JP7257175B2 - プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に第1の中間層を形成することと、該第1の中間層上に第1のトップめっき層を形成することとを含み、前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に第2の中間層を形成することと、該第2の中間層上に第2のトップめっき層を形成することとを含み、前記第1の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さRaが0.05μm~0.5μmの範囲内である第1の中間層を形成することを含み、前記第2の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さRaが0.05μm~0.5μmの範囲内である第2の中間層を形成することを含む。
12 基部絶縁層
14 導体層
14a 第1の導体パッド
14b 第2の導体パッド
16 ソルダーレジスト層
16a 第1の開口
16b 第2の開口
18 下地層
20 第1のバンプ
22 第2のバンプ
24 第1のベースめっき層
24a 第1の窪み
26-1 第1の中間層
26-2 第2の中間層
28 第1のトップめっき層
30 第2のベースめっき層
30a 第2の窪み
30b 隆起部
32 第2のトップめっき層
34 シード層
36 めっきレジスト
V ボイド
Claims (18)
- プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成され、かつ、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口、および該第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を有するソルダーレジスト層と、
前記第1の導体パッド上に形成された第1のバンプと、
前記第2の導体パッド上に形成され、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプと、
を備え、
前記第1のバンプは、前記第1の開口内に形成された第1のベースめっき層と、該第1のベースめっき層上に形成された第1の中間層と、該第1の中間層上に形成された第1のトップめっき層とを有し、
前記第2のバンプは、前記第2の開口内に形成された第2のベースめっき層と、該第2のベースめっき層上に形成された第2の中間層と、該第2の中間層上に形成された第2のトップめっき層とを有し、
前記第1の中間層の上面は算術平均粗さRaが0.05μm~0.5μmの範囲内にあり、
前記第2の中間層の上面は算術平均粗さRaが0.05μm~0.5μmの範囲内にあり、
前記第1のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のベースめっき層と前記第2の導体パッドとの間に、ニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ有する。 - 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みは、5μm~45μmである。
- 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層および前記第2のベースめっき層は、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
- 請求項1に記載のプリント配線板であって、第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層は、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
- 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1の中間層および前記第2の中間層は、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成されている。
- 請求項5に記載のプリント配線板であって、前記第1の中間層および第2の中間層の厚みはそれぞれ7μm以下である。
- 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1および第2のベースめっき層は前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成され、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第1のベースめっき層の厚みおよび前記第2のベースめっき層の厚みはそれぞれ3μm~20μmの範囲内にある。
- 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1の開口のアスペクト比は0.5以下であり、前記第2の開口のアスペクト比は0.6以上である。
- 請求項1に記載のプリント配線板であって、前記第1のベースめっき層は上面が平坦であるか、上面中央部分に深さ20μm以下の第1の窪みを有し、前記第2のベースめっき層は、上面が平坦であるか、上面中央部分に隆起部を有するか、あるいは上面中央部分に前記第1の窪みより浅い第2の窪みを有する。
- プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上にソルダーレジスト層を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記導体層の一部を第1の導体パッドとして露出させる第1の開口を形成することと、
前記ソルダーレジスト層に、前記第1の開口よりも径が小さく前記導体層の他の一部を第2の導体パッドとして露出させる第2の開口を形成することと、
前記第1の導体パッド上に第1のバンプを形成することと、
前記第2の導体パッド上に、前記第1のバンプよりも小径の第2のバンプを形成することと、を含み、
前記第1のバンプを形成することは、前記第1の開口内に第1のベースめっき層を形成することと、前記第1のベースめっき層上に第1の中間層を形成することと、該第1の中間層上に第1のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第2のバンプを形成することは、前記第2の開口内に第2のベースめっき層を形成することと、前記第2のベースめっき層上に第2の中間層を形成することと、該第2の中間層上に第2のトップめっき層を形成することとを含み、
前記第1の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さRaが0.05μm~0.5μmの範囲内である第1の中間層を形成することを含み、
前記第2の中間層を形成することは、その上面の算術平均粗さRaが0.05μm~0.5μmの範囲内である第2の中間層を形成することを含み、
前記第1のベースめっき層と前記第1の導体パッドとの間、および前記第2のベースめっき層と前記第2の導体パッドとの間に、ニッケル層、パラジウム層および金層からなる下地層をそれぞれ形成することを含む。 - 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層の厚みを5μm~45μmの範囲内とする。
- 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層および前記第2のベースめっき層を、銅を主成分とする金属からそれぞれ形成する。
- 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、第1のトップめっき層および前記第2のトップめっき層を、スズを主成分とする金属からそれぞれ形成する。
- 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の中間層および前記第2の中間層を、ニッケルを主成分とする金属からそれぞれ形成する。
- 請求項14に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の中間層および第2の中間層の厚みをそれぞれ7μm以下とする。
- 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1および第2のベースめっき層を前記ソルダーレジスト層の表面を超える高さまで形成し、前記ソルダーレジスト層の表面からの前記第1のベースめっき層の厚みおよび前記第2のベースめっき層の厚みをそれぞれ3μm~20μmの範囲内とする。
- 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1の開口のアスペクト比は0.5以下であり、前記第2の開口のアスペクト比は0.6以上である。
- 請求項10に記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第1のベースめっき層を形成することは、上面が平坦であるか、上面中央部分に深さ20μm以下の第1の窪みを有する第1のベースめっき層を形成することを含み、前記第2のベースめっき層を形成することは、上面が平坦であるか、上面中央部分に隆起部を有するか、あるいは上面中央部分に前記第1の窪みより浅い第2の窪みを有する第2のベースめっき層を形成することを含む。
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JP2010251741A (ja) | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 相互接続部の通電性能を改善するための構造体及びその製造方法。 |
JP2013149948A (ja) | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
JP2013243387A (ja) | 2011-04-25 | 2013-12-05 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | パッケージ基板及びその製造方法 |
JP2015179730A (ja) | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と半導体装置 |
JP2016122776A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | イビデン株式会社 | バンプ付きプリント配線板およびその製造方法 |
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