JP5926446B2 - Ｍｅｍｓマイクロフォンアセンブリおよびｍｅｍｓマイクロフォンアセンブリの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリおよびＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの製造方法に関する。

ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリは、バックプレートおよび移動可能なダイヤフラムを備えたＭＥＭＳトランスデューサを備えてよい。このＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの長い寿命を可能とするためには、トランスデューサ素子の電気的および機械的保護を行うことが重要である。これと同時に、このトランスデューサ素子は、このマイクロフォンの外部と音響的に接続していることが必要である。好ましくは、長く狭い音響導入部（sound inlets）と長いフロントキャビティを避ける必要がある。これらは音響特性の品質を劣化させ、とりわけ高可聴周波数の特性が悪くなる。

本発明の目的は、上記の相反する問題、すなわち良好な音響カップリングを提供すること、および機械的および電気的保護を提供することを解決する、ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリおよびこのＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの製造方法を提供することである。

上記の目的は、本願請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリによって達成される。さらに上記の目的は本願の独立請求項に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの製造方法によって達成される。さらなる特徴、有利な実施形態および応用例が従属項に記載されている。

本発明の１つの態様によれば、ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリは、ＭＥＭＳダイと，バックプレートと、このバックプレートに対して相対的に移動可能なダイヤフラムとを備える。このＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリは、さらにトランスデューサ素子をこのＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの外部に音響カップリングするための音響導入部を備え、上記のＭＥＭＳダイは、少なくともこの音響導入部の一部を形成する湾入部（indentation）を備える。

とりわけこの音響導入部は、このトランスデューサ素子に画定されたキャビティを、このＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの外部と音響的にカップリングすることができる。

上記の湾入部は、この音響導入部の一部である通路（channel）を画定してよい。

一般的に、この音響導入部は、上記のトランスデューサ素子を封入するシーリング層を貫通して延在する開口部を備えてよく、この音響導入部はさらに、上記のＭＥＭＳダイに通路（channel）を画定する湾入部を備えてよい。このシーリング層を貫通して延在する開口部は、穴部であってよい。さらに、この開口部は、上記のトランスデューサを覆うカバーを貫通して延在してよい。このカバーは、このカバーと上記のダイヤフラムとの間のキャビティを画定する。

この音響導入部の少なくとも一部は、上記のＭＥＭＳダイにおける湾入部によって直接画定されている。これによりこの音響導入部を画定するための追加の部材およびこれのＭＥＭＳダイへのカップリングが不要となるため、この音響導入部の長さが確実に最小とされる。さらに、このＭＥＭＳダイの湾入部によって少なくともこの音響導入部の一部を画定することは、このトランスデューサ素子のキャビティから径方向に離間した位置でシーリング層を貫通して延在する開口部を画定することを可能とする。以上により、この音響導入部は、電気的および機械的遮蔽を担うための部材と干渉しない。この音響導入部は、上記の湾入部によって少なくとも部分的に画定されているので、このマイクロフォンアセンブリの大部分をバックキャビティとして使用することができ、良好な音響品質を提供する。

１つの好ましい実施形態においては、本発明のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリは、ＭＥＭＳダイを覆うカバーを備え、このカバーは、ダイヤフラムとこのカバーとの間のキャビティを形成しまた封止している。このカバーは、たとえばフォイル（foil）であってよい。上記のキャビティは、このトランスデューサ素子のフロントキャビティを提供する。このキャビティは、上記の湾入部によって少なくとも一部が画定された音響導入部と音響的に接続している。

１つの実施形態においては、上記の湾入部は、上記のキャビティに隣接して配置されている。これによってこのキャビティは上記のカバーによって音響的および機械的に確実に遮蔽され、同時に上記の音響導入部を介してマイクロフォンアセンブリの外部と音響的に接続される。この音響導入部は、外部からダイヤフラムまでのこの音響導入部が直線とならないような角度を画定してよい。

１つの実施形態においては、上記のＭＥＭＳダイで画定されている湾入部は、上記のキャビティへ開いている。このようにして上記のキャビティはこの湾入部と音響的にカップリングし、これよりこのマイクロフォンアセンブリの外部と音響的にカップリングしている。

１つの実施形態においては、本発明のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリは、基板を備え、この基板上に上記のトランスデューサ素子が取り付けられており、この基板に向いていないトランスデューサ素子の面上に上記の音響入口が配設されている。言い換えれば、このマイクロフォンアセンブリは、トップポートマイクロフォン（top-port microphone）である。

通常トップポートマイクロフォンは、大きなフロントキャビティを必要とし、これにより音響特性が劣化する。しかしながら、上記のＭＥＭＳダイの湾入部によって音響導入部の少なくとも一部を画定することにより、このトップポートマイクロフォンのフロントキャビティが最小の大きさの状態とされる。これによって高可聴周波数までの平坦な周波数応答がもたらされる。

１つの実施形態においては、トランスデューサ素子は、シーリング層によって覆われており、このシーリング層を貫通して開口部が延在しており、この開口部は、上記の音響導入部の一部を画定している。このシーリング層は、このトランスデューサ素子の少なくとも一部を覆うカバーを覆ってもよい。とりわけこのカバーは、ダイヤフラムとこのカバーとの間のキャビティを画定してよい。

このシーリング層は、このトランスデューサ素子を封止してよい。さらにこのシーリング層は、このトランスデューサ素子を有するＡＳＩＣを封止してよい。

このシーリング層は、フォイルおよびメタラインジング層を備えてよい。とりわけ第１の下地メタライジング層は、上記のフォイル上に取り付けられてよく、この後、後のステップで上記の開口部が形成される部位にレジストパターンが配設されてよい。次のステップにおいて、この下地メタライジングは電解めっきで補強され、その後上記のレジストパターンは除去される。

本発明のＭＥＭＳマイクロフォンは、複数の音響導入部を備えてよい。１つ以上の音響導入部を設けると、このマイクロフォンの音響特性を改善することができる。また複数の音響導入部は、このマイクロフォンの指向性の選択度または感度をもたらすように配設されてよく、このマイクロフォンアセンブリの一方向の感度が、このマイクロフォンアセンブリの他方向と比較して増大される。

これらの音響導入部のそれぞれは、このＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの、上記のトランスデューサ素子のカバーとダイヤフラムとの間に画定されたキャビティへの音響カップリングを提供してよい。

上記のＭＥＭＳダイは、少なくとも２つの湾入部を備えてよく、それぞれの湾入部は、これらの音響導入部の少なくとも一部を画定している。それぞれの湾入部は、通路を画定してよい。しかしながら、本発明は、この通路の特定の形状に限定されるものではない。

このシーリング層を貫通して開口部とキャビティとを接続して延在する通路の天井（top wall）は、閉鎖されてよい。ここでこの天井は、上記の基板に対向して配設された、この通路の上側の壁である。この通路の天壁は上記のシーリング層または上記のＭＥＭＳダイの一部によって覆われていてよい。

このトランスデューサ素子は、シーリング層によって覆われていてよく、また複数の開口部がこのシーリング層を貫通して延在してよく、それぞれの開口部は少なくとも１つの湾入部と音響的に接続している。１つの開口部は１つ以上の湾入部と接続されていてもよい。

１つの実施形態においては、この湾入部は、ダイヤフラムおよびバックプレートに向かってその幅が拡がったテーパー形状になっている。このダイヤフラムおよびバックプレートに向いていない端部の小さくなった直径は、良好な機械的保護を確実にする。増大する幅は、良好な音響カップリングを確実にする。

本発明の第２の態様は、上記で説明したＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの製造方法に関する。

本発明の方法は以下のステップを備える。
−基板を準備するステップ。
−ＭＥＭＳダイと、バックプレートと、上記の基板上でこのバックプレートに対して移動可能なダイヤフラムとを備えたＭＥＭＳトランスデューサ素子を取り付けるステップであって、このＭＥＭＳダイが湾入部を備えるステップ。
−このＭＥＭＳトランスデューサ素子をシーリング層で覆うステップ。
−このトランスデューサ素子が上記のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの外部に音響的にカップリングするための音響導入部が形成されるように、上記のＭＥＭＳダイの湾入部と音響的に接続されているシーリング層に開口部を形成するステップ。

これによって本方法は、上記で説明した利点を有するＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの製造方法を提供する。

１つの実施形態においては、上記のＭＥＭＳダイの湾入部はウェハーレベルで形成されている。これに対応して、このＭＥＭＳダイの湾入部は、このＭＥＭＳダイが基板上に組み込まれる前に画定されている。

１つの実施形態においては、このＭＥＭＳダイは、複数の湾入部を備え、複数の開口部が上記のシーリング層に形成されて、それぞれの開口部が少なくとも１つの湾入部と音響的に接続されており、それぞれの湾入部は、上記のＭＥＭＳトランスデューサ素子をこのＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの外部と音響的にカップリングするための音響導入部の少なくとも一部を形成している。とりわけ複数の音響導入部は、このマイクロフォンアセンブリの音響特性の品質を改善する。複数の音響導入部はさらに、１方向において他の方向より高い音響感度を有するマイクロフォンアセンブリの構造を可能とする。

上記のシーリング層における開口部は、レーザー切除によって形成されてよい。上記の湾入部はレーザー切除またはエッチングによって形成されてよい。

さらなる特徴、変形例および実施例が、図に関連した例示的な実施形態の以下の説明で明らかとなる。

トップポートＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの断面図を概略的に示す。 図１のトップポートＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの部品分解図を概略的に示す。 ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリの平面図を概略的に示す。 図３のトランスデューサ素子の断面図を概略的に示す。 第２の実施形態によるマイクロフォンアセンブリの平面図を概略的に示す。

図１は、トップポートＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ１の断面図を概略的に示す。このＭＥＭＳアセンブリ１は、ＭＥＭＳトランスデューサ素子２を備える。このトランスデューサ素子２は、音響信号を電気信号に変換することができる。

このトランスデューサ素子２は、ＭＥＭＳダイ３と、バックプレート４と、移動可能なダイヤフラム５とを備え、このダイヤフラム５は、このバックプレート４に対して移動可能である。このダイヤフラム５とバックプレート４との間にバイアス電圧が印加されてよく、音響信号はこのダイヤフラム５をこのバックプレート４に対して移動させ、このダイヤフラム５とこのバックプレート４との間の容量を変化させる。

このトランスデューサ素子２は、たとえばこの基板６の電気的接続部の上に形成されたバンプ（複数）７によって、基板６上に配設されている。さらにまたＡＳＩＣ８がこの基板６上に、このトランスデューサ素子２に隣接して配設されている。またこのＡＳＩＣ８は、バンプ７によってこの基板６に固定されかつ電気的に接続される。

上記のＭＥＭＳダイ３は、その基板６に向いていない面に陥凹部９を有する。このＭＥＭＳダイ３の陥凹部９は、第１のフォイル１０で覆われている。これによりこの第１のフォイル１０は、このトランスデューサ素子２のカバーを形成する。この陥凹部９は、上記のダイヤフラム５と第１のフォイル１０との間の第１のキャビティ１１を画定する。この第１のキャビティ１１は、このトランスデューサ素子２のいわゆるフロントキャビティである。

さらに第２のフォイル１２がこのトランスデューサ素子２および上記のＡＳＩＣ８を覆っている。この第２のフォイル１２は、このトランスデューサ素子２およびＡＳＩＣ８を封止している。ここでこのトランスデューサ素子２のバックプレート４と上記の基板６との間に第２のキャビティ１３が画定されている。またこの第２のキャビティ１３は、このトランスデューサ素子２のバックキャビティと呼ばれる。

さらにメタライジング層１４がこの第２のフォイル１２の上に配設されている。こうしてこのメタライジング層１４および上記の第２のフォイル１２が、シーリング層１５を定める。このメタライジング層１４は、さらに電解めっきで補強された下地メタライジングを備えてよい。このメタライジング層１４は、このトランスデューサ素子２の電気機械的遮蔽を提供する。

さらにこのＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ１は、上記の第１のキャビティ１１、すなわちフロントキャビティをこのマイクロフォンアセンブリ１の外部と音響的にカップリングする音響導入部１６を備える。この音響導入部１６は、上記のシーリング層１５および第１のフォイル１０を貫通して延在する開口部１８を備える。

さらに上記のＭＥＭＳダイ３に湾入部１７が画定されている。この湾入部１７は、上記の第１のフォイル１０と上記のトランスデューサ素子２のダイヤフラム５との間に配設された第１のキャビティ１１に隣接して配設されている。この湾入部１７は、上記の音響導入部１６の一部を画定する。

以上によりこの音響導入部１６は、上記のトランスデューサ素子２を覆うシーリング層１５および第１のフォイル１０を貫通して延在する開口部１８を備える。この音響導入部１６は、さらに上記のＭＥＭＳダイ３に画定された湾入部１７を備える。この音響導入部１６は、上記の第１のキャビティ１１に隣接して配設されている。以上によりこの第１のキャビティ１１は、上記の第１のキャビティ１１を覆う第１のフォイル１０およびシーリング層１５によって、外部からの電気的および機械的攪乱に対して保護されている。

さらに、上記の開口部１８および上記のＭＥＭＳダイ３で画定された湾入部１７は、上記の音響導入部１６が短くかつ上記のマイクロフォンアセンブリ１の外部との上記トランスデューサ素子２の良好な音響カップリングを可能とするように、この音響導入部１６を画定する。この音響導入部１６の配設は、上記のフロントキャビティ、すなわち上記の第１のキャビティ１１を最小とすることを可能とし、これによってこのＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ１の全体の体積に対してこのバックキャビテイを最大とすることができる。

このようにしてこのマイクロフォンアセンブリ１の音響特性が最適化される。一般的に、この音響特性を最高とするためには、上記のフロントキャビティが最小とされる必要があり、また上記のバックキャビティが最大とされる必要がある。本実施形態においては、この最小の長さを有する音響導入部１６が、上記のトランスデューサ素子２の平坦な周波数応答を提供する。

この図１に示す音響導入部１６は、Ｌ字型の断面を有している。しかしながら上記の湾入部１７は、この音響導入部１６の断面が変更されて、異なる形状を有してもよい。たとえばこの湾入部１７は、曲面の側壁を備えてよい。この場合、この音響導入部の断面はＳ字型であってよい。

さらに、図２は、図１に示すトップポートＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ１の分解図を概略的に示す。しかしながら、図２は、このＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ１の部品を組み立てる方法を示すものではないことに留意されたい。むしろ図２は、このＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリのいくつかの部品を斜視図で概略的に示したものである。特に図２は、上記のメタライジング層１４，第２のフォイル１２およびトランスデューサ素子２のそれぞれ、および分離された素子として基板６上に配設されたＡＳＩＣ８を示すものである。

図２で分かるように、上記の音響導入部１６は、上記のメタライジング層１４および第２のフォイル１２を貫通して延在する開口部１８と、上記のＭＥＭＳダイ３に画定された湾入部１７とによって画定されている。この開口部１８は、さらに上記の第１のフォイル１０を貫通して延在するが、この部分はこの斜視図においては上記の第２のフォイル１２に隠されているので、図２には示されていない。

図３は、上記のＭＥＭＳトランスデューサ素子２を平面図で示す。図３から、ダイヤフラム５およびバックプレート４は円形を有していることが分かる。図３に示す湾入部１７は、このダイヤフラム５に隣接する通路を画定している。この通路は、上記のダイヤフラム５と第１のフォイル１０との間に画定された第１のキャビティへ開いている。

図３に示す実施形態においては、この通路は一定の幅を有している。しかしながら上記の湾入部１７の代替の形状もまた可能である。たとえばこの湾入部１７は、上記の通路の幅が上記の第１のキャビティ１１に向かって増大するようにテーパー形状になっていてよい。さらに上記のシーリング層１５における開口部１８は、この湾入部１７の上方で上記の基板６から離間する方向に向いて配設されていてよい。このシーリング層１５における開口部１８は、円形である。このシーリング層１５における開口部１８は、上記の湾入部１７によって画定される通路の幅より大きい直径を有する。

図４は、上記のトランスデューサ素子２の断面図を示す。図４においても、上記のＭＥＭＳダイ３の湾入部１７は、上記の第１のキャビティ１１にむかって開いている音響導入部１６を画定していることが示されている。この湾入部１７は、上記の第１のキャビティ１１に隣接して配設されている。

さらに、上記の音響導入部が外部から上記のダイヤフラムへ直線とならないように、この湾入部は直角を画定している。これによって上記の第１のキャビティ１１およびダイヤフラム５が確実に機械的に保護される。

しかしながらこの湾入部は他の形状を有してもよい。特に、この湾入部は、鋭角を画定するかまたは鈍角を画定する２つの側壁によって画定されていてよい。この湾入部は、部分的に丸められて楕円の一部の形状を備える単一の側壁によって画定されてよい。

図５は、第２の実施形態によるトランスデューサ素子２の平面図を示す。このマイクロフォンアセンブリ１の第２の実施形態は、上記の第１の実施形態と異なり、この第２の実施形態は２つ以上の音響導入部１６を備える。このためこの第２の実施形態は、上記のＭＥＭＳダイ３において画定された複数の湾入部１７を備える。さらに、複数の開口部１８が上記のシーリング層１５を貫通して延在している。この実施形態においては、このシーリング層１５に画定されたそれぞれの開口部１８は、このＭＥＭＳダイ３において画定された２つの湾入部１７と音響的に接続している。それぞれの湾入部１７は、上記の第１のキャビティ１１へ開いている通路として形成されている。これらの通路のそれぞれは、一定の幅を有している。

代替として、上記のシーリング層１５における開口部１８のそれぞれは、上記のＭＥＭＳダイ３において画定された、ただ１つの湾入部と音響的に接続されていてよい。

さらに、本発明は上記のＭＥＭＳマイクロフォン１の製造方法に関する。本方法は、上記の基板６を準備するステップと、上記のＭＥＭＳダイ３を備えたＭＥＭＳトランスデューサ素子２と、上記のバックプレート４と、このバックプレート４に対して移動可能なダイヤフラム５とを上記の基板６に取り付けるステップと、を備え、上記の湾入部１７はこのＭＥＭＳダイ３において画定されている。上記のダイ３において画定された湾入部１７は、ウェハーレベルで形成されていてよい。すなわちこのＭＥＭＳダイ３が基板６上に取り付けられる前に形成されていてよい。

次に上記のトランスデューサ素子２は、上記のダイヤフラム５と第１のフォイル１０との間に第１のキャビテイ１１を画定するこの第１のフォイル１０によって覆われる。

さらに次のステップで、このトランスデューサ素子２は、シーリング層１５によって覆われ、上記の開口部１８がこのシーリング層１５に形成され、またこの開口部１８は上記の第１のフォイル１０においても形成されてよく、この開口部１８が上記の湾入部１７と音響的に接続されるようにする。これにより、上記のトランスデューサ素子２を上記のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ１の外部に音響的にカップリングするための音響導入部１６が画定される。

上記のシーリング層１５における開口部１８は、たとえばレーザー切除によって形成されてよい。このシーリング層１５は、上記の第２のフォイル１２を上記のトランスデューサ素子２を覆い、このトランスデューサ素子２を封止するように配設されて形成される。つぎのステップにおいて、この第２のフォイル１２上にスパッタリングされ、下地メタライジングが行われる。この下地メタライジングは、さらに電解めっきで補強されメタライジング層１４を形成してよい。後の製造ステップで配設される上記の開口部１８の領域における下地メタライジングの電解めっき補強を防ぐために、レジストパターンが用いられてよい。

１ − ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ
２ − ＭＥＭＳトランスデューサ素子
３ − ＭＥＭＳダイ
４ − バックプレート
５ − ダイヤフラム
６ − 基板
７ − バンプ
８ − ＡＳＩＣ
９ − 陥凹部
１０ − 第１のフォイル
１１ − 第１のキャビティ
１２ − 第２のフォイル
１３ − 第２のキャビティ
１４ − メタライジング層
１５ − シーリング層
１６ − 音響導入部
１７ − 湾入部
１８ − 開口部

Claims (12)

1. ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）であって、
   ＭＥＭＳダイ（３）と、バックプレート（４）と、当該バックプレート（４）に対して移動可能なダイヤフラム（５）とを備えたＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）と、
   前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）を前記ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）の外部と音響的にカップリングするための音響導入部（１６）と、
   カバー（１０）と、
   を備え、
   前記ＭＥＭＳダイ（３）は、前記音響導入部（１６）の少なくとも一部を形成する湾入部（１７）を備え、
   前記カバーは、前記ダイヤフラム（５）と当該カバー（１０）との間にキャビティ（１１）を画定し、
   前記湾入部（１７）は、前記キャビティ（１１）に隣接して配設されている、
   ことを特徴とする、ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
2. 請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   前記湾入部（１７）は、前記キャビティ（１１）へ開いていることを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
3. 請求項１または２に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   前記湾入部（１７）は、その幅が前記キャビティ（１１）に向かって増大するようなテーパー形状であることを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   基板（６）をさらに備え、
   前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）が、前記基板（６）に取り付けられており、前記音響導入部（１６）が、前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）の前記基板（６）から離間する側に配設されている、
   ことを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）は、シーリング層（１５）によって覆われており、当該シーリング層（１５）を貫通して開口部（１８）が延在しており、当該開口部（１８）は、前記音響導入部（１６）の一部を画定していることを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   複数の音響導入部（１６）を備えることを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
7. 請求項６に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   前記ＭＥＭＳダイ（３）は、少なくとも２つの湾入部（１７）を備え、それぞれの湾入部（１７）は、前記複数の音響導入部（１６）の１つの少なくとも一部を画定していることを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
8. 請求項７に記載のＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）において、
   前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）は、シーリング層（１５）によって覆われており、複数の開口部（１８）が前記シーリング層（１５）を貫通して延在しており、それぞれの開口部（１８）は少なくとも１つの前記湾入部（１７）と音響的に接続していることを特徴とするＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ。
9. ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）を製造する方法であって、
   基板（６）を準備するステップと、
   ＭＥＭＳダイ（３）と、バックプレート（４）と、前記基板（６）上で前記バックプレート（４）に対して移動可能なダイヤフラム（５）とを備えたＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）を取り付けるステップであって、前記ＭＥＭＳダイ（３）が湾入部（１７）を備えるステップと、
   前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）をシーリング層（１５）で覆うステップと、
   前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）が前記ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）の外部に音響的にカップリングするための音響導入部（１６）が形成されるように、前記ＭＥＭＳダイ（３）の前記湾入部（１７）と音響的に接続されているシーリング層（１５）に開口部（１８）を形成するステップと、
   を備えることを特徴とする方法。
10. 請求項９に記載の方法において、
    前記ＭＥＭＳダイ（３）の前記湾入部（１７）は、ウェハーレベルで形成されていることを特徴とする方法。
11. 請求項９または１０に記載の方法において、
    前記ＭＥＭＳダイ（３）は、複数の湾入部（１７）を備え、複数の開口部（１８）が前記シーリング層（１５）に形成されて、それぞれの開口部（１８）が少なくとも１つの湾入部（１７）と音響的に接続されており、それぞれの湾入部（１７）は、前記ＭＥＭＳトランスデューサ素子（２）を前記ＭＥＭＳマイクロフォンアセンブリ（１）の外部と音響的にカップリングするための音響導入部（１６）の少なくとも一部を形成していることを特徴とする方法。
12. 請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の方法において、
    前記開口部（１８）は、レーザー切除によって形成されることを特徴とする方法。

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