JP7218251B2 - 改善された歩留まりを示す印刷された電子デバイス - Google Patents

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Description

メモリセルをベースとしたプリンテッドエレクトロニクスは、ラベル、タグおよびセンサーを含む多種多様な用途に使用されている。メモリセルは、キャパシタ様構造であり、各構造は、一対の電極層の間に挟まれたメモリ材料の層を含む。メモリセルは、電極を、メモリセルの周囲にまたは別のモジュール内に、例えば読み取り/書き込みユニット内に位置し得る電子ドライバおよび検出回路に接続する導電トレースを介してアクセスされることがある。用途に応じて、印刷された電子デバイスは、数個または最大で数百万個のメモリセルを含み得る。印刷された電子デバイスの特定の構成に関係なく、デバイスの歩留まりは、デバイスが意図したとおりに動作するために(例えば、個々のメモリセルの正確で効率的な読み取りおよび書き込みを可能にするために)一般に最大化される。残念なことに、印刷された電子デバイスを製造するために使用される様々な印刷方法(例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷など)の利点にもかかわらず、製造プロセスにおける多くの要因がデバイスの歩留まり低下に寄与し得る。
改善された歩留まりを示す印刷された電子デバイス、ならびにそのようなデバイスを製造および使用する方法を提供する。
実施形態では、あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、複数のメモリセルであって、各メモリセルが、複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および下部電極層と上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備えた印刷された電子デバイスを提供する。複数のコンタクトパッドは、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含む。
実施形態では、印刷された電子デバイスを製造する方法であって、基板上に複数の下部電極トレースを印刷することと、複数の下部電極トレース上に強誘電体材料の層を印刷することと、強誘電体材料の層上に複数の上部電極トレースを印刷することであって、複数の下部電極トレースおよび複数の上部電極トレースは、あるパターンで配置された複数の電極トレースを形成し、かつ複数のメモリセルを画定し、各メモリセルが、複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置する、印刷することと、複数の電極トレース上に複数のコンタクトパッドを印刷することであって、複数のコンタクトパッドは、別のパターンで配置され、複数の電極トレースの各電極トレースが、複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡している、印刷することと、を含む方法を提供する。複数のコンタクトパッドは、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含む。
実施形態では、印刷された電子デバイスの複数のコンタクトパッドを読み取り/書き込みユニットの複数のピンと接触させることであって、電子デバイスは、あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、複数のメモリセルであって、各メモリセルが、複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および下部電極層と上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備えた、接触させること、を含む印刷された電子デバイスを使用する方法を提供する。複数のコンタクトパッドは、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含む。
例示的な実施形態に係る印刷された電子デバイスの上面図を示す。 図1Aの印刷された電子デバイスの部分Aの拡大図を示す。 図1Aの印刷された電子デバイスの部分Bの拡大図を示す。 図1Aの印刷された電子デバイスのメモリセルの断面図を示す。 別の例示的な実施形態に係る印刷された電子デバイスの上面図を示す。 図2Aの印刷された電子デバイスの部分Cの拡大図を示す。
改善された歩留まりを示す印刷された電子デバイス、ならびにそのようなデバイスを製造および使用する方法を提供する。
印刷された電子デバイスは、パッシブアレイまたはパッシブマトリックスとして知られるメモリセルのアレイまたはマトリックスに基づいている。デバイスは、積層された層を含む多層構造であり、各層が、層の機能に応じて、異なる材料からなるおよび/または異なるパターンで構成されている。デバイスは、あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、複数のメモリセルであって、各メモリセルが、複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置する、複数のメモリセルと、を備える。各メモリセルは、下部電極層、上部電極層、および上部電極層と下部電極層との間の強誘電体層を含む。メモリセルの上部電極層および下部電極層は、それぞれ上部電極トレースおよび下部電極トレースの領域に対応する。デバイスの下部から上部へ移動すると、下部電極トレースの組は、多層構造の層の1つであり、強誘電体層は、下部電極トレースの組の上に重なる層であり、上部電極トレースの組は、強誘電体層の上に重なる層であり、複数のコンタクトパッドは、上部電極トレースの組の上に重なる層である。
複数のコンタクトパッドのうちのコンタクトパッドは、複数のメモリセルの読み取り/書き込みを制御するためのかつ読み取り中にメモリセルの状態を感知するための電圧波形を生成するように構成された読み取り/書き込みユニットのピンとの電気接点を提供する。従来、各コンタクトパッドの表面積は、印刷された電子デバイスと読み取り/書き込みユニットとが接触したときに、コンタクトパッド/ピンの位置ずれの問題を軽減するために最大化されていた。さらに、製造を容易にするために、コンタクトパッドは、均一なサイズおよび形状で作られてきた(すなわち、同じ印刷された電子デバイス上のすべてのコンタクトパッドは、同じサイズおよび形状を有する)。
本開示は、部分的には、同じ印刷された電子デバイス上のいくつかのコンタクトパッドのサイズおよび/または形状を修正することによって印刷された電子デバイスの歩留まりを改善する(すなわち、増加させる)ことができるという知見に基づいている。修正(サイズおよび/または形状にかかわらず)は、(印刷された電子デバイス内の他の未修正コンタクトパッドと比較して)修正コンタクトパッドの表面積の減少をもたらす。したがって、本印刷された電子デバイスでは、複数のコンタクトパッドは、複数のコンタクトパッド内の1つ以上の他のコンタクトパッドと比べて表面積が小さい1つ以上のコンタクトパッドを含む。表面積が小さくおよび修正されたサイズおよび/または形状を有するコンタクトパッドは、本明細書では「修正コンタクトパッド」と称することがある。印刷された電子デバイス内の他のコンタクトパッドは、本明細書では「未修正コンタクトパッド」と称することがある。修正および未修正の両方のコンタクトパッドを有する印刷された電子デバイスを、未修正コンタクトパッドのみを有する比較例の印刷された電子デバイスと同じ印刷システム上で印刷した際、修正および未修正の両方のコンタクトパッドを有する印刷された電子デバイスの歩留まりが著しく高いことがわかった。これについては、印刷された電子デバイスの例示的な実施形態に関して以下に説明される(図1Aおよび図2Aを参照)。
形状またはサイズ、あるいはそれらの両方が、印刷された電子デバイスにおけるより大きな表面積の未修正コンタクトパッドと異なる場合、様々な形状およびサイズを修正コンタクトパッドに適用してもよい。例示的な形状としては、非長方形の多角形の形状、例えば、三角形、五角形、六角形などが含まれる。非長方形の多角形の形状は、すべての辺が等しい長さを有するとは限らず、かつすべての角度が等しいとは限らないことを意味する不規則であってもよい。未修正コンタクトパッドがより大きい表面積、および非長方形の形状またはより大きい長方形の形状のいずれかを有する場合、修正コンタクトパッドに長方形の形状を使用してもよい。
修正コンタクトパッドは、概して、縁部を有し、その縁部は、縁部と最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスが少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)となるように構成されている。「最も近くに隣接する電極トレース」とは、修正コンタクトパッド以外のコンタクトパッドと関連付けられ(すなわち、電気的に連絡する)、かつ修正コンタクトパッドに最も近い、複数の電極トレースのうちの電極トレースを意味する。これは、例えば、修正コンタクトパッドに隣接するコンタクトパッドに関連付けられた電極トレースとすることができるが、隣接していないコンタクトパッドに関連付けられた電極トレースとしてもよい。「線位置合わせ能力」とは、複数のコンタクトパッドを印刷するために使用される印刷装置に関連する位置合わせ誤差値を意味する。印刷装置の位置合わせ誤差値は、印刷装置の製造業者によって提供されてもよく、またはすべての印刷層が位置合わせされる固定基準に対して印刷された位置合わせマークを監視することによって決定されてもよい。実施形態では、クリアランスは、少なくとも500μm、少なくとも700μm、少なくとも900μm、または500μm~900μmの範囲内である。
修正コンタクトパッドの端部と最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスは、修正コンタクトパッドの縁部の長さに沿ったそれぞれの点と最も近くに隣接する電極トレースの長さに沿ったそれぞれの点の間の距離を測定することによって決定される。測定された距離のそれぞれが上述のクリアランス値のうちの1つを満たす場合、縁部は適切に構成されていると見なされる。縁部/最も近くに隣接する電極トレースの長さに沿って分布するそれぞれの点間の距離を測定する代わりに、修正コンタクトパッドの縁部の長さに沿ったそれぞれの点と最も近くに隣接する電極トレースの長さに沿ったそれぞれの点とのうちの最も近い対の間の距離を測定してもよい。これは、さらに図1B、図1C、図2Bに図示されており、以下においてさらに説明される。設計段階では、CADソフトウェアを使用して距離を計算してもよい。製造後、これらの距離をビデオ測定システムで測定してもよい。
例示的な印刷された電子デバイス100の上面図を図1Aに示す。図1Aには、プロセス方向およびクロスプロセス方向がラベル付けされている。デバイス100の層がその上に示されている基板102の縁部を示す外形図。しかしながら、多くの印刷された電子デバイスをその上に印刷することができるように、基板102はもっと大きくてもよい。デバイス100は、あるパターンで配置された複数のコンタクトパッド104a~104jと、別のパターンで配置された複数の電極トレース106a~106jとを含む。複数のコンタクトパッド104a~104jのパターンは、互いに平行にかつクロスプロセス方向に平行に延在する2つの直線状アレイ105a、105bのパターンである。直線状アレイ105a、105bは、プロセス方向に間隔を空けてそれらの間に間隙を画定する。複数の電極トレース106a~106jはこの間隙に位置付けられる。トレース106a~106jの各電極トレースは、パッド104a~104jの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡しており、例えば、電極トレース106aとコンタクトパッド104fとは、関連付けられた対である。
複数の電極トレース106a~106jは、上部電極トレース106a~106eと下部電極トレース106f~106jの両方を含む。(上部電極トレース106a~106eおよび下部電極トレース106f~106jの間に形成された強誘電体層は示されていないので、両方とも可視である。)上部電極トレース106a~106eおよび下部電極トレース106f~106jの両方の部分は、ストライプとして構成され、上部電極トレース106a~106eのストライプ部分は、互いに平行に配向され、下部電極トレース106f~106jのストライプ部分は、互いに平行にかつ上部電極トレース106a~106eに対して直交するように配向されており、これらによって格子パターンを形成する。上部電極トレース106a~106eおよび下部電極トレース106f~106jの残りの部分は、それらに関連付けられたコンタクトパッドまで直線状に延在する。この実施形態では、格子パターンは、プロセス方向およびクロスプロセス方向に対して45°で配向されている。他の配向を使用してもよいが、45°の配向は、デバイスの位置合わせにおける直線的なプロセスまたはクロスプロセスのずれによるビットの物理的位置および関連する電気的応答におけるいかなるずれも最小にするので有用である。印刷方向と直交するようにマトリックスが配置されているデバイスと比較すると、45°に配置されているマトリックスは、任意の位置合わせ誤差の結果として生じるオフセットを1/sqrt(2)倍で最小にする。
上述のように、複数のメモリセルの各メモリセルは、複数の電極トレース106a~106jの一対の電極トレースの交差部に形成される。このような交差部およびメモリセルの1つには、108がラベル付けされている。図1Aには示されていないが、印刷された電子デバイス100は、上部電極トレース106a~106eと下部電極トレース106f~106jとの間に強誘電体層を含む。メモリセル108の断面図を図1Dに示し、図1Dは、上部電極層110、下部電極層112、および上部電極層110と下部電極層112との間の強誘電体層114を示す。上部電極層110は、上部電極トレース106cの領域に対応する。下部電極層112は、交差部における下部電極トレース106hの領域に対応する。図1Aに戻ると、デバイス100は、25個のメモリセルを含む。複数の電極トレース106a~106jの構成(すなわち、格子パターン)により、複数のメモリセルは、5×5マトリックスのメモリセルとして配置される。
複数のコンタクトパッド104a~104jに戻ると、印刷された電子デバイス100は、長方形の形状を有するコンタクトパッド104a、104e、104f、104jを含む。本開示において、用語「長方形」は、図1Aに示すように、角が丸い長方形だけでなく、角が鋭い長方形も含む。そのような両方の角は、90°の角度を画定すると考えられ得る。デバイス100はまた、コンタクトパッド104a、104e、104f、104jと比較して、表面積が小さくかつ異なる非長方形の形状を有するコンタクトパッド104b~104dおよび104g~104iを含む。具体的には、コンタクトパッド104b~104dおよび104g~104iはそれぞれ、長方形ではないが多角形の形状、より具体的には不規則な五角形の形状を有する。各コンタクトパッド104b~104dおよび104g~104iは、3つの90°の角度、90°より大きい2つの角度、および異なる長さの5つの辺を有する。(コンタクトパッド104b(図1B)およびコンタクトパッド104c(図1C)の拡大図を示す図1Bおよび図1Cも参照。)他の形状をコンタクトパッド104b~104dおよび104g~104iに使用してもよいが、各コンタクトパッドは、縁部を有し、その縁部は、縁部と最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスが少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)となるように構成されている。
図1Aの部分Aの拡大図である図1Bを参照すると、コンタクトパッド104bの縁部には、104b’がラベル付けされている。円116は、縁部104b’とコンタクトパッド104bの最も近くに隣接する電極トレース、すなわち下部電極トレース106fとの間の領域を強調している。縁部104b’は、直線状であり、上部電極トレース106fに対して平行に配向されている。したがって、縁部104b’の長さに沿ったそれぞれの点と電極トレース106aの長さに沿ったそれぞれの点との間の距離は同じであり、すなわち、クリアランスはそれらの長さに沿って一定である。このクリアランスは、少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)である。これは、2本の矢印で示されており、それぞれは、縁部104b’の長さに沿ったそれぞれの点と電極トレース106fの長さに沿ったそれぞれの点との組の間で測定された距離を表している。距離は、縁部104b’および電極トレース106fの長さに対して垂直に測定される。それが、長さに沿ったそれぞれの点の間の最短距離に対応するからである。
図1Aの部分Bの拡大図である図1Cを参照すると、コンタクトパッド104cの縁部には、104c’がラベル付けされている。コンタクトパッド104cの最も近くに隣接する電極トレースは、下部電極トレース106jである。縁部104c’は、直線状であるが、複数の電極106a~106jの格子パターンの45°の配向に起因して、縁部104c’は、下部電極トレース106jの長さに平行に配向されていない。但し、縁部104c’の長さに沿ったそれぞれの点と下部電極トレース106jの長さに沿ったそれぞれの点との最も近い対の間の距離は、図1Cに含まれる矢印によって示される。この距離は、少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)である。
図1Aに戻ると、コンタクトパッド104dもまた、その最も近くに隣接する電極トレースである上部電極トレース106eに対して少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)のクリアランスを有するように構成された直線状の縁部104d’を有する。さらに、直線状の縁部104d’は、上部電極トレース106eと平行に配向されている。コンタクトパッド104gは、その最も近くに隣接する電極トレースである上部電極トレース106aに対して少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)のクリアランスを有するように構成された直線状の縁部104g’を有する。さらに、直線状の縁部104g’は、上部電極トレース106aと平行に配向されている。コンタクトパッド104hは、その最も近くに隣接する電極トレースである上部電極トレース106eに対して少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)のクリアランスを有するように構成された直線状の縁部104h’を有する。コンタクトパッド104iは、その最も近くに隣接する電極トレースである下部電極トレース106jに対して少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)のクリアランスを有するように構成された直線状の縁部104i’を有する。さらに、直線状の縁部104i’は、上部電極トレース106jと平行に配向されている。
要約すると、デバイス100は、4つの未修正コンタクトパッドである、長方形のコンタクトパッド104a、104e、104f、104jと、6つの修正コンタクトパッドである、不規則な五角形のコンタクトパッド104b~dおよび104g~iと、を有する。
デバイス100の実施形態に従って構成された印刷された電子デバイスを含むロールを、以下に説明する方法に従って製造した。具体的には、(複数の電極トレース用に)銀をグラビア印刷するように構成された印刷装置と、(強誘電体層用に)強誘電材料を押出しコーティングするように構成された印刷装置と、(複数のコンタクトパッド用に)カーボンを回転スクリーン印刷するように構成された印刷装置と、を使用した。同じ印刷システムおよび同じ方法を使用して比較用の印刷された電子デバイスのロールを製造したが、各コンタクトパッドを長方形として構成した。すなわち、すべてのコンタクトパッド104a~104jが同じ形状、大きさ、および表面積を有するように、コンタクトパッド104a、104e、104f、104jとして構成した。ロールは、一般的に200,000~1,000,000の間の印刷された電子デバイスを有する。歩留まりは以下のように評価した。各ロールのデバイスにおけるメモリセルのサンプルセット(1400個のメモリセル)を、印刷された電子デバイスの一般的な故障モードである、短絡故障について評価した。市販のオーム計を使用して短絡故障を試験してもよい。短絡故障を示すセルの割合が高いほど、歩留まりは低くなる。比較用の印刷された電子デバイスのロールからのサンプルセットでは、セルの84.8%が短絡故障を示した。対照的に、デバイス100の実施形態に係る印刷された電子デバイスのロールからのサンプルセットでは、セルの27.3%のみが短絡故障を示した。したがって、デバイス100の実施形態に係る印刷された電子デバイスの歩留まりは、比較用の印刷された電子デバイスと比較して3倍以上も増加した。3倍を超える歩留まりの改善は、商業的に極めて重要である。
別の例示的な印刷された電子デバイス200の上面図を図2Aに示す。デバイス200の層がその上に示されている基板202の縁部を示す外形図。デバイス200は、2つの追加のコンタクトパッド、2つの追加の電極トレース、それに応じて追加のメモリセル(この実施形態では11)を含むことを除いて、図1Aのデバイス100と同様に構成されている。具体的には、デバイス200は、一対の直線状アレイ状に配置された複数のコンタクトパッド204a~204lを備える。デバイス200は、格子状に配置された複数の電極トレース206a~206lをさらに備え、格子状パターンは、2つの直線状のコンタクトパッドアレイ間に位置付けられ、プロセス方向およびクロスプロセス方向に対して45度で配向されている。トレース206a~206lの各電極トレースは、パッド204a~204lの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡している。複数の電極トレース206a~206lは、上部電極トレース206a~206fと下部電極トレース206g~206lの両方を含む。上部電極トレース206a~fおよび下部電極トレース206g~lの両方の部分は、格子パターンを形成するためのストライプとして構成され、残りの部分は、それらに関連付けられたコンタクトパッドまで直線状に延在する。しかしながら、この実施形態では、上部電極トレース206a~fおよび下部電極トレース206g~lは、関連付けられたコンタクトパッド上に位置付けられた電極パッドまで延在している。このような電極パッド207aの1つには、ラベル付けされている。電極パッドは、電極パッドとそれらに関連付けられたコンタクトパッドとの間の電気的接触を改善するのに有用である。この実施形態では、電極パッドは、長方形の形状であるが、他の形状およびサイズを使用してもよい。
上述のように、複数のメモリセルの各メモリセルは、複数の電極トレース206a~206lの一対の電極トレースの交差部に形成される。このような交差点の1つには、208がラベル付けされている。図示されていないが、メモリセル208の断面図は、図1Dに示されているメモリセル108のそれと同様に見えるであろう。しかしながら、図2Aの実施形態では、デバイス200は、追加の2つの電極トレースのために6×6マトリックスとして配置された36個のメモリセルを含む。
複数のコンタクトパッド204a~204lに戻ると、印刷された電子デバイス200は、それぞれが4つの90°の角度を画定する、長方形の形状を有するコンタクトパッド204a、204f、204g、204l(未修正コンタクトパッド)を含む。デバイス200はまた、コンタクトパッド204a、204f、204g、204lと比較して、表面積が小さくかつ異なる非長方形の形状を有するコンタクトパッド204b~eおよび204h~k(修正コンタクトパッド)を含む。この実施形態では、修正コンタクトパッド204b~eおよび204h~kのすべてが多角形の形状であるが、すべてが同じ多角形の形状を有するわけではない。具体的には、コンタクトパッド204b、204e、204h、204kは、それぞれ不規則な五角形の形状を有し、コンタクトパッドc、d、i、jは、それぞれ不規則な六角形の形状を有する。図1Aのデバイス100と同様に、コンタクトパッド204b、204e、204h、204kは、それぞれ、3つの90°の角度、2つの90°より大きい角度、および5つの異なる長さの辺を有する。しかしながら、コンタクトパッド204c、204d、204i、204jは、それぞれ、2つの90°の角度、4つの90°より大きい角度、4つの長さが等しくない辺、および2つの長さが等しい辺を有する。
図2Aに示すように、他の形状をコンタクトパッド204b~204eおよび204h~kに使用してもよいが、各コンタクトパッドは、縁部を有し、その縁部は、縁部と最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスが少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)となるように構成されている。特に、コンタクトパッド204b、204e、204h、204kは、図1Aのデバイス100のコンタクトパッド104b、104d、104g、104iと同様に構成されている。しかしながら、コンタクトパッド204c、204d、204i、204jはそれぞれ、縁部を有し、その縁部は、縁部と次に最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスもまた少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)となるように構成されている。
部分Cの拡大図である図2Bを参照すると、最も近くに隣接する電極トレースである、下部電極トレース206l、および次に最も近くに隣接する電極トレースである、下部電極トレース206hを有するコンタクトパッド204cが示されている。縁部204c’は、直線状であり、クリアランス(矢印で示す)は、少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)である。もう1つの縁部204c”は、直線状であり、さらに下部電極トレース206hに対して平行である。縁部204c”と下部電極トレース206hとの間のクリアランス(矢印で示す)も少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)である。なお、下部電極トレース206hおよび206lがコンタクトパッド204cに等しく近接している場合、縁部204c’および204c”の両方ともが「最も近くに隣接する電極トレース」であると見なすことができる。
上述のように、直線状アレイ状に配置されたコンタクトパッドと、メモリセルのマトリックスを形成するために格子状に配置された電極トレースとを使用してもよい。しかしながら、他の配置およびパターンを使用してもよい。例えば、コンタクトパッドは、円形またはマトリックスパターンで配置されてもよく、電極トレースおよびメモリセルに関して、下にある基板上の様々な横方向位置を取り得る。さらに、電極トレースの適切な構成によって、例えば単一の(1)共通下部電極および下部電極に直交して配向されたN個の平行上部電極(すなわち、1×N線形アレイ)を用いて、メモリセルを、直線状アレイを形成するように配置することができる。図1Aおよび図2Aに示されたマトリックスアレイは、N個の上部電極トレースおよびN個の下部電極トレースを有する、例示的なN×Nマトリックスアレイである。しかしながら、M×Nマトリックスアレイを形成するためのM個の下部電極トレースとN個の上部電極トレースのように、等しくない数の上部電極トレースと下部電極トレースを使用してもよい。さらに、上述のように、複数のコンタクトパッドに対する複数の電極トレースのパターンの配向は異なってもよい。さらに、メモリセルからそれらに関連付けられたコンタクトパッドまで延在する電極トレースの部分は、様々な経路をとることができる。
印刷された電子デバイスの様々な層に使用される材料は、印刷された電子デバイスの用途および各層の特定の機能に依存する。基板のための例示的な材料として、シリコン、ガラス、ポリマー、紙などが挙げられ、電極トレース/電極層のための例示的な材料として、金属、例えば銀、または導電性ポリマー、例えばポリエチレンジオキシチオフェンが挙げられる。強誘電体層のための例示的な材料として、強誘電性ポリマー、例えば、ポリフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとのコポリマーが挙げられる。他の層を印刷された電子デバイス内に含めてもよく、例えば、基板と下部電極トレースとの間に、絶縁ポリマー、例えばアクリル系ポリマーからなる絶縁層を含めてもよく、これらは平坦化を改善し、接着を促進する。保護層を、汚染、酸化、UV劣化、物理的摩耗などを防ぐために、印刷された電子デバイス上の最上層として設けてもよい。保護層は、異なる組成物からなる別個の副層から構成されてもよい。最上部の副層を、硬化性ポリマー組成物(例えば、ポリエステル、ポリエーテル)から形成してもよい。保護層の下層の副層のための例示的な材料として、ポリプロピレングリコール(PPG)、シリコンゴム、天然ゴム、ポリ酢酸ビニルおよびアクリレート系樹脂が挙げられる。
上述したクリアランス値に関する要件とは別に、印刷された電子デバイスの特徴の他の寸法ならびに印刷された電子デバイスの全体寸法は、用途およびメモリセルの数に応じて選択してもよい。印刷された電子デバイスは、プリントカートリッジ、イベントチケット、クレジットカードなどの製品認証アプリケーションを含む様々なアプリケーションで使用されてもよい。
開示された印刷された電子デバイスを製造する方法も提供する。方法は、例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、電子写真印刷、グラビア印刷、押出しコーティングなどの薄膜印刷技術を用いて材料層を印刷するように構成された1つ以上の印刷装置を含む印刷システムで実行される。異なる材料の層は、異なる技術を使用して印刷し得るので、印刷システムは、多数の異なるタイプの印刷装置を含むことができる。印刷システムで使用される印刷装置は、線位置合わせ能力によって特徴付けられてもよい。線位置合わせ能力は、少なくとも50μm、少なくとも75μm、少なくとも100μm、少なくとも150μm、少なくとも200μm、少なくとも250μm、または50~300μmの範囲内としてもよい。この方法は、所望の印刷された電子デバイスの材料層をボトムアップ方式で層ごとに順次印刷することを含む。
実施形態では、印刷された電子デバイスを製造する方法は、基板上に複数の下部電極トレースを印刷することと、複数の下部電極トレース上に強誘電体材料の層を印刷することと、強誘電体材料の層上に複数の上部電極トレースを印刷することであって、複数の下部電極トレースおよび複数の上部電極トレースは、あるパターンで配置された複数の電極トレースを形成し、かつ複数のメモリセルを画定し、各メモリセルが、複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置する、印刷することと、複数の上部電極トレース上に複数のコンタクトパッドを印刷することであって、複数のコンタクトパッドは、別のパターンで配置され、複数の電極トレースの各電極トレースが、複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡している、印刷することと、を含む。この方法では、印刷される複数の電極トレース、複数のコンタクトパッド、および複数のメモリセルは、上述の対応するパターンのうちのいずれかで配置されてもよい。この方法では、印刷された複数のコンタクトパッドは、上述のように、1つ以上の任意の修正コンタクトパッドおよび1つ以上の任意の未修正コンタクトパッドを含む。
印刷された電子デバイスを使用する方法もまた提供する。実施形態では、このような方法は、印刷された電子デバイスの複数のコンタクトパッドを読み取り/書き込みユニットの複数のピンと接触させることを含む。この接触により、電圧波形を印加して複数のメモリセルの読み取り/書き込みを制御し、読み取り中のメモリセルの状態を検知することが可能になる。本明細書に開示された任意の印刷された電子デバイスを使用してもよい。読み取り/書き込みユニットの構成は、複数のピンが、印刷された電子デバイスの複数のコンタクトパッドのパターンに対応するパターンで配置されている限り、特に限定されない。市販の読み取り/書き込みユニットを使用してもよい。

Claims (15)

  1. あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
    別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
    複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備え、
    前記複数のコンタクトパッドが、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含み、前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、不規則な五角形の形状または不規則な六角形の形状を有する、印刷された電子デバイス。
  2. あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
    別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
    複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備え、
    前記複数のコンタクトパッドが、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含み、
    前記複数のコンタクトパッドが、少なくとも1つの不規則な五角形状のコンタクトパッドと、少なくとも1つの不規則な六角形状のコンタクトパッドと、を含む多数の修正コンタクトパッドを含む、印刷された電子デバイス。
  3. あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
    別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
    複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備え、
    前記複数のコンタクトパッドが、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含み、
    前記複数のコンタクトパッドが、互いに平行に延在し、かつそれらの間に間隙を画定する2つの直線状アレイに配置され、前記複数の電極トレースが、前記間隙内に位置付けられた格子パターンに配置されている、印刷された電子デバイス。
  4. あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
    別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
    複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備え、
    前記複数のコンタクトパッドが、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含み、
    前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、縁部を有し、前記縁部は、前記縁部と最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスが少なくとも2*√2*(線位置合わせ能力)となるように構成されている、印刷された電子デバイス。
  5. 前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが縁部を有し、前記縁部が前記縁部と最も近くに隣接する電極トレースとの間のクリアランスが少なくとも500μmとなるように構成されている、請求項3に記載のデバイス。
  6. あるパターンで配置された複数のコンタクトパッドと、
    別のパターンで配置された複数の電極トレースであって、一組の下部電極トレースおよび一組の上部電極トレースを含み、各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡する、複数の電極トレースと、
    複数のメモリセルであって、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの一対の電極トレースの交差部に位置し、前記下部電極トレースのうちの1つの領域から形成される下部電極層、上部電極トレースのうちの1つの領域から形成される上部電極層、および前記下部電極層と前記上部電極層との間の強誘電体層を含む、複数のメモリセルと、を備え、
    前記複数のコンタクトパッドが、表面積、形状、およびサイズを有する少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、表面積が小さく、異なるサイズ、異なる形状、またはそれらの両方を有する少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含み、
    前記複数の電極トレースの各電極トレースの端部が、前記関連付けられたコンタクトパッドまで直線状に延在し、前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、直線状であり、かつ最も近くに隣接する電極トレースと平行に配向された縁部を有する、印刷された電子デバイス。
  7. 前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、非長方形の多角形の形状を有する、請求項6に記載のデバイス。
  8. 前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、不規則な非長方形の多角形の形状を有する、請求項7に記載のデバイス。
  9. 前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドが、長方形の形状を有する、請求項3に記載のデバイス。
  10. 前記複数の電極トレースの各電極トレースの端部が、前記関連付けられたコンタクトパッドまで直線状に延在し、前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、直線状であり、かつ最も近くに隣接する電極トレースと平行に配向された縁部を有する、請求項3に記載のデバイス。
  11. 前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、非長方形の多角形の形状を有し、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドが、長方形の形状を有する、請求項10に記載のデバイス。
  12. 前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドが、不規則な五角形の形状を有する、請求項11に記載のデバイス。
  13. 基板と、前記基板上の複数の電子デバイスと、を備える複数の電子デバイスであって、各デバイスが、請求項3に記載のデバイスに従って構成されている、複数の電子デバイス。
  14. 請求項3に記載のデバイスを製造する方法であって、
    基板上に複数の下部電極トレースを印刷することと、
    前記複数の下部電極トレース上に前記強誘電体層を印刷することと、
    前記強誘電体層上に複数の上部電極トレースを印刷することであって、前記複数の下部電極トレースおよび前記複数の上部電極トレースが、前記別のパターンで配置された前記複数の電極トレースを形成し、かつ前記複数のメモリセルを画定し、各メモリセルが、前記複数の電極トレースのうちの前記一対の電極トレースの前記交差部に位置する、印刷することと、
    前記複数の電極トレース上に前記複数のコンタクトパッドを印刷することであって、前記複数のコンタクトパッドが、前記パターンで配置され、前記複数の電極トレースの各電極トレースが、前記複数のコンタクトパッドのうちの前記関連付けられたコンタクトパッドと電気的に連絡している、印刷することと、を含み、
    前記複数のコンタクトパッドが、前記の表面積、形状、およびサイズを有する前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドを含み、前記複数のコンタクトパッドは、前記少なくとも1つの未修正コンタクトパッドと比較して、前記表面積が小さく、前記異なるサイズ、前記異なる形状、またはそれらの両方を有する前記少なくとも1つの修正コンタクトパッドをさらに含み、
    前記複数のコンタクトパッドが、互いに平行に延在し、かつそれらの間に間隙を画定する2つの直線状アレイに配置され、前記複数の電極トレースが、前記間隙内に位置付けられた前記格子パターンに配置されている、方法。
  15. 請求項3に記載の前記デバイスを使用する方法であって、請求項3に記載の前記デバイスの前記複数のコンタクトパッドを、読み取り/書き込みユニットの複数のピンと接触させることを含む、方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10796212B2 (en) * 2018-10-02 2020-10-06 Xerox Corporation Orientation-agnostic method to interface to printed memory label

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050279838A1 (en) 2004-06-18 2005-12-22 Super Talent Electronics, Inc. Combination SD/MMC flash memory card with thirteen contact pads
US20070243678A1 (en) 2006-03-31 2007-10-18 Seiko Epson Corporation Inkjet printing of cross point passive matrix devices
US20170068830A1 (en) 2015-09-04 2017-03-09 Xerox Corporation Symmetric bit coding for printed memory devices

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5214300A (en) 1970-09-28 1993-05-25 Ramtron Corporation Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device
US3679440A (en) 1971-01-18 1972-07-25 Owens Illinois Inc High k dielectric materials
US4713157A (en) 1976-02-17 1987-12-15 Ramtron Corporation Combined integrated circuit/ferroelectric memory device, and ion beam methods of constructing same
KR100583090B1 (ko) 2003-05-30 2006-05-23 주식회사 하이닉스반도체 강유전체 레지스터의 캐패시터 제조방법
NO324539B1 (no) 2005-06-14 2007-11-19 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate i fabrikasjonen av en ferroelektrisk minneinnretning
NO20052904L (no) 2005-06-14 2006-12-15 Thin Film Electronics Asa Et ikke-flyktig elektrisk minnesystem
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US8441432B2 (en) 2005-09-23 2013-05-14 Sipix Imaging, Inc. Display cell structure and electrode protecting layer compositions
US7706165B2 (en) 2005-12-20 2010-04-27 Agfa-Gevaert Nv Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof
WO2013000501A1 (en) 2011-06-27 2013-01-03 Thin Film Electronics Asa Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate
US8946714B2 (en) 2012-03-28 2015-02-03 Sony Corporation Semiconductor device and electronic apparatus including multilayer insulation film
US9928893B1 (en) * 2017-06-05 2018-03-27 Xerox Corporation Circular printed memory system and method having robustness to orientation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050279838A1 (en) 2004-06-18 2005-12-22 Super Talent Electronics, Inc. Combination SD/MMC flash memory card with thirteen contact pads
US20070243678A1 (en) 2006-03-31 2007-10-18 Seiko Epson Corporation Inkjet printing of cross point passive matrix devices
US20170068830A1 (en) 2015-09-04 2017-03-09 Xerox Corporation Symmetric bit coding for printed memory devices

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