JP7222647B2 - 圧電体膜形成用塗工液組成物、その製造方法、配向性圧電体膜、並びに、液体吐出ヘッド - Google Patents

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Description

本発明は、圧電体膜形成用塗工液組成物、その製造方法、配向性圧電体膜、並びに、液体吐出ヘッドに関する。
近年、鉛含有の誘電体薄膜を用いた各種電子機器の廃棄後の環境負荷を危惧し、鉛フリーの誘電体薄膜が求められている。これらの膜の製法として、複雑な膜組成の精密制御が容易であり、大面積基板上への均質な塗工が可能であるゾル-ゲル法が注目されている。こうした鉛フリーの誘電体薄膜として、これまでニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系膜(以下、「NNBT膜」と称することがある。)をゾル-ゲル法を用いて形成された薄膜が示されている(例えば、非特許文献1)。
誘電体薄膜の用途として、インクジェット記録ヘッドなどのアクチュエータとして好適に用いることができることが分かっているが、この場合大きな圧電定数が求められる。一般的に、膜の配向性が高いと、大きな圧電定数を示す傾向にあるため、このような用途に用いるには、塗布により得られる膜の配向性が高く、製造上の観点から塗工液組成物の安定性はもちろん、塗布により得られる膜の配向性が高いことが求められる。
Effects of BaTiO3 Content and Mn Doping on Ferroelectric Properties of NaNbO3-BaTiO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 09KA08.
しかしながら、上記非特許文献1に示される塗工液組成物は、安定性が低く、膜の配向性が高くないという課題があった。
本発明は、安定性の高い塗工液組成物を得るとともに、これらの塗工液組成物を塗布、乾燥、焼成した場合に、特定の結晶面に配向した圧電体膜、より具体的には、NNBT膜を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、
(a)(i)ニオブアルコキシド、前記ニオブアルコキシドの加水分解物および前記ニオブアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のニオブ成分と、
(ii)ナトリウムアルコキシド、前記ナトリウムアルコキシドの加水分解物および前記ナトリウムアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のナトリウム成分と、
(iii)チタンアルコキシド、前記チタンアルコキシドの加水分解物および前記チタンアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のチタン成分と、
(iv)バリウムアルコキシド、前記バリウムアルコキシドの加水分解物および前記バリウムアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のバリウム成分と、
を含むゾル-ゲル原料、および
(b)β-ケトエステル化合物および下記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含む化合物、
を含むことを特徴とする、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物(以下、「NNBT塗工液組成物」と称することがある。)およびその製造方法が提供される。
Figure 0007222647000001
(1)
(式中、Rは炭素数1以上6以下のアルキル基を表す。)
また、本発明の他の一態様によれば、ペロブスカイト型結晶の結晶軸が膜面の法線方向に配向しており、かつ、下記一般式(2)
(1-x)NaNbO-xBaTiO (0.01≦x≦0.40)(2)
で表されることを特徴とする、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜が提供される。
本発明によれば、塗工液調製において、金属アルコキシドの加水分解・縮重合反応を制御する安定化剤の配位状態を制御することで、液の安定性が向上し、かつ結晶配向性の高い膜を得ることができ、結果として膜の圧電定数を高めることができる。
実施例2で得られた膜の表面の電子顕微鏡写真である。 実施例2で得られた膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた逆極点図である。 実施例4で得られた膜の表面の電子顕微鏡写真である。 実施例4で得られた膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた逆極点図である。 比較例2で得られた膜の表面の電子顕微鏡写真である。 比較例2で得られた膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた逆極点図である。 一実施形態の圧電アクチュエータを示す縦断面模式図である。 一実施形態の液体吐出ヘッドを示す模式的斜視図である。 一実施形態の液体吐出ヘッドを示す模式的斜視断面図である。 一実施形態の液体吐出ヘッドを示す模式的断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
<ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物およびその製造方法>
本発明に係るNNBT塗工液組成物は、(i)ニオブアルコキシド、前記ニオブアルコキシドの加水分解物および前記ニオブアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のニオブ成分を必須成分とする。また、本発明に係るNNBT塗工液組成物は、(ii)ナトリウムアルコキシド、前記ナトリウムアルコキシドの加水分解物および前記ナトリウムアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のナトリウム成分を必須成分とする。また、本発明に係るNNBT塗工液組成物は、(iii)チタンアルコキシド、前記チタンアルコキシドの加水分解物および前記チタンアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のチタン成分を必須成分とする。また、本発明に係るNNBT塗工液組成物は、(iv)バリウムアルコキシド、前記バリウムアルコキシドの加水分解物および前記バリウムアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のバリウム成分を必須成分とする。そして、本発明に係るNNBT塗工液組成物は、上記(i)~(iv)を含むゾル-ゲル原料を含有する。
さらに、本発明に係るNNBT塗工液組成物は、β-ケトエステル化合物および下記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含む化合物を含むことを特徴とする。
Figure 0007222647000002
(1)
(式中、Rは炭素数1以上6以下のアルキル基を表す。)
NNBT塗工液組成物中の金属酸化物の原料化合物としては、各々の金属アルコキシド、その加水分解物、その縮合物や、各金属の塩化物や硝酸塩などの塩化合物を用いることができる。塗工液組成物の安定性や製膜時の膜均質性の観点から、原料としては金属アルコキシドを用いるのが好ましい。
ニオブアルコキシドの具体例として、ペンタメトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、ペンタ-i-プロポキシニオブ、ペンタ-n-プロポキシニオブ、ペンタ-i-ブトキシニオブ、ペンタ-n-ブトキシニオブ等が挙げられる。ナトリウムアルコキシドとしては、メトキシナトリウム、エトキシナトリウム、i-プロポキシナトリウム、n-プロポキシナトリウム、i-ブトキシナトリウム、n-ブトキシナトリウム、sec-ブトキシナトリウム等が挙げられる。チタンアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラ-n-プロポキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ-n-ブトキシチタン、テトライソブトキシチタン等が挙げられる。バリウムアルコキシドとしては、ジメトキシバリウム、ジエトキシバリウム、ジ-i-プロポキシバリウム、ジ-n-プロポキシバリウム、ジ-i-ブトキシバリウム、ジ-n-ブトキシバリウム、ジ-sec-ブトキシバリウム等が挙げられる。
本発明において、ニオブ酸ナトリウム成分とチタン酸バリウム成分の組成比は、モル比で0.99:0.01~0.60:0.40が挙げられる。また、ニオブ酸ナトリウムのニオブとナトリウムのモル比は、1:0.8~1:1.2であり、好ましくは1:0.9~1:1.1が挙げられる。同様に、チタン酸バリウムのチタンとバリウムのモル比は、1:0.8~1:1.2であり、好ましくは1:0.9~1:1.1が挙げられる。
これらの金属アルコキシド原料を用いる場合、水に対する反応性が高いため、空気中の水分や水の添加により急激に加水分解され溶液の白濁、沈殿を生じる。
これらを防止するために安定化剤を添加し、溶液の安定化を図ることが好ましい。安定化剤としては、β-ケトエステル化合物類として、例えば、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸アリル、アセト酢酸ベンジル、アセト酢酸-iso-プロピル、アセト酢酸-tert-ブチル、アセト酢酸-iso-ブチル、アセト酢酸-2-メトキシエチルなどが挙げられる。または上記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物、例えば3-メチル-2,4-ペンタンジオン、3-エチル-2,4-ペンタンジオンなどが挙げられる。また、β-ジケトン化合物類のひとつであるアセチルアセトンは溶液の安定性の観点からは有効であるが、得られる膜の配向性の観点からは好ましくない。安定化剤の添加量は、金属アルコキシドの総量に対してモル比で0.1~3にすることが好ましく、より好ましくは0.5~2である。このように上記の安定化剤を添加することで、塗工液の安定性を高めることができる。
また、前記安定化剤であるβ-ケトエステル化合物またはβ-ジケトン化合物は、金属アルコキシドの金属元素に配位結合していると考えられ、本発明の塗工液組成物中には安定化剤が金属アルコキシドの金属にキレート配位した状態である、ニオブアルコキシド前駆体、ナトリウムアルコキシド前駆体、チタンアルコキシド前駆体、バリウムアルコキシド前駆体を含むことを特徴とする。
上記の金属アルコキシドおよび安定化剤は、有機溶媒に溶解させることにより、塗工液組成物を調製する。有機溶媒の添加量は、金属アルコキシドの総モル量に対して20~30倍モルとすることが好ましい。
有機溶媒としては、アルコール、カルボン酸、脂肪族系または脂環族系の炭化水素類、芳香族系炭化水素類、エステル、ケトン類、エーテル類、その他塩素化炭化水素類、非プロトン性極性溶剤等、あるいはこれら2種以上の混合溶媒を用いる。
アルコールとしては、例えばメタノール、エタノール、2-プロパノール、ブタノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール、1-プロポキシ-2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-エチルブタノール、3-メトキシ-3-メチルブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリンなどが好ましい。
カルボン酸としては、具体的には、n-酪酸、α-メチル酪酸、i-吉草酸、2-エチル酪酸、2,2-ジメチル酪酸、3,3-ジメチル酪酸、2,3-ジメチル酪酸、3-メチルペンタン酸、4-メチルペンタン酸、2-エチルペンタン酸、3-エチルペンタン酸、2,2-ジメチルペンタン酸、3,3-ジメチルペンタン酸、2,3-ジメチルペンタン酸、2-エチルヘキサン酸、3-エチルヘキサン酸を用いるのが好ましい。
脂肪族系または脂環族系の炭化水素類としては、具体的にはn-ヘキサン、n-オクタン、シクロヘキサン、シクロペンタン、シクロオクタンなどが好ましい。
芳香族炭化水素類としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどが好ましい。
エステル類としては、ギ酸エチル、酢酸エチル、酢酸n-ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが好ましい。
ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどが好ましい。
エーテル類としては、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどが好ましい。
塩素化炭化水素類としては、クロロホルム、メチレンクロライド、四塩化炭素、テトラクロロエタンなどが好ましい。
非プロトン性極性溶剤としては、N-メチルピロリドン、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレンカーボネート等が挙げられる。
本発明で使用される塗工液組成物を調製するに当たり、溶液の安定性の点から上述した各種の溶媒類のうち、アルコール類を使用することが好ましい。さらには、アルコール類とカルボン酸を併用することがより好ましい。
本発明に係るニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物の製造方法は、安定化剤である前記β-ケトエステル化合物およびβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を前記有機溶媒に添加して第一調製液を調製する工程と、前記第一調製液にニオブアルコキシド、ナトリウムアルコキシド、チタンアルコキシドおよびバリウムアルコキシドを添加し還流する工程を含むことを特徴とする。
塗工液組成物の調製方法としては、例えば上記有機溶媒に安定化剤を添加した溶液に、上記金属アルコキシドを混合した後、80~200℃の温度範囲において2~10時間加熱し反応させる、すなわち還流することが望ましい。
また必要に応じて、水や触媒を添加し、アルコキシル基を部分的に加水分解させておくことが好ましい。触媒としては、たとえば、硝酸、塩酸、硫酸、燐酸、酢酸、アンモニア等を例示することができる。よって、本発明の塗工液組成物中には金属アルコキシドの加水分解物やその縮合物が含まれてもよい。
また、必要に応じて水溶性の有機高分子を添加することができる。該有機高分子としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。有機高分子の添加量は、膜の酸化物に対して0.1~10質量%の範囲にすることが好ましい。
塗工液組成物を用いて膜を形成する際には、塗布を行う雰囲気を乾燥空気もしくは乾燥窒素等の不活性気体雰囲気とすることが好ましい。乾燥雰囲気の相対湿度は30%以下にすることが好ましい。
さらに、塗工液組成物の塗布法としては、例えばディッピング法、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フローコート法、ならびにこれらの併用等、既知の塗布手段を適宜採用することができる。膜厚は、ディッピング法における引き上げ速度やスピンコート法における基板回転速度などを変化させることと、塗工液組成物の濃度を変えることにより制御することができる。
<ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜及びその製造方法>
本発明に係るニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜(NNBT膜)を形成する基板はその用途によっても異なるが、例えば、下部電極が形成されたシリコン基板やサファイア基板等の耐熱性基板が用いられる。基板上に形成する下部電極としては、PtやIrなどの導電性を有し、本発明のNNBT膜と反応しない材料が用いられる。また、基板上に密着層や絶縁体膜などを介して下部電極を形成した基板などを使用することができる。具体的には、Pt/Ti/SiO/Si、Pt/TiO/SiO/Si、Pt/Ir/SiO/Si、Pt/IrO/Ir/SiO/Siの積層構造(下部電極/密着層/絶縁体膜/基板)を有する基板などが挙げられる。
基板上に塗膜を形成した後は、この塗膜を仮焼し、更に焼成して結晶化させる。仮焼は、ホットプレート又は赤外線集光炉(RTA)等を用いて、所定の条件で行う。仮焼は、溶媒を除去するとともに金属化合物を熱分解又は加水分解して複合酸化物に転化させるために行うことから、空気中、酸化雰囲気中、又は含水蒸気雰囲気中で行うのが望ましい。空気中での加熱でも、加水分解に必要な水分は空気中の湿気により十分に確保される。なお、仮焼前に、特に低沸点成分や吸着した水分子を除去するため、ホットプレート等を用いて60~200℃の温度で、1~20分間低温加熱を行ってもよい。仮焼は、400~600℃の温度で1~20分間することにより行うのが好ましい。塗工液組成物の塗布から仮焼までの工程は、一回の塗布で所望の膜厚が得られる場合には、塗布から仮焼までの工程を一回行った後、焼成を行う。或いは、所望の膜厚になるように、塗布から仮焼までの工程を複数回繰り返して、最後に一括で焼成を行うこともできる。一回の塗布での膜厚は50~500nmであり、仮焼温度が低い場合は膜厚が薄いほうが好ましい。焼成は、仮焼後の塗膜を結晶化温度以上の温度で焼成して結晶化させるための工程であり、これにより本発明のNNBT膜が得られる。この結晶化工程の焼成雰囲気は酸素、窒素、アルゴンなどあるいはこれらの混合ガス等が好適である。焼成は、好ましくは800~1100℃で1~60分間保持することにより行われる。焼成は、急速加熱処理(RTA処理)で行ってもよい。室温から上記焼成温度までの昇温速度は10~100℃/秒とすることが好ましい。
本発明に係る塗工液組成物を用いて、以上の工程により本発明に係るNNBT膜が得られる。得られたNNBT膜は、下記一般式(2)
(1-x)NaNbO-xBaTiO (0.01≦x≦0.4) (2)
からなるペロブスカイト型結晶の結晶軸が膜面の法線方向に配向していることを特徴とする。本発明に係るNNBT膜は、基板下地としてPt電極やIr電極等を有し、これらの金属電極の(111)面に沿ってエピタキシャル配向することで、(111)配向した膜が得られる。
(111)配向するメカニズムは、必ずしも以下の理論に拘束されるものではないが、次のように推測される。すなわち、安定化剤の金属アルコキシドからの脱離と結晶核生成段階のタイミングが膜の配向性に影響していると考えられる。本発明の塗工液組成物に含まれる安定化剤の配位能が低いと安定化剤が脱離し易く、膜の焼成プロセスに伴う結晶核生成段階で結晶核生成が進みやすいため、Pt電極やIr電極等の基板下地の(111)面に沿ってエピタキシャル配向し、(111)配向した膜が得られる。これにより、圧電特性を向上させると期待できる。
<液体吐出ヘッド>
本発明の液体吐出ヘッドは、液体吐出口と、前記液体吐出口に連通する圧力室と、前記圧力室に前記液体吐出口から液体を吐出するための容積変化を生じさせる、アクチュエータと、を有し、前記アクチュエータは、前記圧力室側から順に設けられた振動板と、下部電極と、基板上に形成されているチタン酸バリウム系膜からなる圧電体膜と、上部電極と、を有することを特徴とする。
本発明に用いるアクチュエータとしては、一実施形態として、図7に示すような縦断面模式図が挙げられる。図7中の1は圧電体薄膜を支持する下地基板、2は中間層、3は下部電極、4は配向制御層、5は圧電体層をそれぞれ示している。
下地基板1の材料は少なくとも最表層にSiOを有し、その他としては、塗工後の乾燥工程において熱負荷を与えても、変形や溶融しない材料が好ましい。また、下地基板1は、表面が平滑であり、熱処理時の元素の拡散も防止でき、かつ機械的強度も十分であることが好ましい。また、本実施形態により得られるNNBT膜からなる圧電体薄膜を用いて液体吐出ヘッドを製造する際には、下地基板1が圧力室を形成するための圧力室基板を兼ねていてもよい。例えば、このような目的では、熱酸化によって表層をSiOの膜としたシリコン(Si)からなる半導体基板を好ましく用いることができるが、ジルコニアやアルミナ、シリカなどのセラミックを用いても構わない。また、最表層をSiOとするならば、これらの材料を複数種類、組み合わせてもよいし、積層して多層構成として用いてもよい。
中間層2は、下地基板1と下部電極3とを密着させる機能を果たすための層として任意に設けられる。例えば、下部電極としてのPtと下地基板の最表層のSiOだけでは密着性が弱くなるだけでなく、Pt膜及びその上に成膜される圧電体層の結晶性が悪くなり、良好な圧電性能が得られなくなることがある。また、中間層の厚さは厚すぎても問題となる。中間層の厚さが50nmを超えると、上層の圧電体層の結晶性が悪化していく傾向にある。従って中間層は、5~50nmの厚さであることが好ましい。中間層2の材料としてはTi若しくはTiOに代表されるTi酸化物が好ましい。
下部電極3の材料は、5~2000nmからなる導電層で、圧電体素子では通常Ti、Pt、Ta、Ir、Sr、In、Sn、Au、Al、Fe、Cr、Ni等の金属、およびこれらの酸化物を挙げることができる。なかでも、圧電体膜を形成する面が(111)配向した金属である、Ptであることが好ましい。また、電極の形成方法も、ゾル-ゲル法、スパッタ法、蒸着法など幾つかの方法があるが、温度をかけずに電極を形成できる点で、スパッタ法による形成が一番好ましい。電極の厚みは、導電性を得られる厚みであれば特に限定されないが、10~1000nmであることが望ましい。また、形成した電極は所望の形状にパターニングして用いてもよい。
配向制御層4は、その上部に積層する圧電体膜の配向を制御する層であり、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系酸化物から構成される。該層は、上部に成膜される圧電体膜の成長する面を制御する効果を持つ。加えて、下部電極と下地基板の間にある中間層のTiも、熱負荷により電極や圧電体膜へと拡散するが、該層を挟むことで、Tiの拡散を抑制する効果も併せ持つ。この層の膜厚は、5nm以上100nm以下が好ましいが、本発明においては、下部電極3の配向性により、圧電体膜の配向を制御している為、圧電体膜の配向制御に悪影響を及ぼすようであれば、特に設けなくてもよい。
圧電体層5の材料としては、本発明の塗工液を用いて形成されるニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜が用いられる。
本発明に用いる液体吐出ヘッドは、一実施形態として、図8~図10に示すような、圧電体膜を備えたものが挙げられる。この液体吐出ヘッドMは、液体吐出ヘッド用基板21と、複数の液体吐出口22と、複数の圧力室23と、各圧力室23にそれぞれ対応するように配設されたアクチュエータ25とから構成されている。各圧力室23はそれぞれ、各液体吐出口22に対応して設けられ、液体吐出口22に連通している。アクチュエータ25はその振動により、圧力室23内の液体の容積変化を生じさせて、液体吐出口22から液体を吐出させる。液体吐出口22は、ノズルプレート24に所定の間隔をもって形成され、圧力室23は液体吐出ヘッド用基板21に、液体吐出口22にそれぞれ対応するように並列して形成されている。なお、本実施形態では、液体吐出口22がアクチュエータ25の下面側に設けられているが、アクチュエータ25の側面側に設けることもできる。液体吐出ヘッド用基板21の上面には各圧力室23にそれぞれ対応した図示しない開口部が形成され、その開口部をふさぐように各アクチュエータ25が配置されている。各アクチュエータ25は、振動板26と圧電体素子30で構成され、圧電体素子30は圧電体膜27と一対の電極(下部電極28および上部電極29)とから構成されている。振動板26の材料は特に限定されないが、Siなどの半導体、金属、金属酸化物、ガラスなどが好ましい。圧電体素子30と振動板26は接合や接着により形成されてもよいし、振動板26を基板として下部電極28および圧電体薄膜30を基板上に直接、形成してもよい。さらに、液体吐出ヘッド用基板21上に振動板26を直接、形成してもよい。
なお、本発明に用いる液体としては、例えばインク等を挙げることができ、また、液体吐出ヘッドとしては、例えばインクジェット記録ヘッド等を挙げることができる。
以下、実施例および比較例を用いて本発明をより具体的に説明する。
ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例の塗工膜の断面観察は、走査電子顕微鏡(商品名「FESEM S-4800」、日立製作所製)を用い、加速電圧を5kVとして行った。用いた走査電子顕微鏡の分解能は1.0nm(加速電圧15kV、作動距離4mm)もしくは2.0nm(加速電圧1kV、作動距離1.5mm)であった。
実施例および比較例の膜の配向カラーマッピングおよび逆極点図方位マッピングは、走査電子顕微鏡(商品名「SEM、Quanta FEG 250」、FFI製)および電子線後方散乱回折分析装置(商品名「TSL-EBSDシステム」、TSLソリューションズ製)を用いて行った。
また、実施例および比較例の塗布膜の圧電定数d31の測定は、上部電極として金を蒸着し、非接触レーザードップラー法による振動計(商品名「Laser Vibrometer LV-1800」、小野測器製)を用いて行った。
(実施例1)塗工液組成物1の調製
2-メトキシエタノールと3-メトキシメチルブタノールと2-エチルヘキサン酸の混合溶媒に、安定化剤であるアセト酢酸エチルを添加した溶液中に、ニオブエトキシド、ナトリウムエトキシド、バリウムジ-i-プロポキシド、チタニウムn-ブトキシドを溶解させた後、約8時間還流を行うことで塗工液組成物1を調製した。溶液のモル比は、2-メトキシエタノール:3-メトキシメチルブタノール:2-エチルヘキサン酸:アセト酢酸エチル:ニオブエトキシド:ナトリウムエトキシド:バリウムジ-i-プロポキシド:チタニウムn-ブトキシド=12:8:3:1:0.95:0.95:0.05:0.05とした。
(実施例2)塗工膜1の作製
実施例1で調製した塗工液組成物1を用いて、スピンコート法によりPt/SiO/Si基板上に膜を形成した。150℃に設定したホットプレート上で10分間熱処理した後、赤外線加熱炉中で600℃10分間熱処理した。塗布および仮焼成を10回繰り返し、最後に赤外線加熱炉中で1000℃10分間の本焼成を行って、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜を得た。得られたニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜の表面SEM写真を図1に示す。膜厚は約700nmであった。また、得られた膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた逆極点図を図2に示す。図2では、(111)面にほぼ測定点が集中していることがわかる。
さらに、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた配向カラーマップによる観察を行った。得られた配向カラーマップでは、(111)面を示す色の領域がほぼ全面を占めていた。
以上のことから、実施例2で得られたニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜は、ほぼ完全に(111)配向していることがわかった。また、実施例2で得られた塗工膜1の圧電定数d31は、-8.1pm/Vであった。
(実施例3)塗工液組成物2の調製
安定化剤に3-メチル-2,4-ペンタンジオンを用いた以外は、塗工液組成物の調製方法は実施例1と同様に行った。
(実施例4)塗工膜2の作製
実施例3で調製した塗工液組成物2を用いて、実施例2と同様にニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜を作製した。得られたニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜の表面SEM写真を図3に示す。また、得られた膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた逆極点図を図4に示す。図4では、(111)面にほぼ測定点が集中していることがわかる。
さらに、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた配向カラーマップによる観察を行った。得られた配向カラーマップでは、(111)面を示す色の領域がほぼ全面を占めていた。
以上のことから、実施例4で得られたニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜は、ほぼ完全に(111)配向していることがわかった。
(比較例1)塗工液組成物3の調製
安定化剤にアセチルアセトンを用いた以外は、塗工液組成物の調製方法は実施例1と同様に行った。
(比較例2)塗工膜3の作製
比較例1で調製した塗工液組成物3を用いて、実施例2と同様に膜を作製した。得られた膜の表面SEM写真を図5に示す。また、得られた膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた逆極点図を図6に示す。図6では、測定点が全体に散らばっていることがわかる。
さらに、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜の電子線後方散乱回折分析測定により得られた配向カラーマップによる観察を行った。得られた配向カラーマップでは、数色の色がまばらに点在していた。
以上のことから、比較例2で得られた膜はランダムに配向していることがわかった。また、比較例2で得られた塗工膜3の圧電定数d31は、-5.8pm/Vであった。
このように、実施例2で得られた塗工膜1の圧電定数d31は、比較例2で得られた塗工膜3の圧電定数d31に比べ、約1.5倍であり、圧電定数が向上していることがわかった。
本発明によって、特定の結晶面に優先配向したNNBT膜が得られ、かつ液安定性が高い塗工液組成物を提供することができる。
1 下地基板
2 中間層
3 下部電極
4 配向制御層
5 圧電体層
21 液体吐出ヘッド用基板
21A 開口部
22 液体吐出口
23 圧力室
24 ノズルプレート
25 アクチュエータ
26 振動板
27 圧電体膜
28 下部電極
29 上部電極
30 圧電体素子
M 液体吐出ヘッド

Claims (10)

  1. (a)(i)ニオブアルコキシド、前記ニオブアルコキシドの加水分解物および前記ニオブアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のニオブ成分と、
    (ii)ナトリウムアルコキシド、前記ナトリウムアルコキシドの加水分解物および前記ナトリウムアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のナトリウム成分と、
    (iii)チタンアルコキシド、前記チタンアルコキシドの加水分解物および前記チタンアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のチタン成分と、
    (iv)バリウムアルコキシド、前記バリウムアルコキシドの加水分解物および前記バリウムアルコキシドの加水分解物の縮合物からなる群より選択される少なくとも1種のバリウム成分と、
    を含むゾル-ゲル原料、および
    (b)β-ケトエステル化合物および下記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含む化合物、
    を含むことを特徴とする、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物。
    Figure 0007222647000003
    (式中、Rは炭素数1以上6以下のアルキル基を表す。)
  2. β-ケトエステル化合物および上記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含む前記化合物が、前記ゾル-ゲル原料中の金属アルコキシドの総量に対してモル比で0.1~3であることを特徴とする、請求項1に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物。
  3. β-ケトエステル化合物および上記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含む前記化合物が、前記ゾル-ゲル原料中の金属アルコキシドの総量に対してモル比で0.5~2であることを特徴とする、請求項1に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物。
  4. 前記ニオブアルコキシド、ナトリウムアルコキシド、チタンアルコキシドおよびバリウムアルコキシドからなる群より選択される少なくとも1種に、前記β-ケトエステル化合物および前記β-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物が、キレート配位したアルコキシド前駆体を含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物。
  5. 前記化合物が、アルコール類およびカルボン酸からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒に溶解していることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物。
  6. 前記有機溶媒が、アルコール類より選択される有機溶媒と、カルボン酸より選択される有機溶媒との両方を含むことを特徴とする、請求項5に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物。
  7. (1)β-ケトエステル化合物および下記一般式(1)で表わされるβ-ジケトン化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物を、有機溶媒に添加して第一調製液を調製する工程と、
    Figure 0007222647000004
    (式中、Rは炭素数1以上6以下のアルキル基を表す。)
    (2)前記第一調製液にニオブアルコキシド、ナトリウムアルコキシド、チタンアルコキシドおよびバリウムアルコキシドを添加し還流する工程と、
    を含むことを特徴とする、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物の製造方法。
  8. 請求項1~6のいずれか1項に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系塗工液組成物の焼成膜であって、
    ペロブスカイト型結晶の結晶軸が膜面の法線方向に配向しており、かつ、下記一般式(2)
    (1-x)NaNbO-xBaTiO (0.01≦x≦0.40) (2)
    で表されることを特徴とする、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜。
  9. (1)基板上に請求項1~6のいずれか1項に記載の塗工液組成物を塗布する工程、
    (2)前記塗工液組成物を塗布した基板を乾燥させる工程、
    (3)前記乾燥させた基板を焼成して、請求項8に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜を基板上に成長させる工程、
    を含むことを特徴とする、ニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜の製造方法。
  10. 液体吐出口と、前記液体吐出口に連通する圧力室と、前記圧力室に前記液体吐出口から液体を吐出するための容積変化を生じさせる、アクチュエータと、を有し、
    前記アクチュエータは、前記圧力室側から順に設けられた振動板と、請求項8に記載のニオブ酸ナトリウム-チタン酸バリウム系圧電体膜と、上部電極と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004107180A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Canon Inc 圧電体素子形成用組成物、圧電体膜の製造方法、圧電体素子及びインクジェット記録ヘッド
JP2011230427A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP2014168056A (ja) 2013-01-29 2014-09-11 Canon Inc 圧電材料、圧電素子、積層圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、および電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1218561A (en) * 1983-02-25 1987-03-03 Takeshi Yano Differential lever actuator including differentially force-transmitting members which are not liable to break
JPS60104762A (ja) * 1983-11-10 1985-06-10 Nippon Soken Inc 電歪式アクチュエータ及びそれを用いた燃料噴射弁
US4516140A (en) * 1983-12-27 1985-05-07 At&T Teletype Corporation Print head actuator for an ink jet printer
US20180269374A1 (en) * 2017-03-16 2018-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element and method for manufacturing the same and liquid discharge head

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004107180A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Canon Inc 圧電体素子形成用組成物、圧電体膜の製造方法、圧電体素子及びインクジェット記録ヘッド
JP2011230427A (ja) 2010-04-28 2011-11-17 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP2014168056A (ja) 2013-01-29 2014-09-11 Canon Inc 圧電材料、圧電素子、積層圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、および電子機器

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