JP2001126655A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
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- JP2001126655A JP2001126655A JP30199999A JP30199999A JP2001126655A JP 2001126655 A JP2001126655 A JP 2001126655A JP 30199999 A JP30199999 A JP 30199999A JP 30199999 A JP30199999 A JP 30199999A JP 2001126655 A JP2001126655 A JP 2001126655A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低真空SEMに於いて、試料周辺の残留ガス分子
による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成
する方法が試みられており、これによる画像は二次電子
像と酷似しているため微細な表面構造や立体像の観察が
低真空雰囲気において可能となっている。この特徴から
低真空SEM利用者に需要が出てきており、低コスト・簡
単な操作性・良好な像質等が要求されている。 【解決手段】高真空時の観察に用いている二次電子検出
器の二次電子コレクタ電極を、本発明の基となっている
基本原理に適用した低真空走査電子顕微鏡。また試料微
動ステージにリング状電極を設置し収量増大・像質向上
を目的として構成される低真空走査電子顕微鏡。またそ
れら電極構造において、像観察する際の観察条件自動設
定機能を用いた低真空走査電子顕微鏡。
による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成
する方法が試みられており、これによる画像は二次電子
像と酷似しているため微細な表面構造や立体像の観察が
低真空雰囲気において可能となっている。この特徴から
低真空SEM利用者に需要が出てきており、低コスト・簡
単な操作性・良好な像質等が要求されている。 【解決手段】高真空時の観察に用いている二次電子検出
器の二次電子コレクタ電極を、本発明の基となっている
基本原理に適用した低真空走査電子顕微鏡。また試料微
動ステージにリング状電極を設置し収量増大・像質向上
を目的として構成される低真空走査電子顕微鏡。またそ
れら電極構造において、像観察する際の観察条件自動設
定機能を用いた低真空走査電子顕微鏡。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低真空SEMによる像
観察手法に属し、具体的には試料周辺の残留ガス分子に
よる二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成す
る方法を基本原理としている。これの実用化に向けた電
極構造と、この電極構造を用いて像観察する際の観察条
件自動設定機能を用いる事に関する。
観察手法に属し、具体的には試料周辺の残留ガス分子に
よる二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成す
る方法を基本原理としている。これの実用化に向けた電
極構造と、この電極構造を用いて像観察する際の観察条
件自動設定機能を用いる事に関する。
【０００２】
【従来の技術】低真空SEMにおける画像形成法として、
試料周辺の残留気体分子を利用して二次電子を増幅させ
吸収電流として取り込む方法が数々試みられている。こ
の種の原理に関する内容については、セコンダリー エ
レクトロン イメージング インザ バリアブル プレッシ
ャー スキャニング エレクトロン マイクロスコープ、
スキャニング20、436−441(1998)の論文(Secondary Ele
ctron Imaging In the Variable Pressure Scanning El
ectron Microscope．Scannig20 ，436−441(1998)にお
いて挙げられている。具体的にはまず、試料より飛び出
した二次電子を陽極の電極で残留気体分子と衝突・増幅
させる。この時発生した(＋)イオンは試料方向にドリフ
トされ試料に吸収、その後吸収電流として検出される。
発生した(＋)イオンは二次電子の情報を持っていること
から、この吸収電流から得られた画像は二次電子観察像
となる。
試料周辺の残留気体分子を利用して二次電子を増幅させ
吸収電流として取り込む方法が数々試みられている。こ
の種の原理に関する内容については、セコンダリー エ
レクトロン イメージング インザ バリアブル プレッシ
ャー スキャニング エレクトロン マイクロスコープ、
スキャニング20、436−441(1998)の論文(Secondary Ele
ctron Imaging In the Variable Pressure Scanning El
ectron Microscope．Scannig20 ，436−441(1998)にお
いて挙げられている。具体的にはまず、試料より飛び出
した二次電子を陽極の電極で残留気体分子と衝突・増幅
させる。この時発生した(＋)イオンは試料方向にドリフ
トされ試料に吸収、その後吸収電流として検出される。
発生した(＋)イオンは二次電子の情報を持っていること
から、この吸収電流から得られた画像は二次電子観察像
となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術が抱えてい
る問題点としては、上記の吸収電流が画像形成に依存す
ることから電極でより多くの(＋)イオンを発生させ、吸
収電流の収量を増やす為に様々な電極構造が試みられて
いる。しかし、実用化を考慮した最適な電極構造はまだ
見出されておらず、また上記の原理を簡略化した機構構
造がない為製品化には装置の改造、部品の追加などが考
えられ多くの問題点を抱えている。更に、この吸収電流
の収量は試料室真空度と電極の印加電圧値や試料位置
（作動距離：ワーキングデイスタンス(Ｗ.Ｄ.)）などで
変動することから最適条件での像観察の際には操作性上
の問題がある。
る問題点としては、上記の吸収電流が画像形成に依存す
ることから電極でより多くの(＋)イオンを発生させ、吸
収電流の収量を増やす為に様々な電極構造が試みられて
いる。しかし、実用化を考慮した最適な電極構造はまだ
見出されておらず、また上記の原理を簡略化した機構構
造がない為製品化には装置の改造、部品の追加などが考
えられ多くの問題点を抱えている。更に、この吸収電流
の収量は試料室真空度と電極の印加電圧値や試料位置
（作動距離：ワーキングデイスタンス(Ｗ.Ｄ.)）などで
変動することから最適条件での像観察の際には操作性上
の問題がある。
【０００４】本発明の目的は、低コストな電極構造の開
発ならびに吸収電流の収量増加を目的とした電極構造の
開発をし、更にこれらの装置構成に於いて像観察する際
の操作性向上を図ることである。
発ならびに吸収電流の収量増加を目的とした電極構造の
開発をし、更にこれらの装置構成に於いて像観察する際
の操作性向上を図ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的の一つ目に
原理を簡略した電極構造を挙げているが、この課題を解
決する為に高真空時の観察に用いている二次電子検出器
の二次電子コレクタ電極を低真空時にも併用し、さきに
挙げた論文の電極による二次電子増幅法と同等の効果を
得ることで解決できる。試料上方に電極を設置するとい
うことに関しては論文と同様であるが、通常の走査電子
顕微鏡に標準で搭載されている二次電子検出器のコレク
タ電極を、低真空時においても印加電圧を切断せずにそ
のまま印加させておくことで、前述した試料上方の電極
と等価的な効果をもたせることで二次電子増幅法にその
まま利用できる。これにより、二次電子を増幅させる為
の特別な装置の改良や部品の追加などを施す必要がない
という点で有効な手段である。更にこの手法だと通常の
試料室内配置構造に何ら変更がいらないため、本手法を
取扱うことに際して特に試料移動や傾斜といった制限が
不要である。
原理を簡略した電極構造を挙げているが、この課題を解
決する為に高真空時の観察に用いている二次電子検出器
の二次電子コレクタ電極を低真空時にも併用し、さきに
挙げた論文の電極による二次電子増幅法と同等の効果を
得ることで解決できる。試料上方に電極を設置するとい
うことに関しては論文と同様であるが、通常の走査電子
顕微鏡に標準で搭載されている二次電子検出器のコレク
タ電極を、低真空時においても印加電圧を切断せずにそ
のまま印加させておくことで、前述した試料上方の電極
と等価的な効果をもたせることで二次電子増幅法にその
まま利用できる。これにより、二次電子を増幅させる為
の特別な装置の改良や部品の追加などを施す必要がない
という点で有効な手段である。更にこの手法だと通常の
試料室内配置構造に何ら変更がいらないため、本手法を
取扱うことに際して特に試料移動や傾斜といった制限が
不要である。
【０００６】二つ目の目的に吸収電流の収量増加を図っ
た電極構造を挙げているが、この課題は試料近傍のリン
グ電極を微動ステージに固定設置することで解決でき
る。低真空SEMの二次電子観察手法において、その吸収
電流の収量は試料上に印加される電界の強さに依存する
が、従来のリング電極は試料室の空きポートより挿入さ
れていて、作動距離：ワーキングデイスタンス(Ｗ.Ｄ.)
を変えるとリング電極と試料の距離が一定ではない為リ
ング電極による電界の効果を十分に得ることができな
い。本発明によって、リング電極を試料と共に可動させ
ることで常に試料とリング電極の距離が一定に保たれ均
一な最適電界を作用させることが可能となる。
た電極構造を挙げているが、この課題は試料近傍のリン
グ電極を微動ステージに固定設置することで解決でき
る。低真空SEMの二次電子観察手法において、その吸収
電流の収量は試料上に印加される電界の強さに依存する
が、従来のリング電極は試料室の空きポートより挿入さ
れていて、作動距離：ワーキングデイスタンス(Ｗ.Ｄ.)
を変えるとリング電極と試料の距離が一定ではない為リ
ング電極による電界の効果を十分に得ることができな
い。本発明によって、リング電極を試料と共に可動させ
ることで常に試料とリング電極の距離が一定に保たれ均
一な最適電界を作用させることが可能となる。
【０００７】三つ目の条件設定における操作性向上につ
いては、吸収電流収量が最大収量になるような印可電圧
値と試料室真空度を自動設定する機能を設けることで解
決できる。もちろん請求項１の場合は、その自動設定条
件にＷ.Ｄ.も含まれる。
いては、吸収電流収量が最大収量になるような印可電圧
値と試料室真空度を自動設定する機能を設けることで解
決できる。もちろん請求項１の場合は、その自動設定条
件にＷ.Ｄ.も含まれる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に図面を参照しながら本発明の
実施の形態について、具体的に説明する。
実施の形態について、具体的に説明する。
【０００９】図１に本発明による電極３を示し、図２に
リング電極４を示す。電子ビーム１は対物レンズ１２に
よって低真空雰囲気中（例えば１〜３０００Ｐａ）にお
かれた試料６に収束されると同時に偏向装置７によって
試料６上を走査する。電子ビーム１によって照射された
試料６からは二次電子２が発生する。二次電子２は電極
４に印加された(＋)電界によって電極４方向に加速され
る。加速された二次電子２は低真空雰囲気中の残留気体
分子９と衝突し＋イオンが発生する。（イオン化現象）
残留気体分子９との衝突後の二次電子２は電極４の電界
によって更に加速され再び残留気体分子９と衝突し＋イ
オンが発生する（階層的に増幅される）。
リング電極４を示す。電子ビーム１は対物レンズ１２に
よって低真空雰囲気中（例えば１〜３０００Ｐａ）にお
かれた試料６に収束されると同時に偏向装置７によって
試料６上を走査する。電子ビーム１によって照射された
試料６からは二次電子２が発生する。二次電子２は電極
４に印加された(＋)電界によって電極４方向に加速され
る。加速された二次電子２は低真空雰囲気中の残留気体
分子９と衝突し＋イオンが発生する。（イオン化現象）
残留気体分子９との衝突後の二次電子２は電極４の電界
によって更に加速され再び残留気体分子９と衝突し＋イ
オンが発生する（階層的に増幅される）。
【００１０】このように、二次電子２は電極によって加
速、衝突を繰り返しながら電極４方向へと移動していく
が、この際に発生した＋イオンは、電極４に印加された
(＋)電位に反発して上方へは上がらず、アース１６に接
続されている試料６の方向へドリフトしていく。その
後、試料台６に吸収され、吸収電流１１として検出され
増幅器１４経由で画像形成される。この吸収電流１１は
二次電子２と等価なコントラスト成分を持っていること
から、二次電子観察のような画像形成が可能となる。
速、衝突を繰り返しながら電極４方向へと移動していく
が、この際に発生した＋イオンは、電極４に印加された
(＋)電位に反発して上方へは上がらず、アース１６に接
続されている試料６の方向へドリフトしていく。その
後、試料台６に吸収され、吸収電流１１として検出され
増幅器１４経由で画像形成される。この吸収電流１１は
二次電子２と等価なコントラスト成分を持っていること
から、二次電子観察のような画像形成が可能となる。
【００１１】図１の構成におけるポイントは、電界を生
成するのに必要となる電極４が通常高真空時に利用して
いる二次電子検出器のコレクタ電極４と併用することに
ある。
成するのに必要となる電極４が通常高真空時に利用して
いる二次電子検出器のコレクタ電極４と併用することに
ある。
【００１２】これにより試料室内配置構造に何ら変更が
いらないため、本手法を取扱うことに際して特に試料移
動や傾斜といった制限が不要であることは言うまでもな
い。
いらないため、本手法を取扱うことに際して特に試料移
動や傾斜といった制限が不要であることは言うまでもな
い。
【００１３】ここで取扱う電極４の構造は通常の二次電
子検出器のコレクタ電極に使われている、板状タイプの
プレート形やボックス形やメッシュ状電極またはそれと
同等な効果を出せる電極構造である。
子検出器のコレクタ電極に使われている、板状タイプの
プレート形やボックス形やメッシュ状電極またはそれと
同等な効果を出せる電極構造である。
【００１４】以上のような画像形成法ではいかに多くの
吸収電流１１を取り込めるかが問題となっている。吸収
電流１１の収量は電極４からの電界に依存する。図２に
更に効率よく吸収電流１１を取込む手法を説明する。前
述で説明した本開発手法も含めて従来の方法では一般的
には試料室１３の空きポートよりリング電極５を試料６
の上方に挿入するためＷ.Ｄ.１７を変えるとそれに伴っ
て電極４やリング状電極５と試料６の距離も変わってし
まい、試料に一定の最適電界を作用させることができな
い。具体的にはＷ.Ｄ.１７が大きく（長く）なれば電極
４・５が固定されているため試料６上の電界強度は弱く
なる。しかし、本発明ではリング状電極５を試料６と共
に可動させることができる構造とした。これにより、常
に試料とリング電極の距離が一定に保たれ均一な最適電
界を作用させることが可能となる。
吸収電流１１を取り込めるかが問題となっている。吸収
電流１１の収量は電極４からの電界に依存する。図２に
更に効率よく吸収電流１１を取込む手法を説明する。前
述で説明した本開発手法も含めて従来の方法では一般的
には試料室１３の空きポートよりリング電極５を試料６
の上方に挿入するためＷ.Ｄ.１７を変えるとそれに伴っ
て電極４やリング状電極５と試料６の距離も変わってし
まい、試料に一定の最適電界を作用させることができな
い。具体的にはＷ.Ｄ.１７が大きく（長く）なれば電極
４・５が固定されているため試料６上の電界強度は弱く
なる。しかし、本発明ではリング状電極５を試料６と共
に可動させることができる構造とした。これにより、常
に試料とリング電極の距離が一定に保たれ均一な最適電
界を作用させることが可能となる。
【００１５】画像生成法は前述の図１と同じである。こ
れによってより多くの吸収電流を取り込むことが可能と
なった。ここで取扱うリング状電極５の構造は円形タイ
プのリング状や円盤状、またはそれと同等な効果を出せ
る電極構造である。
れによってより多くの吸収電流を取り込むことが可能と
なった。ここで取扱うリング状電極５の構造は円形タイ
プのリング状や円盤状、またはそれと同等な効果を出せ
る電極構造である。
【００１６】以上では本発明の電極構造に関する説明で
あるが、次にその操作性に関する発明を記述する。前述
した低真空SEMの二次電子観察手法においては、どの条
件でも吸収電流をいかに効率良く収集するかにかかって
いる。しかし、本手法のパラメータは電極電圧・試料室
真空度・Ｗ.Ｄ.と多岐にわたっており、その最適化を手
動で求めるのは難しい。ポイントとなるのはガス増幅の
原理より真空度である。
あるが、次にその操作性に関する発明を記述する。前述
した低真空SEMの二次電子観察手法においては、どの条
件でも吸収電流をいかに効率良く収集するかにかかって
いる。しかし、本手法のパラメータは電極電圧・試料室
真空度・Ｗ.Ｄ.と多岐にわたっており、その最適化を手
動で求めるのは難しい。ポイントとなるのはガス増幅の
原理より真空度である。
【００１７】図４に本手法による代表的な吸収電流の測
定例を示す。縦軸が吸収電流の量を示しており、横軸が
試料室真空度を示す。任意の電子ビーム１量に対して電
極４・５のバイアス電圧を０Ｖ〜５０Ｖ程度として試料
室真空度を可変させて吸収電流をトレースすると初期値
マイナスだった吸収電流値が反転してプラスに転じるポ
イントがある、このときの試料室真空度がその条件にお
ける最適な試料室真空度となる。この試料室真空度をχ
Ｐａとして条件により必要となる係数αを用いることで
必要な最適試料室真空度を求めることができ、その試料
室真空度において電極印加電圧を放電しないレベルで最
大値を印加させてあげれば最大収量値となる。係数αは
加速電圧やＷ.Ｄ.などにより可変するため、任意に変更
できる。図３はそれらをフローにしたものである。決め
られた操作メニューより、自動制御を実行すると、まず
電極４・５へ印加するバイアス電圧を０〜５０Ｖ程度に
設定し、試料室真空度をその装置が所有している最大圧
力に設定する。その後吸収電流１１を測定しながら試料
室真空度を１ステップ毎に変更更新していく。吸収電流
が０Ａとなったところで、その試料室真空度Ｖacに係数
αを足したものを必要試料室真空度とする。
定例を示す。縦軸が吸収電流の量を示しており、横軸が
試料室真空度を示す。任意の電子ビーム１量に対して電
極４・５のバイアス電圧を０Ｖ〜５０Ｖ程度として試料
室真空度を可変させて吸収電流をトレースすると初期値
マイナスだった吸収電流値が反転してプラスに転じるポ
イントがある、このときの試料室真空度がその条件にお
ける最適な試料室真空度となる。この試料室真空度をχ
Ｐａとして条件により必要となる係数αを用いることで
必要な最適試料室真空度を求めることができ、その試料
室真空度において電極印加電圧を放電しないレベルで最
大値を印加させてあげれば最大収量値となる。係数αは
加速電圧やＷ.Ｄ.などにより可変するため、任意に変更
できる。図３はそれらをフローにしたものである。決め
られた操作メニューより、自動制御を実行すると、まず
電極４・５へ印加するバイアス電圧を０〜５０Ｖ程度に
設定し、試料室真空度をその装置が所有している最大圧
力に設定する。その後吸収電流１１を測定しながら試料
室真空度を１ステップ毎に変更更新していく。吸収電流
が０Ａとなったところで、その試料室真空度Ｖacに係数
αを足したものを必要試料室真空度とする。
【００１８】以上のような画像形成の制御を簡単に行う
為の機能が、電極４・５の印加電圧値と試料室真空度を
自動設定する機能である。
為の機能が、電極４・５の印加電圧値と試料室真空度を
自動設定する機能である。
【００１９】本手法の吸収電流量は試料室内及び試料周
辺の構造状態、加速電圧、Ｗ.Ｄ.、試料室真空度、電極
４・５の印加電圧など各種パラメータにより変化する。
従って少しでも簡単にパラメータを設定できるようにす
るため、ポイントとなる電極の印加電圧値と試料室真空
度の全ての組み合わせにおいて、測定された吸収電流値
の結果を基にパラメータの最適値を自動選出する機能で
操作性の向上を図った。
辺の構造状態、加速電圧、Ｗ.Ｄ.、試料室真空度、電極
４・５の印加電圧など各種パラメータにより変化する。
従って少しでも簡単にパラメータを設定できるようにす
るため、ポイントとなる電極の印加電圧値と試料室真空
度の全ての組み合わせにおいて、測定された吸収電流値
の結果を基にパラメータの最適値を自動選出する機能で
操作性の向上を図った。
【００２０】
【発明の効果】本発明によって、試料周辺の残留気体分
子を利用して二次電子を増幅させ吸収電流として取り込
む方法として、簡易的な電極構造などで実現でき、試料
台固定式のリング状電極の採用により更に像質向上が実
現される。またこれらの最も必要となるパラメータのひ
とつである試料室真空度と電極印加電圧を自動制御する
機能によって操作性の向上も実現される。
子を利用して二次電子を増幅させ吸収電流として取り込
む方法として、簡易的な電極構造などで実現でき、試料
台固定式のリング状電極の採用により更に像質向上が実
現される。またこれらの最も必要となるパラメータのひ
とつである試料室真空度と電極印加電圧を自動制御する
機能によって操作性の向上も実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例として請求項１における概略
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例として請求項２における概略
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例として請求項３におけるフロ
ー概略図である。
ー概略図である。
【図４】本発明の一実験測定例となる概略図である。
【符号の説明】 １…電子ビーム(１次電子)、２…二次電子、３…SED(二
次電子検出器)、４…SEコレクタ電極、５…リング状電
極、６…試料・試料台、７…偏向装置、８…試料微動ス
テージ、９…ガス分子・残留気体分子、１０…＋イオ
ン、１１…吸収電流、１２…対物レンズ、１３…試料
室、１４…増幅器・AMP、１５…外部電源、１６…GND・
アース、１７…作動距離：ワーキングデイスタンス(Ｗ.
Ｄ.)、Ｇ…二次電子のガス増幅作用。
次電子検出器)、４…SEコレクタ電極、５…リング状電
極、６…試料・試料台、７…偏向装置、８…試料微動ス
テージ、９…ガス分子・残留気体分子、１０…＋イオ
ン、１１…吸収電流、１２…対物レンズ、１３…試料
室、１４…増幅器・AMP、１５…外部電源、１６…GND・
アース、１７…作動距離：ワーキングデイスタンス(Ｗ.
Ｄ.)、Ｇ…二次電子のガス増幅作用。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊東 祐博 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 鈴木 宏征 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 Ｆターム(参考） 5C033 FF00 FF10 NN01 NP08 UU04
Claims (3)
- 【請求項１】 低真空形走査電子顕微鏡 (以下低真空SE
M)の二次電子観察法に於いて、試料周辺のガスを利用し
た二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する
時に必要となる電界供給源として、高真空時に二次電子
検出器の補助電極として使用している二次電子コレクタ
電極を併用することで簡易的に低真空SEMの二次電子像
観察ができる走査電子顕微鏡。 - 【請求項２】 低真空形SEMの二次電子観察法に於い
て、試料周辺のガスを利用した二次電子増幅法と吸収電
流を利用して画像を形成する時に必要となる電界供給源
として、試料近傍に吸収電流の収量増加を考慮したリン
グ電極を設けることで低真空SEMの二次電子観察の像質
向上を図った走査電子顕微鏡。 - 【請求項３】 これらの装置に於いて試料近傍の電極の
バイアス電圧値と試料室真空度の最適値を自動設定する
オート機能を備え、像観察において操作性の向上を図っ
た請求項１及び請求項２記載の走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30199999A JP2001126655A (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30199999A JP2001126655A (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 走査電子顕微鏡 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005263171A Division JP4292176B2 (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126655A true JP2001126655A (ja) | 2001-05-11 |
| JP2001126655A5 JP2001126655A5 (ja) | 2005-01-06 |
Family
ID=17903674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30199999A Pending JP2001126655A (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001126655A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1693879A2 (en) | 2005-02-18 | 2006-08-23 | Hitachi Science Systems, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP2006313651A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | 粒子線顕微鏡、及び真空分析装置用部材移動機構 |
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