JP7215269B2 - 電源制御装置およびスイッチング電源 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば電源制御装置およびスイッチング電源に関する。
従来より、交流電源による交流電圧を整流して得られる直流電圧を、スイッチング素子によってオン/オフして、トランスの一次巻線に供給し、当該トランスの二次巻線に誘起された電圧を整流および平滑化することで、出力電圧を生成するスイッチング電源が知られている。ここで、スイッチング素子のオン/オフは、半導体に集積化された電源制御装置によって制御される構成が一般的である。
このような電源制御装置の電源には、スイッチング素子のオン/オフによって上記トランスの補助巻線に誘起された電圧が用いられる。具体的には、電源制御装置の電源には、補助巻線に誘起された電圧を整流してコンデンサーに充電させた電圧が用いられる。
ここで、なんらかの理由によって、コンデンサーの充電電圧が不足した場合には、電源制御装置の内部に設けられた起動回路をオンさせて、上記交流電源による交流電圧の全波整流電圧をコンデンサーに充電させる技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
この技術では、全波整流電圧が高い状態で起動回路をオンさせると、損失が大きくなるので、全波整流電圧を入力するノードの電圧がしきい値未満であるときに起動回路をオンさせている。
特開2011-244602号公報
しかしながら、上記技術において、コンデンサーの充電電圧を消費する負荷が重い場合、起動回路のオンによるコンデンサーの充電が間に合わないために、充電電圧が低下して、当該充電電圧を電源とする電源制御装置が動作不能に陥ってしまう可能性がある、という課題があった。
上記課題を解決するために、一態様に係る電源制御装置は、第1ノードに入力された全波整流電圧を第2ノードに接続されたコンデンサーに、オンによって充電させる起動回路と、前記第1ノードの電圧が第1電圧未満であるか否かを検出する第1検出回路と、前記第2ノードの電圧が低下して第2電圧未満となったか否か、および、前記第2ノードの電圧が上昇して前記第2電圧よりも高い第3電圧以上となったか否かを検出する第2検出回路と、前記第2ノードの電圧が前記第2電圧よりも低い第4電圧未満となったか否かを検出する第3検出回路と、前記第2検出回路によって前記第2ノードの電圧が低下して前記第2電圧未満となったと検出されてから前記第2ノードの電圧が上昇して前記第3電圧に達した検出されるまでの期間のうち、前記第1検出回路によって前記第1ノードの電圧が前記第1電圧未満であると検出されたとき、前記起動回路をオンさせる制御回路と、を含み、前記制御回路は、前記第3検出回路によって前記第2ノードの電圧が前記第4電圧未満となったと検出された場合、前記第1検出回路によって前記第1ノードの電圧が前記第1電圧未満であると検出されていなくても、前記起動回路をオンさせる。
また、上記課題を解決するために、別態様に係る電源制御装置は、第1ノードに入力された全波整流電圧を第2ノードに接続されたコンデンサーに、オンによって充電させる起動回路と、前記第1ノードの電圧が第1電圧未満であるか否かを検出する第1検出回路と、前記第2ノードの電圧が低下して第2電圧未満となったか否か、および、前記第2ノードの電圧が上昇して前記第2電圧よりも高い第3電圧以上となったか否かを検出する第2検出回路と、前記第2ノードの電圧が前記第2電圧よりも低い第4電圧未満となったか否かを検出する第3検出回路と、前記第2検出回路によって前記第2ノードの電圧が低下して前記第2電圧未満となったと検出されてから前記第2ノードの電圧が上昇して前記第3電圧に達した検出されるまでの期間のうち、前記第1検出回路によって前記第1ノードの電圧が前記第1電圧未満であると検出されたとき、前記起動回路をオンさせる制御回路と、前記第3検出回路によって前記第2ノードの電圧が前記第4電圧未満となったと検出された場合、前記第1電圧を、前記第1電圧と異なる電圧に切り替える切替回路と、を含む。
第1実施形態に係る電源制御装置を含むスイッチング電源を示す図である。 第1実施形態に係る電源制御装置を示す図である。 電源制御装置における降圧回路等を示す図である。 電源制御装置に入力されるノードVHの電圧波形を示す図である。 ノードVH、Vccの電圧に対する充電動作を示す図である。 ノードVHの電圧波形を示す図である。 ノードVHの電圧に対する充電動作を示す図である。 ノードVH、Vccの電圧に対する充電動作および放電動作を示す図である。 ノードVH、Vccの電圧に対する充電動作および放電動作を示す図である。 第2実施形態に係る電源制御装置を示す図である。 ノードVH、Vccの電圧に対する充電動作および放電動作を示す図である。 第3実施形態に係る電源制御装置を示す図である。 第4実施形態に係る電源制御装置を示す図である。 ノードVH、Vccの電圧に対する充電動作および放電動作を示す図である。 比較例に係る電源制御装置を示す図である。
以下、実施形態に係る駆動制御装置について、図面を参照して説明する。なお、各図において、各部の寸法および縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
図1は、第1実施形態に係る電源制御装置100を含むスイッチング電源1を示す図である。この図に示されるように、スイッチング電源1は、いわゆるフライバック方式である。具体的には、スイッチング電源1は、トランジスターQ11のオンによってトランス40の一次巻線Pに電流を流してエネルギーを蓄え、蓄えたエネルギーをトランジスターQ11のオフによって、トランス40の二次巻線Sからダイオードd14を介して出力し、コンデンサーC14によって平滑化して、DCの電圧Voutを生成する構成となっている。
第1整流回路の一例であるダイオードブリッジDbは、交流電源10による交流電圧を整流する。ダイオードブリッジDbにおける正側端子は、トランス40における一次巻線Pの一端およびコンデンサーC11の一端に接続され、ダイオードブリッジDbにおける負側端子およびコンデンサーC11の他端は、電圧ゼロのノードGndに接地されている。
トランス40は、一次巻線Pのほか、二次巻線Sおよび補助巻線Dを有し、このうち、一次巻線Pの他端は、トランジスターQ11のドレインノードに接続されている。スイッチング素子の一例であるトランジスターQ11は、例えばNチャネル型のMOSFETであり、ソースノードが抵抗素子R12の一端に接続されている。抵抗素子R12の他端は、ノードGndに接地されている。このため、ダイオードブリッジDbにおける正側端子と負側端子との間には、一次巻線PとトランジスターQ11とが直列に設けられることになる。
なお、スナバ回路Snbは、トランス40における一次巻線Pの一端および他端の間に設けられ、トランジスターQ11のオン/オフによって一次巻線Pに発生する過渡的な電圧を吸収する。
二次巻線Sの一端はダイオードd14のアノードに接続されている。コンデンサーC14は、ダイオードd14のカソードと二次巻線Sの他端との間に接続され、コンデンサーC14によって平滑化された電圧がVoutとして出力される。このため、ダイオードd14およびコンデンサーC14が、二次巻線Sに誘起された電圧を整流および平滑化する第1出力回路の一例として機能する。
フォトカプラーにおける発光ダイオードPctのアノードは、ダイオードd14のカソードに接続され、発光ダイオードPctのカソードは、エラーアンプ50に接続されている。
エラーアンプ50は、電圧Voutと内部の基準電圧との偏差に応じた電流を発光ダイオードPctに流す。
トランス40における補助巻線Dの一端には、ダイオードd13のアノードが接続され、当該ダイオードd13のカソードは、電源制御装置100の電源端子となるノードVccおよびコンデンサーC12の一端に接続されている。なお、補助巻線Dの他端およびコンデンサーC12の他端はノードGndに接地されている。
トランス40の補助巻線Dに誘起された電圧がダイオードd13によって整流され、コンデンサーC12によって平滑化および充電されて、ノードVccに電源制御装置100の電源電圧として供給される。このため、ダイオードd13およびコンデンサーC12が、補助巻線Dに誘起された電圧を整流および平滑化する第2出力回路の一例として機能する。
なお、ノードVccは第2ノードの一例である。また、コンデンサーC12には、補助巻線Dの誘起電圧をダイオードd13によって整流された電圧が充電される場合のほかにも、後述するノードVHを介して供給される電圧が充電される場合もある。
フォトカプラーのフォトトランジスターPcrのエミッタは、ノードGndに接地され、コレクタは、電源制御装置100におけるノードFbに接続されている。コンデンサーC13は、フォトトランジスターPcrと並列に接続されている。
電源制御装置100は、例えば半導体に集積化され、内部電源電圧から抵抗でプルアップされたノードFbにフォトトランジスターPcrに流れる電流による電圧が生成される。このため、ノードFbには、電圧Voutの偏差に応じた電圧が生成される。特に図示しないが、電源制御装置100は、ノードFbの電圧を検出して、当該電圧で示される偏差をゼロとなる方向にトランジスターQ11のオン/オフを制御する。具体的には、電源制御装置100は、当該偏差をゼロとなる方向にPWM信号を生成して、トランジスターQ11のゲートノードに供給する。
なお、図1では、トランジスターQ11は、電源制御装置100とは別体となっているが、電源制御装置100に集積化された構成としてもよい。
また、交流電源10による交流電圧は、ダイオードd11およびd12によって全波整流されて、電源制御装置100におけるノードVHに印加される。このため、ダイオードd11およびd12が第2整流回路の一例である。
交流電源10の接続直後の場合、または、電源投入直後の場合には、コンデンサーC12に十分な電圧が充電されていない。また、なんらかの理由によって、トランジスターQ11がオン/オフしない場合には、補助巻線Dに電圧が誘起されないので、コンデンサーC12に充電された電圧が減少し、充電電圧が不十分となる。このような場合に備えて、電源制御装置100は、ノードVHに印加された電圧を用いて、コンデンサーC12に充電する制御も行う。
図2は、このような電源制御装置100の一例を示す図である。この図に示されるように、電源制御装置100は、抵抗素子R21、R22、R31、R32、コンパレーター102、104、106、制御回路110、降圧回路120、起動回路130および放電回路140を含む。
降圧回路120は、ノードVHの電圧を降圧してノードNに印加する。なお、ノードVHは第1ノードの一例である。起動回路130は、オンしたときにノードNからノードVccに定電流を流して、コンデンサーC12を充電する。放電回路140は、ノードVHに寄生する容量に蓄積された電荷を、オンでしたときにノードNを介して放電させる。
図3は、降圧回路120、起動回路130および放電回路140の構成の一例を示す図である。
この図において、降圧回路120は、例えばJFETのトランジスター122により構成される。降圧回路120は、ノードVHの電圧をトランジスター122のピンチオフ成分によって降圧させてノードNに印加する。
起動回路130は、例えばノードNとノードVccとの間に直列に接続された抵抗素子132とトランジスター134とを含む。トランジスター134のゲートノードには、制御回路110から出力される信号Stが供給されて、当該信号Stによって、ノードVccを介したコンデンサーC12への充電のオン/オフが制御される。起動回路130がオンすると、ノードVHに印加された電圧が、降圧回路120による降圧を経てノードVccに印加される。
放電回路140は、例えばノードNとノードGndとの間に直列に接続された抵抗素子142とトランジスター144とを含む。トランジスター144のゲートノードには、制御回路110から出力される信号Dscが供給されて、当該信号Dscによってオン/オフが制御される。トランジスター144がオンすると、ノードVHに寄生する容量に蓄積された電荷が、トランジスター122および抵抗素子142を経てノードGndに放電される。
説明を再び図2に戻すと、抵抗素子R21、R22は、ノードVHの電圧を分圧してコンパレーター102の負入力端(-)に印加する。コンパレーター102の正入力端(+)には、電圧Vref1が印加される。
コンパレーター102は、負入力端(-)の電圧が正入力端(+)に印加された電圧Vref1未満である場合にはHレベルの信号を、それ以外の場合にはLレベルの信号を出力する。ここで、電圧Vref1は、ノードVHの電圧がしきい値Vth_acである場合に、当該ノードVHの電圧を抵抗素子R21、R22によって分圧した電圧に相当する。このため、コンパレーター102は、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であるか否かを検出する第1検出回路の一例となる。なお、しきい値Vth_acが第1電圧の一例である。
抵抗素子R31、R32は、ノードVccの電圧を分圧してコンパレーター104の負入力端(-)およびコンパレーター106の負入力端(-)に印加する。コンパレーター104の正入力端(+)には、電圧Vref2が印加され、コンパレーター106の正入力端(+)には、電圧Vref3が印加される。
コンパレーター104は、ヒステリシスコンパレーターであり、負入力端(-)の電圧が低下している場合に適用されるしきい値と、上昇している場合に適用されるしきい値とが異なっている。詳細には、コンパレーター104は、負入力端(-)の電圧が低下している場合、当該負入力端(-)の電圧が正入力端(+)に印加された電圧Vref2をαだけ低位側にシフトした電圧(Vref2-α)未満になればHレベルの信号を出力する。また、コンパレーター104は、負入力端(-)の電圧が上昇している場合、当該負入力端(-)の電圧が正入力端(+)に印加された電圧Vref2をαだけ高位側にシフトした電圧(Vref2+α)以上になればLレベルの信号を出力する。
ここで、電圧(Vref2-α)は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lである場合に、当該ノードVccの電圧を抵抗素子R31、R32によって分圧した電圧に相当する。同様に、電圧(Vref2+α)は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Uである場合に、当該ノードVccの電圧を抵抗素子R31、R32によって分圧した電圧に相当する。
コンパレーター104は、ノードVccの電圧が低下して当該電圧がしきい値Vdet_L未満となったか否かを検出するとともに、ノードVccの電圧が上昇して当該電圧がしきい値Vdet_U以上となったか否かを検出する第2検出回路の一例となる。
コンパレーター106は、負入力端(-)の電圧が正入力端(+)に印加された電圧Vref3未満である場合にはHレベルの信号を、それ以外の場合にはLレベルの信号を出力する。ここで、電圧Vref3は、ノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmtである場合に、当該ノードVccの電圧を抵抗素子R31、R32によって分圧した電圧に相当する。このため、コンパレーター106は、ノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満であるか否かを検出する第3検出回路の一例となる。
なお、しきい値Vdet_L、Vdet_U、Vmin_Lmtは、以下の関係にある。
Vmin_Lmt<Vdet_L<Vdet_U
ここで、しきい値Vdet_Lが第2電圧の一例であり、しきい値Vdet_Uが第3電圧の一例であり、しきい値Vmin_Lmtは、第4電圧の一例である。
制御回路110は、コンパレーター102、104および106による検出結果に基づいて起動回路130および放電回路140を制御する。詳細については後述するが、制御回路110は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lまで低下してからしきい値Vdet_Uまで上昇する期間において放電回路140をオンさせ、同期間においてノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であるときに起動回路130をオンさせる。
ただし、制御回路110は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lからさらに低下して、ノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満となった場合、ノードVHの電圧にかかわらず、すなわち、コンパレーター102の検出結果にかかわらず、起動回路130をオンさせる。なお、制御回路110は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Uまで上昇したときに、起動回路130をオフさせる。
ここで、本実施形態において、図2に示されるような構成を採用した過程について説明する。
制御回路110は、電源投入直後等のように、ノードVccの電圧が不十分である場合、ノードVHの電圧を用いてコンデンサーC12を充電する。詳細には、制御回路110は、ノードVccの電圧が不十分である場合、ノードVHに印加された電圧波形、詳細には、図4に示されるような全波整流された電圧波形の入力を検出すると、起動回路130をオンさせる。これにより、ノードVHに印加された電圧が降圧回路120によって降圧されて、コンデンサーC12に充電されるので、ノードVccの電圧が上昇する。制御回路110は、ノードVccの電圧が、例えばしきい値Vdet_Uに達したことを検出すると、起動回路130をオフさせるとともに、トランジスターQ11のオン/オフを開始させる。このスイッチングにより、補助巻線Dには電圧が誘起されて、当該誘起された電圧はダイオードd13によって整流されて、コンデンサーC12に充電される。
トランジスターQ11をスイッチングさせている場合に、異常状態等が検出されると、制御回路110は、トランジスターQ11のオン/オフを停止させる。トランジスターQ11のオン/オフが停止すると、補助巻線Dには電圧が誘起されないので、コンデンサーC12の充電電圧、すなわち、ノードVccの電圧が低下する。
異常状態等によってトランジスターQ11のオン/オフが停止しても、ノードVccの電圧を所定の範囲、具体的にはICが制御できる電圧範囲に収まるように制御する必要がある。
そこで、本実施形態に対する比較例では、次のような制御を実行することが考えられた。なお、図15は、比較例に係る電源制御装置を示す図であり、図2の本実施形態の構成と比較して、コンパレーター106および放電回路140を有しない。また、制御回路110についても、コンパレーター106および放電回路140を有しないので、制御内容も図2の構成と比較して異なる。
比較例では、ノードVccの電圧が低下してしきい値Vdet_L未満になると、制御回路110が起動回路130をオンさせる。
これにより、ノードVHに印加された電圧は、降圧回路120によって降圧されて、オンした起動回路130を介してノードVccに印加され、コンデンサーC12に充電されるので、ノードVccの電圧は上昇する。ノードVccの電圧がしきい値Vdet_U以上になると、制御回路110は、起動回路130をオフさせる。これにより、トランジスターQ11のオン/オフが停止していても、ノードVccの電圧は、しきい値Vdet_L以上しきい値Vdet_U未満の範囲に収まるように制御される。
ただし、このような制御では、降圧回路120による損失、特にノードVHの電圧が比較的高い状態での損失が大きいので、次のような制御を実行することが考えられた。詳細には、制御回路110は、図5に示されるように、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lを下回ってからしきい値Vdet_U未満の範囲にある期間のうち、ノードVHがしきい値Vth_ac未満であるときに、起動回路130をオンさせる。
なお、図5において信号Stについては、論理レベルを示しているのではなく、当該Stに基づく起動回路130のオン/オフの状態を示している。
このような起動回路130のオンによって、降圧回路120での損失が少なくなるので、低消費電力化を図ることができる、と考えられた。
しかしながら、このような制御は、ノードVHの電圧波形が理想的な全波整流波形であることを前提としている。実際に起動回路130がオフした場合、ノードVHからみて、ノードVcc側の負荷が軽くなるので、ノードVHに寄生する容量成分が顕在化する。起動回路130がオフした場合における容量成分のために、図6に示されるように、ノードVHの電圧波形において全波整流立下り時における追従性が悪化する。
容量成分のためにノードVHの追従性が悪化すると、図7に示されるように、当該ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満にならない場合がある。この場合、制御回路110は、起動回路130をオンさせることができなくなるので、ノードVccの電圧が低下し続け、電源制御装置100が動作不能となって、スイッチング電源1がシステムダウンしてしまう可能性がある。
そこで次のような構成が考えられた。詳細には、図15に示される構成に、放電回路140を設けるとともに、制御回路110に放電回路140を制御する機能を追加した構成が考えられた。
このような構成において、制御回路110は、図8に示されるように、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lを下回ってからしきい値Vdet_U未満の範囲にある場合に、放電回路140をオンさせる。
なお、図8において信号Dscについては、論理レベルを示しているのではなく、当該Dscに基づく放電回路140のオン/オフの状態を示している。
放電回路140がオンすると、ノードVHに寄生する容量成分に蓄積された電荷が放電されるので、ノードVHの電圧波形において全波整流立下り時の追従性が改善され良好な状態となる。この状態において、制御回路110は、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であるときに、起動回路130をオンさせる。
詳細には、図8に示されるように、ノードVccの電圧が低下し、時刻t11にてしきい値Vdet_Lに到達して、放電回路140がオンすると、放電回路140のオンによって、ノードVHの電圧波形において全波整流立下り時の追従性が良好な状態となる。この状態でノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であるときに、起動回路130がオンして、ノードVccの電圧が上昇し、時刻t12にてしきい値Vdet_Uに到達して、放電回路140がオフする。
この構成により、トランジスターQ11のオン/オフが停止していても、ノードVccの電圧を上記電圧範囲に収める制御について、低消費電力化することができる、と考えられた。
しかしながら、このような制御は、ノードVccの負荷、すなわち、コンデンサーC12の充電電圧を用いる負荷が重い場合には、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であるときにおける起動回路130のオンだけでは、コンデンサーC12への充電が間に合わず、ノードVccの電圧が低下し続け、電源制御装置100が動作不能となってしまう可能性がある。
そこで、本実施形態では、コンパレーター106が設けられるとともに、コンパレーター106の検出結果も考慮して、起動回路130を制御する機能が制御回路110に追加されている。詳細には、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lからさらに低下して、しきい値Vmin_Lmt未満となった場合には、制御回路110は、ノードVHの電圧にかかわらず、起動回路130をオンさせる。すなわち、制御回路110は、ノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満となった場合、コンパレーター102の検出結果を無視して、起動回路130をオンさせる。
図9は、本実施形態に係る電源制御装置100による動作を示す図であり、詳細には、ノードVH、Vccの電圧に対する起動回路130および放電動作を示す図である。図9に示されるように、ノードVccの電圧が低下し、時刻t21にてしきい値Vdet_Lに到達したときに、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であれば、起動回路130がオンする。このオンにより、コンデンサーC12が充電されて、ノードVccの電圧が一時的に上昇するが、ノードVccの負荷が大きい場合、この電圧上昇よりも、負荷の消費による電圧低下が勝るために、ノードVccの電圧が低下し続ける。時刻t22にてノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満となると、起動回路130は、ノードVHの電圧にかかわらずオンするので、ノードVccの電圧は上昇し続ける。なお、時刻t23にてノードVccの電圧がしきい値Vdet_Uに達すると、起動回路130および放電回路140はオフする。
第1実施形態に係る電源制御装置100によれば、ノードVccの負荷が比較的軽い場合であれば、当該ノードVccの電圧がしきい値Vdet_L以上しきい値Vdet_U未満の範囲に低消費電力化で制御される。また、第1実施形態に係る電源制御装置100によれば、ノードVccの負荷が比較的重い場合、ノードVccの電圧低下による電源制御装置100の動作不能を抑えることができる。
第1実施形態のように、ノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満となった場合に、ノードVHの電圧にかかわらず、起動回路130をオンさせる構成によれば、ノードVccの電圧を比較的短時間に上昇させることができる。ただし、ノードVHの電圧が高い状態で起動回路130をオンさせるのは、上述したように損失が大きいので、低消費電力化を図るという観点からいえば、改善の余地がある、ということができる。
そこで、この点を改善した第2実施形態について説明する。
図10は、第2実施形態に係る電源制御装置100の一例を示す図である。図10に示される第2実施形態では、図2に示される第1実施形態に対して、切替回路152が設けられる。
切替回路152は、コンパレーター106によってノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満となったと検出された場合に、コンパレーター102における正入力端(+)の電圧Vref1を、所定電圧ΔVだけ高位側にシフトした電圧(Vref1+ΔV)に切り替える。
なお、電圧(Vref1+ΔV)は、ノードVHの電圧がしきい値Vth_acよりも電圧βだけ高位側である電圧(Vth_ac+Δβ)である場合に、当該ノードVHの電圧を抵抗素子R21、R22によって分圧した電圧に相当する。
図11は、第2実施形態に係る電源制御装置100による動作を示す図である。この図に示されるように、時刻t21にてノードVccの電圧がしきい値Vdet_L未満となると、起動回路130がオンするが、ノードVccの負荷が重い場合には、ノードVccの電圧は、なおも低下する。
時刻t22にてノードVccの電圧がしきい値Vmin_Lmt未満となると、切替回路152は、電圧Vref1を(Vref+ΔV)に切り替える。この切り替えにより、コンパレーター102においてノードVHの電圧を比較するための基準が、しきい値Vth_acから(Vth_ac+Δβ)に高められる。
したがって、第2実施形態において、起動回路130がオンする1回当たりの時間長は、しきい値(Vth_ac+Δβ)であれば、例えば時刻t22から時刻t32までの期間となり、しきい値Vth_acである場合における例えば時刻t21から時刻t31までの期間よりも長くなる。
このため、第2実施形態によれば、第1実施形態と比較して、ノードVccの電圧上昇の程度が第1実施形態と比較して劣るものの、ノードVHの電圧が高い状態での起動回路130のオンによる損失が抑えられるので、その分、低消費電力化を図ることができる。
第2実施形態によれば、第1実施形態と比較して、低消費電力化を図ることができるが、負荷が極端に重い場合に、切替回路152によってノードVHの電圧を比較するための基準を高位電圧に切り替えても、ノードVccの電圧が低下する可能性がゼロではない。また、ノードVHの電圧を比較するための基準が、ノードVccの負荷に比べて高い場合には、損失が大きくなる。
そこで、ノードVccの負荷に対してノードVHの電圧を比較するための基準、すなわちしきい値を適応的に切り替える第3実施形態について説明する。
図12は、第3実施形態に係る電源制御装置100の一例を示す図である。図12に示される第3実施形態では、図2に示される第1実施形態に対して、ピーク値保持回路162、生成回路164、計数回路166、しきい値決定回路168および選択回路170が設けられている。
ピーク値保持回路162は、ノードVHに供給される全波整流電圧を抵抗素子R21、22によって分圧した電圧のピーク値、すなわち最大電圧をサンプリングして、保持する。
生成回路164は、ピーク値保持回路162によって保持されたピーク値を、例えば分圧して複数の電圧を生成する。なお、ここでいう複数の電圧とは、段階的に異なる電圧であり、例えばピーク電圧の90%、70%、50%、30%、10%に相当する電圧である。生成回路164は、分圧に限られず、オペアンプなどの係数演算によって当該複数の電圧生成する構成でもよい。
選択回路170は、生成回路164によって生成された複数の電圧のうち、いずれかの電圧を、しきい値決定回路168の指示にしたがって選択する。
計数回路166は、コンパレーター104によって次のように検出される期間において、コンパレーター102によって次のように検出される回数を計数する。詳細には、計数回路166は、コンパレーター104によって検出される期間、すなわち、ノードVccの電圧が低下してしきい値Vdet_L未満となってから、ノードVccの電圧が上昇してしきい値Vdet_U以上となるまでの期間において、コンパレーター102によって検出される回数、すなわち、ノードVHの電圧がコンパレーター102の正入力端(+)の電圧未満となる回数を計数する。
制御回路110は、上記期間において、ノードVHの電圧がコンパレーター104の正入力端(+)の電圧未満であるときに起動回路130をオンさせるので、計数回路166は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lからしきい値Vdet_Uまで回復する期間において、コンデンサーC12に充電された回数を計数することになる。充電回数は、ノードVccの負荷に応じて変動するので、結局、計数回路166による計数回数は、ノードVccの負荷を示すことになる。
なお、計数回路166は、例えばノードVccの電圧が上昇してしきい値Vdet_Hに達したとコンパレーター104に検出された時点にて計数回数をリセットする。
しきい値決定回路168は、生成回路164によって生成された複数の電圧のうち、いずれかの電圧を選択するかについて、計数回路166による計数回数に応じて決定して、選択回路170に指示する。
具体的には、しきい値決定回路168は、計数回路166による計数回数がm以下であれば、現時点において選択回路170において選択している電圧よりも1段低位の電圧への切り替えを指示する。一方、しきい値決定回路168は、計数回路166による計数回数がn以上であれば、現時点において選択回路170において選択している電圧よりも1段高位の電圧への切り替えを指示する。
なお、m、nは、m<nを満たす整数である。
計数回路166による計数回数がm以下であるということは、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lからしきい値Vdet_Uまで回復するのに比較的少ない充電回数で済んだということを意味する。ここで、充電回数が少なくて済んだという状態は、逆にいえば、1回当たり充電時間が長い、ということであり、これは、コンパレーター102の正入力端(+)の電圧が高く、損失が大きい状態となっている、ということを意味する。このため、しきい値決定回路168は、計数回数がm以下であれば、損失を抑えるために、選択回路170に対して1段低位の電圧への切り替えを指示する。
反対に、計数回路166による計数回数がn以上であるということは、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lからしきい値Vdet_Uまで回復するまでの充電が比較的多い回数で必要であったということを意味する。ここで、充電回数が多い、という状態は、逆にいえば、コンパレーター102の正入力端(+)の電圧が低いために、1回当たり充電時間が短くなり、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Uまで回復するまでに時間を要した、ということを意味する。このため、しきい値決定回路168は、計数回数がn以上であれば、より短い時間でノードVccの電圧が回復するように、選択回路170に対して1段高位の電圧への切り替えを指示する。
なお、しきい値決定回路168および選択回路170が、第1電圧、当該第1電圧よりも低位の電圧、または、当該第1電圧よりも高位の電圧に切り替える切替回路の一例である。
また、計数回路166による計数回数がmよりも大きく、かつ、nよりも小さい場合、しきい値決定回路168は、選択回路170に対して電圧の切り替えを指示しない。
したがって、第3実施形態によれば、複数回の切り替えを経たときに、充電回数、すなわちノードVccに対する負荷に対して、ノードVHの電圧を比較するための基準、すなわち、起動回路130をオンさせる基準が適切に設定されるので、電源制御装置100の動作不能を回避しつつ、低消費電力化を図ることができる。
また、第3実施形態によれば、交流電源10の電圧に依存することなく、起動回路130をオンさせる基準が適応的に設定されるので、国や地域などに関係なく、スイッチング電源1を使用できる、という効果もある。
上述した第1実施形態や、第2実施形態、第3実施形態において、放電回路140のオンは、容量成分に蓄積された電荷の放電であるから、一種の損失である。このため、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lを下回ってからしきい値Vdet_U未満の範囲となる期間の全部にわたって放電回路140をオンさせる、という構成は、低消費電力化を図る、という観点でいえば、改善の余地がある、ということができる。
そこで、この点を改善した第4実施形態について説明する。
図13は、第4実施形態に係る電源制御装置100の一例を示す図である。
なお、図13に示される第4実施形態では、図2に示される第1実施形態に適用した場合の構成であり、第1実施形態に対して、ピーク検出回路150が設けられるとともに、ピーク検出回路150の検出結果に基づいて放電回路140を制御する機能が制御回路110に追加されている。
ピーク検出回路150は、ノードVHを分圧した電圧波形のピークを検出して、検出したピークのタイミングを制御回路110に通知する。
制御回路110は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lを下回ってからしきい値Vdet_U未満の範囲にある場合に、ピーク検出回路150によって検出されたピークのタイミング後、放電回路140を間欠的にオンさせる。
制御回路110は、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であるときに、起動回路130をオンさせる点は第1実施形態と同様である。ここで、起動回路130をオンさせると、ノードVHの負荷が大きくなるので、当該ノードVHの電圧波形において全波整流立下り時の追従性が良好となり、放電回路140をオンさせる必然性が乏しいと言える。そこで、本実施形態において、制御回路110は、放電回路140の間欠的なオンについて、ノードVHにおける電圧のピークが検出されてから、当該電圧がしきい値Vth_ac未満となって起動回路130をオンさせるまでの期間に実行する。
ただし、ノードVccの電圧が低下してしきい値Vdet_Lに達したとき、ノードVHの電圧を、全波整流立下り時の追従性が良好な状態で検出する必要がある。このため、制御回路110は、ノードVccの電圧がしきい値Vdet_Lに達したときには、例外的にノードVHの電圧にかかわらず、放電回路140をオンさせ、ノードVHにおける電圧がしきい値Vth_ac未満となって起動回路130をオンさせたときに、放電回路140を間欠的にオンさせない構成となっている。
図14は、第4実施形態に係る電源制御装置100の動作を示す図である。
この図に示されるように、ノードVccの電圧低下し、時刻t41にてしきい値Vdet_Lに到達したとき、放電回路140が間欠的ではなく、例外的にオンしている。放電回路140のオンによって、ノードVHの電圧波形において全波整流立下り時における追従性が良好な状態となり、この状態においてノードVHの電圧が時刻t42にてしきい値Vth_ac未満であるときに、起動回路130がオンし、放電回路140がオフしている。
時刻t43にてノードVHの電圧がピークとなった後、放電回路140が間欠的にオンする。時刻t44において、ノードVHにおける電圧がしきい値Vth_ac未満になると、起動回路130がオンする一方で、放電回路140は、間欠的なオンを中断して、オフに移行する。
時刻t45にてノードVHの電圧が再びピークとなったとき、放電回路140の間欠的なオンが再開する。ノードVHにおける電圧がしきい値Vth_ac未満になると、起動回路130がオンする一方で、放電回路140は、間欠的なオンを中断して、オフに移行する。このような動作は、ノードVccの電圧が時刻t46にてしきい値Vmin_Lmtに達するまで、繰り返される。
第4実施形態に係る電源制御装置100によれば、第1実施形態と比較して、放電回路140の間欠的なオンによって損失が低減される分、さらなる低消費電力化を図ることができる。
なお、第4実施形態において、制御回路110は、起動回路130をオンさせる際に、放電回路140をオフさせるのではなく、間欠的なオンを継続する構成としてもよい。 すなわち、第4実施形態において、制御回路110は、ノードVHの電圧がピークとなった後、放電回路140を予め定められた回数分だけ間欠的にオンする構成としてもよい。
また、第4実施形態における放電回路140の間欠的なオンについては、第1実施形態に限られず、第2実施形態または第3実施形態にも適用可能である。
第1乃至び第4実施形態において、降圧回路120は必ずしも必要ではない。降圧回路120を設けない場合、ノードVccとノードNとを同一視すればよい。
また、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満となれば、毎回、起動回路130をオンさせたが、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満となる場合のうち、複数回につき1回の割合で起動回路130をオンさせる構成としてもよい。
なお、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であって、ゼロ近傍である場合、トランジスター134において、ソースノードおよびゲートノード間の電圧が不十分となるので、オンしない。このため、厳密にいえば、ノードVHの電圧がゼロ近傍である場合、コンデンサーC12が充電されないので、ノードVccの電圧は上昇せず、フラットになる。ただし、図5、図8、図9、図11および図14においては、説明の簡略化のために、ノードVHの電圧がしきい値Vth_ac未満であれば、ゼロ近傍であっても、ノードVccの電圧が一定の割合で上昇するものとして表現されている。
1…スイッチング電源、40…トランス、100…電源制御装置、102、104、106…コンパレーター、110…制御回路、120…降圧回路、130…起動回路、140…放電回路、Q11、122、134、144…トランジスター、d11、d12、d13、d14…ダイオード、C11、C12、C14…コンデンサー。

Claims (6)

  1. 第1ノードに入力された全波整流電圧を第2ノードに接続されたコンデンサーに、オンによって充電させる起動回路と、
    前記第1ノードの電圧が第1電圧未満であるか否かを検出する第1検出回路と、
    前記第2ノードの電圧が低下して第2電圧未満となったか否か、および、前記第2ノードの電圧が上昇して前記第2電圧よりも高い第3電圧以上となったか否かを検出する第2検出回路と、
    前記第2ノードの電圧が前記第2電圧よりも低い第4電圧未満となったか否かを検出する第3検出回路と、
    前記第2検出回路によって前記第2ノードの電圧が低下して前記第2電圧未満となったと検出されてから前記第2ノードの電圧が上昇して前記第3電圧に達した検出されるまでの期間のうち、前記第1検出回路によって前記第1ノードの電圧が前記第1電圧未満であると検出されたとき、前記起動回路をオンさせる制御回路と、
    を含み、
    前記制御回路は、
    前記第3検出回路によって前記第2ノードの電圧が前記第4電圧未満となったと検出された場合、前記第1検出回路によって前記第1ノードの電圧が前記第1電圧未満であると検出されていなくても、前記起動回路をオンさせる
    電源制御装置。
  2. 第1ノードに入力された全波整流電圧を第2ノードに接続されたコンデンサーに、オンによって充電させる起動回路と、
    前記第1ノードの電圧が第1電圧未満であるか否かを検出する第1検出回路と、
    前記第2ノードの電圧が低下して第2電圧未満となったか否か、および、前記第2ノードの電圧が上昇して前記第2電圧よりも高い第3電圧以上となったか否かを検出する第2検出回路と、
    前記第2ノードの電圧が前記第2電圧よりも低い第4電圧未満となったか否かを検出する第3検出回路と、
    前記第2検出回路によって前記第2ノードの電圧が低下して前記第2電圧未満となったと検出されてから前記第2ノードの電圧が上昇して前記第3電圧に達した検出されるまでの期間のうち、前記第1検出回路によって前記第1ノードの電圧が前記第1電圧未満であると検出されたとき、前記起動回路をオンさせる制御回路と、
    前記第3検出回路によって前記第2ノードの電圧が前記第4電圧未満となったと検出された場合、前記第1電圧を、前記第1電圧より高い電圧に切り替える切替回路と、
    を含む電源制御装置。
  3. 前記第2ノードの電圧が前記第2電圧を下回ってから前記第3電圧に達するまでに、前記起動回路がオンした回数を計数する計数回路を備え、
    前記切替回路は、
    m、nをm<nを満たす整数とした場合に、
    前記計数回路によって計数された回数がm以下であれば、前記第1電圧を、当該第1電圧よりも低位の電圧に切り替え、n以上であれば、前記第1電圧を、当該第1電圧よりも高位の電圧に切り替える
    請求項2に記載の電源制御装置。
  4. 前記第1ノードに入力された全波整流電圧のピーク電圧よりも低い電圧を複数生成する生成回路と、
    前記切替回路は、前記生成回路によって生成された複数の電圧のうち、いずれかを選択して、前記第1電圧から切り替える
    請求項3に記載の電源制御装置。
  5. 前記第1ノードに蓄積された電荷をオンによって放電させる放電回路を備え、
    前記制御回路は、
    前記第2ノードの電圧が低下して前記第2電圧未満となってから、前記第2ノードの電圧が上昇して前記第3電圧以上となるまでの期間の一部または全部にわたって前記放電回路をオンさせる
    請求項1乃至4のいずれかに記載の電源制御装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載の電源制御装置と、
    交流電圧を整流する第1整流回路と、
    前記交流電圧を全波整流して前記全波整流電圧として前記第1ノードに供給する第2整流回路と、
    一次巻線、二次巻線および補助巻線を有するトランスと、
    前記第1整流回路における出力両端の間に、前記一次巻線と直列に設けられたスイッチング素子と、
    前記二次巻線に誘起された電圧を整流および平滑化して出力する第1出力回路と、
    前記補助巻線に誘起された電圧を整流および平滑化して前記第2ノードに出力する第2出力回路と、
    を含み、
    前記電源制御装置は、前記スイッチング素子のスイッチングを制御する
    スイッチング電源。


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