JP7272564B2 - 表示パネルに用いられる補償方法、装置、回路、表示パネルおよび表示装置 - Google Patents

Description

本願は、２０１７年１２月７日に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１７１１２８７００８．０号の優先権を主張し、その全ての内容が援用によりここに取り込まれる。

本開示は、表示技術分野に係り、特に表示パネルに用いられる補償方法、装置、回路、表示パネルおよび表示装置に係る。

現在のＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示パネルの回路において、センス電圧線によって電気学補償が実現される。すなわち、データ側に特定の電圧を入力することによって、駆動ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）でセンス電流が生じる。当該電流がセンス電圧線で電荷累積を行ってセンス電圧を形成し、センス電圧の大きさに基づいてデータ電圧を校正することによって、ＴＦＴの補償が実現される。

また、表示パネルに応用される従来技術の電気学補償方法として、駆動トランジスタの閾値電圧を直接に取得する方法もある。当該方法は、以下である。駆動トランジスタのゲート側に一定電圧を印加して駆動電流を生成し、センス電圧線に充電する。センス電圧線の電圧の立ち上がりに伴い、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さくなる。駆動トランジスタの閾値電圧に等しくなるまで小さくなると、センス電圧線の電圧がこれ以上立ち上がらない。このとき、データ線の電圧とセンス電圧線の電圧との差が閾値電圧である。

本開示の発明者は、従来技術の上記方法の充電過程に長時間を要し、リアルタイムの表示中に完成できないと認識した。

これに鑑みて、本開示の実施例は、表示パネルに用いられる補償方法を提供し、画素の発光の輝度に対するリアルタイムの補償を実現する。

本開示の実施例の一態様として、各々に駆動トランジスタを含む複数の画素回路を含む表示パネルに用いられる補償方法を提供する。前記補償方法において、補償対象である画素回路の第１補償グレースケール値ＧＬ_１と第２補償グレースケール値ＧＬ_２を取得するステップと、前記ＧＬ_１に対応する第１補償輝度Ｌ_１と前記駆動トランジスタの第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、および、前記ＧＬ_２に対応する第２補償輝度Ｌ_２と前記駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得するステップと、入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得するステップと、前記理論輝度Ｌ、前記第１補償輝度Ｌ_１、前記第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、前記第２補償輝度Ｌ_２、前記第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２に基づいて、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出するステップと、前記補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するステップとを含む。

一部の実施例において、

であり、ここで、ａは既知の指数パラメータである。

一部の実施例において、前記第１補償輝度Ｌ_１は、設定された最大輝度Ｌ_ｍａｘであり、
前記第２補償輝度Ｌ_２は、

であり、ここで、ｂは、設定パラメータであり、

である。

一部の実施例において、前記最大輝度Ｌ_ｍａｘは、正規化の輝度値であり、Ｌ_ｍａｘ＝１、かつｂ＝２、

である。

一部の実施例において、表示パネルの１つの領域を点灯し、当該領域の輝度が前記最大輝度Ｌ_ｍａｘに達するようにし、当該領域の１つの画素回路の駆動トランジスタの、当該最大輝度に対応する第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ１を測定し、
当該領域の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔを測定し、
当該領域の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ１と閾値電圧Ｖ_ｔに基づいて、当該領域の駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ２を算出し、ここで、

である。
前記第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ２で当該領域を点灯し、第２補償輝度Ｌ_２を測定し、

から前記指数パラメータａを算出することによって、前記指数パラメータａを得る。

一部の実施例において、前記画素回路は、第１スイッチングトランジスタと、第２スイッチングトランジスタと、発光ダイオードと、コンデンサをさらに含む。前記第１スイッチングトランジスタは、ゲートが第１ゲート線に電気的に接続され、第１電極がデータ線に電気的に接続され、第２電極が前記駆動トランジスタのゲートに電気的に接続される。前記駆動トランジスタは、ゲートが前記コンデンサの第１側に電気的に接続され、ドレインが電源電圧側に電気的に接続され、ソースが前記発光ダイオードの陽極側に電気的に接続される。前記コンデンサの第２側は、前記発光ダイオードの陽極側に電気的に接続される。前記発光ダイオードの陰極側は、接地側に電気的に接続される。前記第２スイッチングトランジスタは、ゲートが第２ゲート線に電気的に接続され、第１電極が前記駆動トランジスタのソースに電気的に接続され、第２電極がセンス電圧線に電気的に接続される。

一部の実施例において、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１を取得するステップは、
前記領域の第１ゲート・ソース間電圧を、データ線を介して当該領域の画素回路に入力し、対応するセンス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電して第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}を取得することと、
フィールドブランキング段階で、前記補償対象である画素回路に電気的に接続されたデータ線に第１入力電圧を入力し、前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電し、前記センス電圧線の充電電圧を測定することと、
測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくない場合、前記第１入力電圧を調整し、次のフィールドブランキング段階で、新たに前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定し、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなるまで繰り返して実行することと、
測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧に基づいて、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧を取得することとを含む。

一部の実施例において、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得するステップは、
前記領域の第２ゲート・ソース間電圧を、データ線を介して当該領域の画素回路に入力し、対応するセンス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電して第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}を取得することと、
フィールドブランキング段階で、前記補償対象である画素回路に電気的に接続されたデータ線に第２入力電圧を入力し、前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電し、前記センス電圧線の充電電圧を測定することと、
測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくない場合、前記第２入力電圧を調整し、次のフィールドブランキング段階で、新たに前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定し、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなるまで繰り返して実行することと、
測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧に基づいて、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧を取得することとを含む。

一部の実施例において、前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電するステップは、
第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第１入力電圧を入力し、前記コンデンサの第１側に前記第１入力電圧を記憶することと、
前記第１スイッチングトランジスタをオフにしかつ前記第２スイッチングトランジスタをオンにし、前記第１側に記憶された第１入力電圧で前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電することとを含み、
ここで、測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧は、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧である。

一部の実施例において、前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電するステップは、
第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第１入力電圧を入力して前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電することを含み、
ここで、測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧と、測定した充電電圧との差は、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧である。

一部の実施例において、前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電するステップは、
第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第２入力電圧を入力し、前記コンデンサの第１側に前記第２入力電圧を記憶することと、
前記第１スイッチングトランジスタをオフにしかつ前記第２スイッチングトランジスタをオンにし、前記第１側に記憶された第２入力電圧で前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電することとを含み、
ここで、測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧は、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧である。

一部の実施例において、前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電するステップは、
第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第２入力電圧を入力して前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電することを含み、
ここで、測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧と、測定した充電電圧との差は、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧である。

一部の実施例において、入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得するステップは、入力グレースケール値ＧＬおよび輝度とグレースケール値の関係曲線から、対応する理論輝度Ｌを取得することを含む。

一部の実施例において、前記補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するステップは、
前記補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、補償ゲート電圧Ｖ’_ｇを取得することと、
前記補償ゲート電圧Ｖ’_ｇおよびグレースケール値とゲート電圧の対応関係から出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得することとを含む。

本開示の実施例の別の態様として、メモリと、前記メモリに結合され、前記メモリに記憶されている指令に基づいて上記の方法を実行するように構成されたプロセッサとを含む表示パネル用の補償装置を提供する。

本開示の実施例の別の態様として、表示パネル用の回路を提供する。前記表示パネル用の回路は、入力グレースケール値ＧＬを受信し、上記の補償方法で出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するように構成された補償装置と、前記補償装置からの前記出力補償グレースケール値ＧＬ’を受信すると、グレースケール値と電圧の対応関係に基づいて、前記出力補償グレースケール値ＧＬ’を補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａに変換するように構成された変換回路と、前記補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａに基づいて発光するように構成された画素回路とを含む。

本開示の実施例の別の態様として、上記の表示パネル用の回路を含む表示パネルを提供する。

本開示の実施例の別の態様として、上記の表示パネルを含む表示装置を提供する。

本開示の実施例の別の態様として、コンピュータプログラム指令が記憶されているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供し、当該指令がプロセッサによって実行されると、上記の方法のステップが実現される。

本開示の実施例において、補償対象である画素回路の２つの補償グレースケール値ＧＬ_１とＧＬ_２を取得し、当該２つのグレースケール値を用いて、対応する補償輝度Ｌ_１とＬ_２、および、対応する駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１とＶ_ｇｓ２をそれぞれ取得し、入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得し、Ｌ、Ｌ_１、Ｖ_ｇｓ１、Ｌ_２、Ｖ_ｇｓ２に基づいて補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出し、Ｖ’_ｇｓに基づいて出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得することによって、画素の発光の輝度に対するリアルタイムの補償を実現することができる。本開示の実施例の方法または装置によれば、画素の発光のフルグレースケール補償を実現することができる。

以下、添付図面を参照して本開示の例示的な実施例を詳細に記載することによって、本開示のほかの特徴および利点は、明らかになる。

明細書の一部を構成する添付図面は、本開示の実施例を記載してもり、明細書とともに、本開示の原理を解釈するために用いられる。

添付図面を参照し、以下の詳細な記載に基づき、本開示は、より明らかになる。

図１は、本開示の一部実施例における表示パネルに用いられる補償方法のフローチャートである。 図２は、本開示の一部実施例における表示パネル用の回路の構造図である。 図３は、本開示の一部実施例における画素回路の接続図である。 図４は、本開示の一部実施例における輝度とグレースケール値の関係曲線図である。 図５は、本開示の一部実施例における指数パラメータａの取得方法のフローチャートである。 図６は、本開示の一部実施例において、補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１の取得方法のフローチャートである。 図７は、本開示の一部実施例において、補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２の取得方法のフローチャートである。 図８は、本開示の一部実施例におけるセンス電圧線充電の時間系列制御図である。 図９は、本開示の別の一部実施例におけるセンス電圧線充電の時間系列制御図である。 図１０は、本開示の一部実施例における表示パネル用の補償装置の構造図である。 図１１は、本開示の別の一部実施例における表示パネル用の補償装置の構造図である。

明らかに、添付図面で示されている各部分のサイズは、実際の比例関係に従って描かれるわけではない。また、同一または類似の参照記号は、同一または類似の構成要素を示す。

ここから、添付図面を参照して本開示の様々な例示的な実施例を詳細に記載する。例示的な実施例に関する記載は、単に説明を目的とするものであり、決して本開示およびその応用または使用に対するいかなる限定にもならない。本開示は、ここに記載の実施例に限られることなく様々な形態で実現されうる。これらの実施例を示すことは、本開示を徹底的かつ完全的なものにし、本開示の範囲を当業者に十分に伝えるためである。なお、別途具体的な説明がない限り、これらの実施例に記載される部品やステップの相対的な設定、材料の組成、数字の表現式および数値は、制限ではなく単に例示的なものとして解釈されるべきである。

本開示に使用される「第１」、「第２」およびその類似用語は、単に異なる部分を区別するためのものであり、順番、数量または重要度をいっさい表さない。「含む」や「含有する」およびその類似用語は、当該用語の前の要素が当該用語の後ろに列挙される要素を、ほかの要素もカバーする可能性を除外することなくカバーすることを意味する。「上」、「下」、「左」、「右」などは、単に相対的位置関係を表すものであり、記載対象の絶対位置が変わると、当該相対的位置関係も対応的に変わる。

本開示において、特定デバイスが第１デバイスと第２デバイスとの間に位置すると記載する場合、当該特定デバイスと第１デバイスまたは第２デバイスとの間に介在デバイスが存在してもよく、存在しなくてもよい。特定デバイスがほかのデバイスに接続すると記載する場合、当該特定デバイスは、前記ほかのデバイスとは、介在デバイスが存在せずに直接に接続されてもよく、前記ほかのデバイスと直接に接続されず、介在デバイスが存在してもよい。

別途に定義することを除き、本開示に使用されるすべての用語（技術用語や科学用語を含む）は、当業者が理解する意味とは同じである。なお、ここに明確に定義されない限り、共通の辞書などで定義される用語は、関連技術の文章での意味に一致する意味を有すると解釈されるべきであり、理想化または極度形式化の意味で解釈されるべきではない。

当業者に周知されている技術、方法および機器は、詳細に議論しない可能性があるが、適宜に、前記技術、方法および機器は、明細書の一部として見なされるべきである。

図１は、本開示の一部実施例における表示パネルに用いられる補償方法のフローチャートである。当該表示パネルは、複数の画素回路を含み、各画素回路に駆動トランジスタを含む。

ステップＳ１０２において、補償対象である画素回路の第１補償グレースケール値ＧＬ_１と第２補償グレースケール値ＧＬ_２を取得する。

ここで、第１補償グレースケール値は、補償後の第１グレースケール値である。当該第１補償グレースケール値によって、実際の第１グレースケール値に対応する発光の輝度は、対応する第１理想輝度（第１補償輝度と称してもよい）に達することができる。第２補償グレースケール値は、補償後の第２グレースケール値である。当該第２補償グレースケール値によって、実際の第２グレースケール値に対応する発光の輝度は、対応する第２理想輝度（第２補償輝度と称してもよい）に達することができる。

たとえば、実際に調整する方式で、表示パネル内の補償対象である画素回路の２つの補償グレースケール値ＧＬ_１とＧＬ_２を取得する。当該２つの補償グレースケール値によって、画素は、当該２つのグレースケール値の場合にそれぞれ対応する理想的な輝度を発することができる。

また、たとえば、まず、実際に調整する方式で、表示パネル内の１つの領域の２つの補償グレースケール値を取得し、当該２つの補償グレースケール値によって、当該領域内の画素は、当該２つのグレースケール値の場合にそれぞれ対応する理想的な輝度を発することができる。また、当該２つの補償グレースケール値を基に、図６と図７に示す方法で、表示パネルのほかの補償対象である画素回路の２つの補償グレースケール値ＧＬ_１とＧＬ_２をそれぞれ取得する。図６と図７に示す方法について、以下詳細に記載する。

ステップＳ１０４において、第１補償輝度Ｌ_１、駆動トランジスタの第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、第２補償輝度Ｌ_２、駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得する。当該第１補償輝度Ｌ_１と第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１は、当該第１補償グレースケール値ＧＬ_１に対応し、当該第２補償輝度Ｌ_２と当該第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２は、当該第２補償グレースケール値ＧＬ_２に対応する。

一部の実施例において、輝度とグレースケール値の関係曲線（Ｇａｍｍａ曲線と称してもよい）から、第１補償グレースケール値ＧＬ_１に対応する第１補償輝度Ｌ_１、および、第２補償グレースケール値ＧＬ_２に対応する第２補償輝度Ｌ_２を取得する。たとえば、当該輝度とグレースケール値の関係曲線は、図４を参照する。

図４は、本開示の一部実施例における輝度とグレースケール値の関係曲線図である。たとえば、当該関係曲線の表現式は、

である。図４に示す輝度とグレースケール値の関係曲線は、単に例示的なものであり、本開示の実施例における輝度とグレースケール値の関係曲線は、これに限らない。これは、当業者にとって自明である。

別の実施例において、表示パネルの回路に第１補償グレースケール値ＧＬ_１を入力して画素から発光し、発光の輝度を検出することによって第１補償輝度Ｌ_１を取得する。類似的に、第２補償輝度Ｌ_２も同一または類似の方法で得られるが、ここでは繰り返して記載しない。

一部の実施例において、表示パネルの回路に第１補償グレースケール値ＧＬ_１を入力し、画素回路の駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を検出することによって、対応する第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１を取得する。なお、グレースケール値は、グレースケールと電圧の変換回路を経てデータ電圧に変換されて画素回路の駆動トランジスタのゲートに入力される。当該駆動トランジスタのソースの電位を０Ｖとした場合、このときのデータ電圧は、第１補償グレースケール値ＧＬ_１に対応する第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１である。類似的に、第２補償グレースケール値ＧＬ_２に対応する駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２も同一または類似の方法で得られるが、ここでは繰り返して記載しない。

ステップＳ１０６において、入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得する。当該理論輝度は、期待される補償後の輝度である。

一部の実施例において、当該ステップＳ１０６は、入力グレースケール値ＧＬおよび輝度とグレースケール値の関係曲線から、対応する理論輝度Ｌを取得することを含む。たとえば、当該輝度とグレースケール値の関係曲線は、図４に示されている。もちろん、図４に示す輝度とグレースケール値の関係曲線は、単に例示的なものであり、本開示の実施例の範囲は、これに限られない。これは、当業者にとって自明である。

ステップＳ１０８において、理論輝度Ｌ、第１補償輝度Ｌ_１、第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、第２補償輝度Ｌ_２、第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２に基づいて、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出する。

一部の実施例において、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓは、以下の式で算出される。

ここで、ａが既知の指数パラメータである。たとえば、当該ａの値は、２である。もちろん、設計パラメータ、生産工程の相違に応じて、当該ａの値は、ほかの値であってもよい。たとえば、図５に示す方法で当該ａの値を取得することができる。図５に示すａ値の取得方法について、後に詳細に記載する。

以下、式（１）の取得について詳細に記載する。
算出対象の補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに対し、当該補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに対応する駆動トランジスタの駆動電流をＩとすると、

ここで、Ｋは、電流と電圧の関係式のパラメータであり、Ｖ_ｔは、当該駆動トランジスタの閾値電圧である。
当該駆動電流Ｉが上記取得した理論輝度Ｌに対応する。駆動トランジスタの駆動電流と画素の発光の輝度とは正比例の関係にあるため、下記式（３）が成り立つ。

式（２）と（３）から、下記式（４）が得られる。

よって、

とＶ_ｔを算出すると、Ｖ’_ｇｓを算出できる。
駆動トランジスタに第１ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１を印加する場合、当該駆動トランジスタから出力される第１駆動電流Ｉ１は、下記式（５）で算出される。

駆動トランジスタに第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を印加する場合、当該駆動トランジスタから出力される第２駆動電流Ｉ_２は、下記式（６）で算出される。

駆動トランジスタの駆動電流と画素の発光の輝度とは正比例の関係にあるため、下記式（７）が成り立つ。

式（５）、（６）、（７）から、式（８）、（９）が算出される。

式（８）と（９）を上記式（４）に代入すると、上記式（１）が得られる。

当該式（１）に基づき、理論輝度Ｌ、第１補償輝度Ｌ_１、第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、第２補償輝度Ｌ_２、第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２から、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出することができる。

ステップＳ１１０において、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得する。

一部の実施例において、当該ステップＳ１１０は、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、補償ゲート電圧Ｖ’_ｇを取得することと、補償ゲート電圧Ｖ’_ｇおよびグレースケール値とゲート電圧の対応関係から出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得することとを含む。ここで、グレースケール値とゲート電圧の対応関係は、既知の対応関係である。当該出力補償グレースケール値ＧＬ’を出力してデータ電圧に変換し、当該データ電圧を画素回路に入力して、画素の発光の輝度に対する補償が実現される。当該補償プロセスが表示プロセスで実現可能であるため、画素の発光の輝度に対するリアルタイムの補償が実現される。

上記実施例の方法において、補償対象である画素回路の２つの補償グレースケール値ＧＬ_１とＧＬ_２を取得し、当該２つのグレースケール値を用いて、対応する補償輝度Ｌ_１とＬ_２、および、対応する駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１とＶ_ｇｓ２をそれぞれ取得し、入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得し、Ｌ、Ｌ_１、Ｖ_ｇｓ１、Ｌ_２、Ｖ_ｇｓ２に基づいて補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出し、Ｖ’_ｇｓに基づいて出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得することによって、画素の発光の輝度に対するリアルタイムの補償を実現することができる。本開示の実施例の方法は、フルグレースケール補償を実現することができる。また、本開示の実施例の方法は、オフにしなくても画素の発光の輝度に対する補償が実現されるため、ユーザ体験を改善することができる。

また、本開示の実施例の補償方法は、基本的に画素回路と駆動回路などの回路構造を変更する必要がないため、量産の実施に有利である。

一部の実施例において、第１補償輝度Ｌ_１は、設定された最大輝度Ｌ_ｍａｘ（最大輝度は実際の必要性に応じて設定される）であり、第２補償輝度Ｌ_２は、

である。ここで、ｂは、設定パラメータである。たとえば、ｂの範囲は、ｂ＞１である。ｂは、実際の必要性に応じて決められる。すなわち、ステップＳ１０２で取得した第１補償グレースケール値ＧＬ_１、第２補償グレースケール値ＧＬ_２は、それぞれ、最大輝度Ｌ_ｍａｘに対応する補償グレースケール値、最大輝度Ｌ_ｍａｘの

に対応する補償グレースケール値である。このような場合、

である。上記式（１）に代入すると、下記式（１０）が成り立つ。

当該実施例において、Ｌ_１をＬ_ｍａｘに設定し、Ｌ_２を

に設定することによって、補償ゲート・ソース間電圧の計算式を簡単化することができ、上記のリアルタイム補償アルゴリズムの速い演算に有利である。

一部の実施例において、最大輝度Ｌ_ｍａｘは、正規化の輝度値であり、Ｌ_ｍａｘ＝１（図４を参照する）、かつｂ＝２。すると、式（１０）は、さらに式（１１）に簡単化することができる。

したがって、Ｌ_ｍａｘが正規化の輝度値１でありかつｂ＝２の場合、補償ゲート・ソース間電圧の計算式をさらに簡単化することができ、上記のリアルタイム補償アルゴリズムの速い演算に有利である。

また、このような場合、式（８）、（９）は、それぞれ、式（１２）、（１３）に簡単化することができる。

図２は、本開示の一部実施例における表示パネル用の回路の構造図である。図２に示すように、当該表示パネルの回路は、表示パネル用の補償装置２１と、変換回路２２と、画素回路２３を含む。

当該補償装置２１は、入力グレースケール値ＧＬを受信し、本開示の実施例の補償方法（たとえば図１に示す方法）で出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するように構成される。当該補償装置２１は、さらに、当該出力補償グレースケール値ＧＬ’を変換回路２２に伝送するように構成される。

当該変換回路２２は、当該補償装置２１からの当該出力補償グレースケール値ＧＬ’を受信すると、グレースケール値と電圧の対応関係に基づいて、当該出力補償グレースケール値ＧＬ’を補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａに変換するように構成される。当該変換回路２２は、さらに、当該補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａを画素回路２３に出力するように構成される。たとえば、当該変換回路は、Ｓｏｕｒｃｅ ＩＣ（ソース集成回路）である。

当該画素回路２３は、当該補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａに基づいて発光するように構成される。たとえば、当該画素回路２３は、当該補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａを受信すると、補償輝度（すなわち理論輝度Ｌ）を有する光を発する。

当該実施例の表示パネル用の回路において、補償装置が上記の補償方法のステップを実行し、取得した出力補償グレースケール値を変換回路に伝送し、変換回路が当該出力補償グレースケール値を補償データ電圧に変換し、補償データ電圧を画素回路に伝送し、画素回路が補償輝度を有する光を発することによって、画素の発光の輝度に対するリアルタイムの補償が実現される。

本開示の一部実施例において、表示パネルを提供する。当該表示パネルは、上記の表示パネル用の回路、たとえば図２に示す回路を含む。

本開示の一部実施例において、上記の表示パネルを含む表示装置を提供する。

図３は、本開示の一部実施例における画素回路の接続図である。図３に示すように、当該画素回路は、駆動トランジスタＴ_０を含むほか、第１スイッチングトランジスタＴ_１と、第２スイッチングトランジスタＴ_２と、発光ダイオード（たとえばＯＬＥＤ）３５と、コンデンサＣ_０をさらに含む。

当該第１スイッチングトランジスタＴ_１のゲート３１０は、第１ゲート線３６１に電気的に接続される。当該第１スイッチングトランジスタＴ_１の第１電極３１１は、データ線３７に電気的に接続される。当該第１スイッチングトランジスタＴ_１の第２電極３１２は、駆動トランジスタＴ_０のゲート３０１に電気的に接続される。当該駆動トランジスタＴ_０のゲート３０１は、コンデンサＣ_０の第１側３３１に電気的に接続される。当該駆動トランジスタＴ_０のドレイン３０２は、電源電圧側ＶＤＤに電気的に接続される。当該駆動トランジスタＴ_０のソース３０３は、発光ダイオード３５の陽極側に電気的に接続される。当該コンデンサＣ_０の第２側３３２は、当該発光ダイオード３５の陽極側に電気的に接続される。当該発光ダイオード３５の陰極側は、接地側に電気的に接続される。当該第２スイッチングトランジスタＴ_２のゲート３２０は、第２ゲート線３６２に電気的に接続される。当該第２スイッチングトランジスタＴ_２の第１電極３２１は、駆動トランジスタＴ_０のソース３０３に電気的に接続される。当該第２スイッチングトランジスタＴ_２の第２電極３２２は、センス電圧線３４に電気的に接続される。

正常に駆動してデータを書き込むプロセスにおいて、第１スイッチングトランジスタＴ_１がオンになり、データ線３７を介してデータ電圧Ｖ_ｄａｔａを書き込むが、第２スイッチングトランジスタＴ_２がオンになり、センス電圧線３４から一定の低電位が印加される。一定の時間（たとえば１行スキャン時間より小さい）がたつと、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方がオフになる。このとき、コンデンサＣ_０の第１側にデータ電圧Ｖ_ｄａｔａが保存され、ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓが駆動トランジスタＴ_０に印加され、発光ダイオード３５を点灯させる。

本願の実施例において、補償対象である画素回路の第１補償グレースケール値ＧＬ_１と第２補償グレースケール値ＧＬ_２を取得する。当該ＧＬ_１に対応する第１補償輝度Ｌ_１と駆動トランジスタＴ_０の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、および、当該ＧＬ_２に対応する第２補償輝度Ｌ_２と当該駆動トランジスタＴ_０の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得する。入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得する。Ｌ、Ｌ_１、Ｖ_ｇｓ１、Ｌ_２、Ｖ_ｇｓ２に基づいて、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出する。Ｖ’_ｇｓに基づいて、出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得する。それから、取得した出力補償グレースケール値ＧＬ’を変換回路に伝送する。変換回路は、当該出力補償グレースケール値を補償データ電圧に変換し、補償データ電圧を図３に示す画素回路に伝送する。当該画素回路が当該補償データ電圧を受信すると、発光ダイオード３５から補償輝度Ｌを有する光を発する。当該補償プロセスが表示プロセス中に実施可能であるため、画素の発光の輝度に対するリアルタイムの補償を実現することができる。

なお、図３に示す画素回路は、単に例示的なものである。本開示の実施例の補償方法は、図３に示す画素回路に応用可能であるほかに、ほかの画素回路にも応用可能である。したがって、本開示の実施例の範囲は、これに限られない。

図５は、本開示の一部実施例における指数パラメータａの取得方法のフローチャートである。

ステップＳ５０２において、表示パネルの１つの領域を点灯し、当該領域の輝度が最大輝度Ｌ_ｍａｘに達するようにし、当該領域の１つの画素回路の駆動トランジスタの、当該最大輝度に対応する第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ１を測定する。

ステップＳ５０４において、当該領域の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔを測定する。

たとえば、当該領域の駆動トランジスタのソースの電位を０Ｖにセットし、当該領域の点灯直前のデータ電圧を測定し、当該データ電圧が当該駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔである。

ステップＳ５０６において、当該領域の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ１と閾値電圧Ｖ_ｔに基づいて、当該領域の駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ２を算出する。ここで、

当該式（１４）は、下記の式（１５）から得られる。

ステップＳ５０８において、第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ２で当該領域を点灯し、第２補償輝度Ｌ_２を測定する。

ステップＳ５１０において、

から指数パラメータａを算出する。

当該実施例において、ａの値の特定プロセスにおいて、まず、最大輝度Ｌ_ｍａｘに達するまで１つの領域を点灯し、第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ１を測定する。当該領域の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔを測定する。それから、Ｖ’_ｇｓ１とＶ_ｔに基づいて、第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓ２を算出する。Ｖ’_ｇｓ２で当該領域を点灯し、輝度Ｌ_２を測定する。

から指数パラメータａを算出する。当該ａの値は、表示パネルのすべての画素回路の補償アルゴリズムに応用可能である。上記方法によれば、ａの値のキャリブレーションが実現され、表示に対し、より好適な補償効果が実現される。

図６は、本開示の一部実施例において、補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１の取得方法のフローチャートである。

ステップＳ６０２において、前記領域の第１ゲート・ソース間電圧を、データ線を介して当該領域の画素回路に入力し、対応するセンス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電して第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}を取得する。当該第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}は、充電時間、センス電圧線容量などに関係する。ここの領域は、図５に示す方法で点灯される領域である。ここの第１所定時間は、実際の状況に応じて決められる。

ステップＳ６０４において、フィールドブランキング段階で、補償対象である画素回路に電気的に接続されたデータ線に第１入力電圧を入力し、センス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電し、当該センス電圧線の充電電圧を測定する。たとえば、初めて当該第１入力電圧を入力するとき、前記領域の第１ゲート・ソース間電圧を当該第１入力電圧の初期値として補償対象の画素回路に入力する。

ステップＳ６０６において、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくない場合、第１入力電圧を調整し、次のフィールドブランキング段階で、新たにセンス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定し、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなるまで繰り返して実行する。

たとえば、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}より大きい場合、第１入力電圧を小さくし、次のフィールドブランキング段階で、当該小さくされた後の第１入力電圧で新たにセンス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定する。またたとえば、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}より小さい場合、第１入力電圧を大きくし、次のフィールドブランキング段階で、当該大きくされた後の第１入力電圧で新たにセンス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定する。ここの第１入力電圧を小さくしたり大きくしたりする作業によって、第１入力電圧に対する調整が実現される。次のフィールドブランキング段階でも、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくない場合、引き続き第１入力電圧を小さくしたり大きくしたりし、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなるまで繰り返して実行する。

ステップＳ６０８において、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧に基づいて、補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧を取得する。

上記実施例において、センス電圧線に充電する充電電流と、発光ダイオードの発光を駆動する駆動電流とは、ともにゲート・ソース間電圧に関係し、センス電圧線に充電する作業と、発光ダイオードの発光を駆動する作業とは、ともに第１ゲート・ソース間電圧で実行されるため、充電電流と駆動電流とは等しい。上記のプロセスにおいて、調整を経て第１入力電圧で当該センス電圧線に対し第１所定時間で充電した後に、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなる場合、当該第１入力電圧に対応する充電電流と、第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に対応する充電電流とは等しくなることを意味する。第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}が前記領域の補償の第１ゲート・ソース間電圧に対応するため、このときの第１入力電圧は、補償対象の画素回路の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１に対応し、補償対象の画素回路の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１を取得する目的が実現される。また、上記の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１の取得プロセスがフィールドブランキング段階で行われるため、当該プロセスは、表示パネルの正常の表示に影響を与えることなく、ユーザ体験が優れる。

図７は、本開示の一部実施例において、補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２の取得方法のフローチャートである。

ステップＳ７０２において、前記領域の第２ゲート・ソース間電圧を、データ線を介して当該領域の画素回路に入力し、対応するセンス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電して第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}を取得する。当該第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}は、充電時間、センス電圧線容量などに関係する。ここの領域は、図５に示す方法で点灯される領域である。ここの第２所定時間は、実際の状況に応じて決められる。

ステップＳ７０４において、フィールドブランキング段階で、補償対象である画素回路に電気的に接続されたデータ線に第２入力電圧を入力し、センス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電し、当該センス電圧線の充電電圧を測定する。たとえば、初めて当該第２入力電圧を入力するとき、前記領域の第２ゲート・ソース間電圧を当該第２入力電圧の初期値として補償対象の画素回路に入力する。

ステップＳ７０６において、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくない場合、第２入力電圧を調整し、次のフィールドブランキング段階で、新たにセンス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定し、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなるまで繰り返して実行する。

たとえば、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}より大きい場合、第２入力電圧を小さくし、次のフィールドブランキング段階で、当該小さくされた後の第２入力電圧で新たにセンス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定する。またたとえば、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}より小さい場合、第２入力電圧を大きくし、次のフィールドブランキング段階で、当該大きくされた後の第２入力電圧で新たにセンス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定する。ここの第２入力電圧を小さくしたり大きくしたりする作業によって、第２入力電圧に対する調整が実現される。次のフィールドブランキング段階でも、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくない場合、引き続き第２入力電圧を小さくしたり大きくしたりし、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなるまで繰り返して実行する。

ステップＳ７０８において、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧に基づいて、補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧を取得する。

上記実施例において、センス電圧線に充電する充電電流と、発光ダイオードの発光を駆動する駆動電流とは、ともにゲート・ソース間電圧に関係し、センス電圧線に充電する作業と、発光ダイオードの発光を駆動する作業とは、ともに第２ゲート・ソース間電圧で実行されるため、充電電流と駆動電流とは等しい。上記のプロセスにおいて、調整を経て第２入力電圧で当該センス電圧線に対し第２所定時間で充電した後に、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなる場合、当該第２入力電圧に対応する充電電流と、第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に対応する充電電流とは等しくなることを意味する。第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}が前記領域の補償の第２ゲート・ソース間電圧に対応するため、このときの第２入力電圧は、補償対象の画素回路の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２に対応し、補償対象の画素回路の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得する目的が実現される。また、上記の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２の取得プロセスがフィールドブランキング段階で行われるため、当該プロセスは、表示パネルの正常の表示に影響を与えることなく、ユーザ体験が優れる。

図８は、本開示の一部実施例におけるセンス電圧線充電の時間系列制御図である。以下、図３と図８を参照してセンス電圧線に対する充電プロセスを詳細に記載する。

一部の実施例において、センス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電することは、以下のステップを含む。

まず、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方をオンにし、データ線３７に第１入力電圧を入力する。コンデンサＣ_０の第１側３３１に当該第１入力電圧を記憶する。

たとえば、図３と図８に示すように、第１ゲート線３６１には、第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１が入力され、第２ゲート線３６２には、第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２が入力される。第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１と第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２がともにハイレベルになると、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方がオンになる。第１入力電圧は、データ電圧Ｖ_ｄａｔａとして画素回路に入力され、コンデンサＣ_０の第１側３３１に当該第１入力電圧が記憶される。

次に、第１スイッチングトランジスタＴ_１をオフにしかつ第２スイッチングトランジスタＴ_２をオンにし、コンデンサＣ_０の第１側３３１に記憶された第１入力電圧で駆動トランジスタＴ_０をオンにし、電源電圧側ＶＤＤが当該駆動トランジスタＴ_０と当該第２スイッチングトランジスタＴ_２によってセンス電圧線３４に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電する。

たとえば、図３と図８に示すように、第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１は、ハイレベルからローレベルになり、第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２は、相変わらずハイレベルに維持される。第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１がローレベルになると、第１スイッチングトランジスタＴ_１がオフになるため、第１入力電圧は、画素回路に入力されない。しかし、コンデンサＣ_０の第１側３３１に記憶された第１入力電圧で駆動トランジスタＴ_０をオンにする。このような場合、電源電圧側ＶＤＤが当該駆動トランジスタＴ_０と、オンになっている第２スイッチングトランジスタＴ_２によってセンス電圧線３４に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電する。充電プロセスにおいて、センス電圧線３４の電位Ｖ_{ｓｅｎｓｅ}が立ち上がり、コンデンサＣ_０の第１側３３１の電位もそれに応じて立ち上がるため、駆動トランジスタのゲートとソースとの間の電圧差が変わらない。当該電圧差は、充電開始直後のゲート・ソース間電圧のままである。充電開始直後のソース電位が０Ｖにセットされるため、充電開始直後のゲート・ソース間電圧は、第１入力電圧に等しい。このように、図６に示す方法を経て、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなる場合、対応する入力データ線の第１入力電圧は、補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧である。

ここまで、図３と図８を参照して、本開示の一部実施例において、センス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電することを記載した。

別の一部実施例において、センス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電することは、以下のステップを含む。

まず、図３と図８に示すように、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方をオンにし、データ線３７に第２入力電圧を入力する。コンデンサＣ_０の第１側３３１に当該第２入力電圧が記憶される。

たとえば、前述のように、第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１と第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２がともにハイレベルになると、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方がオンになる。第２入力電圧は、データ電圧Ｖ_ｄａｔａとして画素回路に入力され、コンデンサＣ_０の第１側３３１に当該第２入力電圧が記憶される。

次に、図３と図８に示すように、第１スイッチングトランジスタＴ_１をオフにしかつ第２スイッチングトランジスタＴ_２をオンにし、コンデンサＣ_０の第１側３３１に記憶された第２入力電圧で駆動トランジスタＴ_０をオンにし、電源電圧側ＶＤＤが当該駆動トランジスタＴ_０と当該第２スイッチングトランジスタＴ_２によってセンス電圧線３４に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電する。

たとえば、前述のように、第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１は、ハイレベルからローレベルになり、第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２は、相変わらずハイレベルに維持される。第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１がローレベルになると、第１スイッチングトランジスタＴ_１がオフになるため、第２入力電圧は、画素回路に入力されない。しかし、コンデンサＣ_０の第１側３３１に記憶された第２入力電圧で駆動トランジスタＴ_０をオンにする。このような場合、電源電圧側ＶＤＤが当該駆動トランジスタＴ_０と、オンになっている第２スイッチングトランジスタＴ_２によってセンス電圧線３４に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電する。充電プロセスにおいて、センス電圧線３４の電位Ｖ_{ｓｅｎｓｅ}が立ち上がる。前述の分析のように、このような充電プロセスによって、図７に示す方法を経て、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなる場合、対応する入力データ線の第２入力電圧は、補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧である。

ここまで、図３と図８を参照して、本開示の一部実施例において、センス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電することを記載した。

図９は、本開示の別の一部実施例におけるセンス電圧線充電の時間系列制御図である。以下、図３と図９を参照してセンス電圧線に対する充電プロセスを詳細に記載する。

一部実施例において、センス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電することは、以下のステップを含む。図３と図９に示すように、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方をオンにし、データ線３７に第１入力電圧を（データ電圧Ｖ_ｄａｔａとして）入力し、駆動トランジスタＴ_０をオンにする。電源電圧側ＶＤＤが当該駆動トランジスタＴ_０と当該第２スイッチングトランジスタＴ_２によってセンス電圧線３４に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電する。

たとえば、図３と図９に示すように、第１ゲート線３６１には、第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１が入力され、第２ゲート線３６２には、第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２が入力される。充電プロセスにおいて、第１ゲート電圧Ｖ_Ｇ１と第２ゲート電圧Ｖ_Ｇ２は、ともにハイレベルに維持され、すなわち、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方は、オンになる。充電プロセスにおいて、センス電圧線３４の電位Ｖ_{ｓｅｎｓｅ}が立ち上がる。第１スイッチングトランジスタＴ_１がオンのままであるため、第１入力電圧は、駆動トランジスタＴ_０のゲート３０１に継続的に入力される。このように、図６に示す方法を経て、測定した充電電圧が第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなる場合、対応する入力データ線の第１入力電圧と、測定した充電電圧との差は、補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧である。

別の一部実施例において、センス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電することは、以下のステップを含む。図３と図９に示すように、第１スイッチングトランジスタＴ_１と第２スイッチングトランジスタＴ_２の両方をオンにし、データ線３７に第２入力電圧を（データ電圧Ｖ_ｄａｔａとして）入力し、駆動トランジスタＴ_０をオンにする。電源電圧側ＶＤＤが当該駆動トランジスタＴ_０と当該第２スイッチングトランジスタＴ_２によってセンス電圧線３４に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電する。

前述のように、充電プロセスにおいて、センス電圧線３４の電位Ｖ_{ｓｅｎｓｅ}が立ち上がる。第１スイッチングトランジスタＴ_１がオンのままであるため、第２入力電圧は、駆動トランジスタＴ_０のゲート３０１に継続的に入力される。このように、図７に示す方法を経て、測定した充電電圧が第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなる場合、対応する入力データ線の第２入力電圧と、測定した充電電圧との差は、補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧である。

図１０は、本開示の一部実施例における表示パネル用の補償装置の構造図である。当該補償装置は、メモリ１０１０とプロセッサ１０２０を含む。メモリ１０１０は、磁気ディスク、フラッシュメモリまたはほかの非揮発性記憶媒体である。メモリは、図１、図５、図６、図７の少なくとも１つに対応する実施例における指令を記憶する。

プロセッサ１０２０は、メモリ１０１０に結合され、１つまたは複数の集成回路、たとえばマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラとして実施される。当該プロセッサ１０２０は、メモリに記憶されている指令を実行し、補償対象である画素回路に対するフルグレースケールのリアルタイム補償を実現する。

一部の実施例において、さらに図１１に示すように、当該補償装置１１００は、メモリ１１１０とプロセッサ１１２０を含む。プロセッサ１１２０は、バス１１３０を介してメモリ１１１０に結合される。当該補償装置１１００は、さらに記憶インタフェース１１４０を介して外部記憶装置１１５０に接続して外部データを呼び出してもよく、さらにネットワークインタフェース１１６０を介してネットワークまたは別のコンピュータシステム（図示せず）に接続されてもよいが、ここでは詳細に紹介しない。

当該実施例において、メモリによってデータ指令を記憶し、プロセッサによって上記指令を処理して、補償対象である画素回路に対するフルグレースケールのリアルタイム補償を実現する。

別の一部実施例において、本開示は、コンピュータプログラム指令が記憶されているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体をさらに提供する。当該指令がプロセッサによって実行されると、図１、図５、図６、図７の少なくとも１つに対応する実施例における方法のステップを実行する。本開示の実施例は、方法、装置またはコンピュータプログラムプロダクトとして提供されうると当業者が理解できる。従って、本開示は、完全にハードウェアの実施例、完全にソフトウェアの実施例、またはソフトウェアとハードウェアを組み合わせた実施例の形態を取り得る。しかも、本開示は、コンピュータ利用可能なプログラムコードを含む１つまたは複数のコンピュータ利用可能な非一時的な記憶媒体（磁気ディスクメモリ、ＣＤ－ＲＯＭ、光学メモリなどを含むが、それらに限らない）で実施されるコンピュータプログラムプロダクトの形態を取り得る。

本開示は、本開示の実施例による方法、デバイス（システム）およびコンピュータプログラムプロダクトのフローチャートおよび／またはブロック図を参照にして記載されている。フローチャートおよび／またはブロック図における各フローおよび／またはブロック、およびフローチャートおよび／またはブロック図におけるフローおよび／またはブロックの組み合わせは、コンピュータプログラム指令により実現されうると理解されるべきである。これらのコンピュータプログラム指令を汎用コンピュータ、専用コンピュータ、嵌め込み式プロセッサまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスのプロセッサに提供して１つの機器を形成し、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスのプロセッサにより実行される指令により、フローチャートの１つまたは複数のフローおよび／またはブロック図の１つまたは複数のブロックで指定される機能を実現するための装置を形成する。

これらのコンピュータプログラム指令は、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスに特定の方式で動作させることを導けるコンピュータ読み取り可能なメモリに格納されてもよく、当該コンピュータ読み取り可能なメモリに格納される指令により、指令装置を含むプロダクトを形成する。当該指令装置は、フローチャートの１つまたは複数のフローおよび／またはブロック図の１つまたは複数のブロックで指定される機能を実現する。

これらのコンピュータプログラム指令は、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスにロードされてもよく、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスで一連の操作工程を実行することにより、コンピュータで実現される処理を形成し、コンピュータまたは他のプログラマブルデータ処理デバイスで実行される指令により、フローチャートの１つまたは複数のフローおよび／またはブロック図の１つまたは複数のブロックで指定される機能を実現するためのステップを提供する。

ここまで本開示の各実施例を詳細に記載した。本開示の思想の遮蔽を避けるために、本分野において周知されている一部の細部を記載していない。当業者は、以上の記載から、ここで開示されている技術手段をどのように実施するか、完全に理解できる。

本開示の一部の特定の実施例を例示して詳細に説明したが、当業者は、以上の例が単に説明のためのものであり、本開示の範囲を制限するためのものではないと理解できる。当業者は、本開示の範囲と精神を逸脱せずに以上の実施例に対し修正したり一部の技術的構成の同等置換を行ったりすることができると理解すべきである。本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決められる。

Claims (16)

1. 各々に駆動トランジスタを含む複数の画素回路を含む表示パネルに用いられる補償方法において、
   補償対象である画素回路の第１補償グレースケール値ＧＬ_１と第２補償グレースケール値ＧＬ_２を取得するステップと、
   前記第１補償グレースケール値ＧＬ_１に対応する第１補償輝度Ｌ_１と前記駆動トランジスタの第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、および、前記第２補償グレースケール値ＧＬ_２に対応する第２補償輝度Ｌ_２と前記駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得するステップと、
   入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得するステップと、
   前記理論輝度Ｌ、前記第１補償輝度Ｌ_１、前記第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１、前記第２補償輝度Ｌ_２、前記第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２に基づいて、補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓを算出するステップと、
   前記補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するステップと
   を含み、
   

   

   であり、ここで、ａが既知の指数パラメータであり、
   前記第１補償輝度Ｌ _１ は、設定された最大輝度Ｌ _ｍａｘ であり、
   前記第２補償輝度Ｌ _２ は、
   

   

   であり、
   ここで、ｂは、設定パラメータであり、
   

   

   であり、
   表示パネルの１つの領域を点灯し、当該領域の輝度が前記最大輝度Ｌ _ｍａｘ に達するようにし、当該領域の１つの画素回路の駆動トランジスタの、当該最大輝度に対応する第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’ _ｇｓ１ を測定し、
   当該領域の駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ _ｔ を測定し、
   当該領域の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ’ _ｇｓ１ と閾値電圧Ｖ _ｔ に基づいて、当該領域の駆動トランジスタの第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’ _ｇｓ２ を算出し、ここで、
   

   

   であり、
   前記第２ゲート・ソース間電圧Ｖ’ _ｇｓ２ で当該領域を点灯し、第２補償輝度Ｌ _２ を測定し、
   

   

   から前記指数パラメータａを算出することによって、
   前記指数パラメータａを得る、補償方法。
2. 前記最大輝度Ｌ_ｍａｘは、正規化の輝度値であり、Ｌ_ｍａｘ＝１、かつｂ＝２、
   

   

   である、請求項１に記載の補償方法。
3. 前記画素回路は、
   第１スイッチングトランジスタと、第２スイッチングトランジスタと、発光ダイオードと、コンデンサをさらに含み、
   前記第１スイッチングトランジスタは、
   ゲートが第１ゲート線に電気的に接続され、第１電極がデータ線に電気的に接続され、第２電極が前記駆動トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記駆動トランジスタは、
   ゲートが前記コンデンサの第１側に電気的に接続され、ドレインが電源電圧側に電気的に接続され、ソースが前記発光ダイオードの陽極側に電気的に接続され、
   前記コンデンサの第２側は、
   前記発光ダイオードの陽極側に電気的に接続され、
   前記発光ダイオードの陰極側は、
   接地側に電気的に接続され、
   前記第２スイッチングトランジスタは、
   ゲートが第２ゲート線に電気的に接続され、第１電極が前記駆動トランジスタのソースに電気的に接続され、第２電極がセンス電圧線に電気的に接続される、請求項１に記載の補償方法。
4. 前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ１を取得するステップは、
   前記領域の第１ゲート・ソース間電圧を、データ線を介して当該領域の画素回路に入力し、対応するセンス電圧線に対し第１所定時間で継続的に充電して第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}を取得することと、
   フィールドブランキング段階で、前記補償対象である画素回路に電気的に接続されたデータ線に第１入力電圧を入力し、前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電し、前記センス電圧線の充電電圧を測定することと、
   測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくない場合、前記第１入力電圧を調整し、次のフィールドブランキング段階で、新たに前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定し、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しくなるまで繰り返して実行することと、
   測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧に基づいて、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧を取得することと
   を含む、請求項３に記載の補償方法。
5. 前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧Ｖ_ｇｓ２を取得するステップは、
   前記領域の第２ゲート・ソース間電圧を、データ線を介して当該領域の画素回路に入力し、対応するセンス電圧線に対し第２所定時間で継続的に充電して第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}を取得することと、
   フィールドブランキング段階で、前記補償対象である画素回路に電気的に接続されたデータ線に第２入力電圧を入力し、前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電し、前記センス電圧線の充電電圧を測定することと、
   測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくない場合、前記第２入力電圧を調整し、次のフィールドブランキング段階で、新たに前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電して充電電圧を測定し、当該調整、充電および測定の作業を、測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しくなるまで繰り返して実行することと、
   測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧に基づいて、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧を取得することと
   を含む、請求項３に記載の補償方法。
6. 前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電するステップは、
   第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第１入力電圧を入力し、前記コンデンサの第１側に前記第１入力電圧を記憶することと、
   前記第１スイッチングトランジスタをオフにしかつ前記第２スイッチングトランジスタをオンにし、前記第１側に記憶された第１入力電圧で前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電することと
   を含み、
   ここで、測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧は、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧である、請求項４に記載の補償方法。
7. 前記センス電圧線に対し前記第１所定時間で継続的に充電するステップは、
   第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第１入力電圧を入力して前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第１所定時間で継続的に充電することを含み、
   ここで、測定した充電電圧が前記第１目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ１}に等しい場合、対応する入力データ線の第１入力電圧と、測定した充電電圧との差は、前記補償対象である画素回路の第１ゲート・ソース間電圧である、請求項４に記載の補償方法。
8. 前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電するステップは、
   第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第２入力電圧を入力し、前記コンデンサの第１側に前記第２入力電圧を記憶することと、
   前記第１スイッチングトランジスタをオフにしかつ前記第２スイッチングトランジスタをオンにし、前記第１側に記憶された第２入力電圧で前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電することと
   を含み、
   ここで、測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧は、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧である、請求項５に記載の補償方法。
9. 前記センス電圧線に対し前記第２所定時間で継続的に充電するステップは、
   第１スイッチングトランジスタと第２スイッチングトランジスタの両方をオンにし、データ線に第２入力電圧を入力して前記駆動トランジスタをオンにし、電源電圧側が前記駆動トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタによって前記センス電圧線に対し充電し、第２所定時間で継続的に充電することを含み、
   ここで、測定した充電電圧が前記第２目標電圧Ｖ_{ｔａｒｇｅｔ２}に等しい場合、対応する入力データ線の第２入力電圧と、測定した充電電圧との差は、前記補償対象である画素回路の第２ゲート・ソース間電圧である、請求項５に記載の補償方法。
10. 入力グレースケール値ＧＬに対応する理論輝度Ｌを取得するステップは、
    入力グレースケール値ＧＬおよび輝度とグレースケール値の関係曲線から、対応する理論輝度Ｌを取得することを含む、請求項１に記載の補償方法。
11. 前記補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するステップは、
    前記補償ゲート・ソース間電圧Ｖ’_ｇｓに基づいて、補償ゲート電圧Ｖ’_ｇを取得することと、
    前記補償ゲート電圧Ｖ’_ｇおよびグレースケール値とゲート電圧の対応関係から出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得することと
    を含む、請求項１に記載の補償方法。
12. メモリと、
    前記メモリに結合され、前記メモリに記憶されている指令に基づいて請求項１～１１のいずれか一項に記載の補償方法を実行するように構成されたプロセッサと
    を含む表示パネル用の補償装置。
13. 入力グレースケール値ＧＬを受信し、請求項１～１１のいずれか一項に記載の補償方法で出力補償グレースケール値ＧＬ’を取得するように構成された補償装置と、
    前記補償装置からの前記出力補償グレースケール値ＧＬ’を受信すると、グレースケール値と電圧の対応関係に基づいて、前記出力補償グレースケール値ＧＬ’を補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａに変換するように構成された変換回路と、
    前記補償データ電圧Ｖ_ｄａｔａに基づいて発光するように構成された画素回路と
    を含む、表示パネル用の回路。
14. 請求項１３に記載の表示パネル用の回路を含む表示パネル。
15. 請求項１４に記載の表示パネルを含む表示装置。
16. コンピュータプログラム指令が記憶されているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    当該コンピュータプログラム指令がプロセッサによって実行されると、請求項１～１１のいずれか一項に記載の補償方法のステップが実現される、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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