JP7237417B2 - 熱電モジュール用基板及び熱電モジュール - Google Patents
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Description
前記熱電モジュール用基板は、熱伝導性無機物を含有した複合樹脂層と、当該複合樹脂層を挟み、はんだ付けが可能で、前記複合樹脂層側の面が粗化処理されている一対の金属箔とを有し、
前記熱電素子がN型熱電素子とP型熱電素子であり、
前記熱電モジュール用基板のうち前記熱電素子側を構成する金属箔には、前記N型熱電素子と前記P型熱電素子とが隣接してはんだ接合し、前記N型熱電素子と前記P型半導体とが前記金属箔を介して前記熱電モジュール用基板間に電気的に直列に構成されている、ことを特徴とする。
前記第1金属箔上に接合された前記N型熱電素子と、該第1金属箔に隣接する他の第1金属箔上に接合されたP型熱電素子とが、同じ第2金属箔上ではんだ接合されて、前記直列構造が構成されている。
本発明に係る熱電モジュール用基板10は、図1及び図2に示すように、熱伝導性無機物を含有した複合樹脂層3と、その複合樹脂層3を挟み、はんだ付けが可能で、複合樹脂層側の面が粗化処理されている一対の金属箔1,2とを有することに特徴がある。この熱電モジュール用基板10は、複合樹脂層3が熱伝導性無機物を含有するので、強さ(強度)と柔らかさ(低弾性)を有し、熱応力(熱ストレス)を緩和して寿命を改善することができるとともに、放熱性と電気絶縁性を持たせることができる。また、はんだ付けが可能な1対の金属箔1,2が複合樹脂層3を挟むので、熱電素子11とのはんだ付け性が良く、発熱した熱電素子11の放熱性に優れ、さらに低コスト化を実現できる。また、金属箔1,2の複合樹脂層側の面が粗化処理されているので、金属箔1,2と複合樹脂層3との密着がよく、熱電素子11に加わる熱ストレスやはんだ接合時の熱によっても金属箔1,2と複合樹脂層3との剥がれが抑制され、寿命改善を図ることができる。
金属箔1,2は、複合樹脂層3を挟むように1対配置されている。金属箔1,2は、はんだ付け可能な金属箔であり、例えば、銅箔、銅合金箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔等を挙げることができる。好ましくは銅箔又は銅合金箔であり、特に好ましくは電解銅箔を挙げることができる。
複合樹脂層3は、熱伝導性無機物を含有し、前記した一対の金属箔1,2で挟まれている。この複合樹脂層3は、強さ(強度)と柔らかさ(低弾性)を有し、熱応力(熱ストレス)を緩和する熱応力緩和層として作用し、寿命の改善を図ることができるとともに、放熱性と電気絶縁性、耐熱性(はんだ耐熱性)、接着強度を持たせることができる。
金属箔1,2と複合樹脂層3とで構成された熱電モジュール用基板10は、片面を粗化処理した金属箔1,2で複合樹脂層3を挟み込み、その状態で両面から熱プレスして得ることができる。得られた積層体は、いわゆる銅張積層基板と同様な形態であるので、銅箔を貼り合わせた銅張積層基板を用い、例えばプリント基板の製造技術として用いられるフォトリソグラフィ技術により、一対の熱電モジュール用基板10,10の片面又は両面に電極パターンを形成することができる。こうして形成された電極パターン上に、熱電素子11を接合することで、熱電モジュール(ペルチェモジュール)20を製造することができる。
本発明に係る熱電モジュール20は、図2及び図3に示すように、上記本発明に係る2枚の熱電モジュール用基板10a,10bと、その2枚の熱電モジュール用基板間に電気的に直列に配置された熱電素子11とを有している。熱電素子11は、N型熱電素子(N型半導体)11aとP型熱電素子(P型半導体)11bである。この熱電モジュール20において、各熱電モジュール用基板10a,10bのうち熱電素子側を構成する各金属箔1,1には、N型熱電素子11aと前記P型熱電素子11bとが隣接してはんだ接合し、そのN型熱電素子11aと前記P型熱電素子11bとが前記各金属箔1,1を介して2枚の熱電モジュール用基板間に電気的に直列に構成されている。
図1に示す熱電モジュール用基板10を作製した。金属箔として、厚さ105μm電解銅箔を用いた。この電解銅箔の各面の表面粗さをJIS B 0601-2001に準拠した表面粗さ計で測定したところ、粗化面側の表面粗さRzは22μmであり、鏡面側の表面粗さRzは2μmであった。複合樹脂層3は、エポキシ樹脂であるビスフェノールAジグリシジルエーテル(エポキシ当量180~190)100質量部に、芳香族アミンとポリアミドからなる硬化剤を30質量部配合し、さらに硬化促進剤と溶剤とを適量添加し、そこに無機フィラーとして粒径が0.3~40μmのシリカフィラーを配合、分散させて、固形分が約80質量%のエポキシ樹脂組成ワニスとした。フィラー配合量は、固形分に対し70~75質量%となるように配合した。なお、ここでは硬化剤を30質量部配合しているが、その種類によって3質量部~40質量部の範囲で配合することができる。
実施例1と同じ電解銅箔を使用した。複合樹脂層3の樹脂組成も実施例1と同様とし、そこに無機フィラーとして粒径が0.3~40μmのシリカフィラーを配合、分散させて、固形分が約80質量%のエポキシ樹脂組成ワニスとした。フィラー配合量は、固形分に対し80~85質量%となるように配合した。これら以外は、実施例1と同様とした。
実施例1と同じ電解銅箔を使用した。複合樹脂層3の樹脂組成も実施例1と同様とし、そこに無機フィラーとして粒径が0.3~40μmのアルミナフィラーを配合、分散させて、固形分が約80質量%のエポキシ樹脂組成ワニスとした。フィラー配合量は、固形分に対し70~75質量%となるように配合した。これら以外は、実施例1と同様とした。
実施例1と同じ電解銅箔を使用した。複合樹脂層3は、エポキシ樹脂であるビスフェノールAジグリシジルエーテル(エポキシ当量180~190)100質量部に、脂肪族アミンからなる硬化剤を10~30質量部配合し、さらに硬化促進剤と溶剤とを適量添加し、そこに無機フィラーとして粒径が0.3~40μmのアルミナフィラーを配合、分散させて、固形分が約80質量%のエポキシ樹脂組成ワニスとした。フィラー配合量は、固形分に対し70~75質量%となるように配合した。これら以外は、実施例1と同様とした。
実施例1において、複合樹脂層3の厚さを80μmから20μmに変更した。それ以外は、実施例1と同様とした。
実施例1において、複合樹脂層3に代えて、市販のフィラー含有高耐熱性エポキシ樹脂シート(株式会社プリンテック製、商品名:EPOX-AH7804)を使用した。それ以外は、実施例1と同様とした。
実施例1において、複合樹脂層3に代えて、他の市販のフィラー含有高耐熱性エポキシ樹脂シート(株式会社プリンテック製、商品名:EPOX-AH7404)を使用した。それ以外は、実施例1と同様とした。
実施例1において、樹脂シートに代えて、ヤング率が320GPaのアルミナセラミックス基板(厚さ500μm)を使用した。それ以外は、実施例1と同様とした。
(貯蔵弾性率、ガラス転移温度、ΔTの測定)
実施例1~4及び比較例1で用いた複合樹脂層3の貯蔵弾性率を測定した。さらに、比較例2,3で用いた樹脂シートの貯蔵弾性率を測定した。測定は、既述したTMA装置(株式会社日立ハイテクサイエンス製、型名:SS7100)を用い、試料に非振動的荷重(一定荷重として200mNを負荷した。)をかけながら温度に対する変形を計測した。なお、TMA装置を用いた粘弾性解析では、サイン波荷重(振幅荷重:100mN)をかけて測定した。図4は、貯蔵弾性率の測定結果を示すグラフであり、Aは実施例1、Bは実施例2、Cは実施例3、Dは実施例4、Fは比較例2である。また、表1には30℃と100℃の結果を示した。
ペルチェモジュールの極性を反転(直流電流を流す方向入れ替える)させ、吸熱・放熱面の入替を行った。極性反転のサイクルは1サイクル2分とし、5000サイクル、10000サイクル、50000サイクルで行った。判定は、抵抗値の上昇率をモニタし、上昇率が3%以上の場合を「×」で表し、3%未満の場合を「○」で表した。なお、熱特性は、放熱・吸熱面の温度差(ΔT)は、放熱面の温度(Th)を+50℃としたときの吸熱面の温度を測定したものであり、例えば吸熱面の温度が-26℃の時、ΔT=76℃となる。こうして測定したΔTも表1に示した。
1a 一の金属箔(第1金属箔)
1b 隣接する他の金属箔(第2金属箔)
2 金属箔(熱電素子に接合しない側の金属箔)
3 複合樹脂層
10,10a,10b 熱電モジュール用基板
11 熱電素子
11a N型熱電素子(N型半導体)
11b P型熱電素子(P型半導体)
12 はんだ
13 はんだ接合部
20 熱電モジュール
F1 熱応力
F2 収縮力
F3 引張力
Claims (7)
- 熱伝導性無機物を含有した複合樹脂層と、当該複合樹脂層を挟み、はんだ付けが可能で、前記複合樹脂層側の面が粗化処理されている一対の金属箔とを有し、前記複合樹脂層を構成する樹脂は、30℃での貯蔵弾性率が1~10GPaの範囲内であり、100℃での貯蔵弾性率が0.1~1GPaの範囲内である、ことを特徴とする熱電モジュール用基板。
- 前記金属箔は、銅箔又はアルミニウム箔である、請求項1に記載の熱電モジュール用基板。
- 前記熱伝導性無機物が、熱伝導性が1W/mK以上の無機フィラーである、請求項1又は2に記載の熱電モジュール用基板。
- 前記金属箔の複合樹脂層側の面が、表面粗さRzで1μm以上30μm以下の範囲内である、請求項1~3のいずれか1項に記載の熱電モジュール用基板。
- 前記複合樹脂層の厚さが、30μm以上200μm以下の範囲内である、請求項1~4のいずれか1項に記載の熱電モジュール用基板。
- 請求項1~5のいずれか1項に記載の熱電モジュール用基板2枚と、該2枚の熱電モジュール用基板間に電気的に直列に配置された熱電素子とを有する熱電モジュールであって、
前記熱電素子がN型熱電素子とP型熱電素子であり、
前記熱電モジュール用基板のうち前記熱電素子側を構成する金属箔には、前記N型熱電素子と前記P型熱電素子とが隣接してはんだ接合し、前記N型熱電素子と前記P型熱電素子とが前記金属箔を介して前記熱電モジュール用基板間に電気的に直列に構成されている、ことを特徴とする、熱電モジュール。 - 前記2枚の熱電モジュール用基板の対向する側の金属箔をそれぞれ第1金属箔と第2金属箔というとき、前記第1金属箔と前記第2金属箔との間にN型熱電素子とP型熱電素子とが挟まれた状態ではんだ接合されており、
前記第1金属箔上に接合された前記N型熱電素子と、該第1金属箔に隣接する他の第1金属箔上に接合されたP型熱電素子とが、同じ第2金属箔上ではんだ接合され、前記第2金属箔上に接合された前記P型熱電素子と、該第2金属箔に隣接する他の第2金属箔上に接合されたN型熱電素子とが、同じ第1金属箔上ではんだ接合されて、前記電気的に直列に構成されている、請求項6に記載の熱電モジュール。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001119076A (ja) | 1999-08-10 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
JP2011216619A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 積層構造体及びその製造方法 |
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JPH08316532A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 冷却ユニット構造 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001119076A (ja) | 1999-08-10 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
JP2011216619A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 積層構造体及びその製造方法 |
WO2018047434A1 (ja) | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 日本メクトロン株式会社 | フレキシブルプリント基板およびフレキシブルプリント基板の製造方法 |
JP2018041803A (ja) | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 日本メクトロン株式会社 | フレキシブルプリント基板およびフレキシブルプリント基板の製造方法 |
US20190090345A1 (en) | 2016-09-06 | 2019-03-21 | Nippon Mektron, Ltd. | Flexible printed board and method for manufacturing flexible printed board |
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