JP7205633B2 - 樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層が積層されて形成された樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法に関する。

従来、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層して熱圧着してなる積層体と、積層体に形成される導体パターンと、を備える樹脂多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、熱圧着時の樹脂層の流動による導体パターンの位置ずれに起因する、導体パターン同士の短絡を防止するため、導体パターンの少なくとも一方面側に保護被膜を形成した樹脂多層基板が開示されている。上記保護被膜は、熱圧着時のプレス温度よりも低い温度で熱硬化する熱硬化性樹脂の保護膜、または酸化膜である。

国際公開第２０１８／０７４１３９号

しかし、特許文献１に示される保護被膜は、熱圧着時のプレス温度での流動性が樹脂層よりも低く、熱圧着時に、保護被膜および導体パターンによってできた段差部（樹脂層の表面からの段差部）は大きい。そのため、樹脂層で上記導体パターンを覆うように複数の樹脂層を積層して熱圧着する際、上記樹脂層を導体パターンおよび保護被膜の形状に沿って変形させるのが難しく、熱圧着後に上記段差部に起因する隙間が生じて、樹脂多層基板の剥離等の原因となる場合がある。なお、上記隙間が生じることを防ぐため、熱圧着時に高い圧力や高温を加えると、樹脂層の流動が大きくなって、導体パターンの位置ずれ等に起因する樹脂多層基板の電気的特性が変化しやすくなる。

特に、上記保護被膜を酸化膜で形成する場合には、樹脂層上に設けられた導体パターンの表面に、酸化膜を形成するための加熱工程等が必要となり、工程が煩雑化する。また、上記加熱工程で高温をかけると樹脂層や導体パターンの変形や位置ずれが生じ、熱圧着後（積層後）の樹脂多層基板の電気的特性が変化してしまう虞もある。

本発明の目的は、保護被膜で導体パターンを被覆することで導体パターン同士の短絡を抑制しつつ、熱圧着後に積層体の内部に形成される隙間の発生を抑制可能な樹脂多層基板、およびその製造方法を提供することにある。

本発明の樹脂多層基板は、第１熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層して熱圧着してなる積層体と、前記積層体の内部に形成される第１導体パターンと、前記積層体の内部に形成され、少なくとも前記第１導体パターンの一方面および側面を被覆する、第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜と、を備え、前記第１熱可塑性樹脂および前記第２熱可塑性樹脂は、所定のプレス温度以下で軟化し、前記第２熱可塑性樹脂は前記第１熱可塑性樹脂よりも前記所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度で貯蔵弾性率が低くなることを特徴とする。

また、本発明の樹脂多層基板は、前記第１熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層して熱圧着してなる積層体と、前記積層体の内部に形成される第１導体パターンと、前記積層体の内部に形成され、少なくとも前記第１導体パターンの一方面および側面を被覆する、第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜と、を備え、前記第１熱可塑性樹脂および前記第２熱可塑性樹脂は、所定のプレス温度以下で軟化し、前記第２熱可塑性樹脂は、前記第１熱可塑性樹皮よりも軟化点が低くなる、ことを特徴とする。

上述の構成によれば、積層体の形成時の加熱後、温度が下がって複数の樹脂層が硬化した後に、第１導体パターンの周辺に隙間が生じたとしても、第１導体パターン周辺に存在する軟化した第１保護被膜によって上記隙間が充填される。そのため、熱圧着後に積層体の内部に形成される隙間の発生が抑制され、上記隙間を起点とする層剥離が抑制される。

さらに、上述の構成によれば、積層体の形成時の加熱後、温度が下がっていく際に第１熱可塑性樹脂（複数の樹脂層）は第２熱可塑性樹脂（第１保護被膜）よりも先に硬化する。これにより、軟化した状態の第１保護被膜は周囲の第１熱可塑性樹脂によって拘束され、第１保護被膜の大幅な流動が抑制され、第１導体パターンの大きな変形や位置ずれが抑制される。そのため、熱圧着後の第１導体パターンの変形や位置ずれに起因する電気的特性の変化を抑制できる。

本発明の樹脂多層基板の製造方法は、
第１熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層のうち第１樹脂層に、前記第１熱可塑性樹脂よりも前記所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度で貯蔵弾性率が低くなる第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜を形成する、被膜形成工程と、
前記第１保護被膜の表面に第１導体パターンを形成する、導体パターン形成工程と、
前記導体パターン形成工程の後、前記第１樹脂層を含む前記複数の樹脂層を積層し、所定のプレス温度で熱圧着して積層体を形成するとともに、前記積層体の内部に配置される前記第１導体パターンの少なくとも一方面および側面を、前記第１保護被膜で被覆する、積層体形成工程と、
を備えることを特徴とする。

一方面に保護被膜が形成された導体パターン上を樹脂層で覆うように積層した、複数の樹脂層を熱圧着する際、上記樹脂層を導体パターンの形状に沿って変形させるのは難しく、保護被膜と導体パターンとによってできる段差部には熱圧着後に隙間が生じやすい。そして、このような異種材料の界面に隙間がある場合には、その隙間を起点とする層剥離が生じやすい。一方、上記製造方法によれば、熱圧着の加熱後に温度が下がったときに、第１導体パターンの周辺に隙間が生じた場合でも、上記第１導体パターン周辺に存在する軟化した第１保護被膜が変形して上記隙間は充填される。すなわち、上記製造方法によれば、積層体の内部に隙間を生じないように、熱圧着時に高い圧力や高温を加える必要がない。

なお、熱圧着の加熱後、温度が下がっていく際に第１熱可塑性樹脂（複数の樹脂層）は第２熱可塑性樹脂（第１保護被膜）よりも先に硬化する。これにより、軟化した状態の第１保護被膜は周囲の第１熱可塑性樹脂によって拘束されるため、第１保護被膜の大幅な流動が抑制され、第１導体パターンの大きな変形や位置ずれが抑制される。

また、例えば保護被膜を酸化膜で形成する場合には、樹脂層上に設けられた導体パターンの表面に酸化膜を形成するための加熱工程等が必要となり、製造工程が煩雑化する。さらに、上記加熱工程で高温をかけると樹脂層の流動による導体パターンの変形や位置ずれが生じ、熱圧着後の樹脂多層基板の電気的特性が変化する虞もある。一方、上記製造方法によれば、複数の樹脂層を熱圧着（加熱プレス）するだけで、第１導体パターンの少なくとも一方面および側面が第１保護被膜で被覆された構造の樹脂多層基板を得られる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

本発明によれば、保護被膜で導体パターンを被覆することで導体パターン同士の短絡を抑制しつつ、熱圧着後に積層体の内部に形成される隙間の発生を抑制可能な樹脂多層基板を実現できる。

図１は、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。 図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、樹脂多層基板１０１の内部の構成を示す部分断面図である。図２（Ａ）は樹脂多層基板１０１の熱圧着後の段階での断面図であり、図１におけるＡ－Ａ断面図である。図２（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の熱圧着前の段階での断面図である。 図３は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図４は、第１熱可塑性樹脂および第２熱可塑性樹脂の温度と貯蔵弾性率との関係を示す図である。 図５は、比較例である樹脂多層基板１００の内部の構成を示す部分断面図である。 図６は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の内部の構成を示す部分断面図である。 図７（Ａ）および図７（Ｂ）は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の内部の構成を示す部分断面図である。図７（Ａ）は樹脂多層基板１０３の熱圧着後の段階での断面図であり、図７（Ｂ）は樹脂多層基板１０３の熱圧着前の段階での断面図である。 図８（Ａ）および図８（Ｂ）は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の内部の構成を示す部分断面図である。図８（Ａ）は樹脂多層基板１０４の熱圧着後の段階での断面図であり、図８（Ｂ）は樹脂多層基板１０４の熱圧着前の段階での断面図である。 図９は、第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の外観斜視図である。 図１０は、樹脂多層基板１０５の分解斜視図である。 図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、樹脂多層基板１０５の内部の構成を示す断面図である。図１１（Ａ）は樹脂多層基板１０５の熱圧着後の段階での断面図であり、図９におけるＢ－Ｂ断面図である。図１１（Ｂ）は樹脂多層基板１０５の熱圧着前の段階での断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、樹脂多層基板１０１の内部の構成を示す部分断面図である。図２（Ａ）は樹脂多層基板１０１の熱圧着後の段階での断面図であり、図１におけるＡ－Ａ断面図である。図２（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の熱圧着前の段階での断面図である。

樹脂多層基板１０１は、積層体１０、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂ、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ、第１保護被膜２１、第２保護被膜２２および層間接続導体Ｖ１等を備える。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。積層体１０は、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂ、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ、第１保護被膜２１、第２保護被膜２２および層間接続導体Ｖ１は、積層体１０の内部に形成されている。

積層体１０は、樹脂層１３，１２，１１の順に積層して熱圧着して形成される。樹脂層１１，１２，１３は、いずれも長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。樹脂層１１，１２，１３は第１熱可塑性樹脂からなる樹脂シートである。第１熱可塑性樹脂は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）である。

本実施形態では、樹脂層１２が本発明の「第１樹脂層」に相当し、樹脂層１３が本発明の「第２樹脂層」に相当する。

樹脂層１２の表面側には、２つの第１保護被膜２１および第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂが設けられている。２つの第１保護被膜２１は、それぞれ第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（図２（Ａ）における第１導体パターン３１Ａ、３１Ｂの下面）および側面を被覆する、第２熱可塑性樹脂からなる保護膜である。第２熱可塑性樹脂は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂である。また、樹脂層１２には層間接続導体Ｖ１が形成されている。

樹脂層１３の表面側には、２つの第２保護被膜２２および第２導体パターン３２Ａ、３２Ｂが設けられている。２つの第２保護被膜２２は、それぞれ第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面（図２（Ａ）における第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの下面）および側面を被覆する、第２熱可塑性樹脂からなる保護膜である。

図２（Ａ）に示すように、第１導体パターン３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ｂは、Ｚ軸方向（複数の樹脂層１１，１２，１３の積層方向）から視て、部分的に重なっている。第１導体パターン３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ｂは、層間接続導体Ｖ１を介して互いに接続されている。

また、図２（Ａ）に示すように、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂは、Ｚ軸方向において、第１保護被膜２１に対して第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂとは反対側（－Ｚ方向側）に位置している。また、第１保護被膜２１は、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂとの間で、且つ、少なくとも第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂが互いに最も近接する箇所に配置されている。

樹脂層１１～１３（第１熱可塑性樹脂）および保護被膜（第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）は、いずれも所定のプレス温度以下で軟化する（貯蔵弾性率が低くなる）樹脂材料である。なお、樹脂層１１～１３は、保護被膜よりも低温（所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度）で軟化する。また、保護被膜と導体パターンとの密着性は、樹脂層１１～１３と導体パターンとの密着性よりも高い。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図３は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。図４は、第１熱可塑性樹脂および第２熱可塑性樹脂の温度と貯蔵弾性率との関係を示す図である。なお、図３では、説明の都合上、ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板１０１が含まれる基板を言う。なお、図４中のＲ．Ｔは常温（Ｒｏｏｍ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）であり、ＰＭＴは熱圧着時の最高温度である。

まず、図３中の（１）に示すように、第１熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１，１２，１３を準備し、樹脂層１２（第１樹脂層）に第１保護被膜２１を形成し、樹脂層１３（第２樹脂層）に第２保護被膜２２を形成する。第１保護被膜２１および第２保護被膜２２は、第２熱可塑性樹脂からなる。その後、第１保護被膜２１の表面に第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂを形成し、第２保護被膜２２の表面に第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂを形成する。第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（下面）は第１保護被膜２１に接しており、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面（下面）は第２保護被膜２２に接している。第２熱可塑性樹脂は、第１熱可塑性樹脂よりも低温（前記所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度）で貯蔵弾性率が低くなる樹脂材料である。

具体的には、樹脂層１２，１３の表面全体に保護被膜を貼り付けた後、保護被膜の表面に第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂをそれぞれ形成し、上記保護被膜をエッチングすることで第１保護被膜２１および第２保護被膜２２を形成する。なお、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂを表面に形成した保護被膜を、樹脂層１２，１３に貼り付けた後、その保護被膜をエッチングすることで第１保護被膜２１および第２保護被膜２２を形成してもよい。

第１熱可塑性樹脂は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）である。第２熱可塑性樹脂は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂である。また、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂは、例えば保護被膜の表面に金属箔（Ｃｕ箔）をラミネートし、ラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで形成される。

第１樹脂層（樹脂層１２）に第１保護被膜２１を形成するこの工程が、本発明の「被膜形成工程」に一例である。また、第１保護被膜２１の表面に、一方面が第１保護被膜２１に接する第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂを形成するこの工程が、本発明の「導体パターン形成工程」の一例である。なお、本実施形態の「被膜形成工程」には、第２樹脂層（樹脂層１３）に第２保護被膜２２を形成する工程が含まれる。また、本実施形態の「導体パターン形成工程」には、第２保護被膜２２の表面に、一方面が第２保護被膜２２に接する第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂを形成する工程（第２樹脂層に第２導体パターンを設ける工程）が含まれる。

また、樹脂層１２には層間接続導体Ｖ１が形成される。具体的には、層間接続導体Ｖ１は、樹脂層１２の裏面からレーザー等で貫通孔（樹脂層１２および第１保護被膜２１を貫通する孔）を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の熱圧着（加熱プレス）で硬化させることによって設けられる。

次に、図３中の（２）に示すように、樹脂層１３，１２，１１の順に積層（載置）する。このとき、Ｚ軸方向において、第１保護被膜２１に対して第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂ側とは反対側に第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂが位置するように、複数の樹脂層１１～１３は積層される。

その後、図３中の（３）に示すように、積層した複数の樹脂層１１～１３を所定のプレス温度（約２００℃～３００℃）で熱圧着（加熱プレス）することにより、図３中の（４）に示す積層体１０を形成する。

具体的には、熱圧着する際に、図４に示す第２温度ＳＴ２に達することで、樹脂層１１，１２間に挟まれる第１保護被膜２１が軟化し、樹脂層１２，１３間に挟まれる第２保護被膜２２が軟化する。これにより、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一部が第１保護被膜２１に埋設され、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（下面）および側面が第１保護被膜２１で覆われる。また、これにより、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一部が第２保護被膜２２に埋設され、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面（下面）および側面が第２保護被膜２２で覆われる。第２温度ＳＴ２は、保護被膜を構成する第２熱可塑性樹脂が軟化する温度であり、例えば１００℃～２５０℃である。

このようにして、積層体１０の内部に配置される第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（図３における第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの下面）および側面は、第１保護被膜２１で被覆される。また、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面（図３における第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの下面）および側面は、第２保護被膜２２で被覆される。

その後、加熱を続けることで温度がさらに上昇し、第２温度ＳＴ２よりも高い第１温度ＳＴ１に達することで、複数の樹脂層１１～１３の表面も軟化し、樹脂層１１～１３同士の界面が接着される。第１温度ＳＴ１は、樹脂層１１～１３を構成する第１熱可塑性樹脂が軟化する温度であり、例えば２００℃～３００℃である。

なお、本明細書中の「軟化」とは物体が流動しやすい状態（軟化点ＳＰ）になることを言い、例えば貯蔵弾性率が１０^７～１０^９Ｐａの状態である。また、「軟化点」とは軟化し始める温度である。

その後、加熱をやめて温度が下がるにつれて、樹脂層１１～１３、保護被膜（第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）の順に硬化していく。なお、保護被膜が軟化する第２温度ＳＴ２は、樹脂層１１～１３が軟化する第１温度ＳＴ１よりも低い。そのため、第１温度ＳＴ１よりも低い温度まで下がってきて樹脂層１１～１３が硬化しても、第２温度ＳＴ２を下回るまでは保護被膜は軟化している。したがって、第１温度ＳＴ１よりも低い温度まで下がったときに、積層体の内部の導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）周辺に隙間が生じたとしても、導体パターン周辺に存在する軟化した保護被膜が変形して上記隙間は充填される。

複数の樹脂層１１～１３を積層し、所定のプレス温度で熱圧着して積層体１０を形成するとともに、積層体１０内部に配置される第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの少なくとも一方面および側面を、第１保護被膜２１で被覆するこの工程が、本発明の「積層体形成工程」の一例である。

本実施形態に係る製造方法によれば、次のような効果を奏する。

一方面に保護被膜が形成された導体パターン上を樹脂層で覆うように積層した、複数の樹脂層を熱圧着する際、上記樹脂層を導体パターンの形状に沿って変形させるのは難しく、保護被膜と導体パターンとによってできる段差部には熱圧着後に隙間が生じやすい。そして、このような異種材料の界面に隙間がある場合には、その隙間を起点とする層剥離が生じやすい。一方、本実施形態に係る製造方法によれば、熱圧着の加熱後に第１温度ＳＴ１よりも低い温度まで下がったときに、導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の周辺に隙間が生じた場合でも、上記導体パターン周辺に存在する軟化した保護被膜（第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）が変形して上記隙間は充填される。すなわち、上記製造方法によれば、積層体の内部に隙間を生じないように、熱圧着時に高い圧力や高温を加える必要がない。

なお、熱圧着の加熱後、温度が下がっていく際に樹脂層１１～１３（第１熱可塑性樹脂）は保護被膜（第２熱可塑性樹脂）よりも先に硬化する。これにより、軟化した状態の保護被膜は周囲の樹脂（第１熱可塑性樹脂）によって拘束されるため、保護被膜の大幅な流動が抑制され、上記導体パターンの大きな変形や位置ずれが抑制される。

また、例えば保護被膜を酸化膜で形成する場合には、樹脂層上に設けられた導体パターンの表面に酸化膜を形成するための加熱工程等が必要となり、製造工程が煩雑化する。さらに、上記加熱工程で高温をかけると樹脂層の流動による導体パターンの変形や位置ずれが生じ、熱圧着後の樹脂多層基板の電気的特性が変化する虞もある。一方、上記製造方法によれば、複数の樹脂層１１～１３を熱圧着（加熱プレス）するだけで、導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の少なくとも一方面および側面が保護被膜で被覆された構造の樹脂多層基板１０１を得られる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

このように上記製造方法によれば、導体パターン同士の短絡を抑制しつつ、熱圧着後に積層体内部に形成される隙間の発生と、導体パターンの変形や位置ずれに起因する電気的特性の変化とを抑制した樹脂多層基板１０１を、容易に得られる。

次に、本実施形態に係る樹脂多層基板１０１の効果について、比較例を挙げて説明する。図５は、比較例である樹脂多層基板１００の内部の構成を示す部分断面図である。

比較例である樹脂多層基板１００は、Ｚ軸方向に対向する第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂとの間に保護被膜が配置されていない点で、樹脂多層基板１０１と異なる。すなわち、樹脂多層基板１００の保護被膜（第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）は、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂが互いに最も近接する箇所には配置されていない。樹脂多層基板１００の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

図５に示すように、Ｚ軸方向に対向する第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂとの間に保護被膜が配置されていない場合、熱圧着時の樹脂の流動に伴う導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の位置ずれや変形によって、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂとが短絡する虞がある。これに対して、本実施形態に係る樹脂多層基板１０１では、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（下面）が第１保護被膜２１で被覆されている。そして、第１保護被膜２１は、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂとの間で、且つ、少なくとも第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂが互いに最も近接する箇所に配置されている。この構成により、熱圧着時の樹脂の流動に伴う第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの短絡が抑制される。

また、上述したように本実施形態では、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの少なくとも一方面および側面を被覆する第１保護被膜２１が、積層体１０を構成する樹脂層１１～１３よりも低温（所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度）で貯蔵弾性率が低くなる。この構成によれば、積層体の形成時の加熱後、温度が下がって樹脂層１１～１３が硬化した後に、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの周辺に隙間が生じたとしても、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂ周辺に存在する軟化した第１保護被膜２１によって上記隙間が充填される。そのため、熱圧着後に積層体１０の内部に形成される隙間の発生が抑制され、上記隙間を起点とする層剥離が抑制される。

さらに、本実施形態では、積層体の形成時の加熱後、温度が下がっていく際に第１熱可塑性樹脂（樹脂層１１～１３）は第２熱可塑性樹脂（第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）よりも先に硬化する。これにより、軟化した状態の保護被膜は周囲の樹脂（第１熱可塑性樹脂）によって拘束され、保護被膜の大幅な流動が抑制され、導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の大きな変形や位置ずれが抑制される。そのため、熱圧着後の上記導体パターンの変形や位置ずれに起因する電気的特性の変化を抑制できる。

さらに、本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、第１保護被膜２１だけでなく、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの少なくとも一方面および側面を被覆する第２保護被膜２２を備える。この構成により、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの短絡だけでなく、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂと他の導体パターン（不図示）との短絡も抑制できる。

また、本実施形態に係る樹脂多層基板１０１では、樹脂層１１～１３よりも誘電体損の小さな保護被膜（第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）によって、導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の少なくとも一部が被覆されている。より具体的には、保護被膜の誘電正接は、樹脂層１１～１３の誘電正接よりも小さい。この構成により、相対的に誘電正接の高い樹脂層のみで形成された樹脂多層基板に比べて、誘電体損を低減できる。さらに、保護被膜の比誘電率は、樹脂層１１～１３の比誘電率よりも低い。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に形成する場合には、積層体１０に形成される導体パターンの線幅を太くでき、上記回路の導体損を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に形成した場合に、導体パターンの線幅を細くしなくても樹脂層を薄くでき、積層体１０を薄型化できる。

さらに、樹脂多層基板１０１では、導体パターンの縁端部（図２（Ａ）における第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの側面、左下角部および右下角部）が、相対的に誘電体損の低い保護被膜でそれぞれ被覆されている。導体パターンの縁端部は、導体パターンの他の部分に比べて相対的に電流密度が高い。したがって、この構成によれば、保護被膜によって導体パターンの縁端部以外を被覆する場合に比べて、誘電体損を効果的に低減できる。

また、本実施形態では、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂが、Ｚ軸方向から視て、部分的に重なっている。この構成によれば、熱圧着時の樹脂の流動に伴って第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの傾きや変位が生じやすいが、その場合でも第１保護被膜２１によって第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの短絡は抑制される。

さらに、本実施形態では、第１導体パターン３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ｂが、層間接続導体Ｖ１を介して互いに接続されている。この構成によれば、第１導体パターン３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ｂ等で構成される立体構造物の強度が高まり、熱圧着時の樹脂の流動に伴う変形や短絡等が抑制される。したがって、樹脂多層基板に形成される回路の電気的特性の変化を抑制できる。

さらに、本実施形態では、保護被膜（第１保護被膜２１および第２保護被膜２２）と導体パターンとの密着性が、樹脂層１１～１３と導体パターンとの密着性よりも高い。この構成によれば、熱圧着時に軟化した樹脂層１１～１３が大きく流動しても、導体パターンの表面に保護被膜が被膜された状態が保持され、熱圧着時の導体パターン同士の短絡をさらに抑制できる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１導体パターンと第２導体パターンとが、積層方向から視て、重なっていない部分を有する樹脂多層基板の例を示す。

図６は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の内部の構成を示す部分断面図である。

樹脂多層基板１０２は、第１導体パターン３１Ａと第２導体パターン３２Ａが、Ｚ軸方向から視て、重なっていない（互いにずれた位置にある）点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

なお、本実施形態のように、第１導体パターン３１Ａと第２導体パターン３２ＡとがＺ軸方向に重なっていない場合でも、熱圧着時の樹脂流動に伴う第１導体パターン３１Ａまたは第２導体パターン３２Ａに傾きや変位により、短絡する虞がある。そのため、少なくとも第１導体パターン３１Ａの一方面および側面を第１保護被膜２１で被覆することが、
第１導体パターン３１Ａと第２導体パターン３２Ａとの短絡を抑制するため、第１導体パターン３１Ａおよび第２導体パターン３２Ａが互いに最も近接する箇所（図６における第１導体パターン３１Ａの左下端側）に第１保護被膜２１を配置することが効果的である。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、保護被膜が導体パターンの一方面および側面に加えて、他方面の一部を被覆している樹脂多層基板の例を示す。

図７（Ａ）および図７（Ｂ）は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の内部の構成を示す部分断面図である。図７（Ａ）は樹脂多層基板１０３の熱圧着後の段階での断面図であり、図７（Ｂ）は樹脂多層基板１０３の熱圧着前の段階での断面図である。

樹脂多層基板１０３は、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面、側面、および他方面の一部を被覆する第１保護被膜２１Ａを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。また、樹脂多層基板１０３は、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面、側面および他方面の一部を被覆する第２保護被膜２２Ａを備える点で、樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０３の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

本実施形態では、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面および側面だけでなく、他方面（上面）の一部も第１保護被膜２１Ａで被覆されている。この構成によれば、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと他の導体パターンとの間での短絡をさらに抑制できる。このことは、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂでも同様である。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０３は、例えば次に示す製造方法によって製造される。

まず、第１熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１，１２，１３を準備する。次に、樹脂層１２，１３にそれぞれ第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜２１Ａおよび第２保護被膜２２Ａを形成する（被膜形成工程）。その後、第１保護被膜２１Ａの表面に第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂを形成し、第２保護被膜２２Ａの表面に第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂを形成する（導体パターン形成工程）。また、樹脂層１２に層間接続導体Ｖ１を形成する。

図７（Ｂ）に示すように、熱圧着前の保護被膜（第１保護被膜２１Ａおよび第２保護被膜２２Ａ）の線幅は、導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の線幅よりも広い。

次に、樹脂層１３，１２，１１の順に積層（載置）し、積層した複数の樹脂層１１～１３を所定のプレス温度で熱圧着（一括プレス）することにより、積層体１０を形成する（積層体形成工程）。

熱圧着の際、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂよりも幅広に形成した第１保護被膜２１Ａは、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（下面）および側面だけでなく、他方面（上面）にまで回り込む。このようにして、熱圧着後の第１保護被膜２１Ａは、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面、側面、および他方面の少なくとも一部を被覆する。

同様に、熱圧着の際、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂよりも幅広に形成した第２保護被膜２２Ａは、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面および側面だけでなく、他方面にまで回り込む。このようにして、熱圧着後の第２保護被膜２２Ａは、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面、側面、および他方面の少なくとも一部を被覆する。

なお、本実施形態では、熱圧着前の保護被膜の線幅を、導体パターンの線幅よりも広くすることによって、熱圧着後に保護被膜が一方面、側面および他方面の一部を被覆する例を示したが、この方法に限定されるものではない。例えば、熱圧着前の保護被膜の厚み（積層方向の厚み）を厚く形成することによって、熱圧着後に保護被膜を他方面にまで回り込ませてもよい。すなわち、導体パターンの他方面における保護被膜の被覆範囲・量は、熱圧着前の保護被膜の線幅や厚みによって調整可能である。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、保護被膜が導体パターンの全周（導体パターンの一方面、他方面および側面の全面）を被覆している樹脂多層基板の例を示す。

図８（Ａ）および図８（Ｂ）は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の内部の構成を示す部分断面図である。図８（Ａ）は樹脂多層基板１０４の熱圧着後の段階での断面図であり、図８（Ｂ）は樹脂多層基板１０４の熱圧着前の段階での断面図である。

樹脂多層基板１０４は、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの全周を被覆する第１保護被膜２１Ｂを備える点で、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３と異なる。また、樹脂多層基板１０４は、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの全周を被覆する第２保護被膜２２Ｂを備える点で、樹脂多層基板１０３と異なる。樹脂多層基板１０４の他の構成については、樹脂多層基板１０３と同じである。

なお、本明細書中で「全周を被覆する」とは、導体パターンの全周囲（全面）を被覆することを言う。但し、本実施形態のように、導体パターン（第１導体パターン３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ｂ）に層間接続導体Ｖ１が接続されている場合には、上記導体パターンのうち層間接続導体Ｖ１に接する部分を除いた全周囲が被覆されていれば「全周を被覆する」と言う。

本実施形態では、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの全周が第１保護被膜２１Ｂで被覆されている。この構成によれば、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一部に保護被膜で被覆されていない部分がある場合と比較して、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂと他の導体パターンとの間での短絡をさらに抑制できる。このことは、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂでも同様である。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０４は、例えば次に示す製造方法によって製造される。

まず、第１熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１，１２，１３を準備し、樹脂層１２（第１樹脂層）に第１保護被膜２１Ｂ１を形成し、樹脂層１３（第２樹脂層）に第２保護被膜２２Ｂ１を形成する（被膜形成工程）。その後、第１保護被膜２１Ｂ１の表面に第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂを形成し、第２保護被膜２２Ｂ１の表面に第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂを形成する。第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（下面）は第１保護被膜２１Ｂ１に接しており、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面（下面）は第２保護被膜２２Ｂ１に接している。また、樹脂層１２に層間接続導体Ｖ１を形成する。

図８（Ｂ）に示すように、また、熱圧着前の保護被膜（第１保護被膜２１Ｂ１および第２保護被膜２２Ｂ１）の線幅は、導体パターン（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂおよび第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂ）の線幅と略同じである。熱圧着前の保護被膜は、導体パターンと略同じ形状である。

その後（導体パターン形成工程の後）、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの他方面（第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂのうち、第１保護被膜２１Ｂ１に接する一方面とは反対側の面）に、保護被膜２１Ｂ２をさらに形成する（被膜形成工程）。また、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの他方面に、保護被膜２２Ｂ２をさらに形成する（被膜形成工程）。

その後、樹脂層１３，１２，１１の順に積層（載置）し、積層した複数の樹脂層１１～１３を所定のプレス温度で熱圧着（加熱プレス）することにより、積層体１０を形成する（積層体形成工程）。

熱圧着の際、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの一方面（下面）に配置された第１保護被膜２１Ｂ１と、他方面（上面）に配置された保護被膜２１Ｂ２とが、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの側面に回り込んで一体化する。このようにして、第１導体パターン３１Ａ，３１Ｂの全周を被覆する第１保護被膜２１Ｂが形成される。

同様に、熱圧着の際、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの一方面（下面）に配置された第２保護被膜２２Ｂ１と、他方面（上面）に配置された保護被膜２２Ｂ２とが、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの側面に回り込んで一体化する。このようにして、第２導体パターン３２Ａ，３２Ｂの全周を被覆する第２保護被膜２２Ｂが形成される。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、コイルが形成された樹脂多層基板の例を示す。

図９は、第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の外観斜視図である。図１０は、樹脂多層基板１０５の分解斜視図である。図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、樹脂多層基板１０５の内部の構成を示す断面図である。図１１（Ａ）は樹脂多層基板１０５の熱圧着後の段階での断面図であり、図９におけるＢ－Ｂ断面図である。図１１（Ｂ）は樹脂多層基板１０５の熱圧着前の段階での断面図である。

樹脂多層基板１０５は、積層体１０Ａ、第１導体パターン３１Ｃ、第２導体パターン３２Ｃ、導体パターン３３Ｃ、外部電極Ｐ１，Ｐ２、第１保護被膜２１Ｃおよび層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６等を備える。第１導体パターン３１Ｃ、第２導体パターン３２Ｃ、導体パターン３３Ｃ、第１保護被膜２１Ｃおよび層間接続導体Ｖ１～Ｖ６は、積層体１０Ａの内部に形成されており、外部電極Ｐ１，Ｐ２は積層体１０Ａの第２主面ＶＳ２に形成されている。

積層体１０Ａの外形は、第１の実施形態で説明した積層体１０と同じである。積層体１０Ａは、樹脂層１４，１３，１２，１１の順に積層して熱圧着して形成される。樹脂層１１，１２，１３，１４の外形および材質は、第１の実施形態で説明した樹脂層１１～１３と同じである。

本実施形態では、樹脂層１２が本発明の「第１樹脂層」に相当し、樹脂層１３が本発明の「第２樹脂層」に相当する。

樹脂層１２の表面側には、第１保護被膜２１Ｃおよび第１導体パターン３１Ｃが設けられている。第１導体パターン３１Ｃは、樹脂層１２の中央付近に配置される約２ターンの矩形スパイラル状のコイル導体パターンであり、Ｚ軸方向に巻回軸を有する。第１保護被膜２１Ｃの平面形状は、第１導体パターン３１Ｃと略同じである。第１保護被膜２１Ｃは、第１導体パターン３１Ｃの一方面（図１０（Ａ）における第１導体パターン３１Ｃの下面）および側面を被覆している。第１導体パターン３１Ｃは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。第１保護被膜２１Ｃの材質は、第１の実施形態で説明した第１保護被膜２１と同じである。また、樹脂層１２には層間接続導体Ｖ３，Ｖ４が形成されている。

樹脂層１３の表面には、第２導体パターン３２Ｃおよび導体パターン３３Ｃが形成されている。第２導体パターン３２Ｃは、樹脂層１３の中央付近に配置される約１．５ターンの矩形スパイラル状のコイル導体パターンであり、Ｚ軸方向に巻回軸を有する。導体パターン３３Ｃは、樹脂層１３の第１角（図１０における樹脂層１３の左上角）付近に配置される矩形の導体パターンである。第２導体パターン３２Ｃおよび導体パターン３３Ｃは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、樹脂層１３には層間接続導体Ｖ２，Ｖ５が形成されている。

樹脂層１４の裏面には、外部電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。外部電極Ｐ１は、樹脂層１４の第１辺（図１０における樹脂層１４の左辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。外部電極Ｐ２は、樹脂層１４の第２辺（図１０における樹脂層１４の右辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。外部電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、樹脂層１４には層間接続導体Ｖ１，Ｖ６が形成されている。

図１０に示すように、第１導体パターン３１Ｃの一端は、層間接続導体Ｖ４を介して、第２導体パターン３２Ｃの一端に接続されている。このように本実施形態では、第１導体パターン３１Ｃ、第２導体パターン３２Ｃおよび層間接続導体Ｖ４によってコイルが形成される。また、上記コイルの両端は、外部電極Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ接続されている。具体的には、第１導体パターン３１Ｃの他端が、導体パターン３３Ｃおよび層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を介して、外部電極Ｐ１に接続される。第２導体パターン３２Ｃの他端は、層間接続導体Ｖ５，Ｖ６を介して、外部電極Ｐ２に接続されている。

本実施形態に係る第１導体パターン３１Ｃおよび第２導体パターン３２Ｃは、Ｚ軸方向に巻回軸を有するコイル導体パターンである。この構成によれば、小型化を図りながらターン数の多いコイルデバイスを得る場合や、単位体積当たりのインダクタンスの大きなインダクタを得る場合に、第１導体パターン３１Ｃおよび第２導体パターン３２Ｃを高密度に形成しても、短絡し難い構造となる。

なお、本実施形態で示したように、第２保護被膜は必須ではない。第１保護被膜２１Ｃ（第１導体パターン３１Ｃの少なくとも一方面および側面を被覆する保護膜）が設けられていれば、本発明の作用・効果を奏する。但し、熱圧着の際の導体パターン同士の短絡を抑制する点で、第２保護被膜をさらに備えることが好ましい。なお、本実施形態のように第２保護被膜を備えていない場合には、第２導体パターンは積層体の表面（主面等）に形成されていてもよい。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が、Ｘ軸方向に長手方向を有する略矩形の平板である例を示したが、積層体の形状はこれに限定されるものではない。積層体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば矩形、多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等でもよい。

また、以上に示した各実施形態では、３つまたは４つの樹脂層を熱圧着して形成される積層体の例を示したが、本発明の積層体はこれに限定されるものではない。積層体を形成する樹脂層の層数は適宜変更可能であり、２つまたは５つ以上でもよい。また、積層体は樹脂層以外に接着層を含んでいてもよい。さらに、積層体の表面にカバーレイフィルムやレジスト膜等の保護膜が形成されていてもよい。

また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるキャパシタや各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が形成されていてもよい。さらに樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

なお、第１導体パターン、第２導体パターンおよび外部電極の形状・位置・個数は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。第１導体パターン、第２導体パターンおよび外部電極の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。また、外部電極は、第１主面ＶＳ１のみに設けられていてもよく、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２の両方に設けられていてもよい。さらに、樹脂多層基板は、これらの導体パターン以外に、ダミー電極を備えていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

Ｐ１，Ｐ２…外部電極
ＳＰ…軟化点
ＳＴ１…第１温度
ＳＴ２…第２温度
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６…層間接続導体
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
１０，１０Ａ…積層体
１１，１２，１３，１４…樹脂層
２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｂ１，２１Ｃ…第１保護被膜
２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｂ１…第２保護被膜
２１Ｂ２，２２Ｂ２…保護被膜
３１Ａ，３１Ｂ…第１導体パターン
３１Ｃ…第１導体パターン（コイル導体パターン）
３２Ａ，３２Ｂ…第２導体パターン
３２Ｃ…第２導体パターン（コイル導体パターン）
３３Ｃ…導体パターン
１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５…樹脂多層基板

Claims (16)

1. 第１熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層してなる積層体と、
   前記積層体の内部に形成される第１導体パターンと、
   前記積層体の内部に形成され、少なくとも前記第１導体パターンの一方面および側面を被覆する、第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜と、
   を備え、
   前記第１熱可塑性樹脂および前記第２熱可塑性樹脂は、所定のプレス温度以下で軟化し、
   前記第２熱可塑性樹脂は前記第１熱可塑性樹脂よりも前記所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度で貯蔵弾性率が低くなる、
   樹脂多層基板。
2. 前記第１保護被膜は、前記第１導体パターンのうち、前記一方面に対向する他方面の少なくとも一部を被覆する、請求項１に記載の樹脂多層基板。
3. 前記第１保護被膜は前記第１導体パターンの全周を被覆する、
   請求項２に記載の樹脂多層基板。
4. 前記積層体に形成される第２導体パターンを備え、
   前記第１保護被膜は、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとの間で、且つ、少なくとも前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンが互いに最も近接する箇所に配置されている、
   請求項１から３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
5. 前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンは、前記複数の樹脂層の積層方向から視て、互いにずれた位置にある、
   請求項４に記載の樹脂多層基板。
6. 前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンは、前記複数の樹脂層の積層方向から視て、部分的に重なっている、
   請求項４または５に記載の樹脂多層基板。
7. 前記積層体に形成される層間接続導体を備え、
   前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンは、前記層間接続導体を介して、互いに接続される、
   請求項６に記載の樹脂多層基板。
8. 前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンは、前記複数の樹脂層の積層方向に巻回軸を有するコイル導体パターンである、
   請求項４から７のいずれかに記載の樹脂多層基板。
9. 前記積層体の内部に形成され、少なくとも前記第２導体パターンの一方面および側面を被覆する、前記第２熱可塑性樹脂からなる第２保護被膜を備える、
   請求項４から８のいずれかに記載の樹脂多層基板。
10. 前記第２熱可塑性樹脂は、前記第１熱可塑性樹脂よりも誘電体損失の小さな樹脂材料である、
    請求項１から９のいずれかに記載の樹脂多層基板。
11. 前記第２熱可塑性樹脂はフッ素樹脂である、
    請求項１０に記載の樹脂多層基板。
12. 第１熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層のうち第１樹脂層に、前記第１熱可塑性樹脂よりも所定のプレス温度以下かつ常温以上の温度で貯蔵弾性率が低くなる第２熱可塑性樹脂からなる第１保護被膜を形成する、被膜形成工程と、
    前記第１保護被膜の表面に第１導体パターンを形成する、導体パターン形成工程と、
    前記導体パターン形成工程の後、前記第１樹脂層を含む前記複数の樹脂層を積層し、所定のプレス温度で熱圧着して積層体を形成するとともに、前記積層体の内部に配置される前記第１導体パターンの少なくとも一方面および側面を、前記第１保護被膜で被覆する、積層体形成工程と、
    を備える、樹脂多層基板の製造方法。
13. 前記積層体形成工程は、前記プレス温度で熱圧着する際に、第２温度に達することで前記第１保護被膜が軟化した後、前記第２温度よりも高い第１温度に達することで前記複数の樹脂層の表面が軟化し、その後、温度が下がるにしたがって前記複数の樹脂層、前記第１保護被膜の順に硬化する工程を含む、
    請求項１２に記載の樹脂多層基板の製造方法。
14. 上記軟化とは、貯蔵弾性率が１０^７～１０^９Ｐａである、
    請求項１３に記載の樹脂多層基板の製造方法。
15. 前記導体パターン形成工程は、前記複数の樹脂層のうち第２樹脂層に、第２導体パターンを設ける工程を含み、
    前記積層体形成工程は、前記複数の樹脂層の積層方向において、前記第１保護被膜に対して前記第１導体パターンとは反対側に前記第２導体パターンが位置するように、前記複数の樹脂層を積層する工程を含む、
    請求項１２から１４のいずれかに記載の樹脂多層基板の製造方法。
16. 前記被膜形成工程は、前記導体パターン形成工程と前記積層体形成工程との間に、前記第１導体パターンのうち前記一方面とは反対側の他方面に、保護被膜をさらに形成する工程を含み、
    前記積層体形成工程は、前記積層体の内部に配置される前記第１導体パターンの全周を前記第１保護被膜で被覆する工程を含む、
    請求項１２から１５のいずれかに記載の樹脂多層基板の製造方法。

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