CN109712858A - 激光微波离子源 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能产生多种离子的强流离子源装置。该激光微波离子源包括:磁控管1、波导系统2、放电室3、磁体系统4、供气系统、固体靶8和激光发生器5、振镜6、场镜7等。离子源工作时,放电室3打到靶8上,可使放电室3内气体电离产生电子和离子,并可使靶8上的材料蒸发,在放电室3内形成相应的蒸汽;磁控管1产生微波经过波导系统2进入等离子体腔3,受磁体系统4影响,腔内电子作回旋运行,频率与微波频率相同,二者发生共振,电子获得很高能量,使放电室3内的气体进一步电离,形成等高密度离子体。该源可以产生强流气体离子和强流金属离子,束流可达几十、几百毫安,甚至几十安培。它既可以工作在直流模式下,也可以在脉冲模式下工作。连续工作寿命在一年以上,可以应用在半导体离子注入、材料改性、以及强流加速器等领域。
Description
技术领域
本发明涉及加速器和材料表面处理领域,尤其涉及一种离子源。
背景技术
离子源是一种应用广泛的设备,它可以用在材料表面改性设备上,通过离子对材料表面进行改性;也可以用在离子注入机和加速器上,用于半导体的PN结的产生以及航空、航天、基础物理研究、材料等各种领域。
离子源是离子产生的源头,按产生的离子分类,可分为气体离子源和固体离子源两大类;按引出系统的特点也可分为单孔源和大面积多孔源两类;按产生离子的机制区分,有表面电离源、溅射源、液态金属场发射源、电荷交换源、电子电离源和等离子体源等。按放电类型分类,可分为热阴极等离子体源、冷阴极离子源,高频离子源,和激光离子源等。常用的离子源主要有考夫曼离子源、双等离子源、高频离子源、微波离子源、MEVVA离子源等。
其中,微波离子源由于流强大,能散小,寿命长的特点,在各种科研和生产活动当中得到广泛应用,并在很多应用领域,逐渐取代其它种类离子源。目前微波离子源主要用于产生气体离子,当需要金属或其它固体材料的离子时,往往需要更换其它种类的离子源。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种新型离子源,它可以产生比常规离子源流强更大的气体离子,同时还可以产生强流固体材料的离子。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种激光微波离子源,包括:
一磁控管1,用来产生微波,
一波导系统2,连接磁控管1和放电室3,将磁控管1产生的微波导入放电室3。
一放电室3,所述的放电室3为所用微波的谐振腔,与波导系统2相连通,所述的磁控管1产生的微波通过波导系统2进入放电室3,放电室3是一个微波谐振腔,微波进入放电室3后,形成强电场;
一磁体系统4,所述的磁体系统4设于放电室3外部;所述的磁体系统4在放电室3内形成的磁场强度符合电子与微波共振条件;
一引出系统9,在引出系统9和放电室3之间存在高压电场,放电室3内的等离子体受到高压电场的作用,被加速并引出形成强流离子束。
一激光发生器5,所述的激光发生器5产生高能激光,通过振镜、场镜后进入放电室3;一方面激光使得放电室3内气体电离从而增强等离子体密度;另一方面激光可以把固体靶上的材料蒸发,还可以把固体靶换成光阴极,进一步增强电子的产额。
一在放电室3内,微波与激光共同作用,比单纯微波源或激光源有更大优势。当它作为气体离子源,且工作在脉冲模式下时,用光电材料做靶8,激光照射靶8产生电子,起到类似点火的作用,加速等离子体的产生,减少脉冲束上升沿宽度;当它用于产生金属、石墨等固体材料离子时,用相应固体材料做靶8,激光照射蒸发固体材料,所产生蒸汽在放电室3内电离,形成等离子体,然后通过高压引出相应离子;另外,放电室壁采用光学反射结构,激光在放电室内多次反射,形成光学谐振腔,谐振光通过离子源引出孔附近区域,在引出孔附近形成高密度等离子体。通过调节靶材料构成和激光照射位置、能量的大小实现三种功能的调配,使微波和激光在放电室内有机结合在一起,能够产生高密度、多种类的等离子体,成为一种多用途、长寿命的强流离子源。
通过上述本发明的技术方案,本发明的激光微波离子源设计合理,结构简单,设备成本较低。
附图说明
图1为本发明激光微波离子源结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明:
如图1所示,一种激光微波离子源,包括:一磁控管1、一波导系统2、一放电室3、一磁体系统4和一电子发生器5,同时该离子源还包括供气系统、供电系统、真空系统等部分。其中,
所述的磁控管1用于产生微波(能),选用普通工业2.45GHz 2kW磁控管。
所述的波导系统2与磁控管1相连接,波导系统2包括环行器、波导、水负载、调配器和微波窗等,波导系统2是微波的传输通道,环行器控制微波传输方向,水负载吸收残余反射微波能量,调配器调节波导与放电室3阻抗的匹配,提高微波利用效率。
所述的放电室3与波导系统2相连通,所述的磁控管1产生的微波通过波导系统2进入放电室3,放电室3为谐振腔,微波进入放电室3后可形成很强的电场,对于磁场中回旋运动的电子,当它的回旋频率与微波频率相同时,能够通过共振吸收微波能量,达到很高的速度,而回旋频率不变。
所述的磁体系统4设于放电室3的外部。磁体结构通过计算优化设计,所述的磁体系统4有螺线管和永磁体两种,螺线管优点在于运行当中可以通过调节电流调整磁场大小和形状,本离子源研发过程中先通过螺线管得到最优化的磁场,然后采用7个环形钕铁硼永磁体模拟螺线管磁场结构。
所述的磁体系统4在放电室3内形成的磁场强度值约87毫特斯拉,符合其中v是微波的频率,为2.45GHz,q是电子的带电量,me电子的质量为相对论质量,其中,m0为电子的静止质量,r为电子回旋半径,c为光速。另外,要求微波在放电室3内加速区间有效电场分量垂直于磁场的方向。
所述的激光发生器5产生高能激光,通过振镜6、场镜7后进入放电室3;照射过程中,通过振镜6不断调节光斑的位置,避免产生烧蚀。当用离子源产生气体离子时,采用光阴极材料或全反射玻璃做靶8,激光打到靶8上,可起到促进电离的作用,加大引出束流。当离子源需要产生金属或其它固体材料的离子时,采用该材料制成靶8,通过激光将靶8材料蒸发,形成气体,在放电室3内被高能电子电离。
本发明利用电子回旋共振和激光加热及光致电子发射原理,多机制共同作用,原则上该源可以产生已知所有元素的离子,其工作原理如下:
离子源工作时,磁控管1产生的微波通过波导系统2进入放电室3,在放电室3内,受到放电室3外部磁体4(磁铁)的影响,存在特定设计的磁场,电子受到磁场和微波电场的作用,在放电室3内作回旋运动并不断地从微波内吸收能量,从而获得几十到几百电子伏特能量。本发明的技术中,磁场必须满足电子回旋共振的条件,磁场强度符合其中me即电子质量为相对论质量。同时,微波在放电室3内加速区间有效电场分量垂直于磁场的方向。高能激光,通过振镜6、场镜7后进入放电室3。当离子源产生气体离子时,采用光阴极材料做靶8,激光打到靶8上,产生电子,使更多的电子被微波加速;放电室壁设计采用32面体光学反射结构,激光在放电室内多次反射,每次反射光路均经过引出孔附近5mm区域,在此位置形成激光的强共振,形成高浓度等离子体。并且,当微波源工作于脉冲模式下时,对于He、氩、氮等材料,等离子体激发困难,甚至工作中出现‘熄弧’等现象;激光可以为离子源持续提供电子,解决微波离子源工作不稳定的问题。当离子源需要产生金属或其它固体材料的离子时,采用该材料制成靶8,通过激光将靶8材料蒸发,形成气体,让其在放电室内被高能电子电离,形成所需离子。
本发明的上述结构设计同普通微波离子源相比具有如下有益效果:
第一,该离子源能量转换效率高、束流强度大、且很容易获得几十到几百毫安的离子束流,适用于各种强流加速器和注入机;
第二,该离子源几乎可以用于产生所有元素的离子,使用范围广;
第三,该离子源可用于产生电子和一些元素的负离子。
第四,该设备工作可靠,连续工作时间长,原则上连续工作寿命在1年以上。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种激光微波离子源,其特征在于,包括:
一磁控管1;
一波导系统2,所述的波导系统2与磁控管1相连接;
一放电室3,所述的放电室3为所用微波的谐振腔,与波导系统2相连通,所述的磁控管1产生的微波通过波导系2统进入放电室3,产生强电场;
一磁体系统4,所述的磁体系统设于放电室3的外部;所述的磁体系统4在放电室3内形成的磁场强度符合电子与微波共振条件;
一激光发生器5,所述的激光发生器5产生高能激光,通过振镜6、场镜7后进入放电室3;一方面激光使得放电室3内气体电离并提高电子能量从而增强等离子体密度;另一方面激光可以把固体靶8上的材料蒸发,还可以把固体靶8换成光阴极材料或全反射镜片,进一步增强等离子体密度。
一在放电室3内,微波与激光共同作用,比单纯微波源或激光源有更大优势。当它作为气体离子源时,用光电材料或全反射镜片做靶,增强电子回旋共振效果,提高等离子体密度,从而产生更强的束流。当它用于产生固体材料离子时,用相应固体材料做靶,激光照射蒸发固体材料,所产生蒸汽在放电室内电离,形成等离子体,然后通过高压引出。
2.根据权利要求1所述离子源,其特征在于:所述的磁体为永磁体或者螺线管线圈,其形成的磁场强度约87mT。
3.根据权利1所述的离子源,其特征在于:微波馈入频率为2.45GHz或0.9GHz。
4.根据权利1所述的离子源,其特征在于:带有激光发生器5系统,激光通过发生器产生以后经光路传输系统进入放电室,通过发生器可以调节激光功率和产生频率;通过光路传输系统可以调节光斑的位置和大小。
5.根据权利1所述的离子源,其特征在于:在放电室内装有固体靶8,固体靶8可以是光电材料,也可以是包含所需离子的固体材料。固体靶可以安装在放电室外部,也可以置于放电室内部。
6.根据权利1所述离子源,其特征在于:放电室壁采用光学反射结构,激光在放电室内多次反射,形成光学谐振,谐振光通过离子源引出孔附近区域,在引出孔附近形成高密度等离子体。
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