JP7220122B2 - イオン注入装置、イオン源 - Google Patents
イオン注入装置、イオン源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7220122B2 JP7220122B2 JP2019105167A JP2019105167A JP7220122B2 JP 7220122 B2 JP7220122 B2 JP 7220122B2 JP 2019105167 A JP2019105167 A JP 2019105167A JP 2019105167 A JP2019105167 A JP 2019105167A JP 7220122 B2 JP7220122 B2 JP 7220122B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cylindrical
- ion
- cylindrical portion
- central
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
本発明は、前記イオン生成部は環状の第一、第二ミラー磁石を有し、前記第二ミラー磁石は前記第一ミラー磁石よりも前記中央円筒電極に近い位置に互いに離間して配置され、前記プラズマ槽は、前記第一、第二ミラー磁石の中央の貫通孔に挿入され、前記プラズマ槽の前記第一、第二ミラー磁石の間の部分は多極磁石によって取り囲まれ、前記プラズマ槽の内部の前記第一、第二ミラー磁石の間に電子が閉じ込められ、ガス供給源から前記プラズマ槽の内部に供給されたイオン化ガスがイオンにされるイオン注入装置である。
本発明は、前記第二ミラー磁石と前記第一円筒電極との間には磁気を遮蔽する磁気シールド装置が配置されたイオン注入装置である。
本発明は、前記第一円筒部の下流側の端部の開口の周囲と、前記第二円筒部の上流側の開口の周囲とは、環状形形状の平板の肩部電極によって電気的・機械的に接続されたイオン注入装置である。
本発明は、イオン生成部とイオン集束部とが設けられ、前記イオン生成部で生成されたイオンが引き出され、イオンビームとなって前記イオン集束部で集束されて射出されるイオン源であって、前記イオン生成部にはプラズマ槽が設けられ、前記イオン集束部には、イオンビーム槽と、第一円筒部と、第二円筒部と、中央円筒電極と、が設けられ、前記プラズマ槽と前記第一円筒部と前記第二円筒部と前記中央円筒電極とはそれぞれ円筒形形状にされて中心軸線が一致して配置され、前記第二円筒部は前記イオンビーム槽の内部に配置され、前記中央円筒電極は前記第二円筒部の内部に配置され、前記第一円筒部と前記第二円筒部とは電気的に接続され、前記第一円筒部の一端部の底面は円板形形状の引出電極にされ、前記第一円筒部の他端部と、前記第二円筒部の両端と前記中央円筒電極の両端とは開口にされ、前記第一円筒部は前記プラズマ槽と非接触にされて前記引出電極が前記プラズマ槽の内部に挿入され、前記引出電極は前記プラズマ槽の内部に配置されたプラズマ電極と正対され、前記第一円筒部の前記他端部は前記イオンビーム槽の内部に露出され、前記中央円筒電極は前記第一円筒部の下流側に配置され、前記第二円筒部の両端は前記中央円筒電極の両端からはみ出しており、はみ出した部分の前記イオンビームの上流側を第一円筒電極とし、下流側を第二円筒電極とすると、前記第一円筒部と前記中央円筒電極の間に前記第一円筒電極で取り囲まれた空間が配置され、前記中央円筒電極の下流側には前記第二円筒電極で取り囲まれた空間が配置されており、前記引出電極と前記第一、第二円筒電極には同電位が印加され、前記中央円筒電極には前記第一、第二円筒電極よりも高電圧が印加され、前記プラズマ電極と前記引出電極との間の電位差によって前記引出電極に設けられた引出孔から前記プラズマ槽の内部のイオンが引き出されてイオンビームとなり、前記第一円筒電極と前記中央円筒電極と前記第二円筒電極とで集束されるイオン源である。
本発明は、前記イオン生成部は環状の第一、第二ミラー磁石を有し、前記第二ミラー磁石は前記第一ミラー磁石よりも前記中央円筒電極に近い位置に互いに離間して配置され、前記プラズマ槽は、前記第一、第二ミラー磁石の中央の貫通孔に挿入され、前記プラズマ槽の前記第一、第二ミラー磁石の間の部分は多極磁石によって取り囲まれ、前記プラズマ槽の内部の前記第一、第二ミラー磁石の間に電子が閉じ込められ、ガス供給源から前記プラズマ槽の内部に供給されたイオン化ガスがイオンにされるイオン源である。
本発明は、前記第二ミラー磁石と前記第一円筒電極との間には磁気を遮蔽する磁気シールド装置が配置されたイオン源である。
本発明は、前記第一円筒部の下流側の端部の開口の周囲と、前記第二円筒部の上流側の開口の周囲とは、環状形形状の平板の肩部電極によって電気的・機械的に接続されたイオン源である。
図1は、本発明のイオン注入装置2の一例を示しており、該イオン注入装置2は、本発明のイオン源3の一例を有している。
図2は、イオン源3を説明するための内部概略図である。
ラーマ-半径r = mv/(|q|・B)
、と記載することができる。
第二円筒部22の側面には取付孔55が設けられており、取付装置50の突起部分57が取付孔55から第二円筒部22の内部に挿入され、突起部分57の先端が中央円筒電極33に取り付けられている。中央円筒電極33は、第二円筒部22とは接触しない状態で第二円筒部22の内部に配置されている。
以上は中央円筒電極33に正電圧を印加したが、負電圧を印加して正イオンのビームを集束させることもできる。
3……イオン源
4……イオン生成部
5……イオン集束部
6……磁石装置
7……電極装置
8……磁気シールド装置
10……注入対象物
11……第一ミラー磁石
12……第二ミラー磁石
13……多極磁石
14……プラズマ電極
15……プラズマ槽
16……プラズマ孔
17……引出孔
18……放出孔
21……第一円筒部
22……第二円筒部
23……肩部電極
24……引出電極
25……イオンビーム槽
28……中心軸線
31……第一円筒電極
32……第二円筒電極
33……中央円筒電極
37……真空排気装置
39……集束電源
43……質量分析部
Claims (8)
- イオンビームを射出するイオン源と、前記イオン源に接続された走行槽と、前記走行槽に設けられた質量分析部と、注入対象物が配置される試料室とを有し、
前記イオン源にはイオン生成部とイオン集束部とが設けられ、
前記イオン生成部で生成されたイオンが引き出され、イオンビームとなって前記イオン集束部で集束されて前記走行槽に射出され、射出された前記イオンビーム中のイオンは前記質量分析部によって質量分析され、所望の質量電荷比を有するイオンから成るイオンビームが前記試料室の内部に配置された前記注入対象物に照射され、前記注入対象物に前記イオンが注入されるイオン注入装置であって、
前記イオン生成部にはプラズマ槽が設けられ、
前記イオン集束部には、イオンビーム槽と、第一円筒部と、第二円筒部と、中央円筒電極と、が設けられ、
前記プラズマ槽と前記第一円筒部と前記第二円筒部と前記中央円筒電極とはそれぞれ円筒形形状にされて中心軸線が一致して配置され、
前記第二円筒部は前記イオンビーム槽の内部に配置され、
前記中央円筒電極は前記第二円筒部の内部に配置され、
前記第一円筒部と前記第二円筒部とは電気的に接続され、
前記第一円筒部の一端部の底面は円板形形状の引出電極にされ、
前記第一円筒部の他端部と、前記第二円筒部の両端と前記中央円筒電極の両端とは開口にされ、
前記第一円筒部は前記プラズマ槽と非接触にされて前記引出電極が前記プラズマ槽の内部に挿入され、前記引出電極は前記プラズマ槽の内部に配置されたプラズマ電極と正対され、
前記第一円筒部の前記他端部は前記イオンビーム槽の内部に位置し、
前記中央円筒電極は前記第一円筒部の下流側に配置され、
前記第二円筒部の両端は前記中央円筒電極の両端からはみ出しており、はみ出した部分の前記イオンビームの上流側を第一円筒電極とし、下流側を第二円筒電極とすると、前記第一円筒部と前記中央円筒電極の間に前記第一円筒電極で取り囲まれた空間が配置され、前記中央円筒電極の下流側には前記第二円筒電極で取り囲まれた空間が配置されており、
前記引出電極と前記第一、第二円筒電極には同電位が印加され、前記中央円筒電極には前記第一、第二円筒電極よりも高電圧が印加され、
前記プラズマ電極と前記引出電極との間の電位差によって前記引出電極に設けられた引出孔から前記プラズマ槽の内部のイオンが引き出されてイオンビームとなり、前記第一円筒電極と前記中央円筒電極と前記第二円筒電極とで集束されるイオン注入装置。 - 前記イオン生成部は環状の第一、第二ミラー磁石を有し、
前記第二ミラー磁石は前記第一ミラー磁石よりも前記中央円筒電極に近い位置に互いに離間して配置され、
前記プラズマ槽は、前記第一、第二ミラー磁石の中央の貫通孔に挿入され、前記プラズマ槽の前記第一、第二ミラー磁石の間の部分は多極磁石によって取り囲まれ、
前記プラズマ槽の内部の前記第一、第二ミラー磁石の間に電子が閉じ込められ、ガス供給源から前記プラズマ槽の内部に供給されたイオン化ガスがイオンにされる請求項1記載のイオン注入装置。 - 前記第二ミラー磁石と前記第一円筒電極との間には磁気を遮蔽する磁気シールド装置が配置された請求項2記載のイオン注入装置。
- 前記第一円筒部の下流側の端部の開口の周囲と、前記第二円筒部の上流側の開口の周囲とは、環状形形状の平板の肩部電極によって電気的・機械的に接続された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のイオン注入装置。
- イオン生成部とイオン集束部とが設けられ、
前記イオン生成部で生成されたイオンが引き出され、イオンビームとなって前記イオン集束部で集束されて射出されるイオン源であって、
前記イオン生成部にはプラズマ槽が設けられ、
前記イオン集束部には、イオンビーム槽と、第一円筒部と、第二円筒部と、中央円筒電極と、が設けられ、
前記プラズマ槽と前記第一円筒部と前記第二円筒部と前記中央円筒電極とはそれぞれ円筒形形状にされて中心軸線が一致して配置され、
前記第二円筒部は前記イオンビーム槽の内部に配置され、
前記中央円筒電極は前記第二円筒部の内部に配置され、
前記第一円筒部と前記第二円筒部とは電気的に接続され、
前記第一円筒部の一端部の底面は円板形形状の引出電極にされ、
前記第一円筒部の他端部と、前記第二円筒部の両端と前記中央円筒電極の両端とは開口にされ、
前記第一円筒部は前記プラズマ槽と非接触にされて前記引出電極が前記プラズマ槽の内部に挿入され、前記引出電極は前記プラズマ槽の内部に配置されたプラズマ電極と正対され、
前記第一円筒部の前記他端部は前記イオンビーム槽の内部に露出され、
前記中央円筒電極は前記第一円筒部の下流側に配置され、
前記第二円筒部の両端は前記中央円筒電極の両端からはみ出しており、はみ出した部分の前記イオンビームの上流側を第一円筒電極とし、下流側を第二円筒電極とすると、前記第一円筒部と前記中央円筒電極の間に前記第一円筒電極で取り囲まれた空間が配置され、前記中央円筒電極の下流側には前記第二円筒電極で取り囲まれた空間が配置されており、
前記引出電極と前記第一、第二円筒電極には同電位が印加され、前記中央円筒電極には前記第一、第二円筒電極よりも高電圧が印加され、
前記プラズマ電極と前記引出電極との間の電位差によって前記引出電極に設けられた引出孔から前記プラズマ槽の内部のイオンが引き出されてイオンビームとなり、前記第一円筒電極と前記中央円筒電極と前記第二円筒電極とで集束されるイオン源。 - 前記イオン生成部は環状の第一、第二ミラー磁石を有し、
前記第二ミラー磁石は前記第一ミラー磁石よりも前記中央円筒電極に近い位置に互いに離間して配置され、
前記プラズマ槽は、前記第一、第二ミラー磁石の中央の貫通孔に挿入され、前記プラズマ槽の前記第一、第二ミラー磁石の間の部分は多極磁石によって取り囲まれ、
前記プラズマ槽の内部の前記第一、第二ミラー磁石の間に電子が閉じ込められ、ガス供給源から前記プラズマ槽の内部に供給されたイオン化ガスがイオンにされる請求項5記載のイオン源。 - 前記第二ミラー磁石と前記第一円筒電極との間には磁気を遮蔽する磁気シールド装置が配置された請求項6記載のイオン源。
- 前記第一円筒部の下流側の端部の開口の周囲と、前記第二円筒部の上流側の開口の周囲とは、環状形形状の平板の肩部電極によって電気的・機械的に接続された請求項5乃至請求項7のいずれか1項記載のイオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019105167A JP7220122B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | イオン注入装置、イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019105167A JP7220122B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | イオン注入装置、イオン源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020198265A JP2020198265A (ja) | 2020-12-10 |
JP7220122B2 true JP7220122B2 (ja) | 2023-02-09 |
Family
ID=73648124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019105167A Active JP7220122B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | イオン注入装置、イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7220122B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100289409A1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Rosenthal Glenn B | Particle beam source apparatus, system and method |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6176665A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 蒸着膜形成装置 |
-
2019
- 2019-06-05 JP JP2019105167A patent/JP7220122B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100289409A1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Rosenthal Glenn B | Particle beam source apparatus, system and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020198265A (ja) | 2020-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4239116B2 (ja) | イオンビーム中和器及びその中和方法 | |
JP5822767B2 (ja) | イオン源装置及びイオンビーム生成方法 | |
US7999479B2 (en) | Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control | |
US4122347A (en) | Ion source | |
TWI385702B (zh) | 離子佈植機磁鐵中的電子注入 | |
KR101064567B1 (ko) | 빔폭 제어 가능한 전자빔 제공 장치 | |
JP3364830B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
Gushenets et al. | Electrostatic plasma lens focusing of an intense electron beam in an electron source with a vacuum arc plasma cathode | |
WO2005117059A1 (ja) | 電荷中和装置 | |
JPS63503022A (ja) | プラズマ陽極電子銃 | |
Goncharov et al. | Focusing of high-current, large-area, heavy-ion beams with an electrostatic plasma lens | |
US6501081B1 (en) | Electron flood apparatus for neutralizing charge build up on a substrate during ion implantation | |
JP2002170516A (ja) | イオンビーム照射装置 | |
JP2008234880A (ja) | イオン源 | |
JP7220122B2 (ja) | イオン注入装置、イオン源 | |
US3025429A (en) | Ion magnetron | |
JP7137002B2 (ja) | 電子源、及び荷電粒子線装置 | |
JP3399117B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP2002329600A (ja) | イオン加速装置 | |
JP2713692B2 (ja) | イオン打込み装置 | |
JP2002352761A (ja) | イオンビーム照射装置 | |
JPH0636735A (ja) | 多価イオン注入法による基板製造装置および基板製造方法 | |
JP3529445B2 (ja) | マイクロ波イオン源 | |
JP2778227B2 (ja) | イオン源 | |
US11259397B2 (en) | Microwave plasma source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20200727 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200805 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220425 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20220425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7220122 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |