JP7229862B2 - 改善された歩留まりを示す被覆された印刷された電子デバイス - Google Patents
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- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 title description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 98
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 93
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- -1 silver Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Description
Claims (18)
- あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層、を含む、複数のメモリセルと、
前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供する保護層であって、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有する、保護層と、を備え、
前記緩衝帯は、前記重なり領域において2√2×(線位置合わせ能力)以下である緩衝帯幅を特徴とする、被覆された印刷された電子デバイス。 - 前記緩衝帯幅は、前記重なり領域において200μmより大きく、2√2×(線位置合わせ能力)以下である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記緩衝帯幅は、0より大きく500μm以下である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記緩衝帯幅は、200μmより大きく500μm以下である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記重なり領域以外の領域において、前記緩衝帯幅は、少なくとも2√2×(線位置合わせ能力)である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記保護層は、前記複数のコンタクトパッド上に付けられた開口を画定するように構成されている、請求項1に記載のデバイス。
- 前記緩衝帯幅は、0より大きく500μm以下であり、さらに前記保護層は、前記保護層の縁部と各コンタクトパッドの隣接する対向縁部との間に間隙を画定するように構成され、前記間隙が、少なくとも80μmの間隙幅を特徴とする、請求項6に記載のデバイス。
- 基板と、前記基板上の複数の被覆された印刷された電子デバイスとを含む複数の被覆された印刷された電子デバイスであって、各デバイスが、請求項1に記載のデバイスに従って構成されている、複数の被覆された印刷された電子デバイス。
- あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層、を含む、複数のメモリセルと、
前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供する保護層であって、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有する、保護層と、を備え、
前記重なり領域内の縁部の部分を除いて、各コンタクトパッドのすべての縁部は覆われていない、被覆された印刷された電子デバイス。 - あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層、を含む、複数のメモリセルと、
前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供する保護層であって、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有する、保護層と、を備え、
前記保護層は、前記保護層の縁部と各コンタクトパッドの隣接する対向縁部との間に間隙を画定するように構成され、前記間隙は、少なくとも2×(線位置合わせ能力)である間隙幅を特徴とする、被覆された印刷された電子デバイス。 - 前記間隙は、少なくとも80μmである間隙幅を特徴とする、請求項10に記載のデバイス。
- あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層、を含む、複数のメモリセルと、
前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供する保護層であって、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有する、保護層と、を備え、
前記複数のコンタクトパッドは、互いに平行に延在する2つのアレイに配置され、それらの間に空間を画定すること、さらに前記保護層は、2つの開口を画定するように構成され、各開口が、前記2つのアレイのそれぞれの一方の上に位置付けられ、さらに前記複数の電極トレースが、前記空間内に位置付けられた格子パターンで配置されている、被覆された印刷された電子デバイス。 - 前記緩衝帯幅は、0より大きく500μm以下であり、さらに前記保護層は、前記保護層の縁部と各コンタクトパッドの隣接する対向縁部との間に間隙を画定するように構成され、前記間隙は、少なくとも80μmの間隙幅を特徴とする、請求項12に記載のデバイス。
- あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層、を含む、複数のメモリセルと、
前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供する保護層であって、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有する、保護層と、を備え、
前記保護層は、前記複数の電極トレース上に位置付けられた連続的なほぼ矩形の形状の領域として構成され、
前記緩衝帯幅は、0より大きく500μm以下であり、
前記複数のコンタクトパッドは、互いに平行に延在し、それらの間に空間を画定する2つのアレイに配置され、さらに前記複数の電極トレースは、前記空間内に位置付けられた格子パターンで配置されている、被覆された印刷された電子デバイス。 - 被覆された印刷された電子デバイスの製造方法であって、
基板上に複数の下部電極トレースを印刷することと、
前記複数の下部電極トレース上に強誘電体材料の層を印刷することと、
前記強誘電体材料の前記層上に複数の上部電極トレースを印刷することであって、前記複数の下部電極トレースおよび前記複数の上部電極トレースが、あるパターンで配置された複数の電極トレースを形成し、かつ複数のメモリセルを画定し、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置する、印刷することと、
前記複数の電極トレース上に複数のコンタクトパッドを印刷することであって、前記複数のコンタクトパッドが、別のパターンで配置され、前記複数の電極トレースの各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡している、印刷することと、
前記複数の電極トレースおよび前記複数のコンタクトパッド上に硬化性組成物を印刷することと、
前記硬化性組成物を硬化させて保護層を形成することと、を含み、
前記保護層は、前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供し、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有し、
前記重なり領域内の縁部の部分を除いて、各コンタクトパッドのすべての縁部は覆われていない、方法。 - 前記緩衝帯は、前記重なり領域において2√2×(線位置合わせ能力)以下である緩衝帯幅を特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 被覆された印刷された電子デバイスを使用する方法であって、被覆された印刷された電子デバイスの複数のコンタクトパッドを読み取り/書き込みユニットの複数のピンと接触させることを含み、前記デバイスは、
あるパターンで配置された前記複数のコンタクトパッドと、
別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、
前記複数の電極トレースを覆い、かつ各電極トレースの各縁部を越えて横方向に延在して各電極トレースを囲む緩衝帯を提供する保護層であって、前記緩衝帯が、各電極トレースの端部から延在して各関連付けられたコンタクトパッドの一部を重なり領域で覆い、各コンタクトパッドがまた、少なくとも1つの覆われていない縁部を有し、
前記重なり領域内の縁部の部分を除いて、各コンタクトパッドのすべての縁部は覆われていない、方法。 - 前記緩衝帯は、前記重なり領域において2√2×(線位置合わせ能力)以下である緩衝帯幅を特徴とする、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/038,427 US10249625B1 (en) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | Coated printed electronic devices exhibiting improved yield |
US16/038,427 | 2018-07-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020013988A JP2020013988A (ja) | 2020-01-23 |
JP2020013988A5 JP2020013988A5 (ja) | 2022-06-29 |
JP7229862B2 true JP7229862B2 (ja) | 2023-02-28 |
Family
ID=65898657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019115148A Active JP7229862B2 (ja) | 2018-07-18 | 2019-06-21 | 改善された歩留まりを示す被覆された印刷された電子デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10249625B1 (ja) |
JP (1) | JP7229862B2 (ja) |
CA (1) | CA3049673C (ja) |
DE (1) | DE102019118880A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10396124B2 (en) | 2017-07-05 | 2019-08-27 | Xerox Corporation | Memory cells and devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070138520A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Agfa-Gevaert | Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5214300A (en) * | 1970-09-28 | 1993-05-25 | Ramtron Corporation | Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device |
US3679440A (en) * | 1971-01-18 | 1972-07-25 | Owens Illinois Inc | High k dielectric materials |
US4713157A (en) * | 1976-02-17 | 1987-12-15 | Ramtron Corporation | Combined integrated circuit/ferroelectric memory device, and ion beam methods of constructing same |
KR100583090B1 (ko) * | 2003-05-30 | 2006-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 레지스터의 캐패시터 제조방법 |
NO20052904L (no) | 2005-06-14 | 2006-12-15 | Thin Film Electronics Asa | Et ikke-flyktig elektrisk minnesystem |
NO324539B1 (no) | 2005-06-14 | 2007-11-19 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate i fabrikasjonen av en ferroelektrisk minneinnretning |
US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
JP5869112B2 (ja) | 2011-06-27 | 2016-02-24 | シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ | フレキシブルな基板上に設けられた積層体を含む強誘電体メモリセル中の短絡回路の低減 |
-
2018
- 2018-07-18 US US16/038,427 patent/US10249625B1/en active Active
-
2019
- 2019-06-21 JP JP2019115148A patent/JP7229862B2/ja active Active
- 2019-07-11 DE DE102019118880.6A patent/DE102019118880A1/de active Pending
- 2019-07-12 CA CA3049673A patent/CA3049673C/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070138520A1 (en) | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Agfa-Gevaert | Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10249625B1 (en) | 2019-04-02 |
CA3049673A1 (en) | 2020-01-18 |
DE102019118880A1 (de) | 2020-01-23 |
CA3049673C (en) | 2021-07-27 |
JP2020013988A (ja) | 2020-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
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|
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