JP7200256B2 - 補正回路を有する指向性memsマイクロホン - Google Patents
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Description
本出願は、2018年1月24日に提出された米国仮特許出願第62/621,406号の優先権を主張し、その内容は、参照により本明細書に完全に組み込まれる。
Claims (28)
- 第1の音響容積を画定する第1の筐体、および前記第1の筐体内に配置された微小電気機械システム(「MEMS」)マイクロホントランスデューサを含むトランスデューサアセンブリと、
前記第1の筐体に隣接して配置され、前記第1の音響容積と音響通信する第2の音響容積を画定する第2の筐体であって、音響抵抗を含む第2の筐体であり、前記第1および第2の音響容積が、前記音響抵抗と協働して、指向性極性パターンを生成するための音響遅延を生成する、第2の筐体と、
前記トランスデューサアセンブリに電気的に結合され、前記MEMSマイクロホントランスデューサの周波数応答の一部を補正するように構成されたシェルビングフィルタを備える回路と、
を備える、マイクロホンアセンブリ。 - 前記回路が前記トランスデューサアセンブリの外部に機械的に取り付けられている、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記回路が前記第2の筐体の外部に機械的に取り付けられている、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記シェルビングフィルタが、所定の帯域幅内の周波数値に対して平坦な周波数応答を生成するように構成されている、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記指向性極性パターンが1次指向性極性パターンである、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記トランスデューサアセンブリが、前記MEMSマイクロホントランスデューサに電気的に結合され、前記第1の筐体内に配置された集積回路をさらに含み、前記回路が前記トランスデューサアセンブリの前記集積回路に電気的に接続されている、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記第1の筐体が、前記第1の音響容積と前記第2の音響容積との間の音響通信を容易にする開孔を含み、前記開孔が前記MEMSマイクロホントランスデューサに隣接して配置されている、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記第1の筐体が、前記MEMSマイクロホントランスデューサに隣接して配置された第1の音入口を含み、前記第2の筐体が、前記第1の音入口から所定の距離に配置された第2の音入口を含む、請求項7に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記所定の距離が、前記MEMSマイクロホントランスデューサのダイアフラムを横切る圧力勾配を生成するように選択されている、請求項8に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記音響抵抗が前記第2の音入口を覆っている、請求項8に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記回路に電気的に結合され、前記トランスデューサアセンブリを外部デバイスに動作可能に結合するためのケーブルを受け入れるように構成された接続ポートをさらに備える、請求項1に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 微小電気機械システム(「MEMS」)マイクロホントランスデューサ、前記MEMSマイクロホントランスデューサに電気的に結合された集積回路、ならびに第1の音響容積を画定し、前記集積回路および前記MEMSマイクロホントランスデューサが内部に配置された第1の筐体、を含むトランスデューサアセンブリと、
前記第1の筐体に隣接して配置され、前記第1の音響容積と音響通信する第2の音響容積を画定する第2の筐体であって、音響抵抗を含む第2の筐体であり、前記第1および第2の音響容積が指向性極性パターンを生成するための音響遅延を生成する、第2の筐体と、
を備え、
前記集積回路が、前記MEMSマイクロホントランスデューサの周波数応答の一部を補正するように構成されたシェルビングフィルタを備える回路を含む、
マイクロホンアセンブリ。 - 前記集積回路が特定用途向け集積回路(ASIC)である、請求項12に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記シェルビングフィルタが、所定の帯域幅内の周波数値に対して平坦な周波数応答を生成するように構成されている、請求項12に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記指向性極性パターンが1次指向性極性パターンである、請求項12に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記第2の筐体が、前記第1の音響容積と前記第2の音響容積との間の音響通信を容易にする開孔を含み、前記開孔が前記MEMSマイクロホントランスデューサに隣接して配置されている、請求項12に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記第1の筐体が、前記MEMSマイクロホントランスデューサに隣接して配置された第1の音入口を含み、前記第2の筐体が前記第1の音入口から所定の距離に配置された第2の音入口を含む、請求項12に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記所定の距離が、前記MEMSマイクロホントランスデューサのダイアフラムを横切る圧力勾配を生成するように選択されている、請求項17に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記音響抵抗が前記第2の音入口を覆っている、請求項17に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 前記集積回路に電気的に結合され、前記トランスデューサアセンブリを外部デバイスに動作可能に結合するためのケーブルを受け入れるように構成された接続ポートをさらに備える、請求項12に記載のマイクロホンアセンブリ。
- 第1の音響容積を画定する第1の筐体、および前記第1の筐体内に配置された微小電気機械システム(「MEMS」)マイクロホントランスデューサを含むトランスデューサアセンブリ、
前記第1の筐体に隣接して配置され、前記第1の音響容積と音響通信する第2の音響容積を画定する第2の筐体であって、音響抵抗を含む第2の筐体であり、前記第1および第2の音響容積が、前記音響抵抗と協働して、指向性極性パターンを生成するための音響遅延を生成する、第2の筐体、ならびに
前記トランスデューサアセンブリに電気的に結合され、ケーブルを受け入れるように構成された接続ポート、
を備えるマイクロホンアセンブリと、
前記トランスデューサアセンブリを外部デバイスに動作可能に結合するための前記接続ポートに電気的に結合されたケーブルと、
前記ケーブルに含まれ、前記接続ポートを介して前記トランスデューサアセンブリに電気的に結合された回路であって、前記MEMSマイクロホントランスデューサの周波数応答の一部を補正するように構成されたシェルビングフィルタを備える、回路と、
を備える、マイクロホンシステム。 - 前記シェルビングフィルタが、所定の帯域幅内の周波数値に対して平坦な周波数応答を生成するように構成されている、請求項21に記載のマイクロホンシステム。
- 前記トランスデューサアセンブリが、前記MEMSマイクロホントランスデューサに電気的に結合され、前記第1の筐体内に配置された集積回路をさらに含み、前記回路が前記トランスデューサアセンブリの前記集積回路に電気的に接続されている、請求項21に記載のマイクロホンシステム。
- 前記指向性極性パターンが1次指向性極性パターンである、請求項21に記載のマイクロホンシステム。
- 前記第2の筐体が、前記第1の音響容積と前記第2の音響容積との間の音響通信を容易にする開孔を含み、前記開孔が前記MEMSマイクロホントランスデューサに隣接して配置されている、請求項21に記載のマイクロホンシステム。
- 前記第1の筐体が、前記MEMSマイクロホントランスデューサに隣接して配置された第1の音入口を含み、前記第2の筐体が、前記第1の音入口から所定の距離に配置された第2の音入口を含む、請求項22に記載のマイクロホンシステム。
- 前記所定の距離が、前記MEMSマイクロホントランスデューサのダイアフラムを横切る圧力勾配を生成するように選択されている、請求項26に記載のマイクロホンシステム。
- 前記音響抵抗が前記第2の音入口を覆っている、請求項26に記載のマイクロホンシステム。
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