子増倍管とを組み合わせた構造を有しており、先端に設けられた円形のシンチレータの周囲部分にはリング状の電極が設けられ、その電極には2次電子を引き寄せる正の10kV程度の電圧が印加される。2次電子検出器6の検出信号は、図示していないが、増幅器によって増幅された後、表示装置に供給される。これにより、当該検出信号は表示装置の画面において試料4の2次電子像として表示される。
【0012】
8は、対物レンズ3と試料4との間に電子ビームEbの通路を囲むように配置される筒状のシールド電極であり、磁極3b,3cと同じ電位(通常はアース電位)が与えられる。9は、シールド電極を保持して移動させる移動機構である。この移動機構9は、前記孔3fを介して対物レンズ3内に挿入されると共に、シールド電極8を電子ビームEbの光軸に沿って上下に移動させる機構を備えており、最も上に位置させた時、シールド電極8が対物レンズ3内にすべて収納されるようになっている。
【0013】
シールド電極8の試料側の先端部にはリング電極8aが電気的絶縁物を介して取り付けられており、そのリング電極8aには電源13が接続されている。前記移動機構9及びシールド電極8の内面には、電子が入射したときに2次電子を発生する効率の高い材料、例えば重元素材料がコーティングされている。これにより、電子ビームEbの照射により試料4より発生した2次電子が対物レンズ3内に入射して、移動機構9およびシールド電極8の内面に衝突した場合、入射した数より多い2次電子が発生し、対物レンズ内で2次電子を増幅することができる。以上の構成の動作を次に説明する。
【0014】
まず、試料4の傾斜をさせないでリターディング法により観察を行う場合、先に述べたように、対物レンズ3と試料4との間での電界の軸対称性の乱れは発生しないため、シールド電極8は不要であり、制御装置10はシールド電極8を最も上に位置させ、シールド電極8が対物レンズ3内にすべて収納されるようにする。これにより、試料像(2次電子像)を高分解能で観察することができる。
【0015】
一方、試料4の傾斜を行う場合、制御装置10はシールド電極8を下降させて対物レンズ3と試料4との間に配置させるが、その際、試料ステージ7の高さ位置情報Z及び傾斜角度の情報θに基づき、シールド電極8の先端部が試料4に接触しないで適切な間隔を置くような位置でシールド電極8を停止させる。オペレータが、傾斜角度を増すように、すなわち試料傾斜が大きくなるように指示あるいは操作した場合、試料4とシールド電極8の先端部の間隔が縮まるので、制御装置10は傾斜角度の情報θに基づきシールド電極8を電子ビームの通路に沿って上昇させ、適切な間隔が維持されるようにする。オペレータが試料ステージ7の上下を指示した場合にも、全く同様に制御装置10はシールド電極8をそれに合わせて上下させ、適切な間隔が維持されるようにする。これにより、試料昇降手段である垂直移動機構7bによる試料4と対物レンズ3との距離の変化にかかわらず、試料4とシールド電極8との距離が一定に保たれる。
【0016】
このように試料4を傾斜させた状態で2次電子像を観察する場合、図示していない走査信号発生回路から走査信号が走査コイル5に供給され、試料4上の対物レンズ3直下の領域が電子ビームEbによってラスター走査される。電子ビームEbの加速電圧は、例えば−4kVと高く設定され、比較的高いエネルギーで電子ビームEbが対物レンズ3内部を通過することから、電子ビームEbが対物レンズ3から受ける収差は低減される。そして、試料4には電源11より例えば−3kVの負電圧が印加されるため、電子ビームEbは試料4の直前で減速され、1kVのエネルギーにて試料4に照射される。
【0017】
なお、従来このように試料4に負電圧を印加したリターディング法では、試料ステージ7を傾斜させると、接地電位である対物レンズ3と試料4との間に発生する電界には、図2に示すような等電位線の乱れが生じる。これにより破線で示す光軸に対して電界の軸対称性が崩れ、光軸に対して横方向の電界成分が発生し、電子ビームEbは傾斜方向に曲げられる結果、非点収差が増大して高分解能が得られなくなる。
【0018】
本発明では、この弊害を取り除くために、対物レンズ3と試料4との間にシールド電極8を配置し、その中を通して電子ビームEbが試料4に照射されるようにする。シールド電極8は対物レンズ3と同一の電位(通常は接地電位)が与えられているため、シールド電極8には対物レンズの磁極の電位と同等の電位が与えられることとなり、シールド電極8内には軸対称性面で不正電界は発生しない。また、シールド電極8の先端部に取り付けられているリング8aには、試料4に印加される電圧と同じ電圧(例えば−3kV)か、これより若干低めの電圧(例えば−2.95kV)を電源13によって印加する。したがって、このリング8aには試料4の電位と同等の電位が与えられる。これにより、試料4とシールド電極8の先端部とはほぼ同電位となるため、試料4とシールド電極8の先端部との間に付加的な電界は発生しない。そのため、試料4を傾斜した状態でも、分解能低下の原因となる非点収差の発生が抑えられた状態で電子ビームEbが試料4に照射される。従って、試料4を傾斜した状態でも、試料像(2次電子像)を高分解能で観察することができる。
【0019】
なお、制御装置10によるシールド電極8の位置制御は、試料4の垂直位置情報Zと、試料4の傾斜角度情報θの2つのパラメータから決定したシールド電極8の垂直位置情報Z1をテーブルとして記憶しておき、その時その時のZ、θの情報に基づいてテーブルからシールド電極8の垂直位置情報Z1を読み出して行うようにすればよい。
【0020】
図3は、図1におけるシールド電極8を移動させる移動機構9を、対物レンズ3と試料4との間で光軸に直交する方向から光軸上に出し入れする方式に置き換えた実施例を示している。図3において、シールド電極8は光軸に直交するように配置される支持棒15の一端に支持されている。図3(a)では、シールド電極8は電子ビームEbの光軸を囲むように配置されている。この支持棒15の他端は走査電子顕微鏡の試料室(図示せず)を貫通して大気側にまで延び、大気側において駆動機構16に取り付けられている。そして、駆動機構16を操作することにより、支持棒15を前後させれば、図3(a)および図3(b)に示すように、支持棒15の先端に取り付けられているシールド電極8を対物レンズ3と試料4との間の光軸上に挿脱することができる。なお、図3(b)は、支持棒15および駆動機構16の動作により、シールド電極8を電子ビームEbの光軸(電子ビーム通路)から待避させた状態を示しており、支持棒15と駆動機構16とにより待避機構が構成されている。
【0021】
図3の実施例において、試料4を傾斜させる場合には、まず始めに、制御装置10は、シールド電極8が試料4と干渉せずに挿入できるように、試料4の垂直位置を設定する。次に、シールド電極8を図3(a)に示す位置に駆動機構16によって挿入し、シールド電極8のリング電極8aに対して試料4に印加されている負電圧とほぼ同じ電圧を印加する。これによって、前述した実施例と同様に、傾斜した状態であっても、高分解能の2次電子像を得ることができる。
【0022】
以上、本発明の実施例の形態を説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではない。対物レンズ3と試料4との間に電界が発生し、その電界の光軸に関する軸対称性が1次電子ビームEbに対して悪影響を与える走査電子顕微鏡であれば、セミインレンズ型の対物レンズに限らず、他の形態の対物レンズにおいても本発明を適用することができる。また、2次電子検出器は対物レンズ内に配置したが、対物レンズ3の上部に配置してもよい。また、シールド電極8の下端面の形状は、試料傾斜の方向に合わせて適当な傾斜を持たせてもよい。
【0023】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、対物レンズと試料の間に電極を設け、この電極に対して試料に印加する電圧と同一の電圧を印加することによって、試料を傾斜させても電子ビームの光軸に対する対称性が保たれ、非点収差の発生を抑えられ高分解能の観察ができる。また、この電極は試料の傾斜角度や作動距離によって最適な所定位置に制御することにより、より非点収差を改善できる。
【0024】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例である走査電子顕微鏡の概略構成図である。
【図2】負電圧を試料に印加し、試料傾斜したときの対物レンズと試料間の等電位図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す走査電子顕微鏡の概略構成図である。
【符号の説明】
1…電子銃、2…集束レンズ、3…対物レンズ、4…試料、5…走査コイル、6…2次電子検出器、7…試料ステージ、8…シールド電極、9…移動機構、10…制御装置、11、13…電源、14…移動機構制御回路、15…支持棒、16…駆動機構
Claims (9)
- 電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電圧を印加するための電源とを備えた走査電子顕微鏡において、前記対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを設け、前記シールド電極には対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
- 前記シールド電極を電子ビーム通路から待避させる待避機構を設けたことを特徴とする請求項1記載の走査電子顕微鏡。
- 前記シールド電極を電子ビーム通路に沿って移動させるための移動手段を備えたことを特徴とする請求項1記載の走査電子顕微鏡。
- 前記シールド電極は、対物レンズ内に収納可能に設けられたことを特徴とする請求項3記載の走査電子顕微鏡。
- 前記試料傾斜手段による試料傾斜が大きくなるのに応じて前記シールド電極を電子ビーム通路に沿って上昇させるように前記移動手段を制御する制御手段を備えたことを特徴とする請求項3又は4記載の走査電子顕微鏡。
- 試料と対物レンズとの距離を変化させる試料昇降手段を備えると共に、該試料昇降手段による試料と対物レンズとの距離の変化にかかわらず前記試料と前記シールド電極との距離が一定に保たれるように前記移動手段を制御する制御手段を備えることを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載の走査電子顕微鏡。
- 電子銃と、該電子銃から発生した電子ビームを細く集束して試料に照射するための対物レンズと、試料を電子ビームに対して傾斜させる試料傾斜手段と、試料に負電位を印加するための電源と、対物レンズと試料との間の電子ビーム通路を囲むように配置される筒状のシールド電極と、該シールド電極の試料側の先端部に絶縁的に取り付けられる先端電極とを備えた走査電子顕微鏡の制御方法において、前記シールド電極には前記対物レンズの磁極の電位と同等の電位を与え、前記先端電極には前記試料の電位と同等の電位を与えるようにしたことを特徴とする走査電子顕微鏡の制御方法。
- 前記試料傾斜手段による試料傾斜が大きくなるのに応じて前記シールド電極を電子ビーム通路に沿って上昇させるようにすることを特徴とする請求項7記載の走査電子顕微鏡の制御方法。
- 前記試料と前記対物レンズとの距離の変化にかかわらず前記試料と前記シールド電極との距離が一定に保たれるようにすることを特徴とする請求項7又は8記載の走査電子顕微鏡の制御方法。
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US6856494B2 (en) | 2000-03-24 | 2005-02-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve type thin film magnetic element having bias layers and ferromagnetic layers |
JP2007059111A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2007519194A (ja) * | 2004-01-21 | 2007-07-12 | イツェーテー インテグレイテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フュール ハルブライタープリュッフテヒニク ミット ベシュレンクテル ハフツング | 荷電粒子ビーム用の集束レンズ |
KR20180109687A (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 하전 입자 빔 장치 |
JP2020095958A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH | 粒子ビーム系及び粒子ビーム系を操作する方法 |
-
2003
- 2003-03-26 JP JP2003084445A patent/JP2004087455A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6856494B2 (en) | 2000-03-24 | 2005-02-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve type thin film magnetic element having bias layers and ferromagnetic layers |
JP2007519194A (ja) * | 2004-01-21 | 2007-07-12 | イツェーテー インテグレイテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フュール ハルブライタープリュッフテヒニク ミット ベシュレンクテル ハフツング | 荷電粒子ビーム用の集束レンズ |
JP4828433B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2011-11-30 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 荷電粒子ビーム用の集束レンズ |
JP2007059111A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP4721821B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2011-07-13 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡における信号検出方法 |
CN108666192A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-16 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 带电粒子束装置 |
KR20180109687A (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-08 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 하전 입자 빔 장치 |
JP2018163824A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
CN108666192B (zh) * | 2017-03-27 | 2022-05-03 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 带电粒子束装置 |
TWI775818B (zh) * | 2017-03-27 | 2022-09-01 | 日商日立高新技術科學股份有限公司 | 帶電粒子束裝置 |
KR102559888B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2023-07-26 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 하전 입자 빔 장치 |
JP2020095958A (ja) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH | 粒子ビーム系及び粒子ビーム系を操作する方法 |
JP7284695B2 (ja) | 2018-12-10 | 2023-05-31 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハー | 粒子ビーム系及び粒子ビーム系を操作する方法 |
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