JP7213785B2 - 半導体ウエハマウント装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハマウント装置および半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法として、周縁部に吸着部が設けられるとともにその吸着部の内側に上面開放の凹部が形成された吸着テーブルを用いた方法がある。この方法では、吸着テーブルの吸着部に回路基板の表面の周縁部を吸着固定し、回路基板の裏面に接着テープを貼り付ける際の押圧力とバランスする加圧流体を凹部に供給しながら接着テープを回路基板の裏面に貼り付けている（例えば、特許文献１参照）。

特開昭６２－２８７６３９号公報

特許文献１に記載の技術はプレーナー型半導体ウエハの場合には適しているが、メサ型半導体ウエハの場合には次のような問題がある。

メサ型半導体ウエハの裏面に接着テープを貼り付ける際、吸着テーブルの周縁部に設けられた吸着部の吸着溝とメサ型半導体ウエハの表面に格子状に形成されたメサ溝が連通するため、メサ型半導体ウエハの表面の周縁部において吸着漏れが発生する。その結果、押圧力と流体供給による加圧力とをバランスさせることができないため、吸着部により保持されていないメサ型半導体ウエハの中央部が撓み、メサ型半導体ウエハの裏面と接着テープとの間に気泡が発生するという問題があった。

そこで、本発明は、メサ型半導体ウエハの裏面に接着テープを貼り付ける際、メサ型半導体ウエハにおける表面の周縁部の吸着漏れを抑制する技術を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体ウエハマウント装置は、メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着した状態で、前記メサ型半導体ウエハの裏面に接着テープが貼り付けられる半導体ウエハマウント装置であって、前記メサ型半導体ウエハが下向きに載置された状態で、前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着する吸着テーブルを備え、前記吸着テーブルは、前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部に対向する領域のうち、前記メサ型半導体ウエハの表面に格子状に形成されたメサ溝に対向する位置を除く領域に形成された吸着溝と、前記吸着溝よりも内周側に形成されかつ前記接着テープが貼り付けられる際に前記吸着テーブルに加わる押圧力とのバランスを取るための流体が供給される上面開放の凹部とを備えたものである。

本発明によれば、吸着テーブルの吸着溝は、メサ型半導体ウエハの表面の周縁部に対向する領域のうち、メサ型半導体ウエハの表面に格子状に形成されたメサ溝に対向する位置を除く領域に形成された。

したがって、吸着溝とメサ型半導体ウエハのメサ溝が連通しないため、メサ型半導体ウエハの裏面に接着テープを貼り付ける際、メサ型半導体ウエハにおける表面の周縁部の吸着漏れを抑制することができる。

実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置の概略図である。 実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブルの平面図である。 メサ型半導体ウエハを下向きにした状態を示す断面図である。 実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブルの吸着部の断面図である。 実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブルの吸着部にメサ型半導体ウエハを下向きに載置した状態を示す断面図である。 実施の形態３に係る半導体ウエハマウント装置が備えるプレートおよびその周囲の断面図である。 実施の形態４に係る半導体ウエハマウント装置の概略図である。 関連技術に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブルの平面図である。 プレーナー型半導体ウエハを下向きにした状態を示す断面図である。 プレーナー型半導体ウエハの拡大断面図である。 メサ型半導体ウエハの拡大断面図である。

＜関連技術＞
最初に、本発明の実施の形態の関連技術について説明する。図８は、関連技術に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブル３２の平面図である。図９は、プレーナー型半導体ウエハ３０を下向きにした状態を示す断面図である。

関連技術に係る半導体ウエハマウント装置は、吸着テーブル３２を除いて図１に示す実施の形態１に係るウエハマウント装置と同じ構成であるため、図１を用いて説明する。

図１と図８に示すように、関連技術に係る半導体ウエハマウント装置は、吸着テーブル３２、調整弁７、減圧装置８、減圧弁９、圧力源１０、調整弁１１、排気装置１２、および貼付ローラー１３を備えている。

関連技術では、図９に示すプレーナー型半導体ウエハ３０が吸着テーブル３２に載置されている。一例としてプレーナー型半導体ウエハ３０のサイズは、直径４インチ、厚み３００μｍとして説明する。

吸着テーブル３２は、例えば金属部材を用いて、平面視にて円形状に形成されている。吸着テーブル３２は、吸着テーブル３２の周縁部を形成する吸着部３と、吸着部３の内周側に形成された上面開放の凹部６ａを備えている。

吸着部３は凹部６ａの外周側を覆うように形成され、凹部６ａの周壁を担っている。吸着部３の上端部の全周に渡って、下方に凹む吸着溝２が形成されている。吸着溝２の幅は１ｍｍ程度であり、吸着テーブル３２にプレーナー型半導体ウエハ３０が載置された場合、プレーナー型半導体ウエハ３０の表面の周縁部と吸着テーブル３２の吸着部３が接触する。

排気装置１２は、調整弁１１を介して吸着テーブル３２の吸着溝２に連通する吸引孔４に接続されており、吸着テーブル３２に載置されたプレーナー型半導体ウエハ３０の表面の周縁部を、吸着溝２を介して吸着する。

圧力源１０は、減圧弁９を介して、吸着テーブル３２の吸着部３の下端部に形成された加圧孔５に接続されており、加圧孔５に流体を供給し、プレーナー型半導体ウエハ３０と吸着テーブル３２にて密閉された空間を加圧する。減圧装置８は、凹部６ａの底面に形成された減圧孔６に調整弁７を介して接続されており、プレーナー型半導体ウエハ３０の裏面に接着テープ１４が貼り付けられた後、プレーナー型半導体ウエハ３０と吸着テーブル３２にて密閉された空間を減圧する。

貼付ローラー１３による押圧力と流体供給による加圧をバランスさせながら、プレーナー型半導体ウエハ３０の平行度を保持した状態で、プレーナー型半導体ウエハ３０の裏面に接着テープ１４が貼り付けられる。プレーナー型半導体ウエハ３０の平行度を保持することにより、プレーナー型半導体ウエハ３０と接着テープ１４の間に気泡が発生することを抑制できる。仮に気泡が発生した場合はダイシングする際に、チップクラックを誘発させるからである。

プレーナー型半導体ウエハ３０の場合には問題はないが、メサ型半導体ウエハ２０の場合には次のような問題がある。図１０と図１１を用いて、プレーナー型半導体ウエハ３０とメサ型半導体ウエハ２０の構造の違いについて説明する。図１０は、プレーナー型半導体ウエハ３０の拡大断面図である。図１１は、メサ型半導体ウエハ２０の拡大断面図である。

図１０と図１１に示すように、プレーナー型半導体ウエハ３０とメサ型半導体ウエハ２０の構造で大きく異なる点は、絶縁性確保の方式である。すなわち、プレーナー型半導体ウエハ３０ではデバイス３１の表面に形成された保護膜３１ａの距離Ｂで確保するのに対し、メサ型半導体ウエハ２０ではデバイス２２の上部側面を斜めにカットしてその部分に形成された保護膜２２ａの距離Ａで確保することである。したがって、デバイス２２を個片にカットする前のウエハ段階では、デバイス２２とデバイス２２との間にメサ溝２１が形成されることになる。

接着テープ１４を貼り付ける際、吸着テーブル３２の周縁部に設けられた吸着部３とメサ型半導体ウエハ２０の表面に格子状に形成されたメサ溝２１が連通するため、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部において吸着漏れが発生する。その結果、貼付ローラー１３による押圧力と流体供給による加圧力とをバランスさせることができず、吸着部３により保持されていないメサ型半導体ウエハ２０の中央部が撓み、メサ型半導体ウエハ２０の裏面と接着テープ１４との間に気泡が発生するという問題があった。実施の形態では、このような問題を解決するためになされたものであり、以下に詳細に説明する。

＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置の概略図である。図２は、半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブル１の平面図である。図３は、メサ型半導体ウエハ２０を下向きにした状態を示す断面図である。

図１に示すように、実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置は、半導体ウエハマウント装置は、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着した状態で、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４が貼り付けられる。実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置は、関連技術に係る半導体ウエハマウント装置に対して吸着テーブル１を除いて同じ構造であるため、ここでは吸着テーブル１のみを説明し、他の構成要素の説明は省略する。

図１～図３に示すように、吸着テーブル１は、例えば金属部材を用いて、平面視にて円形状に形成されている。吸着テーブル１は、メサ型半導体ウエハ２０が下向きに載置された状態で、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着する。吸着テーブル１は、吸着テーブル１の周縁部を形成する吸着部３、吸着溝２、および上面開放の凹部６ａを備えている。

吸着部３は凹部６ａの外周側を覆うように形成され、凹部６ａの周壁を担っている。吸着部３の上端部の全周に渡って、下方に凹む吸着溝２が形成されている。吸着溝２の幅は１ｍｍ程度であり、吸着テーブル１にメサ型半導体ウエハ２０が載置された場合、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部と吸着テーブル１の吸着部３が接触する。

吸着溝２は、吸着部３におけるメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域のうち、メサ型半導体ウエハ２０の表面に格子状に形成されたメサ溝２１に対向する位置を除く領域に形成されている。すなわち、吸着溝２は、メサ溝２１を回避するように形成され、分割された円形状になっている。なお、図２においてメサ溝２１は二点鎖線で示されている。

凹部６ａは、吸着溝２よりも内周側に形成されている。凹部６ａには、接着テープ１４がメサ型半導体ウエハ２０の裏面に貼り付けられる際に貼付ローラー１３により吸着テーブル１に加わる押圧力とのバランスを取るための流体が供給される。

図３を用いて、メサ型半導体ウエハ２０の形状について説明する。メサ型半導体ウエハ２０の厚みはプレーナー型半導体ウエハ３０と同じだが、断面形状が異なっている。メサ型半導体ウエハ２０にはメサ溝２１が形成されており、メサ溝２１の幅は３００μｍ、メサ溝２１の深さはウエハ厚み方向に２００μｍである。

次に、実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法を説明する。

先ず、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置する。次に、排気装置１２は、吸着テーブル３２に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を、吸着溝２を介して吸着させる。

次に、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける。このとき、圧力源１０は、減圧弁９を介して、加圧孔５に流体を供給し、メサ型半導体ウエハ２０と吸着テーブル３２にて密閉された空間を加圧している。

以上のように、実施の形態１に係る半導体ウエハマウント装置は、メサ型半導体ウエハ２０が下向きに載置された状態で、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着する吸着テーブル１を備え、吸着テーブル１は、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域のうち、メサ型半導体ウエハ２０の表面に格子状に形成されたメサ溝２１に対向する位置を除く領域に形成された吸着溝２と、吸着溝２よりも内周側に形成されかつ接着テープ１４が貼り付けられる際に吸着テーブル１に加わる押圧力とのバランスを取るための流体が供給される上面開放の凹部６ａとを備えている。

また、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法は、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置し、吸着テーブル１にメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着させる工程（ａ）と、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける工程（ｂ）とを備えている。

したがって、吸着溝２とメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１が連通しないため、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける際、メサ型半導体ウエハ２０における表面の周縁部の吸着漏れを抑制することができる。

これにより、貼付ローラー１３による押圧力と流体供給による加圧力をバランスさせながら、メサ型半導体ウエハ２０の平行度を保持した状態で、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付けることができる。メサ型半導体ウエハ２０の平行度を保持することにより、メサ型半導体ウエハ２０と接着テープ１４の間に気泡が発生することを抑制できる。

その結果、次工程であるダイシング工程においてチップクラックが生じることを抑制することができる。

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置について説明する。図４は、実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブル１の吸着部３の断面図である。図５は、実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置が備える吸着テーブル１の吸着部３にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置した状態を示す断面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

図４と図５に示すように、実施の形態２では、吸着テーブル１は、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域のうち、メサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置にメサ溝２１に嵌合する凸部３ａをさらに備えている。

複数の凸部３ａは、吸着テーブル１の周縁部に形成された吸着部３における複数のメサ溝２１に対向する位置に、それぞれ上方に突出するように形成されているため、複数の凸部３ａは、複数のメサ溝２１にそれぞれ嵌合するようになっている。

凸部３ａの幅は、メサ溝２１に嵌合し易いように、メサ溝２１よりも数μｍ～１００μｍ程度小さい。

次に、実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法を説明する。

先ず、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置する。次に、吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、排気装置１２は、吸着テーブル３２に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を、吸着溝２を介して吸着させる。

次に、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける。このとき、吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、圧力源１０は、減圧弁９を介して、加圧孔５に流体を供給し、メサ型半導体ウエハ２０と吸着テーブル３２にて密閉された空間を加圧している。

以上のように、実施の形態２に係る半導体ウエハマウント装置では、吸着テーブル１は、メサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域のうち、メサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置にメサ溝２１に嵌合する凸部３ａをさらに備えている。

また、実施の形態２に係る半導体装置の製造方法は、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置し、吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で吸着テーブル１にメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着させる工程（ｃ）と、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける工程（ｄ）とを備えている。

したがって、メサ型半導体ウエハ２０と吸着テーブル１の空隙体積が減少することで、吸着テーブル１の吸着能力を増加させることなく、メサ型半導体ウエハ２０における表面の周縁部の吸着漏れを一層抑制することができる。これにより、メサ型半導体ウエハ２０と接着テープ１４の間に気泡が発生することを一層抑制できることから、次工程であるダイシング工程においてチップクラックが生じることを一層抑制することができる。

＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体ウエハマウント装置について説明する。図６は、実施の形態３に係る半導体ウエハマウント装置が備えるプレート１６およびその周囲の断面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

図６に示すように、実施の形態３では、半導体ウエハマウント装置は、吸着テーブル１におけるメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域に配置される、柔軟性を有するプレート１６をさらに備えている。なお、図６は、図１における吸着テーブル１の吸着部３の左側部分に対応する拡大図である。

吸着テーブル１の吸着部３における上端部の全周に渡ってプレート１６を装着するためのプレート溝３ｂが形成されている。プレート１６は、例えばシリコーンゴムまたはテフロン（登録商標）等を用いて、円形枠状に形成されており、プレート１６の上面が吸着部３の上面に位置するようにプレート溝３ｂに装着されている。また、プレート１６は吸着溝２に連通する吸着溝１６ａを備えている。

吸着溝１６ａは、プレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域のうち、メサ型半導体ウエハ２０の表面に格子状に形成されたメサ溝２１に対向する位置を除く領域に形成されている。すなわち、吸着溝１６ａは、メサ溝２１を回避するように形成され、分割された円形状になっている。

常温では、プレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置には吸着溝１６ａが形成されておらず、その位置の上面は平面であるため、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０が下向きに載置された状態で、メサ溝２１とプレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置の上面との間にメサ溝２１の容積に相当する空隙が形成されている。吸着テーブル１が４０℃程度に加熱されることにより、プレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置の上面が上記の空隙を埋める方向に膨張する。すなわち、プレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置の上面が凸状に変形し、凸状の部分（以下「凸部」という）がメサ溝２１に嵌合した状態となる。

次に、実施の形態３に係る半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法を説明する。

先ず、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置する。次に、吸着テーブル１が４０℃程度に加熱されることにより、プレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する位置の上面が上記空隙を埋める方向に膨張し凸部に変形する。プレート１６の凸部がメサ溝２１に嵌合した状態で、排気装置１２は、吸着テーブル３２に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を、吸着溝２を介して吸着させる。

次に、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける。このとき、プレート１６の凸部がメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、圧力源１０は、減圧弁９を介して、加圧孔５に流体を供給し、メサ型半導体ウエハ２０と吸着テーブル３２にて密閉された空間を加圧している。

以上のように、実施の形態３に係る半導体ウエハマウント装置は、吸着テーブル１におけるメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部に対向する領域に配置される、柔軟性を有するプレート１６をさらに備え、プレート１６におけるメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に対向する部分が凸部に変形することにより凸部がメサ溝２１に嵌合する。

また、実施の形態３に係る半導体装置の製造方法は、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置し、吸着テーブル１の加熱により変形したプレート１６の凸部がメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で吸着テーブル１にメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着させる工程（ｅ）と、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、プレート１６の凸部がメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける工程（ｆ）とを備えている。したがって、実施の形態２の場合と同様の効果が得られる。

＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体ウエハマウント装置について説明する。図７は、実施の形態４に係る半導体ウエハマウント装置の概略図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１～３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

図７に示すように、実施の形態４では、半導体ウエハマウント装置は、吸着テーブル１に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の裏面を加圧する加圧部としての押さえ治具１５をさらに備えている。吸着テーブル１は、実施の形態２の場合と同様に凸部３ａを備えている。

押さえ治具１５は、側面視にてコの字形状であり、メサ型半導体ウエハ２０の裏面の周縁部を図７の矢印方向に加圧する治具である。押さえ治具１５は、ステンレス鋼、黄銅、またはアルミニウムを用いて形成されており、メサ型半導体ウエハ２０の裏面の周縁部を加圧するために必要な重量を有している。押さえ治具１５により吸着テーブル１に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の裏面を加圧することで、吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合するのを促進させることができる。なお、押さえ治具１５は自重により加圧するのではなく、別の機構を用いて押さえ治具１５を加圧してもよい。

次に、実施の形態４に係る半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法を説明する。

先ず、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置する。次に、押さえ治具１５をメサ型半導体ウエハ２０の裏面の周縁部に配置することにより矢印方向に加圧する。押さえ治具１５による加圧により吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、排気装置１２は、吸着テーブル３２に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を、吸着溝２を介して吸着させる。

次に、押さえ治具１５を取り外した後、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける。このとき、吸着テーブル１の凸部３ａがメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、圧力源１０は、減圧弁９を介して、加圧孔５に流体を供給し、メサ型半導体ウエハ２０と吸着テーブル３２にて密閉された空間を加圧している。

なお、吸着テーブル１が凸部３ａを備える代わりに、実施の形態３の場合と同様に、半導体ウエハマウント装置は柔軟性を有するプレート１６を備えていてもよい。

以上のように、実施の形態４に係る半導体ウエハマウント装置は、吸着テーブル１に載置されたメサ型半導体ウエハ２０の裏面を加圧する押さえ治具１５をさらに備えている。

また、実施の形態４に係る半導体装置の製造方法は、吸着テーブル１上にメサ型半導体ウエハ２０を下向きに載置し、押さえ治具１５をメサ型半導体ウエハ２０の裏面に配置する工程（ｇ）と、押さえ治具１５による加圧により凸部がメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で吸着テーブル１にメサ型半導体ウエハ２０の表面の周縁部を吸着させる工程（ｈ）と、押さえ治具１５を取り外した後、メサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を配置し、凸部がメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合した状態で、貼付ローラー１３で接着テープ１４を押圧することによりメサ型半導体ウエハ２０の裏面に接着テープ１４を貼り付ける工程（ｉ）とを備えている。

したがって、吸着テーブル１の凸部３ａまたはプレート１６の凸部がメサ型半導体ウエハ２０のメサ溝２１に嵌合し易くなる。メサ型半導体ウエハ２０と吸着テーブル１の空隙体積が減少することで、吸着テーブル１の吸着能力を増加させることなく、メサ型半導体ウエハ２０における表面の周縁部の吸着漏れを一層抑制することができる。これにより、メサ型半導体ウエハ２０と接着テープ１４の間に気泡が発生することを一層抑制できることから、次工程であるダイシング工程においてチップクラックが生じることを一層抑制することができる。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ 吸着テーブル、２ 吸着溝、３ａ 凸部、６ａ 凹部、１４ 接着テープ、１５ 押さえ治具、１６ プレート、２０ メサ型半導体ウエハ、２１ メサ溝。

Claims (8)

1. メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着した状態で、前記メサ型半導体ウエハの裏面に接着テープが貼り付けられる半導体ウエハマウント装置であって、
   前記メサ型半導体ウエハが下向きに載置された状態で、前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着する吸着テーブルを備え、
   前記吸着テーブルは、前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部に対向する領域のうち、前記メサ型半導体ウエハの表面に格子状に形成されたメサ溝に対向する位置を除く領域に形成された吸着溝と、前記吸着溝よりも内周側に形成されかつ前記接着テープが貼り付けられる際に前記吸着テーブルに加わる押圧力とのバランスを取るための流体が供給される上面開放の凹部とを備えた、半導体ウエハマウント装置。
2. 前記吸着テーブルは、前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部に対向する領域のうち、前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に対向する位置に前記メサ溝に嵌合する凸部をさらに備えた、請求項１に記載の半導体ウエハマウント装置。
3. 前記吸着テーブルにおける前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部に対向する領域に配置される、柔軟性を有するプレートをさらに備え、
   前記プレートにおける前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に対向する部分が凸部に変形することにより前記凸部が前記メサ溝に嵌合する、請求項１に記載の半導体ウエハマウント装置。
4. 前記吸着テーブルに載置された前記メサ型半導体ウエハの裏面を加圧する加圧部をさらに備えた、請求項２または請求項３に記載の半導体ウエハマウント装置。
5. 請求項１に記載の半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   （ａ）前記吸着テーブル上に前記メサ型半導体ウエハを下向きに載置し、前記吸着テーブルに前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着させる工程と、
   （ｂ）前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを配置し、貼付ローラーで前記接着テープを押圧することにより前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを貼り付ける工程と、
   を備えた、半導体装置の製造方法。
6. 請求項２に記載の半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   （ｃ）前記吸着テーブル上に前記メサ型半導体ウエハを下向きに載置し、前記吸着テーブルの前記凸部が前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に嵌合した状態で前記吸着テーブルに前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着させる工程と、
   （ｄ）前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを配置し、前記吸着テーブルの前記凸部が前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に嵌合した状態で、貼付ローラーで前記接着テープを押圧することにより前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを貼り付ける工程と、
   を備えた、半導体装置の製造方法。
7. 請求項３に記載の半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   （ｅ）前記吸着テーブル上に前記メサ型半導体ウエハを下向きに載置し、前記吸着テーブルの加熱により変形した前記プレートの前記凸部が前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に嵌合した状態で前記吸着テーブルに前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着させる工程と、
   （ｆ）前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを配置し、前記プレートの前記凸部が前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に嵌合した状態で、貼付ローラーで前記接着テープを押圧することにより前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを貼り付ける工程と、
   を備えた、半導体装置の製造方法。
8. 請求項４に記載の半導体ウエハマウント装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   （ｇ）前記吸着テーブル上に前記メサ型半導体ウエハを下向きに載置し、前記加圧部を前記メサ型半導体ウエハの裏面に配置する工程と、
   （ｈ）前記加圧部による加圧により前記凸部が前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に嵌合した状態で前記吸着テーブルに前記メサ型半導体ウエハの表面の周縁部を吸着させる工程と、
   （ｉ）前記加圧部を取り外した後、前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを配置し、前記凸部が前記メサ型半導体ウエハの前記メサ溝に嵌合した状態で、貼付ローラーで前記接着テープを押圧することにより前記メサ型半導体ウエハの裏面に前記接着テープを貼り付ける工程と、
   を備えた、半導体装置の製造方法。

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