JP7271302B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

Description

発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光装置に関する。

半導体発光素子の出射面上に、波長変換材料等を含む透光性の部材を配置した半導体発光装置が知られている。

例えば、特許文献１には、発光層を有する半導体層と、半導体層の第１の面上に設けられた蛍光体層とを備える半導体発光装置が開示されている。また、当該蛍光体層は、上面と、前記上面と鈍角の角を形成して、前記第１の面に対して傾斜した斜面を有することも開示されている。

特許第５８３７４５６号公報

特許文献１に開示されているような半導体発光装置において、半導体発光素子から出射した光のうち、例えば蛍光体粒子や蛍光体層の側壁等に反射されたものは半導体発光素子側に戻り、半導体発光層に吸収される。これによって高い光取り出し効率が得られないことが課題となっていた。

また、特許文献１に開示されているような斜面を有する蛍光体層を、蛍光体セラミックプレート等の切断によって製造する際に、当該蛍光体層の傾斜面に連続する上面、すなわち半導体発光装置の光取り出し面の形状及び大きさを制御することが困難であった。また、蛍光体層の周囲に、樹脂を充填して光反射部材を形成する際に、当該樹脂が当該斜面を介して光出射面まで広がることがあり、これが光取り出し面の形状及び大きさが安定しない一因となっていた。これらにより、半導体発光装置の光取り出し面の形状及び大きさを所望の形状及び大きさにすることが難いことが課題の一例として挙げられる。

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光取出し面の形状及び大きさを所望の形状及び大きさに精度良く画定しかつ光取り出し効率が高い半導体発光装置を提供することを目的としている。

発光素子と、前記発光素子上に設けられた透光性部材と、前記透光性部材の側面を覆い、光反射性を有する反射部材と、を有し、前記透光性部材は、前記発光素子の上面と対向する下面を有しかつ上方に向かって前記発光素子の上面に平行な方向における幅が広がる形状を有する第１の部分と、前記第１の部分の上面と対向する下面を有しかつ上方に向かって前記発光素子の上面に平行な方向における幅が狭まる形状を有する第２の部分と、前記第２の部分の上面と接する下面及び前記透光性部材の下面よりも小さい上面を有しかつ前記発光素子の上面に垂直な方向に沿って伸長する柱形状を有する第３の部分と、を含むことを特徴とする。

本発明の実施例１に係る半導体発光装置の構成を示す斜視図である。 実施例１に係る半導体発光装置の上面図である。 実施例１に係る半導体発光装置の断面図である。 実施例１に係る光半導体素子の製造工程の一例を示す断面図である。 実施例１に係る光半導体素子の製造工程の一例を示す断面図である。 実施例２に係る半導体発光装置の断面図である。 実施例３に係る半導体発光装置の断面図である。 実施例４に係る半導体発光装置の断面図である。 実施例５に係る半導体発光装置の断面図である。

以下に本発明の実施例を詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。

図１は、本発明の実施例１に係る半導体発光装置１０の構成を示す斜視図である。図１に示すように、半導体発光装置１０は、実装基板１１上に実装された２つの発光素子２０を含んで構成されている。

実装基板１１は、実装面１１Ｓを有し、実装面１１Ｓに垂直な方向から見た平面形状が長方形の平板状の基板である。実装基板１１には、例えば、ＡｌＮ、アルミナ等の基板が用いられる。

ｎ側給電パッド１２は、実装面１１Ｓ上に平面形状が矩形の金属の配線電極パターンである。ｎ側給電パッド１２の１の辺は、実装基板１１の短辺に平行に設けられている。図１において、実装基板１１の長辺に沿って２つのｎ側給電パッド１２が互いに離間して配列されている。ｎ側給電パッド１２は、例えば実装基板１１を貫通するスルーホール（図示せず）を介して外部の電源に接続可能に形成されている。

ｐ側給電パッド１３は、実装面１１Ｓ上に形成された平面形状が長方形の金属の配線電極パターンである。ｐ側給電パッド１３は、実装面１１Ｓの一方の長辺と、ｎ側給電パッド１２との間に設けられている。ｐ側給電パッド１３の長辺は、近接するｎ側給電パッド１２の辺に対応する長さ、例えば同じ長さである。ｐ側給電パッド１３は、２つのｎ側給電パッド１２の各々に沿って、配列されている。ｐ側給電パッド１３は、例えば実装基板１１を貫通するスルーホール（図示せず）を介して外部の電源に接続可能に形成されている。

２つの発光素子２０は、実装基板１１の実装面１１Ｓ上に設けられている。２つの発光素子２０の各々は、ｎ側給電パッド１２の各々の上に配されている。

発光素子２０の支持基板１４は、平面形状が矩形の平板状の基板である。支持基板１４は、Ｓｉ基板等の導電性を有する基板である。支持基板１４は、実装面１１Ｓ上に、主面が実装面１１Ｓに平行となるように配置されている。支持基板１４は、ｎ側給電パッド１２に対応するように配置されている。支持基板１４は、２つのｎ側給電パッド１２の各々の上に配置されている。

裏面電極１５は、支持基板１４の実装面１１Ｓに面する主面、すなわち支持基板１４の下面に形成された金属膜である。裏面電極１５は、支持基板１４の各々に設けられている。裏面電極１５は、例えば導電性の接合材（図示せず）を介して、ｎ側給電パッド１２に接合されている。すなわち、裏面電極１５がｎ側給電パッド１２に接合されることで、支持基板１４と実装基板１１とが接合されている。

半導体積層体１６は、支持基板１４の、裏面電極１５が形成されている面の反対側の主面、すなわち支持基板１４の上面に設けられている。半導体積層体１６は、活性層を含む複数の半導体層からなる。半導体積層体１６は矩形の平面形状を有し、各辺が支持基板１４の各辺に平行となるように配置されている。

半導体積層体１６は、金属の接合層（図示せず）を介して支持基板１４に貼り合わせられている。例えば、当該金属の接合層は、支持基板１４の上面において互いに離間しており、電気的に絶縁されている２つの層からなっている。２つの層の一方は支持基板１４と電気的に接続されており、他方は支持基板１４と、例えば、支持基板１４の上面に形成された絶縁層によって電気的に絶縁されている。半導体積層体１６は、２つの支持基板１４の各々に設けられている。

より詳細には、半導体積層体１６は、支持基板１４側から、ｐ型半導体層、活性層及びｎ型半導体層がこの順に積層されて構成されている。活性層から出射される出射光の波長は、半導体積層体１６の材料及び組成に応じた波長となる。半導体積層体１６の上面が光出射面となる。

例えば、ｐ型半導体層は、ＭｇドープＧａＮ層である。活性層（発光層）は、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層からなる多重量子井戸構造を有する半導体層である。
ｎ型半導体層は、例えばＳｉドープＧａＮ層である。例えば、当該活性層からは、約４５０ｎｍの波長の青色光が出射される。

半導体積層体１６のｐ型半導体層は、上記した接合層のうち支持基板１４と絶縁されている接合層と電気的に接続されている。半導体積層体１６のｎ型半導体層は、支持基板１４と電気的に接続されている接合層と電気的に接続されている。

給電部１７は、支持基板１４上に設けられた金属の電極である。給電部１７は、長方形の形状を有し、長辺が半導体積層体１６の一辺と平行になるように配置されている。

例えば、給電部１７の各々は、例えば支持基板１４の上面に形成された絶縁層（図示せず）によって支持基板１４と絶縁されている。また、給電部１７の各々は、上述した支持基板１４の各々の前記支持基板１４と絶縁されている方の接合層（図示せず）と電気的に接続されている。従って、給電部１７は、半導体積層体１６のｐ型半導体層に電気的に接続されている。

給電部１７は、ボンディングワイヤ１９を介して実装面１１Ｓ上に設けられたｐ側給電パッド１３に電気的に接続されている。

このように、発光素子２０は、支持基板１４、裏面電極１５、半導体積層体１６、及び給電部１７を含んで構成されている。半導体積層体１６は、成長基板（図示せず）上に成長された活性層を含む複数の半導体層が接合層を介して支持基板１４に接合され、例えばレーザーリフトオフ等により成長基板が除去されたものである。

つまり、発光素子２０は、いわゆるシンフィルム（Thin-film）型の貼り合わせ構造を有する上面発光タイプの素子である。半導体積層体１６の上面は、発光素子２０の光出射面となる。

透光性部材２３は、２つの発光素子２０上に、２つの発光素子２０の配列方向に沿って延在している。透光性部材２３は、発光素子２０から出射される光に対して透過性を有する透光性の部材である。透光性部材２３は、透光性の接着材（図示せず）によって、発光素子２０上の半導体積層体１６の上面に接着されている。透光性部材２３は、第１の部分２４、第２の部分２５及び第３の部分２６を有している。

第１の部分２４は、下方に向かって窄んでいる角錐台形状を有している。第１の部分２４は、発光素子２０の上面と対向する下面を有し、上方に向かって発光素子２０の光出射面に平行な方向における幅が広がる形状を有する部分である。

第１の部分２４は、当該下面に平行でありかつ当該下面よりも面積が大きい上面を有している。第１の部分２４の下面及び上面は長方形の形状を有している。第１の部分２４の下面の長手方向は、発光素子２０の配列方向に沿っている。以下、発光素子２０の配列方向を半導体発光装置１０の長手方向とする。

第２の部分２５は、第１の部分２４の上面と対向する下面を有し、上方に向かって光出射面に平行な方向における幅が狭まる形状を有する部分である。第２の部分２５は、下面に平行であり、かつ、第１の部分２４の下面よりも面積が小さい、すなわち発光素子２０の光出射面よりも面積が小さい上面を有している。

より詳細には、第２の部分２５の下面は、第１の部分２４の上面と大きさ及び形状が一致しており、長方形の形状を有している。また、第２の部分２５の上面も長方形の形状を有している。第２の部分２５は、上方に向かって窄んでいる角錐台形状を有している。

第３の部分２６は、第２の部分２５と接する下面及び発光素子２０の光出射面よりも小さい上面を有しかつ光出射面に垂直な方向に沿って上方に向かって伸長する柱状の形状（柱形状）を有する部分である。第３の部分２６は、直方体形状を有しており、第３の部分２６の上面及び下面は長方形である。

図１に示すように、第３の部分２６の上面２６Ｔは、透光性部材２３の上面である。また、当該上面２６Ｔは、半導体発光装置１０の光取り出し面である。

透光性部材２３は、少なくとも一部に、発光素子２０からの出射光を吸収して蛍光を発する蛍光体等の波長変換材を含んでいてもよい。透光性部材２３は、例えば、蛍光材料を焼結したセラミックプレートである。本実施例において、例えば、蛍光体粒子が透光性部材２３中に均一に含まれている。

本実施例において、例えば、透光性部材２３は、アルミナとＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）蛍光体を高温焼成して作製されたセラミックプレートである。なお、透光性部材２３は、例えばＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体等の蛍光体粒子を含有する樹脂層であってもよい。あるいは、透光性部材２３は、ガラス製の支持体の表面に蛍光体を含む薄膜が形成されたものから構成されていてもよい。

上記のような蛍光体粒子は、例えば、青色の光によって励起されて黄色蛍光を発する。例えば、発光素子２０の光出射面から出射された青色光が蛍光体粒子を含む透光性部材２３に導入されると、当該青色光と蛍光体粒子からの蛍光との混色によって、半導体発光装置１０の光取り出し面２６Ｔから、白色光が取り出される。

なお、例えば、透光性部材２３が波長変換材を含まない場合、発光素子２０から出射された波長の光が光取り出し面２６Ｔから取り出される。例えば、発光素子２０から青色光が出射される場合に、波長変換されていない青色光を光取り出し面２６Ｔから取り出すことができる。

反射部材２７は、図１において、透光性部材２３等の形状を明確にするため、破線で示されている。反射部材２７は、透光性部材２３の側面を覆うように設けられている。反射部材２７は、光反射性の粒子を含む部材である。反射部材２７は、例えば、樹脂に光反射性の粒子を混合したものである。例えば、反射部材２７の光反射性の材料として、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ等の粒子が用いられる。また、反射部材２７には、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。

発光素子２０の光出射面から出射されて透光性部材２３に入射した光のうち、透光性部材２３の側面に進行した光は、透光性部材２３と反射部材２７との界面で反射される。

反射部材２７の上面と、透光性部材２３の上面、すなわち第３の部分２６の上面２６Ｔとは、光出射面からの高さが同等である。図１に示すように、反射部材２７は、上面に開口部２７ＯＰを有する。開口部２７ＯＰには、透光性部材２３の上面２６Ｔが収容されている。透光性部材２３の上面２６Ｔの外縁と開口部２７ＯＰの内縁とが一致していることが好ましい。本実施例において、反射部材２７の上面の開口部２７ＯＰ及び透光性部材２３の上面２６Ｔによって、半導体発光装置１０の光取出し面が画定されている。

また、反射部材２７によって、発光素子２０、ｐ側給電パッド１３及びボンディングワイヤ１９が、実装基板１１上において埋設されている。反射部材２７は、半導体発光装置１０の封止材としても機能し得る。

図２は、半導体発光装置１０の上面図である。図２において、反射部材２７を省略して示している。図２に示すように、実装基板１１は、上面視において長方形の形状を有している。上述したように、実装基板１１の実装面１１Ｓ上に、矩形形状の支持基板１４を有する２つの発光素子２０が実装基板１１の長手方向に沿って配列されて実装されている。また、発光素子２０の各々に、矩形形状の半導体積層体１６が設けられている。

上述したように、透光性部材２３は、発光素子２０上に設けられている。図２に示すように、上面視において、透光性部材２３の第１の部分２４の下面２４Ｂの輪郭が、２つの発光素子２０上の半導体積層体１６の輪郭を囲んでいる。言い換えれば、下面２４Ｂは、上面視において半導体積層体１６を覆う大きさを有している。

また、第１の部分２４の上面２４Ｔは、当該下面２４Ｂよりも大きい。透光性部材２３の第２の部分２５の下面２５Ｂは、第１の部分２４の上面２４Ｔと一致している。

透光性部材２３の第３の部分２６の上面２６Ｔは、第２の部分２５の上面２５Ｔと一致している。図２において、下面２４Ｂ、下面２５Ｂ、上面２５Ｔ及び上面２６Ｔはいずれも長方形の形状を有している。上面２６Ｔは、第１の部分２４の下面２４Ｂよりも小さく、上面視において、上面２６Ｔは下面２４Ｂの外周よりも内側に収まっている。すなわち、上面視において下面２４Ｂの輪郭が上面２６Ｔの輪郭を囲んでいる。

上述したように、第１の部分２４は下方に向かって窄む角錐台形状を有し、第２の部分２５は上方に向かって窄む角錐台形状を有している。従って、第１の部分２４の４つの側面及び第２の部分２５の４つの側面は、透光性部材２３の下面に対して傾斜している。第１の部分２４及び第２の部分２５の形状はこれに限られず、それぞれの４つの側面は、透光性部材２３の下面に対して垂直な側面を１つ以上含んでいてもよい。

図３は、図２の半導体発光装置１０を３－３線に沿って切断した断面図である。図３において、反射部材２７も含めた断面の構成を示している。上述したように、実装基板１１の実装面１１Ｓ上に、支持基板１４が裏面電極１５を介して配置されている。

上述したように、半導体積層体１６は、支持基板１４の上面に、導電性の接合層（図示せず）を介して接合されている。

接着層２９は、半導体積層体１６の上面及び側面を覆うように形成されている。接着層２９は、発光素子２０から出射される光に対して透過性を有する透光性の接着材からなる。また、接着層２９は、透光性部材２３の下面を覆っている。すなわち、透光性部材２３は、接着層２９を介して半導体積層体１６の上面に接着されている。

本実施例において、透光性部材２３の下面、すなわち第１の部分２４の下面２４Ｂの上面視における外縁は、２つの半導体積層体１６が２つの発光素子２０の各々の上に配された状態における当該２つの半導体積層体１６の上面視における外縁と同等の寸法及び形状を有している。また、当該下面２４Ｂの寸法及び形状は、接着層２９の上面の寸法及び形状と一致している。

従って、図３において、第１の部分２４の下面２４Ｂの幅と接着層２９の幅とが一致している。また、図３において、第１の部分２４の下面２４Ｂは、半導体積層体１６と同等の幅を有している。

なお、当該下面２４Ｂは、半導体積層体１６の上面視における外縁よりも大きくともよい。その場合にも、下面２４Ｂの全体を覆うように、接着層２９が形成されることが好ましい。例えば、下面２４Ｂの外周部分の半導体積層体１６の外側の部分まで接着層２９が形成され、下面２４Ｂを覆っていてもよい。その結果、例えば接着層の２９の側面が、上に向かって広がるフィレット状となっていてもよい。

透光性部材２３は、第１の部分２４、第２の部分２５及び第３の部分２６を有している。上述したように、第１の部分２４は、発光素子２０の上面と対向する下面を有している。図３に示すように、第１の部分２４は、上方に向かって光出射面に平行な方向における幅が広がる台形の断面形状を有している。第１の部分２４の側面２４Ｓは、光出射面に垂直な方向に対して、下面２４Ｂから上面２４Ｔに向かうに従って、外側に向かって傾斜している。

第２の部分２５は、第１の部分２４の上面２４Ｔと対向する下面２５Ｂを有している。第２の部分２５は、上方に向かって光出射面に平行な方向の幅が狭まる台形の断面形状を有している。第２の部分２５の側面２５Ｓは、光出射面に垂直な方向に対して、下面２５Ｂから上面２５Ｔに向かうに従って、内側に向かって傾斜している。

また、図３に示すように、第１の部分２４の上面の幅と、第２の部分２５の下面の幅とは一致している。また、第２の部分２５の上面の幅は、発光素子２０の光出射面の幅よりも小さくなっている。

第３の部分２６は、第２の部分２５の上面と接する下面及び発光素子２０の光出射面よりも小さい上面を有している。図３に示すように、第３の部分２６は、光出射面に垂直な方向に沿って伸長する長方形の断面形状を有している。第３の部分２６の側面２６Ｓは、光出射面に垂直な側面である。

ｐ側裏面配線３２は、実装基板１１の実装面１１Ｓと反対側の主面上の、ｐ側給電パッド１３に対応する部分に設けられた金属配線である。ｐ側裏面配線３２は、スルーホール３２Ｈを介してｐ側給電パッド１３に電気的に接続されている。

ｎ側裏面配線３３は、実装面１１Ｓと反対側の主面上の、ｎ側給電パッド１２に対応する部分に設けられた金属配線である。ｎ側裏面配線３３は、スルーホール３３Ｈを介してｎ側給電パッド１２に電気的に接続されている。

図３中の「Ａ」は、第２の部分２５の、光出射面に垂直な方向における高さを示している。図３中の「Ｂ」は、第１の部分２４の光出射面に垂直な方向における高さを示している。図３に示すように、透光性部材２３は、第２の部分の高さ「Ａ」は、第１の部分の高さ「Ｂ」よりも大きく（Ａ＞Ｂ）なるように構成されている。

半導体積層体１６から出射された光は、第１の部分２４の下面２４Ｂから透光性部材２３に入射する。上述のように第１の部分２４の下面２４Ｂは、２つの接着層２９の上面全体を覆うサイズ及び形状を有しているため、並置された２つの半導体積層体１６の外縁と同等のサイズ及び形状を有している。これによって、半導体積層体１６からの出射光が効率良く透光性部材２３に導入される。

また、接着層２９が半導体積層体１６の側面を覆っていることで、半導体積層体１６の側面からも出射光が出射され得る。出射した光は、直ちに半導体積層体１６側に戻されることなく、接着層２９を介して透光性部材２３に導入され易くなる。このことからも、半導体積層体１６からの出射光が効率良く透光性部材２３に導入されるといえる。

透光性部材２３に入射した光は、その一部が蛍光体粒子によって波長変換され、波長変換されていない光と共に上方へ向かう。当該透光性部材２３に入射した光のうち、第１の部分２４の側面２４Ｓに到達した光は、反射部材２７との界面である側面２４Ｓに反射されて上方の第２の部分２５に向かう。側面２４Ｓは、光出射面の外側に向かって傾斜しているので、側面２４Ｓに到達した光を上方に向けて反射させることができる。従って、半導体積層体１６から出射されて第１の部分２４に入射した出射光が半導体積層体１６の方向に戻ること（戻り光）が抑制される。

例えば、透光性部材２３が第１の部分２４を有していない場合において、蛍光体粒子による反射又は透光性部材２３の側面での反射等によって、一旦半導体積層体１６から
出射した光が半導体積層体１６に再度入射した場合、当該再度入射した光は半導体積層体１６に吸収され、光取り出し面から取り出すことができず、光損失となる。本実施例によれば、傾斜面である側面２４Ｓを有する第１の部分２４の形状によってこのような現象を抑制し得る。

第２の部分２５に入射した光は、第２の部分２５の下面２５Ｂから上面２５Ｔに向かう。上面２５Ｔは、下面２５Ｂよりも小さく、第２の部分２５は上方に向かって窄んだ形状を有する。第２の部分２５に入射した光は、側面２５Ｓにおいて、透光性部材２３の内方にその進行方向が変化させられる。その結果、第２の部分２５に入射した光は、上面２５Ｔに向かうに従って絞られて輝度が高くなる。上面２５Ｔに到達した光は、第３の部分２６に導入される。

第３の部分２６に導入された光は、第３の部分２６の上面２６Ｔから取り出される。当該上面２６Ｔは、第２の部分２５の上面２５Ｔと寸法及び形状が一致しており、発光素子２０の光出射面よりも小さい。従って、第２の部分２５によって集光されて高輝度化された出射光を上面２６Ｔから取り出すことができる。

このように、外側に向かって傾斜する側面２４Ｓを有する第１の部分２４によって、半導体積層体１６から出射されて第１の部分２４に入射した出射光が半導体積層体１６の方向に戻ることを抑制し、半導体積層体１６に吸収される光を少なくすることができ、高い光取り出し効率を確保することができる。

ここで、光取り出し効率は、例えば、発光素子２０の光出射面から出射した光の光量と、半導体発光装置１０の光取り出し面から出る光の光量との比によって規定される効率である。

また、内側に向かって傾斜する側面２５Ｓを有する第２の部分２５によって、半導体積層体１６の上面である光出射面よりも小さい光取り出し面２６Ｔに出射光を集めることができる。従って、光出射面からの出射光を高輝度化して光取り出し面から取り出すことができる。例えば、半導体発光装置１０を自動車用前照灯に用いる場合、光取り出し面が小さいことで、レンズ等を含む光学系の小型化を実現することができる。

なお、上記したような戻り光の抑制及び高輝度化を両立させるために、例えば、第２の部分の高さ「Ａ」が第１の部分の高さ「Ｂ」よりも大きく（Ａ＞Ｂ）なるようにすることが好ましい。

図４Ａ及び図４Ｂを参照しつつ、透光性部材２３の製造方法の一例について説明する。図４Ａは、ダイシングテープ３３上に配置された蛍光体セラミックプレート３５及び蛍光体セラミックプレート３５を加工するために用いられる第１のブレード３７の先端部分の近傍を示す断面図である。

図４Ａに示すように、第１のブレード３７は、互いに平行な側面３７Ｆを有し、先端部分において傾斜面３７Ｓを有している。傾斜面３７Ｓは、透光性部材２３の第２の部分２５の側面である側面２５Ｓの傾斜角度に対応する加工が可能であるように調整されている。第１のブレード３７の先端部分の頂部は、側面３７Ｆに対して垂直な部分３７Ｅを有している。

図４Ａの工程において、ダイシングテープ３３上に蛍光体セラミックプレート３５を配置し、第１のブレード３７を用いて、蛍光体セラミックプレート３５の上面に溝を形成する。図４Ａは、当該溝を形成する際に、蛍光体セラミックプレート３５に第１のブレード３７が挿入されている状態を示している。

例えば、当該溝の形成は、蛍光体セラミックプレート３５の上面視（図示せず）においてＸ方向とこれに垂直な方向であるＹ方向について行う。Ｘ方向の溝とＹ方向の溝とによって囲まれた部分の大きさが所定の面積となるようにブレードの間隔を設定する。例えば、当該溝と隣接する溝との間隔は、透光性部材２３の上面、すなわち第３の部分２６の上面２６Ｔの設計寸法に合わせて設定される。

図４Ａに示すように、第１のブレード３７の先端部分を蛍光体セラミックプレート３５に対して側面３７Ｆが垂直となるように挿入すると、側面３７Ｆによって加工された部分は、透光性部材２３の第３の部分２６となる。また、第１のブレード３７の傾斜面３７Ｓによって加工された部分は、透光性部材２３の第２の部分２５となる。

図４Ｂは、図４Ａの工程で溝が形成された蛍光体セラミックプレート３５の上面と下面とを反転させたもの及び当該上下反転された蛍光体セラミックプレート３５を加工するために用いられる第２のブレード３８の先端部分の近傍を示す断面図である。

図４Ｂに示すように、第２のブレード３８は、互いに平行な側面３８Ｆを有し、先端部分において傾斜面３８Ｓを有している。傾斜面３８Ｓは、透光性部材２３の第１の部分２４の側面である側面２４Ｓの傾斜角度に対応する加工が可能であるように調整されている。第２のブレード３８は、第１のブレード３７と同様に、先端部分の頂部において、側面３８Ｓに対して垂直な部分３８Ｅを有している。

図４Ｂの工程において、ダイシングテープ３３上に蛍光体セラミックプレート３５を、溝が加工されていない主面を上にして配置し、第２のブレード３８を用いて、蛍光体セラミックプレート３５の当該主面に溝を形成する。図４Ｂは、当該溝を形成する際に、蛍光体セラミックプレート３５に第２のブレード３８が挿入されている状態を示している。

例えば、図４Ｂの工程における溝の形成は、反転された蛍光体セラミックプレート３５の上面視（図示せず）において、図４Ａの工程において溝が形成されたＸ方向とこれに垂直な方向であるＹ方向について行う。Ｘ方向の溝とＹ方向の溝とによって囲まれた部分の大きさが所定の面積となるように第２のブレード３８の間隔を設定する。例えば、当該溝と隣接する溝との間隔は、透光性部材２３の下面、すなわち第１の部分２４の下面２４Ｂの寸法に合わせて設定される。また、例えば、当該溝同士の間隔は、並置された２つの半導体積層体１６の外縁の寸法及び形状に合わせて設定される。

図４Ｂに示すように、第２のブレード３８の先端部分を蛍光体セラミックプレート３５に対して側面３８Ｆが垂直となるように挿入すると、第２のブレード３８の傾斜面３８Ｓによって加工された部分は、透光性部材２３の第１の部分２４の側面２４Ｓとなる。また、図４Ｂの工程において、側面２４Ｓの形成に伴って、蛍光体セラミックプレート３５が切断されて個片化される。このようにして、透光性部材２３が製造される。

なお、上述した例のように、ブレードによる切削加工により透光性部材２３を作製する場合には、蛍光体セラミックプレート３５の加工された面は、加工されていない透光性部材２３の上面２６Ｔや下面２４Ｂよりも粗くなり得る。

個片化された透光性部材２３は、各々が発光素子２０の半導体積層体１６の上に接着層２９を介して配される。その後、発光素子２０及び透光性部材２３の側面と、枠体（図示せず）との間に反射部材２１を充填することで、図１に示したような半導体発光装置１０を作製することができる。

上述したように、第１のブレード３７によって、第３の部分２６を加工することができる。第３の部分２６の側面２６Ｓは、第１のブレード３７の側面３７Ｆによって加工される。第３の部分の上面２６Ｔの寸法及び形状は、隣り合う第１のブレード３７の側面３７Ｆの間隔によって画定される。

図４Ａに示したように、第１のブレード３７が蛍光体セラミックプレート３５に対して垂直に挿入される場合、隣り合う第１のブレード３７の側面３７Ｆはいずれも挿入方向に沿っている。従って、第１のブレード３７の挿入深さが変動しても、第３の部分２６の上面２６Ｔの寸法は変動しない。言い換えれば、第３の部分２６が発光素子の上面に垂直な側面２６Ｓを有していることで、上面２６Ｔの寸法及び形状は、第１のブレード３７が蛍光体セラミックプレートに挿入される挿入深さの影響を受け難い。

例えば、第１のブレード３７の挿入深さに設計値からの誤差や個体差が生じても、上面２６Ｔの寸法及び形状に当該誤差や個体差は発生し難い。従って、透光性部材２３の上面であり光取り出し面である上面２６Ｔの設計通りの寸法及び形状に加工することができる。

また、第３の部分２６の当該形状によって、反射部材２７の材料となる流動性のある樹脂を充填する際に、第３の部分２６の側面２６Ｓを伝って上面２６Ｔまで当該樹脂が這い上がり難くなっている。従って、反射部材２７が上面２６Ｔからの光出射を妨げることなく、反射部材２７の開口部２７ＯＰの輪郭が上面２６Ｔと一致している。

従って、半導体発光装置１０の光取出し面の形状及び大きさを所望の形状及び大きさに精度良く画定することができる。

以上、詳細に説明したように、本実施例の半導体発光装置１０は、発光素子２０、発光素子２０上に設けられた透光性部材２３及びこれらの側面を覆う反射部材２７を有している。透光性部材２３は、発光素子２０の上面と対向する下面２４Ｂを有しかつ上方に向かって発光素子２０の光出射面に平行な方向における幅が広がる形状を有する第１の部分２４を有している。

また、透光性部材２３は、第１の部分２４の上面２４Ｔと対向する下面２５Ｂを有しかつ上方に向かって発光素子２０の光出射面に平行な方向における幅が狭まる形状を有する第２の部分２５を有する。

さらに、透光性部材２３は、第２の部分２５の上面２５Ｔと接する下面２６Ｂ及び発光素子２０の光出射面よりも小さい上面２６Ｔを有しかつ光出射面に垂直な方向に沿って柱状に伸長する形状を有する第３の部分２６を有している。第３の部分２６の上面２６Ｔは、半導体発光素子１０の光取り出し面となっている。

第３の部分２６の形状によって、透光性部材２３の加工精度が確保され、かつ第３の部分２６の上面２６Ｔと反射部材２７の上面との境界が明確となり、光取り出し面２６Ｔの形状及び寸法が画定されている。

このような構成により、発光素子２０からの出射光が透光性部材２３に入射して光取り出し面２６Ｔから取り出される際に、発光素子２０の方向へ戻ることを抑制して高い光取り出し効率を確保しつつ、発光素子２０の光出射面よりも小さい光取り出し面に集光して高い輝度で光を取り出すことができる。同時に、第３の部分２６の形状によって、光取出し面である上面２６Ｔの寸法及び形状を設計通りに安定して加工することができる。従って、光取出し面の形状及び大きさを所望の形状及び大きさに精度良く画定しかつ光取り出し効率が高い半導体発光装置を提供することができる。

図５は、実施例２に係る半導体発光装置４０の構成を示す断面図である。半導体発光装置４０は、実施例１の透光性部材２３と異なる形状を有する透光性部材４１を有する点において半導体発光装置１０と異なり、その余の点については半導体発光装置１０と同様に構成されている。

図５に示すように、透光性部材４１は、透光性部材２３と同様に、第１の部分２４、第２の部分２５及び第３の部分２６を有している。

これらに加えて、透光性部材４１は、第１の部分２４の下面２４Ｂから、光出射面に垂直な方向に沿って、発光素子２０に向かって伸長する柱状の形状を有する第４の部分４３を有している。従って、第４の部分４３の側面４３Ｓは、光出射面に対して垂直な面となっている。本実施例において、例えば、第４の部分４３は直方体となっている。

第４の部分４３の下面４３Ｂは、透光性部材４１の下面であり、接着層２９に覆われている。半導体積層体１６の活性層から出射した出射光は、第４の部分４３の下面４３Ｂから透光性部材４１に導入される。

例えば、透光性部材４１は、上記したように蛍光体セラミックプレートを加工して作製される。透光性部材２３の場合と同様に、透光性部材４１の第３の部分２６は、光出射面に垂直な側面２６Ｓを有していることで、当該ブレードの挿入深さの影響を受け難く、光出射面２６Ｔの寸法及び形状を設計値との誤差や個体差を低減できる。

本実施例において、透光性部材４１の第４の部分４３は、光出射面に垂直な側面４３Ｓを有している。従って、第４の部分４３の下面４３Ｂについても同様に、ブレードの挿入深さの影響を受け難く、下面４３Ｂの寸法及び形状を設計値通りに安定して作製することができる。

半導体発光装置４０において、第４の部分４３の下面４３Ｂの寸法及び形状が設計通りとなっていることによって、半導体積層体１６の活性層から出射した出射光を下面４３Ｂから透光性部材４１に効率良く確実に導入できる。

従って、本実施例によれば、光取出し面及び透光性部材の下面の形状及び大きさを所望の形状及び大きさに精度良く画定しかつ光取り出し効率が高い半導体発光装置を提供することができる。

図６は、実施例３に係る半導体発光装置５０の構成を示す断面図である。半導体発光装置５０は、実施例２の透光性部材４１と異なる形状を有する透光性部材５１を有する点において実施例２の半導体発光装置４０と異なり、その余の点については半導体発光装置４０と同様に構成されている。

図６に示すように、透光性部材５１は、透光性部材４１と同様に、第１の部分２４、第２の部分２５、第３の部分２６及び第４の部分４３を有している。

これらに加えて、透光性部材５１は、第１の部分の上面２４Ｔから第２の部分の下面２５Ｂに向かって光出射面に垂直な方向に沿って伸長する柱形状の第５の部分５３を有している。従って、第５の部分５３の側面５３Ｓは、光出射面に対して垂直な面となっている。本実施例において、例えば、第５の部分５３は直方体となっている。

例えば、透光性部材５１は、実施例１の透光性部材２３の場合と同様に、蛍光体セラミックプレートを加工して作製される。図４Ａに示したように、第２の部分２５の側面２５Ｓ及び第３の部分２６の側面２６Ｓは、第１のブレード３７の側面の形状に対応して加工される。また、上述したように、第１のブレード３７は、先端部分の頂部において、平行な側面に対して垂直な部分を有している。

例えば、第１の部分２４の側面２４Ｓ及び第４の部分４３の側面４３Ｓは、第１のブレード３７とは別のブレードである第３のブレード（図示せず）の側面の形状に対応して加工される。例えば、当該第３のブレードは、先端部分の頂部において、挿入方向に対して垂直な部分を有している。

例えば、透光性部材５１を作製する際の側面２４Ｓ及び側面４３Ｓの加工は、図４Ｂに示したように、側面２５Ｓ及び側面２６Ｓが加工された蛍光体セラミックプレート３５を上下反転させて行う。当該加工の際に、第３のブレードの挿入深さは、第１のブレード３７の先端によって加工された部分と、第３のブレードの先端によって加工された部分との間に、第５の部分５３の厚みに対応する厚みを残す挿入深さとする。

その後、第１のブレード３７の先端によって加工された部分と、第３のブレードの先端によって加工された部分との間を例えば挿入方向に沿った側面を有するブレード（図示せず）を用いて切断して個片化することで、透光性部材５１が作製される。

第５の部分５３を有することで、透光性部材５１は、上記のような加工の際に、第１の部分２４の側面２４Ｓ及び第２の部分２５の側面２５Ｓの寸法及び形状は、ブレードの挿入深さの影響を受け難い。従って、側面２４Ｓ及び側面２５Ｓの寸法及び形状を設計通りとすることができる。また、第５の部分５３を有することで、透光性部材５１は、割れにくい形状となる。

従って、本実施例によれば、光取出し面及び透光性部材の下面の形状及び大きさを所望の形状及び大きさに精度良く画定しかつ光取り出し効率が高く、歩留まりが高い半導体発光装置を提供することができる。

図７は、実施例４に係る半導体発光装置６０の構成を示す断面図である。半導体発光装置６０は、実施例１の透光性部材２３と異なる形状を有する透光性部材６１を有する点において実施例１の半導体発光装置１０と異なり、その余の点については半導体発光装置１０と同様に構成されている。

図７に示すように、透光性部材６１は、第１の部分６３を有している。第１の部分６３は、発光素子２０の上面と対向する下面６３Ｂを有している。図７に示すように、第１の部分６３は、下面６３Ｂから上方に向かって光出射面に平行な方向における幅が広がる断面形状を有している。第１の部分６３の側面６３Ｓは、発光素子２０の光出射面である半導体積層体１６の上面に垂直な方向に対して、下面６３Ｂから上面６３Ｔに向かうに従って外側に向かって傾斜している。また、側面６３Ｓは、凹曲面となっている。すなわち、側面６３Ｓは、凹状の曲面を有している。第１の部分６３は、下面６３Ｂよりも大きい上面６３Ｔを有している。

また、透光性部材６１は、第２の部分６５を有している。第２の部分６５は、第１の部分６３の上面６３Ｔと対向する下面６５Ｂを有している。第２の部分６５は、上方に向かって光出射面に平行な方向の幅が狭まる断面形状を有している。第２の部分６５の側面６５Ｓは、光出射面に垂直な方向に対して、下面６５Ｂから上面６５Ｔに向かうに従って、内側に向かって傾斜している。また、側面６５Ｓは、凹曲面となっている。すなわち、側面６５Ｓは、凹状の曲面を有している。

透光性部材６１は、第３の部分２６を有している。第３の部分２６は、第２の部分６５の上面６５Ｔと接する下面及び光出射面よりも小さい上面２６Ｔを有している。図７に示すように、第３の部分２６は、光出射面に垂直な方向に沿って伸長する長方形の断面形状を有している。第３の部分２６の側面２６Ｓは、光出射面に垂直である。

透光性部材６１は、第５の部分５３を有している。第５の部分５３は、第１の部分の上面６３Ｔから第２の部分の下面６５Ｂに向かって光出射面に垂直な方向に沿って伸長する柱形状の部分である。第５の部分５３の側面５３Ｓは、光出射面に対して垂直な面となっている。

透光性部材６１は、例えば、実施例１の透光性部材２３の場合と同様に、蛍光体セラミックプレートを加工して作製される。透光性部材６１は、当該加工の際に、先端部分においてＲ形状を有するブレードを用いることができる。例えば、第１の部分６３の側面６３Ｓに対応するＲ形状のブレード及び第２の部分６５の側面６５Ｓに対応するＲ形状のブレードを用いることができる。透光性部材６１の形状によって、加工に使用できるブレードの選択の幅が広がる。

なお、本実施例において、透光性部材６１を、第３の部分２６を有していない構成としてもよい。

図８は、実施例５に係る半導体発光装置７０の構成を示す断面図である。半導体発光装置７０は、実施例１の透光性部材２３と異なる構成の透光性部材７１及び波長変換層７７を有する点において実施例１の半導体発光装置１０と異なり、その余の点については半導体発光装置１０と同様に構成されている。

透光性部材７１は、透光性部材２３と同様に、発光素子２０上に設けられている。透光性部材７１は、第１の部分７４、第２の部分７５及び第３の部分７６を有している。透光性部材７１は、透光性部材２３と同様の形状を有している。すなわち、第１の部分７４、第２の部分７５及び第３の部分７６はそれぞれ第１の部分２４、第２の部分２５及び第３の部分２６と同様の形状を有している。

第１の部分７４、第２の部分７５及び第３の部分７６は、蛍光体粒子を含まない点において、実施例１の透光性部材２３と異なる。第１の部分７４、第２の部分７５及び第３の部分７６は、例えばガラスからなり、発光素子２０から出射される光に対して透過性を有する。

半導体発光装置７０は、透光性部材７１と発光素子２０の光出射面との間に、波長変換層７７を有している。波長変換層７７は、透光性部材７１の第１の部分７４の下面７４Ｂから光出射面に垂直な方向に沿って、発光素子２０に向かって伸長する柱状の形状を有している。例えば、波長変換層７７は、薄膜状に形成されていてもよい。本実施例において、例えば、波長変換層７７の側面７７Ｓは、光出射面に対して垂直な面となっている。

波長変換層７７は、発光素子２０からの出射光を吸収して蛍光を発する蛍光体粒子を含んでいる。例えば、波長変換層７７は、ガラス又は樹脂にＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）等の蛍光体粒子を混合して形成される。

波長変換層７７の下面７７Ｂは、接着層２９に覆われている。半導体積層体１６の活性層から出射した出射光は、波長変換層７７の下面７７Ｂから波長変換層７７を経て透光性部材７１に導入される。

波長変換層７７に導入された出射光は、波長変換層７７を透過する際に、波長変換層７７に含まれる蛍光体粒子によって波長変換された光と波長変換されていない光とによって混色されて透光性部材７１の第１の部分７４に入射する。

第１の部分７４に入射した光は、上方の光出射面に向かう。第１の部分７４に入射した光のうち、第１の部分７４の側面７４Ｓに到達した光は、反射部材２７との界面である側面７４Ｓに反射されて上方の第２の部分７５に向かう。側面７４Ｓは、光出射面の外側に向かって傾斜しているので、側面７４Ｓに到達した光を上方に向けて反射させることができる。従って、半導体積層体１６から出射されて波長変換層７７を経て第１の部分７４に入射した出射光が半導体積層体１６の方向に戻ること（戻り光）が抑制される。

例えば、透光性部材７１が第１の部分７４を有していない場合において、透光性部材７１の側面での反射等によって、出射光が半導体積層体１６に入射した場合、当該出射光は半導体積層体１６に吸収され、光取り出し面から取り出すことができず、光損失となる。本実施例によれば、傾斜面である側面７４Ｓを有する第１の部分７４の形状によってこのような現象を抑制し得る。

第２の部分７５に入射した光は、第２の部分７５の下面７５Ｂから上面７５Ｔに向かう。上面７５Ｔは、下面７５Ｂよりも小さいため、第２の部分７５に入射した光は、上面７５Ｔに向かうに従って絞られて輝度が高くなる。上面７５Ｔに到達した光は、第３の部分７６に導入される。

第３の部分７６に導入された光は、第３の部分７６の上面７６Ｔから取り出される。当該上面７６Ｔは、第２の部分７５の上面７５Ｔと寸法及び形状が一致しており、光出射面よりも小さい。従って、第２の部分７５によって集光されて高輝度化された出射光を上面７６Ｔから取り出すことができる。第３の部分７６の上面７６Ｔは、半導体発光装置７０の光取り出し面となる。

例えば、透光性部材７１及び波長変換層７７は、板状のガラス製の支持体の表面に蛍光体薄膜が形成されたものをブレードにより切削加工して作製することができる。波長変換層７７中の蛍光体粒子の濃度は、目的の色度等に応じて適宜調整され得る。

本実施例によれば、蛍光体粒子を含む波長変換層７７は、発光素子２０の半導体積層体１６に接着層２９を介して隣接している。蛍光体粒子による波長変換に伴って発生する熱は、半導体積層体１６の接合層（図示せず）、支持基板１４を介して放熱される。

このように、蛍光体粒子を含む波長変換層７７を半導体積層体１６に近い位置に配置し、透光性部材７１は蛍光体粒子を含まない構成とすることで、放熱性の観点から有利な半導体発光装置７０を提供することができる。

また、外側に向かって傾斜する側面７４Ｓを有する第１の部分７４によって、半導体積層体１６から出射されて第１の部分７４に入射した出射光が半導体積層体１６の方向に戻ることを抑制し、半導体積層体１６に吸収される光を少なくすることができ、高い光取り出し効率を確保することができる。

また、内側に向かって傾斜する側面７５Ｓを有する第２の部分７５によって、半導体積層体１６の上面である光出射面よりも小さい光取り出し面７６Ｔに光を集めることができる。従って、光出射面からの出射光を高輝度化して光取り出し面から取り出すことができる。

なお、本実施例において、透光性部材７１が蛍光体粒子を含まない例について説明したが、これに限られない。透光性部材７１は、蛍光体粒子を含んでいてもよい。例えば、蛍光体粒子の含有率を、波長変換層７７について高く、透光性部材７１について低くすることで、放熱性の高い半導体発光装置７０とすることができる。

また、実施例１～４において、透光性部材中に蛍光体粒子が均一に分散されている例について説明したが、これに限られない。透光性部材は、例えば、濃度勾配を有するように、又は部分的に蛍光体粒子を含んでいてもよい。例えば、蛍光体粒子による波長変換に伴って発生する熱を放出する観点から、透光性部材のうち発光素子２０に近い部分に蛍光体粒子を含むことが好ましい。

実施例１～５において説明したように、本実施例の半導体発光装置によれば、発光素子からの出射光が発光素子の方へ戻ることを抑制しつつ、発光素子の光出射面よりも小さい光取り出し面に集光することができる。同時に、透光性部材の形状によって、光出射面の大きさを設計通りとすることができる。

特に、本実施例の発光素子２０のようないわゆるシンフィルム型の発光素子を用いる場合、出射光が発光素子の方へ戻ることを抑制することで、光取り出し効率が大きく向上し得る。

なお、上記の実施例において、発光素子２０がいわゆるシンフィルム型の発光素子である場合について説明したが、これに限られない。例えば、発光素子２０の代わりに、フリップチップ型の発光素子を用いてもよい。

なお、上記の実施例において、２つの発光素子２０が実装基板１１に実装されている例について説明したが、実装基板１１に実装される発光素子２０の数はこれに限られない。１つ又は３つ以上の発光素子２０が実装基板１１に実装されていてもよい。

透光性部材は、１つの発光素子２０上に設けられる場合、透光性部材の下面の大きさ及び形状が当該１つの発光素子２０上の光出射面の外縁を覆う大きさ及び形状で設けられていればよい。透光性部材の下面は、当該光出射面の外縁と同等の大きさ及び形状であることが好ましい。

また、透光性部材は、複数の発光素子２０上に設けられる場合、例えば、当該透光性部材に割り当てられた複数の発光素子２０の全ての光出射面を覆う大きさ及び形状の下面を有するように設けられていればよい。例えば、透光性部材の下面は、当該複数の光出射面の配列の外縁と同等の大きさ及び形状であることが好ましい。

上記の実施例において、発光素子２０及び透光性部材の各部の上面及び下面の平面形状が矩形である場合について説明したが、これに限られない。

上述した実施例及び製造方法における構成は例示に過ぎず、用途等に応じて適宜変更可能である。

１０、７０ 半導体発光装置
１１ 実装基板
１１Ｓ 実装面
１２ ｎ側給電パッド
１３ ｐ側給電パッド
１４ 支持基板
１５ 裏面電極１５
１６ 半導体積層体
１７ 給電部
１９ ボンディングワイヤ
２０ 発光素子
２３、４１、５１、６１、７１ 透光性部材
２４、６３、７４ 第１の部分
２５、６５、７５ 第２の部分
２６、７６ 第３の部分
２７ 反射部材
４３ 第４の部分
５３ 第５の部分

Claims (9)

1. 光出射面を有する発光素子と、
   前記光出射面上に設けられた透光性部材と、
   前記透光性部材の側面を覆い、光反射性を有する反射部材と、を有し、
   前記透光性部材は、
   前記発光素子の上面と対向する下面を有しかつ上方に向かって前記発光素子の上面に平行な方向における幅が広がる形状を有する第１の部分と、
   前記第１の部分の上面と対向する下面を有しかつ上方に向かって前記発光素子の上面に平行な方向における幅が狭まる形状を有する第２の部分と、
   前記第２の部分の上面と接する下面及び前記透光性部材の下面よりも小さい上面を有しかつ前記発光素子の上面に垂直な方向に沿って伸長する柱形状を有する第３の部分と、を含み、
   前記第１の部分の下面は上面視において前記光出射面を覆う大きさを有し、
   前記第１の部分の上面は上面視において前記光出射面より大きく、
   前記第１の部分の側面は前記第１の部分の下面から上面に向かうに従って外側に傾斜していることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記透光性部材は、前記第１の部分の下面から前記発光素子の上面に垂直な方向に沿って前記発光素子に向かって伸長する柱形状の第４の部分を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記透光性部材は、前記第１の部分の上面から前記第２の部分の下面に向かって前記発光素子の上面に垂直な方向に沿って伸長する柱形状の第５の部分を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 前記第１の部分の側面及び前記第２の部分の側面は、凹状の曲面を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
5. 前記透光性部材は前記発光素子からの出射光の波長を変換する波長変換部材であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
6. 前記透光性部材と前記発光素子との間に、前記発光素子からの出射光の波長を変換する透光性の波長変換層を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
7. 前記第２の部分の前記発光素子の上面に垂直な方向における高さは、前記第１の部分の前記発光素子の上面に垂直な方向における高さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
8. 前記発光素子は、
   支持基板と、
   前記支持基板上に配された半導体積層体と、を含み、
   前記透光性部材の下面は、前記半導体積層体の上面に接着されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
9. 前記半導体積層体の側面及び上面を覆い、かつ前記透光性部材の下面を覆う透光性の接着材からなる接着層を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置。

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