JP7254790B2 - オプトエレクトロニクス半導体部品、及びオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス半導体部品、及びオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7254790B2 JP7254790B2 JP2020524270A JP2020524270A JP7254790B2 JP 7254790 B2 JP7254790 B2 JP 7254790B2 JP 2020524270 A JP2020524270 A JP 2020524270A JP 2020524270 A JP2020524270 A JP 2020524270A JP 7254790 B2 JP7254790 B2 JP 7254790B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- optoelectronic semiconductor
- semiconductor component
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 219
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 7
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- -1 gallium arsenide compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
- H01L33/0016—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions having at least two p-n junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
第1の導電型の第1の半導体層と、前記第1の導電型の第2の半導体層と、電磁放射を発生するように設計された活性層とを含む半導体積層体であって、前記活性層は、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に配置される、半導体積層体と、
第1の電気端子層と、前記第1の電気端子層から横方向に離間して、前記活性層と電気的に接触する第2の電気端子層と、
前記第1の電気端子層に隣接し、前記第1の電気端子層に電気的に接続される第2の導電型の第1のコンタクトゾーンと、
前記第1の電気端子層と前記第2の電気端子層との間に形成された少なくとも1つの機能領域であって、第2の導電型の第2のコンタクトゾーンと、第2の導電型の少なくとも1つの遮蔽ゾーンとが形成されている、少なくとも1つの機能領域と、
を備え、
前記第2のコンタクトゾーンは、電気接続層に隣接し、前記電気接続層に電気的に接続され、
前記電気接続層は、前記半導体積層体の外側に延び、前記電気接続領域内で前記第2の半導体層に接触し、
前記遮蔽ゾーンは、前記第2のコンタクトゾーンと前記電気接続領域との間に配置され、前記電気接続層から電気的に絶縁され、
前記第1のコンタクトゾーン、前記第2のコンタクトゾーン及び前記遮蔽ゾーンは、前記第2の半導体層から前記第1の半導体層に延び、前記活性層を完全に貫通する。
A)成長基板を提供するステップと、
B)第1の半導体層と、第2の半導体層及び電磁放射線を発生するように設計された活性層とを含む半導体積層体を成長させるステップと、
C)第1のコンタクトゾーンと、第2のコンタクトゾーン及び少なくとも1つの遮蔽ゾーンを前記半導体積層体に導入するステップと、
D)前記活性層から離れた前記第2の半導体層の側に電気絶縁層を配置するステップと、
E)第1の電気端子層と、第2の電気端子層及び電気接続層を前記活性層から離れた電気絶縁層の側に配置するステップと、
F)前記活性層から離れた前記第1の半導体層の側面を粗面化するステップ。
2 切断線
10 半導体積層体
101 第1の半導体層
102 第2の半導体層
103 活性層
110 透明キャリア層
121 第1のコンタクトゾーン
122 第2のコンタクトゾーン
130 遮蔽ゾーン
141 第1の電気端子層
142 第2の電気端子層
143 電気接続層
150 電気接続領域
160 機能領域
170 電気絶縁層
181 第1のコンタクト層
182 第2のコンタクト層
190 凹部
Claims (17)
- オプトエレクトロニクス半導体部品(1)であって、
第1の導電型の第1の半導体層(101)と、前記第1の導電型の第2の半導体層(102)と、電磁放射を発生するように設計された活性層(103)とを含む半導体積層体(10)であって、前記活性層(103)は、前記第1の半導体層(101)と前記第2の半導体層(102)との間に配置される、半導体積層体(10)と、
第1の電気端子層(141)と、前記第1の電気端子層(141)から横方向に離間して、前記活性層(103)と電気的に接触する第2の電気端子層(142)と、
前記第1の電気端子層(141)に隣接し、前記第1の電気端子層(141)に電気的に接続される第2の導電型の第1のコンタクトゾーン(121)と、
前記第1の電気端子層(141)と前記第2の電気端子層(142)との間に形成された少なくとも1つの機能領域(160)であって、第2の導電型の第2のコンタクトゾーン(122)と、第2の導電型の少なくとも1つの遮蔽ゾーン(130)とが形成されている、少なくとも1つの機能領域と、
を備え、
前記第2のコンタクトゾーン(122)は、電気接続層(143)に隣接し、前記電気接続層(143)に電気的に接続され、
前記電気接続層(143)は、前記半導体積層体(10)の外側に延び、電気接続領域(150)内で前記第2の半導体層(102)に接触し、
前記遮蔽ゾーン(130)は、前記第2のコンタクトゾーン(122)と前記電気接続領域(150)との間に配置され、前記電気接続層(143)から電気的に絶縁され、
前記第1のコンタクトゾーン(121)と、前記第2のコンタクトゾーン(122)と、前記遮蔽ゾーン(130)とは、前記第2の半導体層(102)から前記第1の半導体層(101)に延び、前記活性層(103)を完全に貫通する、
オプトエレクトロニクス半導体部品(1)。 - 前記遮蔽ゾーン(130)は、前記半導体積層体(10)内の電荷キャリアの横方向の流れを減少させる、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記第1の導電型の低濃度にドープされた第2のコンタクト層(182)が、前記第2の半導体層(102)と前記第1の電気端子層(141)との間、及び/又は、前記第2の半導体層(102)と前記電気接続層(143)との間に配置される、請求項1又は2に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記半導体積層体(10)の少なくとも1つの半導体層が、リン化合物半導体材料に基づいている、請求項1~3のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記半導体積層体(10)の少なくとも1つの半導体層は、ヒ素化合物半導体材料に基づいている、請求項1~4のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記第1の導電型は、シリコン、テルル、及び/又はスズを用いたn型ドーピングによって生成される、請求項1~5のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記第2の導電型は、マグネシウム及び/又は亜鉛を用いたp型ドーピングによって生成される、請求項1~6のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記第1の半導体層の前記活性層から離れた側が、粗面化された又は構造化された表面を有する、請求項1~7のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記第1の半導体層(101)の前記活性層(103)から離れた側に、電気端子層(141、142)が存在しない、請求項1~8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 凹部(190)が、前記第2の半導体層(102)から前記第1の半導体層(101)の方向に延在し、前記活性層(103)を完全に貫通し、前記第2のコンタクトゾーン(122)と前記電気接続領域(150)との間に配置され、誘電体で充填されている、請求項1~9のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記凹部(190)は、遮蔽ゾーン(130)内に完全に配置されている、請求項10に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 前記第2のコンタクトゾーン(122)と前記電気接続領域(150)との間に、横方向に複数の凹部(190)が配置されている、請求項10又は11に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 複数の遮蔽ゾーン(130)が機能領域(160)内に形成されている、請求項12に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 請求項1~13の1項に記載の複数の機能領域(160)が、前記第1の電気端子層(141)と前記第2の電気端子層(142)との間に横方向に連続して形成されている、請求項1~13のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)。
- 以下のステップを含むオプトエレクトロニクス半導体部品(1)の製造方法。
A)成長基板を提供するステップと、
B)第1の半導体層(101)と、第2の半導体層(102)と、電磁放射線を発生するように設計された活性層(103)とを含む半導体積層体(10)を成長させるステップと、
C)第2の導電型の第1のコンタクトゾーン(121)と、第2の導電型の第2のコンタクトゾーン(122)と、第2の導電型の少なくとも1つの遮蔽ゾーン(130)とを前記半導体積層体(10)に導入するステップと、
D)前記活性層(103)から離れた前記第2の半導体層(102)の側に電気絶縁層(170)を配置するステップと、
E)第1の電気端子層(141)と、第2の電気端子層(142)と、電気接続層(143)とを前記活性層(103)から離れた電気絶縁層(170)の側に配置するステップと、
F)前記活性層(103)から離れた前記第1の半導体層(101)の上面を粗面化するステップ。 - 前記ステップC)は、ステップB)の後にのみ実施される、請求項15に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)の製造方法。
- 前記半導体積層体(10)は、前記成長基板から離れた側のキャリアに適用され、前記成長基板が離脱する、請求項15又は16に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品(1)の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017126446.9A DE102017126446A1 (de) | 2017-11-10 | 2017-11-10 | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
DE102017126446.9 | 2017-11-10 | ||
PCT/EP2018/080113 WO2019091895A1 (de) | 2017-11-10 | 2018-11-05 | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021502693A JP2021502693A (ja) | 2021-01-28 |
JP7254790B2 true JP7254790B2 (ja) | 2023-04-10 |
Family
ID=64109882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020524270A Active JP7254790B2 (ja) | 2017-11-10 | 2018-11-05 | オプトエレクトロニクス半導体部品、及びオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11145783B2 (ja) |
JP (1) | JP7254790B2 (ja) |
CN (1) | CN111328431A (ja) |
DE (1) | DE102017126446A1 (ja) |
WO (1) | WO2019091895A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2592208B (en) * | 2020-02-19 | 2022-04-06 | Plessey Semiconductors Ltd | High resolution monolithic RGB arrays |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359402A (ja) | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2003086833A (ja) | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Oki Degital Imaging:Kk | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
JP2010517273A (ja) | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド | フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法 |
US20130214308A1 (en) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, and illumination apparatus |
JP2015032809A (ja) | 2013-08-07 | 2015-02-16 | ソニー株式会社 | 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2414778A1 (de) | 1974-03-27 | 1975-10-02 | Siemens Ag | Leuchtdiodenanordnung in monolithischem aufbau |
US4719632A (en) * | 1985-06-19 | 1988-01-12 | California Institute Of Technology | Single contact tailored gain chirped arrays of diode lasers for supermode control with single-lobed farfield patterns |
US4956683A (en) * | 1988-03-14 | 1990-09-11 | Polaroid Corporation | Isolation of p-n junctions |
JPH04184973A (ja) | 1990-11-19 | 1992-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 長波長光送信oeic |
US5216263A (en) * | 1990-11-29 | 1993-06-01 | Xerox Corporation | High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser-light emitting diode arrays |
US5804461A (en) * | 1994-12-22 | 1998-09-08 | Polaroid Corporation | Laser diode with an ion-implant region |
SE509809C2 (sv) * | 1995-11-03 | 1999-03-08 | Mitel Semiconductor Ab | Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område |
DE102007022947B4 (de) * | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
DE102008011848A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
DE102008053731A1 (de) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102010025320B4 (de) * | 2010-06-28 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102012108883A1 (de) * | 2012-09-20 | 2014-03-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102015111493B4 (de) * | 2015-07-15 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement mit verbesserten Auskoppeleigenschaften |
-
2017
- 2017-11-10 DE DE102017126446.9A patent/DE102017126446A1/de active Pending
-
2018
- 2018-11-05 CN CN201880072866.XA patent/CN111328431A/zh active Pending
- 2018-11-05 US US16/762,272 patent/US11145783B2/en active Active
- 2018-11-05 WO PCT/EP2018/080113 patent/WO2019091895A1/de active Application Filing
- 2018-11-05 JP JP2020524270A patent/JP7254790B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359402A (ja) | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2003086833A (ja) | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Oki Degital Imaging:Kk | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
JP2010517273A (ja) | 2007-01-22 | 2010-05-20 | クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド | フォールト・トレラント発光体、フォールト・トレラント発光体を含むシステムおよびフォールト・トレラント発光体を作製する方法 |
US20130214308A1 (en) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, and illumination apparatus |
JP2015032809A (ja) | 2013-08-07 | 2015-02-16 | ソニー株式会社 | 発光素子、発光素子ウェーハ及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200357949A1 (en) | 2020-11-12 |
WO2019091895A1 (de) | 2019-05-16 |
DE102017126446A1 (de) | 2019-05-16 |
JP2021502693A (ja) | 2021-01-28 |
US11145783B2 (en) | 2021-10-12 |
CN111328431A (zh) | 2020-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8502192B2 (en) | LED with uniform current spreading and method of fabrication | |
US7544971B2 (en) | Lateral current blocking light-emitting diode and method for manufacturing the same | |
US9142718B2 (en) | Light emitting device | |
JP6714328B2 (ja) | 発光素子及び照明システム | |
TWI472062B (zh) | 半導體發光裝置及其製造方法 | |
JP5669548B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6706900B2 (ja) | 発光素子及び照明システム | |
KR100999806B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
EP2198466B1 (en) | Silicon light emitting device with carrier injection | |
US11063182B2 (en) | Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component | |
KR20140060327A (ko) | 발광 다이오드 칩 | |
KR20110044188A (ko) | 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
TWI443856B (zh) | 半導體晶片及製造半導體晶片之方法 | |
JP7254790B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体部品、及びオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法 | |
KR20170109899A (ko) | 발광소자 및 조명장치 | |
US11177414B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
CN114270544B (zh) | 具有减少的吸收的器件和用于制造器件的方法 | |
KR101316119B1 (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR102653810B1 (ko) | 광전자 반도체 칩 및 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 방법 | |
CN102891232B (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
KR101364773B1 (ko) | 개별 전류 경로의 단위셀들을 갖춘 발광다이오드 및 그제조방법 | |
US20220393058A1 (en) | Optoelectronic Semiconductor Component | |
US20230238480A1 (en) | Radiation emitting semiconductor chip | |
US20130320358A1 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
KR20160046506A (ko) | 발광소자 및 발광 소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7254790 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |