JP7254591B2 - 光電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態は、光電変換素子に関する。本実施形態に係る光電変換素子は、電子輸送層と、ホール輸送層と、電子輸送層及びホール輸送層の間に配設される光吸収層とを備える。光吸収層は、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物と、結着樹脂とを含有する。
基体2の形状としては、例えば、平板状、フィルム状、及び円筒形状が挙げられる。光電変換素子1の基体2側の面に光を照射する場合、基体2は透明である。この場合、基体2の材質としては、例えば、透明ガラス(より具体的には、ソーダライムガラス、及び無アルカリガラス等)、及び耐熱性を有する透明樹脂が挙げられる。光電変換素子1の第2導電層8側の面に光を照射する場合、基体2は不透明でもよい。この場合、基体2の材質としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、マグネシウム、鉄、錫、チタン、金、銀、銅、タングステン、これらの合金(例えば、ステンレス鋼)及びセラミックが挙げられる。
第1導電層3は、光電変換素子1の陰極に相当する。第1導電層3を構成する材料としては、例えば、透明導電性材料及び非透明導電性材料が挙げられる。透明導電性材料としては、例えば、ヨウ化銅(CuI)、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化スズ(SnO2)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、及びガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等が挙げられる。非透明導電性材料としては、例えば、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-酸化アルミニウム混合物(Al/Al2O3)及びアルミニウム-フッ化リチウム混合物(Al/LiF)等が挙げられる。
電子輸送層4は、光吸収層6において光励起により発生した電子を第1導電層3に輸送する層である。このため、電子輸送層4は、光吸収層6で発生した電子を第1導電層3に移動させ易い材料を含有することが好ましい。光電変換素子1においては、電子輸送層4は、酸化チタンを含有する。具体的には、電子輸送層4は、比較的空隙率の小さい緻密酸化チタン層51と、緻密酸化チタン層51よりも空隙率が高い多孔質層である多孔質酸化チタン層52とを含む。電子輸送層4における酸化チタンの含有割合としては、例えば、95質量%以上であり、100質量%が好ましい。以下、緻密酸化チタン層51、及び多孔質酸化チタン層52について説明する。
緻密酸化チタン層51は、空隙率が低いため、光電変換素子1の製造時に、光吸収層6の形成に用いる光吸収材料(ペロブスカイト化合物)が層内に浸透し難い。そのため、光電変換素子1が緻密酸化チタン層51を備えることで、光吸収材料及び第1導電層3の接触が抑制される。また、光電変換素子1が緻密酸化チタン層51を備えることで、起電力低下の要因となる第1導電層3及び第2導電層8の接触が抑制される。緻密酸化チタン層51の膜厚としては、5nm以上200nm以下が好ましく、10nm以上100nm以下がより好ましい。
多孔質酸化チタン層52は、空隙率が高いため、光電変換素子1の製造時に、光吸収層6の形成に用いる光吸収材料が層内の細孔に浸透し易い。そのため、光電変換素子1が多孔質酸化チタン層52を備えることで、光吸収層6と電子輸送層4との接触面積を増大できる。これにより、光吸収層6において光励起により発生した電子を、効率よく電子輸送層4に移動させることができる。多孔質酸化チタン層52の膜厚としては、100nm以上2,0000nm以下が好ましく、200nm以上1,500nm以下がより好ましい。
光吸収層6は、光吸収材料(針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物)及び結着樹脂を含有し、光電変換素子1に入射された光を吸収して電子及びホールを発生させる層である。詳しくは、光吸収層6に光が入射すると、光吸収材料に含まれる低いエネルギーの電子が光励起され、高いエネルギーの電子とホールとが発生する。発生した電子は、電子輸送層4に移動する。発生したホールは、ホール輸送層7に移動する。このような電子及びホールの移動により、電荷分離が行われる。
ペロブスカイト化合物の長軸長さとしては、5μm以上50μm以下が好ましく、7μm以上20μm以下がより好ましい。ペロブスカイト化合物の短軸長さに対する長軸長さの比(アスペクト比)としては、5以上30以下が好ましく、10以上20以下がより好ましい。ペロブスカイト化合物の長軸長さ及びアスペクト比を上述の範囲とすることで、ペロブスカイト化合物により形成される多孔質領域の空隙に結着樹脂が充填され易くなる。なお、ペロブスカイト化合物の長軸長さ及びアスペクト比は、実施例に記載の方法と同様の方法により測定できる。
結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂又はセルロース樹脂(特に、エチルセルロース樹脂)が好ましい。光吸収層6を形成する際、通常、結着樹脂を溶媒に溶解させる必要がある。この際、結着樹脂を含有する溶液の粘度は、比較的低いことが好ましい。また、結着樹脂を溶解させる溶媒は、ペロブスカイト化合物の結晶構造に影響を与え難い溶媒(例えば、トルエン及びクロロベンゼン等)が好ましい。以上の観点から、結着樹脂は、ペロブスカイト化合物の結晶構造に影響を与え難い溶媒に対して可溶であり、かつこのような溶媒に溶解した際に比較的低い粘度を示すことが好ましい。ポリビニルブチラール樹脂又はセルロース樹脂は、上述の条件を満たすため、結着樹脂として好ましい。
ホール輸送層7は、光吸収層6で発生したホールを捉えて、陽極である第2導電層8に輸送する層である。ホール輸送層7は、例えば、主成分としてホール輸送材料を含有する。
第2導電層8は、光電変換素子1の陽極に相当する。第2導電層8を構成する材料としては、例えば、金属、透明導電性無機材料、導電性微粒子及び導電性ポリマー(特に、透明導電性ポリマー)等が挙げられる。金属としては、例えば、金、銀、及び白金等が挙げられる。透明導電性無機材料としては、例えば、ヨウ化銅(CuI)、インジウムスズ酸化物(ITO)、酸化スズ(SnO2)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)及びガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等が挙げられる。導電性微粒子としては、例えば、銀ナノワイヤー及びカーボンナノファイバー等が挙げられる。透明導電性ポリマーとしては、例えば、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸とを含むポリマー(PEDOT/PSS)等が挙げられる。
以上、図1を参照して、本実施形態に係る光電変換素子の一例である光電変換素子1について説明した。但し、本実施形態に係る光電変換素子は、光電変換素子1に限定されず、例えば以下の点を変更可能である。
本実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、第1電荷輸送材料を含有する第1電荷輸送層を形成する第1電荷輸送層形成工程と、第1電荷輸送層上に光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層上に、第2電荷輸送材料を含有する第2電荷輸送層用塗布液を塗布することで第2電荷輸送層を形成する第2電荷輸送層形成工程とを備える。第1電荷輸送材料及び第2電荷輸送材料は、一方が電子輸送材料であり、他方がホール輸送材料である。光吸収層は、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物と、結着樹脂とを含有する。
本工程では、基体2及び第1導電層3を備える積層体を準備する。積層体は、例えば、基体2上に第1導電層3を形成することで得られる。基体2上に第1導電層3を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、及びメッキ法等が挙げられる。
本工程では、積層体における第1導電層3上に電子輸送層4を形成する。詳しくは、本工程は、緻密酸化チタン層形成工程と、多孔質酸化チタン層形成工程とを備える。
本工程では、積層体における第1導電層3上に緻密酸化チタン層51を形成する。第1導電層3上に緻密酸化チタン層51を形成する方法としては、例えば、チタンキレート化合物を含有する緻密酸化チタン層用塗布液を第1導電層3上に塗布した後、焼成する方法が挙げられる。緻密酸化チタン層用塗布液を第1導電層3上に塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、スクリーン印刷法、キャスト法、浸漬塗布法、ロールコート法、スロットダイ法、スプレーパイロリシス法、及びエアロゾルデポジション法等が挙げられる。焼成後、形成された緻密酸化チタン層51を四塩化チタン水溶液に浸漬させるとよい。この処理により、緻密酸化チタン層51の緻密性を増大させることができる。
本工程では、緻密酸化チタン層51上に多孔質酸化チタン層52を形成する。多孔質酸化チタン層52を形成する方法としては、例えば、酸化チタンを含有する多孔質酸化チタン層用塗布液を緻密酸化チタン層51上に塗布した後、焼成する方法が挙げられる。多孔質酸化チタン層用塗布液は、例えば、溶媒及び有機バインダーを更に含有する。多孔質酸化チタン層用塗布液が有機バインダーを含有する場合、有機バインダーは焼成で除去される。多孔質酸化チタン層用塗布液を緻密酸化チタン層51に塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、スクリーン印刷法、キャスト法、浸漬塗布法、ロールコート法、スロットダイ法、スプレーパイロリシス法、及びエアロゾルデポジション法等が挙げられる。
本工程では、電子輸送層4上(詳しくは、多孔質酸化チタン層52上)に光吸収層6を形成する。本工程は、製造コストを低減する観点から、大気下(常湿下)で行うことが好ましい。電子輸送層4上に光吸収層6を形成する方法としては、例えば、電子輸送層4上に、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物を含有する多孔質層(以下、多孔質ペロブスカイト化合物層と記載することがある)を形成する多孔質ペロブスカイト化合物層形成工程と、多孔質ペロブスカイト化合物層上に、結着樹脂及び溶媒を含有する結着樹脂溶液を塗布する工程(結着樹脂溶液塗布工程)とを備える方法が挙げられる。この方法によれば、多孔質ペロブスカイト化合物層に結着樹脂溶液が浸透し、光吸収層6が形成される。
本工程では、電子輸送層4上(詳しくは、多孔質酸化チタン層52上)に、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物を含有する多孔質層を形成する。ペロブスカイト化合物がペロブスカイト化合物(1)である場合、多孔質ペロブスカイト化合物層は、例えば、以下の1段階法又は2段階法により形成できる。
本工程では、多孔質ペロブスカイト化合物層上に、結着樹脂及び溶媒を含有する結着樹脂溶液を塗布する。溶媒としては、ペロブスカイト化合物の結晶構造に影響を与え難い溶媒が好ましい。具体的な溶媒としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン、酢酸エチル、及びジエチルエーテル等が挙げられ、トルエン又はクロロベンゼンが好ましい。
本工程では、光吸収層6上に、ホール輸送材料を含有するホール輸送層用塗布液を塗布することでホール輸送層7を形成する。ホール輸送層用塗布液は、例えば、ホール輸送材料及び有機溶媒を含有する。ホール輸送層用塗布液の有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、アルコール溶媒(特に、イソプロピルアルコール)等を用いることができる。また、光吸収層6におけるペロブスカイト化合物の結晶構造を維持し易くするため、ホール輸送層用塗布液の有機溶媒としてクロロベンゼン又はトルエンを用いてもよい。ホール輸送層用塗布液におけるホール輸送材料の含有割合は、例えば、0.5質量%5質量%以下である。
本工程では、ホール輸送層7上に第2導電層8を形成する。ホール輸送層7上に第2導電層8を形成する方法としては、特に限定されず、第1導電層3の形成方法と同様の方法(例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、及びメッキ法等)を用いることができる。
以上、本実施形態に係る光電変換素子製造方法の一例として、図1の光電変換素子1の製造方法を説明した。但し、本実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、上述の製造方法に限定されず、例えば以下の点を変更可能である。
以下の方法により、実施例1~6及び比較例1~2の光電変換素子を製造した。
(積層体準備工程)
フッ素ドープ酸化スズが蒸着された透明ガラス板(シグマアルドリッチ社製、膜厚:2.2mm)を、横25mm及び縦25mmの大きさに切断した。これにより、基体(透明ガラス板)及び第1導電層(フッ素ドープ酸化スズの蒸着膜)を備える積層体を準備した。この積層体に対して、エタノール中での超音波洗浄処理(1時間)、及びUV洗浄処理(30分間)を行った。
チタンキレート化合物であるジイソプロポキシチタニウムビス(アセチルアセトネート)を75質量%の濃度で含有する1-ブタノール溶液(シグマアルドリッチ社製)を、1-ブタノールで希釈した。これにより、チタンキレート化合物の濃度が0.02mol/Lである緻密酸化チタン層用塗布液を調製した。スピンコート法により、上述の積層体における第1導電層上に緻密酸化チタン層用塗布液を塗布し、450℃で15分間加熱した。これにより、第1導電層上に、膜厚50nmの緻密酸化チタン層を形成した。
酸化チタン及びエタノールを含有する酸化チタンペースト(日揮触媒化成株式会社製「PST-18NR」)1gをエタノール2.5gで希釈することにより、多孔質酸化チタン層用塗布液を調製した。上述の緻密酸化チタン層上に、スピンコート法により多孔質酸化チタン層用塗布液を塗布した後、450℃で1時間焼成した。これにより、緻密酸化チタン層上に、膜厚300nmの多孔質酸化チタン層を形成した。
以下の方法により、上述の多孔質酸化チタン層上に光吸収層を形成した。光吸収層の形成は、大気下にて行った。
PbI2(東京化成工業株式会社製)922mgと、CH3NH3I(東京化成工業株式会社製)318mgとを、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)1.076mLに加熱溶解させた(PbI2及びCH3NH3Iのモル比=1:1)。これにより、固形分濃度が55質量%である混合液Aを調製した。スピンコート法により、上述の多孔質酸化チタン層上にこの混合液Aを塗布した。塗布直後の液膜にトルエンを数滴滴下したところ、液膜が黄色から黒色に変化した。これにより、ペロブスカイト化合物(CH3NH3PbI3)が形成されたことを確認した。その後、液膜を100℃で60分間乾燥させた。これにより、多孔質酸化チタン層上に、膜厚500nmの多孔質ペロブスカイト化合物層を形成した。多孔質ペロブスカイト化合物層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物Xによって多孔質領域が形成されていることを確認できた(図3)。
結着樹脂としてのポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業株式会社製「エスレックBL-S」)0.1gを、溶媒としてのトルエン5.68mLに溶解させた。得られた結着樹脂溶液を、上述の多孔質ペロブスカイト化合物層上に、スピンコート法を用いて塗布した。その後、塗布した結着樹脂溶液を自然乾燥させた。これにより、光吸収層を形成した。光吸収層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物Xにより多孔質領域が形成され、その空隙に結着樹脂Yが充填されていることを確認できた(図4)。光学顕微鏡を用い、任意の20個のペロブスカイト化合物について、長軸長さ及びアスペクト比(長軸長さ/短軸長さ)を計測し、その算術平均値を求めた。ペロブスカイト化合物の長軸長さは20μm、アスペクト比は15であった。
多層タイプカーボンナノチューブ(MWCNT)(シグマアルドリッチ社製)0.2gと、分散剤0.2gとを、イソプロピルアルコール12.21mLに分散させた。これにより、ホール輸送層用塗布液を調製した。上述の光吸収層上に、スピンコート法を用いてホール輸送層用塗布液を塗布した。その後、塗布したホール輸送層用塗布液を、100℃で30分間乾燥させることで有機溶媒(イソプロピルアルコール)を除去した。これにより、上述の光吸収層上に、膜厚500nmのホール輸送層を形成した。
真空蒸着法により、上述のホール輸送層上に膜厚150nm、横25mm及び縦25mmの金蒸着膜を陽極として形成した。これにより、基体と、第1導電層と、電子輸送層(詳しくは、緻密酸化チタン層及び多孔質酸化チタン層)と、光吸収層と、ホール輸送層と、第2導電層とを備える実施例1の光電変換素子を得た。
実施例2の光電変換素子の製造では、結着樹脂溶液の調製において、結着樹脂としてポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業株式会社製「エスレックBM-S」)0.1gを用いた。
実施例3の光電変換素子の製造では、結着樹脂溶液の調製において、結着樹脂としてポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業株式会社製「エスレックBH-S」)0.1gを用いた。
実施例4の光電変換素子の製造では、結着樹脂溶液の調製において、結着樹脂としてエチルセルロース樹脂(キシダ化学株式会社製)0.1gを用いた。
実施例5の光電変換素子の製造では、結着樹脂溶液の調製において、溶媒としてクロロベンゼン0.917gを用いた。
実施例6の光電変換素子の製造では、実施例1のように多孔質ペロブスカイト化合物層を形成した後に結着樹脂溶液を塗布する代わりに、以下の通り光吸収層用塗布液を塗布することで光吸収層を形成した。光吸収層の形成は、大気下にて行った。
実施例1に記載の通りの組成で混合液Aを調製した後、混合液Aにポリビニルブチラール樹脂(積水化学工業株式会社製「エスレックBL-S」)10mgを更に添加して混合及び溶解させた。これにより、光吸収層用塗布液を調製した。
比較例1の光電変換素子の製造では、光吸収層形成工程において、結着樹脂溶液塗布工程を行わなかった。即ち、比較例1の光電変換素子の製造では、多孔質ペロブスカイト化合物層形成工程後、多孔質ペロブスカイト化合物層上にホール輸送層を形成した。
比較例2の光電変換素子の製造では、光吸収層形成工程において、結着樹脂溶液塗布工程を行わなかった。また、比較例2の光電変換素子の製造では、グローブボックスを用いて、不活性雰囲気(窒素ガス雰囲気)下で光吸収層形成工程を行った。比較例2の光電変換素子の製造では、形成された光吸収層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、板状結晶構造を有するペロブスカイト化合物の層が形成されていることを確認できた。
実施例1~6及び比較例1~2の光電変換素子について、各々の短絡電流、開放電圧、曲線因子、及び光電変換効率を、ソーラーシミュレータ(株式会社ワコム電創製)を用いて測定した。光電変換素子の表面層側の第2導電層が陽極となり、基体側の第1導電層が陰極となるように、ソーラーシミュレータに光電変換素子を接続した。キセノンランプの光をエアマスフィルター(株式会社ニコン製「AM-1.5」)を通過させることにより得られた100mW/cm2の疑似太陽光を、光電変換素子に照射した。照射したときの光電変換素子の電流-電圧特性を測定し、電流-電圧曲線を得た。電流-電圧曲線から、短絡電流(Jsc)、開放電圧(Voc)、曲線因子(FF)、及び光電変換効率(η)を算出した。短絡電流、開放電圧、曲線因子、及び光電変換効率は、何れも、その数値が高いほど光電変換素子として優れていることを示す。結果を下記表2に示す。
2 :基体
3 :第1導電層
4 :電子輸送層
51 :緻密酸化チタン層
52 :多孔質酸化チタン層
6 :光吸収層
7 :ホール輸送層
8 :第2導電層
Claims (11)
- 電子輸送層と、ホール輸送層と、前記電子輸送層及び前記ホール輸送層の間に配設される光吸収層とを備え、
前記光吸収層は、
針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物と、
結着樹脂とを含有し、
前記ペロブスカイト化合物の長軸長さは、7μm以上50μm以下であり、
前記ペロブスカイト化合物の短軸長さに対する長軸長さの比は、5以上20以下である、光電変換素子。 - 前記光吸収層における前記結着樹脂の含有割合は、0.1質量%以上2.0質量%以下である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記結着樹脂は、ポリビニルブチラール樹脂又はセルロース樹脂である、請求項1又は2に記載の光電変換素子。
- 前記ホール輸送層は、カーボンナノチューブを含有する、請求項1~3の何れか一項に記載の光電変換素子。
- 前記電子輸送層は、酸化チタンを含有する、請求項1~4の何れか一項に記載の光電変換素子。
- 第1電荷輸送材料を含有する第1電荷輸送層を形成する第1電荷輸送層形成工程と、
前記第1電荷輸送層上に光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、
前記光吸収層上に、第2電荷輸送材料を含有する第2電荷輸送層用塗布液を塗布することで第2電荷輸送層を形成する第2電荷輸送層形成工程とを備え、
前記第1電荷輸送材料及び前記第2電荷輸送材料は、一方が電子輸送材料であり、他方がホール輸送材料であり、
前記光吸収層は、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物と、結着樹脂とを含有し、
前記ペロブスカイト化合物の長軸長さは、7μm以上50μm以下であり、
前記ペロブスカイト化合物の短軸長さに対する長軸長さの比は、5以上20以下である、光電変換素子の製造方法。 - 前記光吸収層形成工程は、
前記第1電荷輸送層上に、針状結晶構造を有するペロブスカイト化合物を含有する多孔質層を形成する多孔質ペロブスカイト化合物層形成工程と、
前記多孔質層上に、結着樹脂及び溶媒を含有する結着樹脂溶液を塗布する結着樹脂溶液塗布工程とを備える、請求項7に記載の光電変換素子の製造方法。 - 前記溶媒は、トルエン又はクロロベンゼンである、請求項8に記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記結着樹脂溶液塗布工程では、浸漬塗布法、ロールコート法又はスピンコート法により前記結着樹脂溶液を塗布する、請求項8又は9に記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記第1電荷輸送材料は電子輸送材料であり、前記第2電荷輸送材料はホール輸送材料である、請求項7~10の何れか一項に記載の光電変換素子の製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| WO2022181317A1 (ja) * | 2021-02-24 | 2022-09-01 | 日本ゼオン株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
| CN116615037A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-08-18 | 北京协同创新研究院 | 钙钛矿太阳能电池、制备方法、钙钛矿光伏组件及叠层电池 |
| WO2025089373A1 (ja) * | 2023-10-27 | 2025-05-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、光電変換装置、移動体、及び建材 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197377A (ja) | 2001-10-18 | 2003-07-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2015529982A (ja) | 2012-09-12 | 2015-10-08 | コリア リサーチ インスティテュート オブ ケミカル テクノロジー | 光吸収構造体が備えられた太陽電池 |
| JP2017079334A (ja) | 2015-01-29 | 2017-04-27 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| US20170152608A1 (en) | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Solution growth of single-crystal perovskite structures |
| CN107316944A (zh) | 2017-06-22 | 2017-11-03 | 长江大学 | 一种具有网状钙钛矿纳米线的光电探测器及其制备方法 |
| US20170356623A1 (en) | 2016-06-09 | 2017-12-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Lighting device having a photoconversion layer |
| US20170365645A1 (en) | 2016-06-15 | 2017-12-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| US20180037813A1 (en) | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Organic-Inorganic Hybrid Perovskites, Devices, and Methods |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9391287B1 (en) * | 2013-12-19 | 2016-07-12 | The Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Photovoltaic perovskite material and method of fabrication |
| WO2016111576A1 (ko) * | 2015-01-08 | 2016-07-14 | 한국화학연구원 | 무 /유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막을 포함하는 소자의 제조방법 및 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막을 포함하는 소자 |
| KR101767968B1 (ko) * | 2015-02-09 | 2017-08-23 | 성균관대학교산학협력단 | 나노와이어 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법 |
| JP2018522954A (ja) * | 2015-05-01 | 2018-08-16 | ロード コーポレイション | ゴム接合用接着剤 |
| US10971690B2 (en) * | 2015-08-24 | 2021-04-06 | King Abdullah University Of Science And Technology | Solar cells, structures including organometallic halide perovskite monocrystalline films, and methods of preparation thereof |
| CN108269918B (zh) * | 2016-12-31 | 2020-07-14 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 多孔钙钛矿薄膜、碳浆料与基于碳电极的太阳能电池 |
| CN107611190A (zh) * | 2017-09-18 | 2018-01-19 | 南昌大学 | 一种耐弯折钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
-
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197377A (ja) | 2001-10-18 | 2003-07-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2015529982A (ja) | 2012-09-12 | 2015-10-08 | コリア リサーチ インスティテュート オブ ケミカル テクノロジー | 光吸収構造体が備えられた太陽電池 |
| JP2018504787A (ja) | 2014-11-28 | 2018-02-15 | ケンブリッジ・エンタープライズ・リミテッドCambridge Enterprise Limited | 電界発光素子 |
| JP2017079334A (ja) | 2015-01-29 | 2017-04-27 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JP2018522959A (ja) | 2015-05-14 | 2018-08-16 | 北京理工大学 | ペロブスカイト/ポリマー複合発光材料、製造方法及び用途 |
| US20170152608A1 (en) | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Solution growth of single-crystal perovskite structures |
| US20170356623A1 (en) | 2016-06-09 | 2017-12-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Lighting device having a photoconversion layer |
| US20170365645A1 (en) | 2016-06-15 | 2017-12-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| US20180037813A1 (en) | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Organic-Inorganic Hybrid Perovskites, Devices, and Methods |
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