JP7248806B2 - 電子システム、加速度計、較正方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法 - Google Patents

電子システム、加速度計、較正方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7248806B2
JP7248806B2 JP2021545461A JP2021545461A JP7248806B2 JP 7248806 B2 JP7248806 B2 JP 7248806B2 JP 2021545461 A JP2021545461 A JP 2021545461A JP 2021545461 A JP2021545461 A JP 2021545461A JP 7248806 B2 JP7248806 B2 JP 7248806B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
accelerometer
acceleration signal
frequency
electronic
piezo element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021545461A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022520752A (ja
Inventor
バトラー、ハンス
ヤンセン、バス
ホーン、コーネリウス アドリアヌス ランベルトゥス デ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2022520752A publication Critical patent/JP2022520752A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7248806B2 publication Critical patent/JP7248806B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D3/00Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
    • G01D3/028Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure
    • G01D3/032Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure affecting incoming signal, e.g. by averaging; gating undesired signals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/09Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P21/00Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

[関連出願へのクロスリファレンス]
本出願は、2019年2月4日に出願された欧州出願19155204.1号の優先権を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
[技術分野]
本発明は、加速度計のための電子システム、このような電子システムを含む加速度計、加速度計の電子システムの較正方法、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板上(典型的には基板上のターゲット部分)に望ましいパターンを適用する装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用される。このような場合、パターニングデバイス(以下、マスクまたはレチクルともいう)が、集積回路の各層の回路パターンを生成するために用いられる。このパターンは、基板(例えばシリコンウェーハ)のターゲット部分(例えば一または複数のダイの部分を含む)上に転写される。パターンの転写は、典型的には、基板上に形成された放射感応性材料(レジスト)の層に光を照明することで行われる。一般的に一つの基板は、順次パターニングされる隣接または近接する複数のターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置はいわゆるステッパとスキャナを含む。ステッパでは、各ターゲット部分に全体パターンが一度に露光される。スキャナでは、各ターゲット部分がパターニングされた放射ビームによって所定方向(スキャン方向)にスキャン露光され、この方向に平行または非平行な方向に沿って基板が同時にスキャンされる。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板上へのパターンのインプリントによっても可能である。
リソグラフィ装置では、能動的な制振および/または診断等のために、物体の位置、方向、速度、加速度および/またはジャークを正確かつ低ノイズで測定することが求められうる。リソグラフィ装置における物体は、例えば、パターニングデバイスを支持する支持構造、基板を保持する基板テーブル、投影システムの構成要素および/または測定フレームや支持フレームにおけるフレーム要素である。
加速度を測定するために低ノイズのピエゾ式の加速度計を用いてもよいが、比較的大きなものが多いため、第1機械共振周波数が低くなり、有効周波数帯が制限されるという問題がある。
ここで、加速度計で使用される質量を低減することによって、第1機械共振周波数を増加させて有効周波数帯を拡大することが考えられる。しかし、小さな加速度計は広い有効周波数帯を持つ一方で、極めて高いノイズを引き起こすという問題がある。
拡大された周波数帯において低ノイズ測定を可能にする加速度計があれば理想的である。
本発明の実施形態では、ピエゾ素子および第1機械共振周波数を有する加速度計のための電子システムが提供される。この電子システムは、ピエゾ素子から加速度信号を受信し、第1機械共振周波数の振幅を電子的に減衰させ、減衰加速度信号を生成する制振回路と、減衰加速度信号を受信し、その周波数応答を拡大し、拡大減衰加速度信号を出力する拡大部と、を備える。拡大部は、減衰された第1機械共振周波数に合う第1の電子工学的な反共振周波数を有し、当該第1の電子工学的な反共振周波数とより高い第2の周波数の間に、加速度計および制振回路の組合せにおける対応する周波数応答と実質的に逆の周波数応答を有する。
本発明の別の実施形態では、質量および当該質量に接続されるピエゾ素子を備える加速度計と、ピエゾ素子に接続される電子システムと、が提供される。加速度計は第1機械共振周波数を有する。電子システムは、ピエゾ素子から加速度信号を受信し、第1機械共振周波数の振幅を電子的に減衰させ、減衰加速度信号を生成する制振回路と、減衰加速度信号を受信し、その周波数応答を拡大し、拡大減衰加速度信号を出力する拡大部と、を備える。拡大部は、減衰された第1機械共振周波数に合う第1の電子工学的な反共振周波数を有し、当該第1の電子工学的な反共振周波数とより高い第2の周波数の間に、加速度計および制振回路の組合せにおける対応する周波数応答と実質的に逆の周波数応答を有する。
本発明の更に別の実施形態では、本発明の加速度計の電子システムの較正方法が提供される。この較正方法は、減衰加速度信号の実際の周波数応答を測定するステップと、実際の周波数応答を望ましい周波数応答と比較するステップと、比較するステップの結果に基づいて、拡大減衰加速度信号と共に望ましい周波数応答を得るための拡大部の設定値を決定するステップと、決定された設定値に拡大部を設定するステップと、を備える。
本発明の更に別の実施形態では、本発明の電子システムを含む加速度計の較正方法が提供される。ここで、制振回路は、ピエゾ素子に直列に接続されて当該ピエゾ素子のキャパシタンスと共に抵抗-インダクタ-キャパシタ回路を形成する抵抗およびインダクタを含む。この較正方法は、第1機械共振周波数およびその振幅を測定するステップと、第1機械共振周波数を望ましいレベルに減衰させるために抵抗-インダクタ-キャパシタ回路における抵抗およびインダクタの値を決定するステップと、決定された値に抵抗およびインダクタを設定するステップと、を備える。
本発明の更に別の実施形態では、本発明の加速度計を含む測定システムが提供される。
本発明の更に別の実施形態では、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、物体の位置を制御する駆動システムと、物体の位置量を測定する測定システムと、測定システムの出力に基づいて駆動システムを制御する制御システムと、を備える。測定システムは本発明の加速度計を含む、
本発明の更に別の実施形態では、本発明のリソグラフィ装置が使用されるデバイス製造方法が提供される。
本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 本発明の一実施形態における加速度計を模式的に示す。 本発明の一実施形態における電子システムを模式的に示す。 図3の電子システムに適用可能なジャイレータ回路を模式的に示す。 本発明の別の実施形態における電子システムを模式的に示す。 本発明の電子システムの拡大部の周波数応答の例を模式的に示す。 加速度信号、減衰加速度信号、拡大減衰加速度信号の周波数応答の実際の例を模式的に示す。
模式的な図面を参照して本発明の実施形態の例を説明する。図面における符号は対応する部分または構成要素を表す。図1は、本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、放射ビームB(例えば紫外線または極端紫外線)を調整する照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、第1位置決め部または第1ポジショナPMに接続されて当該パターニングデバイスを各種のパラメータに応じて正確に位置決めする支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、基板(例えばレジストで覆われたまたはコーティングされたウェーハ)Wを保持し、第2位置決め部または第2ポジショナPWに接続されて当該基板を各種のパラメータに応じて正確に位置決めする基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTaまたはWTbと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wにおけるターゲット部分C(例えば一または複数のダイを含む)上に投影する投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
照明システムは、放射の方向付け、形成および/または制御のために、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型その他の様々なタイプの光学部品またはこれらの任意の組合せを含んでもよい。
支持構造MTは、パターニングデバイスMAを支持する、すなわち、パターニングデバイスMAの重量を支える。支持構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置のデザイン、パターニングデバイスMAが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスMAを保持するために、機械式、真空式、静電式その他の方式のクランプ技術または固定技術を利用できる。支持構造MTは、例えば、必要に応じて固定されたまたは移動可能なフレームやテーブルでもよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPSとの関係で望ましい位置にあることを担保しうる。以下、「レチクル」や「マスク」の用語は、より概括的な「パターニングデバイス」の用語と同義に解釈されうる。
「パターニングデバイス」の用語は、基板Wにおけるターゲット部分等にパターンを生成するために、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用しうる任意のデバイスを指すものと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されるパターンは、当該パターンが位相シフト機能/特徴その他のいわゆるアシスト機能/特徴等を含む場合、基板Wのターゲット部分における所望のパターンと正確に一致しなくてもよい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分において製造される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応する。
パターニングデバイスMAは透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスとしては、例えば、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィまたは露光の分野においてよく知られており、バイナリ型(binary)、レベンソン位相シフト型(alternating phase-shift)、ハーフトーン位相シフト型(attenuated phase-shift)その他のハイブリッド型等の様々なタイプが存在する。プログラマブルミラーアレイは、例えば、行列状に配置された多数の微小なミラーを備え、各ミラーを個別に傾けることで入射した放射ビームを異なる方向に反射する。傾けられた多数のミラーは、ミラーマトリックスによって反射された像としてのパターンを放射ビームに付与する。
「放射」および「ビーム」の用語は全てのタイプの電磁気的な放射を包含し、紫外線またはUV放射(例えば、約365, 248, 193, 157, 126nmの波長を持つもの)、極端紫外線またはEUV放射(例えば、5-20nmの範囲の波長を持つもの)、イオンビームや電子ビーム等の微粒子ビームを含む。
「投影システム」の用語は、任意のタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈すべきであり、適切な露光を実現するため、または、液浸リソグラフィのための液体の使用や真空の使用等の他の要素に応じて、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、静電型の光学システムまたはこれらの任意の組合せが採用される。「投影レンズ」の用語は、より概括的な「投影システム」の用語と同義に解釈されうる。
以下では透過型のリソグラフィ装置(例えば透過マスクを用いるもの)について説明するが、リソグラフィ装置は反射型(例えば前述のプログラマブルミラーアレイや反射マスクを用いるもの)でもよい。
リソグラフィ装置は、二つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(および/または二つ以上のマスクテーブル)を備えるタイプでもよい。このような「マルチステージ」の装置では、複数のテーブルが並行して使用されてもよいし、一または複数のテーブルで露光準備ステップが実行されている間に、一または複数の別のテーブルで露光ステップが実行されてもよい。このことは、図1の例における二つの基板テーブルWTaおよびWTbによって模式的に示される。本発明は単独(stand-alone)で実施可能であるが、特にシングルステージまたはマルチステージの装置の露光前測定ステージにおいて追加的な機能を提供できる。
リソグラフィ装置は、水等の比較的高い屈折率の液体が基板Wの少なくとも一部を覆い、投影システムPSと基板Wの間の空間を満たすタイプでもよい。このような液浸リソグラフィのための液体はリソグラフィ装置の他の空間に供給されてもよく、例えば、パターニングデバイスMAと投影システムPSの間の空間を満たしてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増加させるものとして当技術分野においてよく知られている。「液浸」の用語は、基板W等の構造物が液体に浸らなければならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影システムPSと基板Wの間に存在することを意味する。
図1に示されるように、イルミネータILは放射源SOからの放射ビームを受ける。放射源SOとしてエキシマレーザを用いる等の場合では、放射源SOおよびリソグラフィ装置は別体でもよい。このような場合、放射源SOはリソグラフィ装置を構成する部品ではなく、放射ビームは、適切なガイドミラーおよび/またはビームエキスパンダ等を備えるビームデリバリシステムBDを介して、放射源SOからイルミネータILへ届けられる。光源として水銀ランプを用いる等の他の場合では、光源はリソグラフィ装置と一体的に構成される一部でもよい。以下、放射源SOおよびイルミネータILを、必要な場合はビームデリバリシステムBDと併せて、放射システムともいう。
イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般的に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側半径範囲(outer radial extent:一般的に「σ-outer」とも表記される)および/または内側半径範囲(inner radial extent:一般的に「σ-inner」とも表記される)が調整可能である。イルミネータILは、インテグレータINやコンデンサCO等の他の各種の部品を更に備えてもよい。イルミネータは、放射ビームを調整し、その断面において所望の均一度や強度分布を実現するために用いられてもよい。
放射ビームBは、支持構造MT(例えばマスクテーブル)上に保持されたパターニングデバイスMA(例えばマスク)に投射され、パターニングデバイスMAによってパターンが付与される。パターニングデバイスMAを透過した放射ビームBは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせるための投影システムPS内を通過する。第2ポジショナPWおよび位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ、容量センサ)によって基板テーブルWTa/WTbは正確に駆動され、例えば、放射ビームBの経路上に異なるターゲット部分Cが順次移動する。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ(不図示)は、例えばマスクライブラリから機械的に取り出された後のパターニングデバイスMAやスキャン中のパターニングデバイスMAを、放射ビームBの経路に対して正確に位置決めするために用いられる。一般的に、支持構造MTの運動は、第1ポジショナPMの一部を構成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)によって実現される。同様に、基板テーブルWTa/WTbの運動は、第2ポジショナPWの一部を構成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールによって実現される。リソグラフィ装置がスキャナではなくステッパの場合、支持構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、移動不可能に固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を用いて位置決めされてもよい。図示の基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めているが、これらは各ターゲット部分の間の領域に設けられてもよい(スクライブラインアライメントマークとして知られている)。同様に、パターニングデバイスMA上で複数のダイが提供される場合、マスクアライメントマークM1、M2はダイの間に設けられてもよい。
図示の装置は少なくともスキャンモードで使用され、支持構造MTおよび基板テーブルWTa/WTbが同時にスキャンされながら、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度および方向は、投影システムPSの拡大/縮小の倍率や像反転特性等によって決定しうる。スキャンモードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の寸法)を制限する一方で、スキャン動作の長さがターゲット部分の高さ(スキャン方向の寸法)を決定する。
図示の装置は、スキャンモードに加えて、以下の少なくとも一つのモードで使用しうる。
1.ステップモードでは、支持構造MTおよび基板テーブルWTa/WTbは実質的に静止状態に保持され、放射ビームに付与された全体パターンがターゲット部分C上に一度に投影される(すなわち単一静的露光)。その後、基板テーブルWTa/WTbがXおよび/またはY方向に移動することで、別のターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズを制限する。
2.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを支持する支持構造MTが実質的に静止状態に保持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影されながら基板テーブルWTa/WTbが駆動またはスキャンされる。このモードでは、一般的にパルス放射源が用いられ、基板テーブルWTa/WTbの各動作後またはスキャン中の連続する放射パルスの間に、プログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、前述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに、容易に適用可能である。
上記の使用モードの組合せおよび/または変形や、全く異なる使用モードが用いられてもよい。
リソグラフィ装置LAは、二つの基板テーブルWTa/WTbおよび二つのステーションを備えるいわゆるデュアルステージタイプの装置である。各基板テーブルは、露光ステーションおよび測定ステーションの間で入れ替わる。露光ステーションにおいて一つの基板テーブル上の一つの基板が露光されている間、測定ステーションにおいて他の基板を他の基板テーブル上に搭載して各種の準備ステップを実行できる。準備ステップは、レベルセンサLSによって基板の表面をマッピングする処理や、アライメントセンサASによって基板上のアライメントマーカの位置を測定する処理を含んでもよい。これによって、装置のスループットが大幅に向上する。位置センサIFが露光ステーションおよび測定ステーションにおける基板テーブルの位置を測定できない場合、第2位置センサを設けて両ステーションにおける基板テーブルの位置を追跡可能としてもよい。
装置は、前述の各種のアクチュエータおよびセンサの全ての動作および測定を制御するリソグラフィ装置制御ユニットLACUを更に備える。制御ユニットLACUは、装置の動作に必要な演算を実行するための信号処理およびデータ処理の能力も有する。実際の制御ユニットLACUは、リアルタイムのデータ取得、データ処理、サブシステムまたは装置中の部品の制御を担う多くのサブユニットからなるシステムとして実現される。例えば、一つのデータ処理サブシステムは、基板ポジショナPWのサーボ制御に割り当てられてもよい。別のユニットは、粗動/微動アクチュエータや異なる軸の処理を担ってもよい。更に別のユニットは、位置センサIFの読み出しに割り当てられてもよい。装置全体の制御は、これらのサブシステム処理ユニット、オペレータ、露光製造プロセスに関与する他の装置と情報をやり取りする中央処理ユニットが担ってもよい。
リソグラフィ装置は、当該装置中の物体の位置、速度、加速度および/またはジャークを測定する測定システムを更に備えてもよい。図1の例では、第1測定システムMS1が、投影システムPSの構成要素の相対的または絶対的な位置、速度、加速度および/またはジャーク等の位置量を測定する。第2測定システムMS2は、リソグラフィ装置のフレームの相対的または絶対的な位置、速度、加速度および/またはジャーク等の位置量を測定する。
第1、第2測定システムMS1、MS2は、例えば能動的な制振またはダンピングに用いられてもよい。この場合の測定信号は制御ユニットLACU等の制御システムに提供され、制御システムは測定信号に基づいて駆動システムを制御する。駆動システムは、例えば、外乱やノイズが補償されるように、および/または、振動性の動作が低減されるように、物体の位置を制御する。
以上に加えてまたは代えて、第1、第2測定システムMS1、MS2は診断目的で使用されてもよい。
第1、第2測定システムMS1、MS2の用途に関わらず、測定システムは本発明の実施形態に係る後述の加速度計を含んでもよい。
図2は、本発明の実施形態に係る加速度計ACを模式的に示す。加速度計ACは、ばね要素として象徴的に示されるピエゾ素子PEを介して互いに接続された質量MおよびベースBAを備える。ピエゾ素子PEは、ベースBAに対する質量Mの相対変位xを表す加速度信号を生成する。実質的にばねの特性を持つピエゾ素子によって、周波数ω=√(k/m)と等しい第1機械共振周波数が存在する。実質的にこの第1機械共振周波数より低い周波数帯において、変位xはベースBAの加速度に比例する。この比例関係のために、この第1機械共振周波数までの周波数帯を有効周波数帯と称してもよい。本明細書の説明において、周波数応答を拡大することは、この比例関係が存在する周波数帯を増加させること、すなわち、有効周波数を拡大することを指す。
図3は、図2の加速度計のピエゾ素子の加速度信号に基づいて測定信号を出力可能な、本発明の実施形態に係る電子システムESを模式的に示す。ピエゾ素子PEは図3ではキャパシタンスCpとして示されるキャパシタンスを有し、ピエゾ素子PEによって提供される加速度信号はキャパシタンスCp上の信号uaである。加速度信号uaは、ピエゾ素子PE上の電圧またはピエゾ素子PEに蓄えられた電荷を表す。
電子システムESは、直列に接続された制振回路DCおよび拡大部EXを備える。制振回路は、ピエゾ素子PEから加速度信号uaを受信する。制振回路DCの機能は、加速度計の第1機械共振周波数の振幅を電気的に減衰させ、減衰加速度信号udを生成することである。
図3の実施形態において、第1機械共振周波数の振幅の減衰は、抵抗RおよびインダクタLをピエゾ素子PEに直列に接続し、ピエゾ素子PEのキャパシタンスCpと共に抵抗-インダクタ-キャパシタ回路RLCを形成することによって実現される。抵抗-インダクタ-キャパシタ回路RLCの電子工学的な共振周波数を第1機械共振周波数に合わせることで、減衰加速度信号udにおける第1機械共振周波数の振幅が、加速度信号uaにおける第1機械共振周波数の振幅と比べて低減される。
制振回路DCは、キャパシタCrと、加速度信号を増幅する増幅器AMを更に備える。図3は実施形態を模式的に示したものに過ぎず、実際の電子システムは加速度信号を処理するために、追加的なまたは同等な信号処理において公知の電気部品を含んでもよい。
拡大部EXは、受信した減衰加速度信号udの周波数応答を拡大して拡大減衰加速度信号ueを出力する。このために拡大部は、減衰された第1機械共振周波数に合う第1の電子工学的な反共振周波数を有し、当該第1の電子工学的な反共振周波数とより高い第2の周波数の間に、加速度計および制振回路の組合せにおける対応する周波数応答と実質的に逆の周波数応答を有する。この結果、拡大減衰加速度信号ueが図2のベースBAの加速度に実質的に比例する周波数帯が、加速度信号uaが図2のベースBAの加速度に実質的に比例する周波数帯より大きくなる。つまり、加速度計の周波数応答が拡大されたことになる。
図3の電子システムESの利点は、加速度計自体を調整または変更することなく、その周波数応答を拡大できることである。このため、質量Mを低減することによって周波数応答を拡大するという安易な解決手段と比べて、比較的大きい/重い加速度計が備える良好な特性を維持しながら周波数応答を拡大できる。これらの加速度計の良好な特性は、拡大部EXがより高い周波数に導入しうるノイズを加味しても、結果的に高い効果をもたらすものと期待できる。すなわち、周波数応答を拡大した後のノイズレベルは、より小さい加速度計を用いた場合のノイズレベルより良い(低い)。
図3の電子システムESの他の利点は、複数の同様の加速度計が用いられる場合、すなわち、実質的に同じ質量M、実質的に同じピエゾ素子、従って同様の第1機械共振周波数を有する複数の加速度計が用いられる場合、各加速度計に同様の電子システムESを利用できることである。各電子システムESでは、製造誤差等によって加速度計毎にわずかに異なりうる特定の値に各減衰システムが合わせられまたは調整されるため、全ての加速度計に亘って実質的に差のない減衰加速度信号の振幅が得られる。このため、同一の拡大部を全ての電子システムに用いることができ、較正のための時間を節約できる。
換言すれば、測定システムに本発明の実施形態に係る第1の加速度計と本発明の実施形態に係る第2の加速度計を設け、第1および第2の加速度計は実質的に同じ質量、実質的に同じピエゾ素子、同様の第1機械共振周波数を有し、第1および第2の加速度計の電子システムは同一の拡大部を備え、第1および第2の加速度計の電子システムの制振回路は、それぞれの第1機械共振周波数およびその振幅の特定の値に調整される。
図3の電子システムESの更に他の利点は、アクチュエータとしても同時に使用されるピエゾ素子PEを用いて第1機械共振周波数を減衰させることで、制振回路DCの構成を比較的簡素にできることである。
抵抗-インダクタ-キャパシタ回路RLCの電子工学的な共振周波数を第1機械共振周波数に合わせる際に比較的大きな値のインダクタが必要になる場合、巻線インダクタが現実的でないまたは望ましくないこともあり得る。そこで、ある実施形態では、図3のインダクタLを図4に示されるいわゆるジャイレータ回路によって置き換え、大きなインダクタンスと等価なインピーダンスを発生させる。図4に示されるように、ジャイレータ回路では、増幅器AM2と、二つの抵抗RL、R2と、キャパシタCが相互に接続され、RL×R2×Cのインダクタ値が得られる。
図5は、図2に示される加速度計のための本発明の実施形態に係る電子システムESを模式的に示す。図2と同様に、ピエゾ素子PEのキャパシタンスはキャパシタCpとして示され、ピエゾ素子PEによって提供される加速度信号はキャパシタンスCp上の信号uaである。
電子システムESは、増幅器AMおよびキャパシタCrを含むセンサ回路SCを備える。センサ回路SCは加速度信号uaを受信し、本実施形態では当該信号を増幅して測定信号umを供給する。なお、図示のセンサ回路は大幅に模式化されており、加速度信号uaを処理するための他の構成要素を含んでもよい。
電子システムESは、第1機械共振周波数の振幅を電子的に減衰させるために測定信号umに基づいてピエゾ素子に電圧を印加する増幅器AM3が設けられるフィードバックループFLを含む制振回路DCを更に備える。ここで、制振回路は、装置の仕様や実際的な考慮事項に応じて、第1機械共振周波数を減衰させるための望ましいフィードバックを供給するための増幅器AM3に対する追加的および/または代替的な構成要素を含んでもよい。
図5の実施形態に係る電子システムESの利点は、制振回路DCがピエゾ素子PEに特有の値や質量Mの変動の影響を受けにくくなり、各加速度計の製造誤差および/または各加速度計の経時的な特性変化による差異を気にすることなく、同様または同一の制振回路DCを異なる加速度計に使用できることである。いずれの場合でも制振回路DCは、実質的に同様の減衰加速度信号udを提供するため、図3で説明したように同一の拡大部を用いることができる。
図3および図5の実施形態における拡大部EXは同様の機能を持ち、アナログ、デジタル、それらの組合せによって構成できる。すなわち、ある実施形態では、拡大部EX は、一または複数のアナログフィルタを含んでもよいし、一または複数のデジタルフィルタを含んでもよいし、一または複数のアナログフィルタおよび一または複数のデジタルフィルタの組合せを含んでもよい。
図6は、本発明の電子システムで使用される拡大部の周波数応答の例を示す。この周波数応答は、略比例的な応答を示す比例部分PO1、あるいは、実質的にフラットな応答を示すフラット部分を、低周波数帯に有する。低周波数帯に比例部分PO1があることは、拡大部が加速度計の低周波数応答に及ぼす影響を最小化できる点で有利である。
周波数応答は、加速度計の減衰された第1機械共振ピークを実質的に補償するために、第1の電子工学的な反共振周波数FAPにおいて反共振ピークAPを更に有する。第1の電子工学的な反共振周波数FAPと第2の高周波数F2の間の第2部分PO2の周波数応答は、減衰加速度信号の対応する周波数応答と実質的に逆である。本実施形態では、第2周波数F2より高い第3部分PO3の周波数応答は比例的すなわちフラットであり、過剰なノイズの混入を避けるために最終的にゼロまで漸減してもよい。しかし、第3部分PO3における実際の周波数応答は、本発明の適用においては重要性が低い、または、全く重要ではない。
図7は、加速度計の加速度信号に対する本発明の実施形態に係る電子システムESの効果を示す三つの周波数応答を模式的に示す。第1周波数応答FR1は、周波数応答の減衰も拡大も行わない従来のセンサ回路を用いた場合の加速度信号の周波数応答を示す。第1機械共振周波数および対応するピークが明らかに判別できる。
第2周波数応答FR2は、本発明の実施形態に係る制振回路DCを用いた場合の効果を示す。図示されるように、第1機械共振周波数における振幅が、好ましくは所定の値まで低減されている。
第3周波数応答FR3は、第1の電子工学的な反共振周波数が第1機械共振周波数に合わせられた、図6に示される周波数応答を有する拡大部を減衰加速度信号に適用した場合を示す。結果として現れる周波数応答は、第2周波数F2において第1減衰共振を示し、それより低い周波数で比例的すなわちフラットな部分を有するため、加速度計を機械的に改変、交換、調整することなく加速度計の周波数応答を拡大できる。
本発明を適用する上で必須ではないが、電子システムESは加速度信号uaを受信するためにピエゾ素子に接続される入力部(図3および図5における入力IP参照)を含んでもよい。同様に、電子システムESは拡大減衰加速度信号やそれに対応する信号を出力するための出力部(図3および図5における出力OP参照)を含んでもよい。
本実施形態によれば、図3および図5に示されるように、電子システムESを較正するために以下のステップを備える方法が用いられてもよい:
a.減衰加速度信号udの実際の周波数応答を測定するステップ;
b.実際の周波数応答を望ましい周波数応答と比較するステップ;
c.ステップbの結果に基づいて、拡大減衰加速度信号ueと共に望ましい周波数応答を得るための拡大部の設定値を決定するステップ;
d.決定された設定値に拡大部を設定するステップ。
本実施形態によれば、図3に示されるように、電子システムESを較正するために以下のステップを備える方法が用いられてもよい:
a.第1機械共振周波数およびその振幅を測定するステップ;
b.第1機械共振周波数を望ましいレベルに減衰させるために抵抗-インダクタ-キャパシタ回路における抵抗およびインダクタの値を決定するステップ;
c.決定された値に抵抗およびインダクタを設定するステップ。
ある実施形態では、複数の同様の本発明に係る加速度計を含む測定システムにおいて、拡大部を較正する方法は一つの加速度計について一度だけ実行されて拡大部の設定が他の加速度計にコピーされる一方、制振回路を較正する方法は各加速度計について実行される。
いくつかの前述の例および実施形態では、複数の加速度計を測定システムの一部を構成するものとして説明した。これは測定システムの多くの可能な構成を包含する。複数の加速度計は、異なる物体や一つの物体の異なる部分について、全て同じ方向(自由度)において測定してもよい。しかし、複数の加速度計は、同じ物体について異なる方向すなわち異なる自由度において測定してもよい。一例として、測定システムは異なる物体や同じ物体の異なる部分について用いられる一または複数のセンサハウジングを含んでもよい。各センサハウジングは、直交する複数の自由度において測定する二つまたは三つの加速度計と、当該二つまたは三つの加速度計の周波数応答を拡大する各電子システムを含む。各電子システムは例えば、同じ回路基板上に設けられてもよい、および/または、効率化のために電源等の部品を共有してもよい。
リソグラフィ装置の用途に関して集積回路の製造に具体的に言及したが、前述のリソグラフィ装置は他の用途に用いてもよい。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造にリソグラフィ装置は利用可能である。このような代替的な用途において、「ウェーハ」または「ダイ」の用語は、当業者にとって、それぞれより概括的な「基板」または「ターゲット部分」の用語と同義に解釈されうる。ここでの基板は、露光の前または後において、例えば、トラック(基板にレジスト層を適用して露光レジストを形成するツール)、計測ツールおよび/または検査ツール内で処理されるものでもよい。適用可能な場合、本開示はこのような他の基板処理ツールに適用されてもよい。更に、例えば複数層の集積回路を形成するために基板は複数回に亘って処理されてもよく、「基板」の用語はこのような複数の処理された層を既に含む基板も包含する。
本発明の実施形態の適用に関して光学リソグラフィの文脈において具体的な言及を行ったが、本発明はインプリントリソグラフィ等の他の用途に使用されてもよく、文脈が許す限り光学リソグラフィに用途が限定されるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが基板上に形成されるパターンを定義する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層にプレスされてもよく、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せによってレジストが硬化(キュア)される。レジストが硬化された後にパターニングデバイスが取り除かれるとレジスト内にパターンが残る。
以上、本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は実施形態とは別の態様で実施されてもよい。例えば、本発明は、前述の方法を記述する一または複数の一連の機械読取可能な指令を含むコンピュータプログラムや、このようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク)の形態を取ってもよい。
以上の説明は例示であり、本発明を限定する趣旨ではない。従って、本発明の趣旨から逸脱することなく本発明に変更を加えうることは当業者にとって自明である。

Claims (15)

  1. ピエゾ素子および第1機械共振周波数を有する加速度計のための電子システムであって、
    前記ピエゾ素子から加速度信号を受信し、前記第1機械共振周波数の振幅を電子的に減衰させ、減衰加速度信号を生成する制振回路と、
    前記減衰加速度信号を受信し、その周波数応答を拡大し、拡大減衰加速度信号を出力する拡大部と、
    を備え、
    前記拡大部は、減衰された前記第1機械共振周波数に合う第1の電子工学的な反共振周波数を有し、当該第1の電子工学的な反共振周波数とより高い第2の周波数の間に、前記加速度計および前記制振回路の組合せにおける対応する周波数応答と実質的に逆の周波数応答を有する、
    電子システム。
  2. 前記加速度信号を受信するために前記ピエゾ素子に接続される入力部と、前記拡大減衰加速度信号を出力するための出力部と、を更に備える、請求項1に記載の電子システム。
  3. 前記制振回路は、前記ピエゾ素子に直列に接続されて当該ピエゾ素子のキャパシタンスと共に抵抗-インダクタ-キャパシタ回路を形成する抵抗およびインダクタを含み、
    前記抵抗-インダクタ-キャパシタ回路の電子工学的な共振周波数は前記第1機械共振周波数に合わせられ、
    前記インダクタはジャイレータ回路によって構成される、
    請求項1または2に記載の電子システム。
  4. 前記ピエゾ素子上の電圧または前記ピエゾ素子に蓄えられた電荷を表す測定信号を出力するセンサ回路を更に備える、請求項1から3のいずれかに記載の電子システム。
  5. 前記制振回路は、前記第1機械共振周波数の振幅を減衰させるために、測定信号に基づいて前記ピエゾ素子に電圧を印加するフィードバックループを含む、請求項1から4のいずれかに記載の電子システム。
  6. 前記拡大部は一または複数のアナログフィルタを含む、請求項1から5のいずれかに記載の電子システム。
  7. 前記拡大部は一または複数のデジタルフィルタを含む、請求項1から6のいずれかに記載の電子システム。
  8. 質量および当該質量に接続されるピエゾ素子を備える加速度計と、前記ピエゾ素子に接続される電子システムと、を備え、前記加速度計は第1機械共振周波数を有し、
    前記電子システムは、
    前記ピエゾ素子から加速度信号を受信し、前記第1機械共振周波数の振幅を電子的に減衰させ、減衰加速度信号を生成する制振回路と、
    前記減衰加速度信号を受信し、その周波数応答を拡大し、拡大減衰加速度信号を出力する拡大部と、
    を備え、
    前記拡大部は、減衰された前記第1機械共振周波数に合う第1の電子工学的な反共振周波数を有し、当該第1の電子工学的な反共振周波数とより高い第2の周波数の間に、前記加速度計および前記制振回路の組合せにおける対応する周波数応答と実質的に逆の周波数応答を有する、
    装置。
  9. 請求項8に記載の加速度計の電子システムを較正する方法であって、
    前記減衰加速度信号の実際の周波数応答を測定するステップと、
    前記実際の周波数応答を望ましい周波数応答と比較するステップと、
    前記比較するステップの結果に基づいて、前記拡大減衰加速度信号と共に前記望ましい周波数応答を得るための拡大部の設定値を決定するステップと、
    決定された設定値に前記拡大部を設定するステップと、
    を備える方法。
  10. 請求項3に記載の電子システムを含む加速度計を較正する方法であって、
    前記第1機械共振周波数およびその振幅を測定するステップと、
    前記第1機械共振周波数を望ましいレベルに減衰させるために前記抵抗-インダクタ-キャパシタ回路における前記抵抗および前記インダクタの値を決定するステップと、
    決定された値に前記抵抗および前記インダクタを設定するステップと、
    を備える方法。
  11. 請求項8に記載の加速度計を含む測定システム。
  12. 前記加速度計は第1の加速度計であり、
    前記測定システムは請求項8に記載の第2の加速度計を更に備え、
    前記第1および第2の加速度計は実質的に同じ質量、実質的に同じピエゾ素子、同様の第1機械共振周波数を有し、
    前記第1および第2の加速度計の電子システムは同一の拡大部を備え、
    前記第1および第2の加速度計の電子システムの制振回路は、前記第1機械共振周波数およびその振幅の特定の値に調整される、
    請求項11に記載の測定システム。
  13. 物体の位置を制御する駆動システムと、
    前記物体の位置量を測定する測定システムと、
    前記測定システムの出力に基づいて前記駆動システムを制御する制御システムと、
    を備え、
    前記測定システムは請求項8に記載の加速度計を含む、
    リソグラフィ装置。
  14. 放射ビームを調整する照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持構造と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターニングされた放射ビームを前記基板におけるターゲット部分上に投影する投影システムと、
    を更に備え、
    前記物体は、前記支持構造、前記基板テーブル、前記投影システムの構成要素の少なくともいずれかである、
    請求項13に記載のリソグラフィ装置。
  15. 請求項13または14に記載のリソグラフィ装置が使用されるデバイス製造方法。
JP2021545461A 2019-02-04 2020-01-03 電子システム、加速度計、較正方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法 Active JP7248806B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19155204.1 2019-02-04
EP19155204 2019-02-04
PCT/EP2020/050051 WO2020160852A1 (en) 2019-02-04 2020-01-03 Electronic system, accelerometer, calibration method, lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022520752A JP2022520752A (ja) 2022-04-01
JP7248806B2 true JP7248806B2 (ja) 2023-03-29

Family

ID=65278297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021545461A Active JP7248806B2 (ja) 2019-02-04 2020-01-03 電子システム、加速度計、較正方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11561479B2 (ja)
JP (1) JP7248806B2 (ja)
CN (1) CN113366320A (ja)
NL (1) NL2024599A (ja)
WO (1) WO2020160852A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109898A (ja) 2001-06-29 2003-04-11 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2003315356A (ja) 2002-04-26 2003-11-06 Toyota Motor Corp センサ装置
JP2006032788A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2008134996A (ja) 2006-10-30 2008-06-12 Nissan Motor Co Ltd 振動低減装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2904681A (en) 1954-09-15 1959-09-15 Jr John L Jones Feedback amplifier for extending the useful frequency range of an accelerometer
US3349629A (en) * 1964-09-08 1967-10-31 Cons Electrodynamics Corp Frequency damped transucer
US4197478A (en) * 1979-01-25 1980-04-08 Southwest Research Institute Electronically tunable resonant accelerometer
US4219767A (en) 1979-03-29 1980-08-26 Tektronix, Inc. System and method of minimizing velocity fluctuations in a synchronous motor shaft
JPS59163523A (ja) 1983-03-08 1984-09-14 Anritsu Corp 電荷出力形加速度センサ用減衰器
JP3148940B2 (ja) 1992-02-25 2001-03-26 株式会社トーキン 加速度センサ
JP3139282B2 (ja) 1993-08-26 2001-02-26 株式会社村田製作所 加速度センサ
EP1271248A1 (en) 2001-06-29 2003-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4066786B2 (ja) 2001-12-28 2008-03-26 株式会社村田製作所 力学量センサ
US8804265B2 (en) 2011-12-23 2014-08-12 Rohm Co., Ltd. Calibration of a resonance frequency filter
US9121233B2 (en) * 2013-02-26 2015-09-01 Baker Hughes Incorporated Mitigation of downhole component vibration using electromagnetic vibration reduction
US9341512B2 (en) 2013-03-15 2016-05-17 Fluke Corporation Frequency response of vibration sensors
US9435824B2 (en) * 2013-07-25 2016-09-06 Garimella R Sarma Circuit to extend frequency response of accelerometer
US9435821B1 (en) 2013-12-12 2016-09-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Single-axis accelerometer
EP2944966B1 (de) 2014-05-15 2019-07-10 Etel S. A.. Vibrationssensor
FR3052209B1 (fr) 2016-06-02 2018-06-01 Airbus Helicopters Resonateur, et aeronef muni de ce resonateur
US11223303B2 (en) * 2017-06-19 2022-01-11 Nikon Research Corporation Of America Motor with force constant modeling and identification for flexible mode control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109898A (ja) 2001-06-29 2003-04-11 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置
JP2003315356A (ja) 2002-04-26 2003-11-06 Toyota Motor Corp センサ装置
JP2006032788A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2008134996A (ja) 2006-10-30 2008-06-12 Nissan Motor Co Ltd 振動低減装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020160852A1 (en) 2020-08-13
CN113366320A (zh) 2021-09-07
US11561479B2 (en) 2023-01-24
JP2022520752A (ja) 2022-04-01
NL2024599A (en) 2020-08-19
US20220113636A1 (en) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5149887B2 (ja) リソグラフィ装置、およびリソグラフィ装置の投影システムにかかる外乱の影響を補償する方法
US7999912B2 (en) Lithographic apparatus and sensor calibration method
US8203694B2 (en) Lithographic apparatus, projection assembly and active damping
JP4891377B2 (ja) 投影組立体およびリソグラフィ装置
JP5008630B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8730451B2 (en) Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method
KR20120019404A (ko) 대상물 테이블을 위치시키는 스테이지 장치, 리소그래피 장치 및 방법
JP6563600B2 (ja) 振動絶縁デバイス、リソグラフィ装置、および振動絶縁システムを調節する方法
US20110171759A1 (en) Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
US11789373B2 (en) Object positioning system diagnostic and calibration methods positioning control method lithographic apparatus and device manufacturing method
JP7248806B2 (ja) 電子システム、加速度計、較正方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法
NL2020502A (en) Apparatus, substrate handler, patterning device handler, damping system and method of manufacturing
JP7340058B2 (ja) ダンパーデバイスを製造する方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210906

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230316

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7248806

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150