JP7212135B2 - マグネシウムイオン選択性膜 - Google Patents
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Description
a.イオノフォア、および
b.酸性基を含む親油性化合物であって、式I
Aは酸性基を含み、
R18、R19およびR20のうちの1つ、2つまたは3つすべては、C4~18アルキル基、C4~18アルケニル基、C4~18アルキニル基またはアミド含有C4~18基であるC4~18基であり、前記C4~18基は、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有し、
他のR18、R19およびR20は、独立に、水素または直鎖C1~18アルキル基である)
の化合物である、親油性化合物、または前記親油性化合物の塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜を提供する。
i)スペーサーを介して酸性基に共有結合しているイオノフォアであって、前記スペーサーが少なくとも1個の炭素原子を含む、イオノフォア、または
ii)その塩、すなわち、スペーサーを介して酸性基に共有結合している前記イオノフォアの塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜を提供する。
さらにさらなる態様において、本発明は、液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定するための電位差測定センサーであって、本発明の膜または本発明の電極を含む、電位差測定センサーを提供する。
膜の文脈において本明細書で使用する「選択性」という用語は、特定のイオンに対する選好を指す。本明細書で使用する「選択性」は、絶対的または排他的選択性を意味しない。すなわち、膜は、複数のイオン、例えば、マグネシウムイオンおよびカルシウムイオンに対して選択性であってよい。
特に、「親油性化合物」の文脈において、本明細書で使用する「親油性」という用語は、脂肪、油、脂質または非極性溶媒に溶解する化学化合物の能力を指す。
本明細書で使用する「塩」という用語は、その負電荷を平衡させるカチオン種と共にある、酸が脱プロトン化された形態を指す。
Mw=ΣWiMi
(式中、Wiは、分子量Miを有するポリマーの重量分率である)
によって算出される、重量平均分子量を指す。
本発明者らは、当技術分野において以前に記載された膜と比較して、マグネシウムイオンに対する選択性が改善されたマグネシウムイオン選択性膜を開発した。さらに、本発明の膜は、安定で、干渉およびドリフトに対して耐性があり、迅速な立ち上がり時間を有する。
構造A:
a.イオノフォア、および
b.酸性基を含む親油性化合物であって、式I
Aは酸性基を含み、
R18、R19およびR20のうちの1つ、2つまたは3つすべては、C4~18アルキル基、C4~18アルケニル基、C4~18アルキニル基またはアミド含有C4~18基であるC4~18基であり、前記C4~18基は、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有し、
他のR18、R19およびR20は、独立に、水素または直鎖C1~18アルキル基である)
の化合物である、親油性化合物、または前記親油性化合物の塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜に関する。
さらに、上記のように、さらなる態様において、本発明は、
i)スペーサーを介して酸性基に共有結合しているイオノフォアであって、前記スペーサーが少なくとも1個の炭素原子を含む、前記イオノフォア、または
ii)その塩、すなわち、スペーサーを介して酸性基に共有結合している前記イオノフォアの塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜を提供する。
本発明のマグネシウムイオン選択性膜は、イオノフォアまたはイオノフォアの混合物を含む。本発明の膜で用いられるイオノフォアは、荷電している場合も、または荷電していない場合(中性)もある。いくつかの実施形態において、イオノフォアは親油性である。
一実施形態において、フェナントロリン化合物の2および9位の炭素原子は、水素に結合している。
R1~R6は各々、
H、
F、Cl、Br、I、NO2、CNもしくはCF3のいずれか、
C1~18アルキル、
C1~18アリール、
C1~18アルケニル、
(CH2)mY(式中、mは0または1~4の整数であり、Yは-OR7、-NR7R8、-OCOR7、-NR7COR8、-COR7、-COOR7、-SO3R7、-OSiR7R8R9、-PO4R7R8、-PO3R7R8のいずれかであり、R7、R8およびR9は各々、H、アルキル、分岐アルキル、アリールまたは置換アリールのいずれかである)、または
Cn-R10R11(式中、nは0、または1および17を含む1~17の整数であり、R10はC、N、NCOまたはCH2-Z-CH2であり、ZはO、NH、S、OCOまたはCOのいずれかであり、R11は式III
のいずれかである、但し、R1~R6のうちの1つが、H以外であり、かつ1,10-フェナントロリンの2および9位のC原子が各々、縮合環構造に関与しない結合により、Hに結合している
]
の化合物である。
置換1,10-フェナントロリン化合物は、当業者に公知の標準的な技術によって合成され得る。例えば、4-および4,7-置換1,10-フェナントロリンの合成は、参照により本明細書に組み込まれる、Lundら、J.Chem.Eng.Data、26:227-29(1981)に記載される。メチル基は、他の1,10-フェナントロリン誘導体の合成において所望の側鎖の付着のためのハンドルを提供し得、メチル置換1,10-フェナントロリンは市販されている。例えば、4-メチル、5-メチル、6-メチル、7-メチル、3,6-ジメチル、5,7-ジメチル、4,7-ジメチルおよび5,6-ジメチル-1,10-フェナントロリンはすべてAldrich Chemical Co.から入手できる。4-ウンデシル-1、10-フェナントロリンおよび4,7-ジウンデシル-1,10-フェナントロリンは、例えば、WO92/16831(Nova Biomedical Corp.)に記載されるように合成され得る。
別の実施形態において、イオノフォアは式V
別の実施形態において、イオノフォアは式VI
別の実施形態において、イオノフォアは式VII
の化合物である(nが6である場合、当技術分野においてETH5282と称され、nが8である場合、当技術分野においてETH7025と称される)。
上記のように、第1の態様において、本発明は、
a.イオノフォア、および
b.酸性基を含む親油性化合物であって、式I
Aは酸性基を含み、
R18、R19およびR20のうちの1つ、2つまたは3つすべては、C4~18アルキル基、C4~18アルケニル基、C4~18アルキニル基またはアミド含有C4~18基であるC4~18基であり、前記C4~18基は、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有し、
他のR18、R19およびR20は、独立に、水素または直鎖C1~18アルキル基である)
の化合物である、親油性化合物、または前記親油性化合物の塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜を提供する。
一実施形態において、式IのA基に含まれる酸性基は、カルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、スルホンアミド、ホスホン酸、リン酸、ヒ酸、スルフィン酸またはチオカルボン酸である。
式IX
式XIII
式XIV
式XV
式XVI
式XVIII
式XXI
式XXII
の化合物を含む。好ましくは、膜は、式VIIIの親油性化合物の塩を含む。
一実施形態において、R18、R19またはR20のうちの1つは、上に定義されるC4~18アルキル基(すなわち、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有するC4~18アルキル基)であり、他は、独立に、水素または直鎖C1~18アルキル基である。
好ましい実施形態において、親油性化合物は、塩の形態で提供される。好ましい塩はマグネシウム塩およびカルシウム塩である。
本発明のさらなる態様において、イオノフォアおよび酸性基は、別々の化合物の一部ではなく共有結合している。
・ スペーサーを介して酸性基に共有結合しているイオノフォアであって、前記スペーサーが少なくとも1個の炭素原子を含む、前記イオノフォア、または
・ スペーサーを介して酸性基に共有結合している前記イオノフォアの塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜に関する。
一実施形態において、前記スペーサーは、アルキル基、例えば、合計で1~18個の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキル基であり、アルキル基は、任意で置換されている。別の実施形態において、前記スペーサーは、直鎖アルキル基、例えば、-(CH2)n-基(式中、nは少なくとも1、例えば、1、2、3、4もしくは5、または少なくとも2である)である。
R1~R6は各々、
H、
F、Cl、Br、I、NO2、CNもしくはCF3のいずれか、
C1~18アルキル、
C1~18アリール、
C1~18アルケニル、
(CH2)mY(式中、mは0または1~4の整数であり、Yは-OR7、-NR7R8、-OCOR7、-NR7COR8、-COR7、-COOR7、-SO3R7、-OSiR7R8R9、-PO4R7R8、-PO3R7R8のいずれかであり、R7、R8およびR9は各々、H、アルキル、分岐アルキル、アリールまたは置換アリールのいずれかである)、
Cn-R10R11(式中、nは0、または1および17を含む1~17の整数であり、R10はC、N、NCOまたはCH2-Z-CH2であり、ZはO、NH、S、OCOまたはCOのいずれかであり、R11は
のいずれかである、
但し、R1~R6のうちの1つが、H以外であり、かつ1,10-フェナントロリンの2および9位のC原子が各々、縮合環構造に関与しない結合により、Hに結合しており、
R1~R6のうちの1つがスペーサーおよび酸性基を含み、好ましくは、R1またはR6はスペーサーおよび酸性基を含む]
のフェナントロリン化合物である。
別の実施形態において、R2および/またはR5は、1~18個の炭素原子を有するアリール基である。
可塑剤-本発明の膜は、典型的にはさらに可塑剤を含む。可塑剤の役割は、他の成分、例えば、イオノフォアを溶媒和したままにすることである。多くの好適な可塑剤、例えば、エステル、ホスホン酸塩およびエーテルは、当技術分野において記載されている。一実施形態において、可塑剤は、4-ヘキシルフェニル2-ニトロフェニルエーテル(NHPE)もしくは2-ニトロフェニルオクチルエーテル(NPOE)またはこれらの混合物である。一実施形態において、可塑剤、例えば、NHPEは、乾燥膜質量の約40%~80%、例えば、乾燥膜質量の50%~70%、例えば、乾燥膜質量の55%~65%を構成する。
1.カルボキシル化ポリ(塩化ビニル)またはポリ(塩化ビニル)である第1のポリマーであって、前記第1のポリマーの分子量が、100,000~500,000である、前記第1のポリマーと、
2.塩化ビニルと、親水性基を有する少なくとも1つのさらなるモノマー基とのコポリマーである第2のポリマーであって、前記第2のポリマーの分子量が100,000未満である、前記第2のポリマーと
を含み、
前記第1のポリマーが、カルボキシル化ポリ(塩化ビニル)である場合、前記第2のポリマーは前記第1のポリマーより多くの親水性基を有する。
一実施形態において、前記第1のポリマーの分子量は、少なくとも110,000、例えば、少なくとも120,000、例えば、130,000~400,000、例えば、130,000~300,000、例えば、130,000~250,000である。
さらなる態様において、本発明は、成分を溶媒中で混合し、得られた溶液を所望の支持体上に分配し、溶媒を蒸発させることによって、本発明のマグネシウムイオン選択性膜を調製する方法に関する。任意の好適な溶媒が用いられ得る。一実施形態において、溶媒はシクロヘキサノンである。支持体は柔軟性または剛性であり得る。支持体は、好ましくは非導電性材料、例えば、ケイ素、ポリマー、プリント回路基板(PCB)、フレックスPCB、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)、セラミック、アルミナ、ガラス、木材製品、フリットなどでできている。
さらなる主要な態様において、本発明は、本明細書に記載される本発明のマグネシウムイオン選択性膜を含む、イオン選択性電極に関する。電極は、厚膜方式、例えば、スクリーン印刷、輪転グラビア印刷、パッド印刷、ステンシル印刷の導電性材料、例えば、炭素、Cu、Pt、Pd、Auおよび/もしくはナノチューブなどを使用することによって、または、薄膜方式、例えば、スパッタリング、サーマルスプレーおよび/もしくはコールドスプレーの導電性材料を使用することによって支持体上に作られ得る。支持体は柔軟性または剛性であり得る。支持体は、好ましくは、非導電性材料、例えば、ケイ素、ポリマー、プリント回路基板(PCB)、フレックスPCB、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)、セラミック、アルミナ、ガラス、木材製品、フリットなどでできている。
いくつかの実施形態において、システムは、カルシウムイオンなどの他のカチオンの測定のための1つまたは複数の電極を含有し、したがって干渉は、カチオン活性の測定に基づく検体信号のケモメトリクス補正によって最小限に抑えられ得る。
上記のように、さらなる主要な態様において、本発明は、試料中のマグネシウムイオン濃度を決定するための本発明の電位差測定センサーまたは電極の使用に関する。
イオン選択性膜の調製
ヘミマグネシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェート(MgOPP)の貯蔵液を、MgOPP 1g当たりシクロヘキサノン48.28gの比でMgOPPとシクロヘキサノン(>99.8%)とを混合して調製した。化合物を室温で混合した後、室温において暗所で最低8時間撹拌するか、または37℃で最低4時間撹拌した。
親油性塩を含む膜の性能
フェナントロリンベースのイオノフォアおよび親油性テトラキスホウ酸塩を含有する2つの膜を調製して、膜の性能に対する親油性酸塩の添加の影響を試験した。試験した親油性酸塩は、ヘミカルシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェートおよびヘミカルシウムビス[4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル)-フェニル]ホスフェートであった。
・ 0.1mM~2.5mMのMg2+イオンの濃度範囲に及ぶ5種の水性試料。
・ 健康なドナーからの全血。同じ試料で5回の繰り返しの測定を行った。また、NOVABiomedicalからのNOVA8アナライザでの測定により、試料中のMg2+イオンの濃度を決定した。
・ 低および高濃度の、干渉する可能性のあるZn2+イオン:5%ウシ血清アルブミン(BSA)および血漿中の正常な生理学的濃度に対応する0.5mMの一定の濃度のMg2+イオンで調製した溶液中0μM、20μMおよび200μM
各Mg2+イオン選択性電極について、試料中のMg2+イオンの濃度(cMg)を、試料測定前に電極について決定した較正パラメーター(E0、SおよびK)の値およびCa2+イオン選択性電極で決定したCa2+イオンの濃度を利用して、特定の試料で得られた信号から算出した。イオンMg2+濃度の算出については、ニコルスキー-アイゼンマン(NE)の式を、IFCCガイドラインに従ってセンサー応答モデルとして使用した(Ben Rayanaら(2008)Clin Chem Lab Med46(1):21)。列挙されたcMg値を得るためのその後の補正は行われなかった。
膜は、公知の濃度のMg2+イオンを有する水性試料の測定に関して、同様に十分機能した。しかし、NOVA8アナライザで読み取られたcMg結果を比較すると、膜1は、膜2よりも血液試料の偏差が小さかった(表3(0.685/0.685/0.68は0.947/0.931/0.963と比べて0.614からの偏差が小さい))。また、亜鉛イオンの干渉が少ないことが膜1で観察された(表4(膜1の値(0.514/0.542/0.815)は膜2(0.777/0.888/2.896)の値より0.5mMに近い)。
単一の親油性酸または酸塩を含む膜の性能
フェナントロリンベースのイオノフォアおよび単一の親油性塩を含有する5つの膜を調製して、膜の性能に対する単一の親油性酸(または酸塩)の添加の影響を試験した。4種の親油性酸(酸塩):Mx={カルシウム;マグネシウム}であるヘミMxビス[4-オクチルフェニル]ホスフェート[Mx(OPP)2]、4-オクチル安息香酸(OBA)、4-オクチルベンゼンスルホン酸ナトリウム(OBS)および4-ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム(DBS)を試験した。イオン選択性電極において標準として用いられる親油性塩:テトラキス(4-クロロフェニル)ホウ酸カリウムも試験した。
・ SSM(単独液法)溶液:一方の試料が100mM Mg2+イオンを含有し、他方の試料が100mM Ca2+イオンを含有する、2種の水性試料。試料はいずれも、37℃でpH=7.4に滴定した5mM HEPESバッファーおよび160mMのイオン強度(NaClの添加により調整)の一定のバックグラウンドを有していた。
・ FIM(固定干渉法)溶液:1.25mM Ca2+イオン、37℃でpH=7.4に滴定した5mM HEPESバッファーおよび160mMのイオン強度(NaClの添加により調整)の一定のバックグラウンドで、様々な濃度のMg2+イオン{0.01;0.05;0.10;0.50;1.00;5.00;10.00;50.00}を有する8種の水性試料。
・ 標準溶液:1.25mM Ca2+イオン、37℃でpH=7.4に滴定した5mM HEPESバッファーおよび160mMのイオン強度(NaClの添加により調整)の一定のバックグラウンドにおける、0.2mM~2.5mMのMg2+イオンの生理学的に適切な濃度範囲に及ぶ5種の水性試料。
OPPおよびDBS膜は、FIM溶液で広がる上位のcMg範囲において直線的な応答勾配になる(図1)。応答勾配は、二価イオンに対する理論上予想されるNernstの感度(約30mV/decade)に近い(表5)。他の3つの膜は、前記範囲内で直線的な応答勾配にならず、したがってFIM溶液に基づく意味のある選択係数を算出できない。したがって、cMgの変化に対する応答信号の変化が、その範囲でゼロではないにせよ非常に低いため、これらの膜は、生理学的cCaおよびcNaバックグラウンドレベルで生理学的に適切なcMg範囲(0.2~2.5mM)内での測定に即座に適用できない(図1)。しかし、OBAおよびOBS膜は、テトラキス変異体と比較して(以下を参照のこと)、Ca2+とNa+イオンの両方と比べてMg選択性の改善を示し、したがって、より高いMg範囲に使用できたか、または成分量のいくつかの最適化により、生理学的範囲により適したものにすることができた。注目すべきなのは、テトラキス膜は、cMg=50mMのFIM溶液に対して負の信号応答を有する。ナトリウムイオンの濃度は、他のFIM溶液(約124~155mM)と比較して、この溶液(約20mM)において非常に低く、これは、テトラキス膜が、ナトリウムイオンからの高レベルの干渉に影響を受けることを示す。
代替イオノフォアを含む膜の性能
Mg選択性イオノフォアおよび単一の親油性塩を含有する5つの膜を調製して、単一の親油性酸(または酸塩)と組み合わせて代替イオノフォアを使用した場合の膜の性能に対する影響を試験した。3種のイオノフォア:4,7-ジウンデシル-1,10-フェナントロリン[DUP]、4-ウンデシル-1,10-フェナントロリン[MUP]およびETH5506を、親油性塩としてMx(OPP)2(Mx={カルシウム;マグネシウム}であるヘミMxビス[4-オクチルフェニル]ホスフェート)と組み合わせて試験した。DUPおよびETH5506も、親油性塩としてテトラキス(テトラキス-(4-クロロフェニル)ホウ酸カリウム)と組み合わせて試験した。
DUP_OPPおよびMUP_OPP膜は、FIM溶液で広がる上位のcMg範囲において直線的な応答勾配になる(図2)。応答勾配は、二価イオンに対する理論上予想されるNernstの感度(約30mV/decade)に近い(表7)。他の3つの膜は、前記範囲内で直線的な応答勾配にならず、したがってFIM溶液に基づく意味のある選択係数を算出できない。したがって、cMgの変化に対する応答信号の変化が、その範囲でゼロではないにせよ非常に低いため、これらの膜は、生理学的cCaおよびcNaバックグラウンドレベルで生理学的に適切なcMg範囲(0.2~2.5mM)内の測定に即座に適用できない(図2)。しかし、ETH5506_OPP膜は、テトラキス変異体と比較して(以下を参照のこと)、ナトリウムイオンからの干渉が低いことを示し、したがって、より高いMg範囲に使用できたか、または成分量のいくつかの最適化により、生理学的範囲により適したものにすることができた。注目すべきなのは、テトラキス塩を含有する膜はいずれも(DUP_テトラキスおよびETH5506_テトラキス)は、cMg=50mMのFIM溶液に対して負の信号応答を有する。ナトリウムイオンの濃度は、他のFIM溶液(約124~155mM)と比較して、この溶液(約20mM)において非常に低く、これは、テトラキスを含有する膜が、ナトリウムイオンからの高レベルの干渉に影響を受けることを示す。
本明細書は以下の発明の態様を包含する。
[1] a.イオノフォア、および
b.酸性基を含む親油性化合物であって、式I
Aは酸性基を含み、
R 18 、R 19 およびR 20 のうちの1つ、2つまたは3つすべては、C 4~18 アルキル基、C 4~18 アルケニル基、C 4~18 アルキニル基またはアミド含有C 4~18 基であるC 4~18 基であり、前記C 4~18 基は、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有し、
他のR 18 、R 19 およびR 20 は、独立に、水素または直鎖C 1~18 アルキル基である)
の化合物である、親油性化合物、または前記親油性化合物の塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜。
[2] イオノフォアが荷電していない、[1]に記載の膜。
[3] イオノフォアが、1,10-フェナントロリンまたはその置換形態であるフェナントロリン化合物である、[1]または[2]に記載の膜。
[4] フェナントロリン化合物が、式II
R 1 ~R 6 は各々、
H、
F、Cl、Br、I、NO 2 、CNもしくはCF 3 のいずれか、
C 1~18 アルキル、
C 1~18 アリール、
C 1~18 アルケニル、
(CH 2 ) m Y(式中、mは0または1~4の整数であり、Yは-OR 7 、-NR 7 R 8 、-OCOR 7 、-NR 7 COR 8 、-COR 7 、-COOR 7 、-SO 3 R 7 、-OSiR 7 R 8 R 9 、-PO 4 R 7 R 8 、-PO 3 R 7 R 8 のいずれかであり、R 7 、R 8 およびR 9 は各々、H、アルキル、分岐アルキル、アリールまたは置換アリールのいずれかである)、または
C n -R 10 R 11 (式中、nは0、または1および17を含む1~17の整数であり、R 10 はC、N、NCOまたはCH 2 -Z-CH 2 であり、ZはO、NH、S、OCOまたはCOのいずれかであり、R 11 は
のいずれかである、
但し、R 1 ~R 6 のうちの1つが、H以外であり、かつ1,10-フェナントロリンの2および9位のC原子が各々、縮合環構造に関与しない結合により、Hに結合している]
の化合物である、[3]に記載の膜。
[5] R 1 ~R 6 が、合計で少なくとも6個の炭素原子、例えば、合計で少なくとも11個の炭素原子を含む、[4]に記載の膜。
[6] R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 およびR 6 のうちの1つまたは複数が、1~18個の炭素原子を有するアルキル基であり、例えば、R 2 および/またはR 5 が、1~18個の炭素原子を有するアルキル基である、[4]または[5]に記載の膜。
[7] フェナントロリン化合物が、4-ウンデシル-1,10-フェナントロリンまたは4,7-ジウンデシル-1,10-フェナントロリンである、[4]から[6]のいずれか一項に記載の膜。
[8] 式IのA基に含まれる酸性基が、カルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、スルホンアミド、ホスホン酸、リン酸、ヒ酸、スルフィン酸またはチオカルボン酸からなる群から選択される、[1]から[7]のいずれか一項に記載の膜。
[9] 親油性化合物が、次式
[10] R 18 、R 19 またはR 20 のうちの1つのみが、[1]に定義されるC 4~18 アルキル基であり、他は、水素、または直鎖C 1~18 アルキル基であり、好ましくは、他は水素である、[1]から[9]のいずれか一項に記載の膜。
[11] R 19 が、[1]に定義されるC 4~18 アルキル基であり、R 18 およびR 20 が、水素である、[1]から[10]のいずれか一項に記載の膜。
[12] 前記C 4~18 アルキル基(複数可)が、少なくとも6個、例えば、少なくとも8個の炭素原子を含む、[1]から[11]のいずれか一項に記載の膜。
[13] 親油性化合物が、親油性塩であり、前記親油性塩が、ヘミカルシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェート、ヘミマグネシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェートまたはこれらの混合物である、[1]から[12]のいずれか一項に記載の膜。
[14] 親油性塩が、少なくとも50%のヘミマグネシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェート、例えば、80%~90%のヘミマグネシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェートを含有する混合物である、[13]に記載の膜。
[15] イオノフォアと親油性化合物または親油性塩のアニオンとのモル比が、2:1~1:1、例えば、1.8:1~1.2:1のモル比である、[1]から[14]のいずれか一項に記載の膜。
[16] i)スペーサーを介して酸性基に共有結合しているイオノフォアであって、前記スペーサーが少なくとも1個の炭素原子を含む、前記イオノフォア、または
ii)酸性基に共有結合している前記イオノフォアの塩
を含む、マグネシウムイオン選択性膜。
[17] マグネシウムイオン選択性膜を調製する方法であって、[1]から16のいずれか一項に記載の成分を溶媒中で混合するステップと、得られた溶液を所望の支持体上に分配するステップと、前記溶媒を蒸発させるステップとを含む、方法。
[18] 液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定するための電極であって、[1]から[16]のいずれか一項に記載の膜を含む、電極。
[19] 液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定するための電位差測定センサーであって、[18]に記載の電極および参照電極を含む、電位差測定センサー。
[20] 液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定する方法であって、前記試料と[18]に記載の電極または[19]に記載の電位差測定センサーとを接触させるステップと、前記電極または電位差測定センサーから得られる信号に基づき前記マグネシウムイオン濃度を決定するステップとを含む、方法。
[21] 疾患または障害を診断する方法であって、[20]に記載の方法を対象の試料について行うステップを含む、方法。
Claims (19)
- a.イオノフォア、および
b.酸性基を含む親油性化合物であって、式I
Aは酸性基を含み、
R18、R19およびR20のうちの1つ、2つまたは3つすべては、C4~18アルキル基、C4~18アルケニル基、C4~18アルキニル基またはアミド含有C4~18基であるC4~18基であり、前記C4~18基は、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有し、
他のR18、R19およびR20は、独立に、水素または直鎖C1~18アルキル基である)
の化合物である、親油性化合物、または前記親油性化合物の塩
を含み、
イオノフォアが、1,10-フェナントロリンまたはその置換形態であるフェナントロリン化合物である、マグネシウムイオン選択性膜。 - イオノフォアが荷電していない、請求項1に記載の膜。
- フェナントロリン化合物が、式II
R1~R6は各々、
H、F、Cl、Br、I、NO2、CNもしくはCF3のいずれか、
C1~18アルキル、
C1~18アリール、
C1~18アルケニル、
(CH2)mY(式中、mは0または1~4の整数であり、Yは-OR7、-NR7R8、-OCOR7、-NR7COR8、-COR7、-COOR7、-SO3R7、-OSiR7R8R9、-PO4R7R8、-PO3R7R8のいずれかであり、R7、R8およびR9は各々、H、アルキル、分岐アルキル、アリールまたは置換アリールのいずれかである)、または
Cn-R10R11(式中、nは0、または1および17を含む1~17の整数であり、R10はC、N、NCOまたはCH2-Z-CH2であり、ZはO、NH、S、OCOまたはCOのいずれかであり、R11は
のいずれかである、
但し、R1~R6のうちの1つが、H以外であり、かつ1,10-フェナントロリンの2および9位のC原子が各々、縮合環構造に関与しない結合により、Hに結合している]
の化合物である、請求項1又は2に記載の膜。 - R1~R6が、合計で少なくとも6個の炭素原子を含む、請求項3に記載の膜。
- R1、R2、R3、R4、R5およびR6のうちの1つまたは複数が、1~18個の炭素原子を有するアルキル基である、請求項3または4に記載の膜。
- フェナントロリン化合物が、4-ウンデシル-1,10-フェナントロリンまたは4,7-ジウンデシル-1,10-フェナントロリンである、請求項3から5のいずれか一項に記載の膜。
- 式IのA基に含まれる酸性基が、カルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、スルホンアミド、ホスホン酸、リン酸、ヒ酸、スルフィン酸またはチオカルボン酸からなる群から選択される、請求項1から6のいずれか一項に記載の膜。
- R18、R19またはR20のうちの1つのみが、請求項1に定義されるC4~18アルキル基であり、他は、水素、または直鎖C1~18アルキル基である、請求項1から8のいずれか一項に記載の膜。
- R19が、請求項1に定義されるC4~18アルキル基であり、R18およびR20が、水素である、請求項1から9のいずれか一項に記載の膜。
- 前記C4~18アルキル基(複数可)が、少なくとも6個の炭素原子を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の膜。
- 親油性化合物が、親油性塩であり、前記親油性塩が、ヘミカルシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェート、ヘミマグネシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェートまたはこれらの混合物である、請求項1から11のいずれか一項に記載の膜。
- 親油性塩が、少なくとも50%のヘミマグネシウムビス[4-オクチルフェニル]ホスフェートを含有する混合物である、請求項12に記載の膜。
- イオノフォアと親油性化合物または親油性塩のアニオンとのモル比が、2:1~1:1のモル比である、請求項1から13のいずれか一項に記載の膜。
- 請求項1から14のいずれか一項に記載のマグネシウムイオン選択性膜を調製する方法であって、イオノフォア、および酸性基を含む親油性化合物を溶媒中で混合するステップ、ここで、親油性化合物は、式I
Aは酸性基を含み、
R18、R19およびR20のうちの1つ、2つまたは3つすべては、C4~18アルキル基、C4~18アルケニル基、C4~18アルキニル基またはアミド含有C4~18基であるC4~18基であり、前記C4~18基は、フェニル基から数えて1、2および3位が直鎖であるか、または前記1、2および3位に合計で側鎖を1つのみ有し、
他のR18、R19およびR20は、独立に、水素または直鎖C1~18アルキル基である)
の化合物である、親油性化合物、または前記親油性化合物の塩である、と、得られた溶液を所望の支持体上に分配するステップと、前記溶媒を蒸発させるステップとを含み、イオノフォアが、1,10-フェナントロリンまたはその置換形態であるフェナントロリン化合物である、方法。 - 液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定するための電極であって、請求項1から14のいずれか一項に記載の膜を含む、電極。
- 液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定するための電位差測定センサーであって、請求項16に記載の電極および参照電極を含む、電位差測定センサー。
- 液体試料のマグネシウムイオン濃度を決定する方法であって、前記試料と請求項16に記載の電極または請求項17に記載の電位差測定センサーとを接触させるステップと、前記電極または電位差測定センサーから得られる信号に基づき前記マグネシウムイオン濃度を決定するステップとを含む、方法。
- 請求項18に記載の方法であって、液体試料がヒト対象の試料であり、マグネシウムイオン濃度の決定が対象の疾患または障害を診断するために使用される方法。
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