CN111133768A - 具有进入保护的麦克风中的提升mems器件 - Google Patents

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Abstract

微机电系统(MEMS)麦克风包括基座、垫片组件、进入保护元件和MEMS器件，所述基座包括延伸穿过所述基座的端口。所述垫片组件设置在所述基座上并且在所述端口上方。所述垫片组件具有形成中空内部腔的多个壁。所述垫片组件还具有上表面和下表面，所述下表面联接至所述基座。所述进入保护元件在所述垫片组件的顶部上方延伸并联接到所述垫片组件的顶部，以封闭所述垫片组件的腔。所述垫片组件在所述基座上方提升所述进入保护元件并且能有效地防止污染物从中通过。所述MEMS器件包括振膜和背板并且设置在所述进入保护元件上方。

Description

具有进入保护的麦克风中的提升MEMS器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年9月21日提交的美国临时专利申请No.62/561,653的权益和优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本申请涉及微机电系统(MEMS)麦克风，更具体地，涉及用于这些器件的进入保护。
背景技术
这些年来，不同类型的声学器件已被使用。一种类型的器件是麦克风。在微机电系统(MEMS)麦克风中，MEMS芯片(die)包括至少一个振膜和至少一个背板。MEMS芯片由基板支撑并且由壳体(例如，具有壁的杯或罩)封闭。端口可以延伸穿过基板(对于底部端口器件)或穿过壳体的顶部(对于顶部端口器件)。在任何情况下，声能穿过端口，使振膜移动并产生背板的变化的电势，从而产生电信号。麦克风被部署在诸如个人计算机或蜂窝电话的各种类型的装置中。
在不同环境中工作时，各种类型的污染物可能会渗入麦克风的内部。例如，水或灰尘可能会渗入麦克风的内部。这是不希望的，因为污染物会损坏麦克风的部件。部件损坏会导致性能问题，或者会导致麦克风停止工作。
已经尝试了各种方法来防止污染物进入麦克风。遗憾的是，许多这样的方法本身会降低麦克风的性能，例如，通过引入不可接受的噪声水平和降低信噪比(SNR)。
先前方法的问题导致用户对这些先前方法不满意。
附图说明
为了更完整地理解本公开，应参照以下详细描述和附图，附图中：
图1是根据示例实施方式的麦克风外部的立体图；
图2是图1的麦克风的内部的立体图；
图3是图1和图2的麦克风的底部立体图；
图4是图1、图2和图3的麦克风的侧剖视图；
图5是根据示例实施方式的垫片组件的立体图；
图6是根据示例实施方式的用于制造具有进入保护的MEMS麦克风的过程的流程图；
图7是根据示例实施方式的制造麦克风的部分的立体图；
图8是根据示例实施方式的制造麦克风的部分的另一立体图；
图9是根据示例实施方式的制造麦克风的部分的另一立体图；
图10是根据示例实施方式的制造麦克风的部分的另一立体图；
图11是根据示例实施方式的制造麦克风的部分的另一立体图；
图12是根据示例实施方式的示出被建模为电路的声阻抗路径的电路图；
图13是根据示例实施方式的示出被建模为具有增加数量的路径的电路的声阻抗路径的电路图；
图14是根据示例实施方式的MEMS器件、垫片组件和进入保护元件的立体图。
技术人员将理解，附图中的要素为了简化和清晰而例示。进一步将理解的是，可以以发生的特定顺序来描述或描绘特定动作和/或步骤，然而本领域技术人员将理解，实际上不需要关于顺序的这种特定性。还将理解的是，本文所用的术语和表达具有如与关于其对应各调查和研究领域的这种术语和表达一致的普通含义，除了本文另外阐述特定含义的情况。
具体实施方式
本方法为麦克风提供了防止可能损坏或破坏麦克风和/或其部件的污染物的进入保护。该方法防止污染物进入麦克风的内部，但是基本上不会降低麦克风的性能。结果，提供了更好的SR。另外，本文描述的方法是可移植的，因为这些方法可以容易地应用于当前麦克风，而无需修改现有麦克风的构造。
现在参照图1、图2、图3、图4和图5，描述了具有进入保护的MEMS麦克风100的一个示例。麦克风100包括基座102、MEMS器件104(例如，诸如声换能器的MEMS换能器)(包括两个MEMS马达，每个马达均包括振膜103和背板105)、专用集成电路108、垫片组件110、进入保护元件112、延伸穿过基座102的端口114以及盖116。尽管在本文的示例中描述了双MEMS马达，但是应当理解，本方法适用于任何数量的MEMS马达和端口。
在一个示例中，基座102可以是印刷电路板(PCB)。其他示例也是可能的。
MEMS器件104将通过端口接收的声能转换成表示该声能的电信号。如所提到的，该示例中的MEMS器件104是具有第一振膜和第一背板以及第二振膜和第二背板的双MEMS马达。在工作中，声能使振膜103移动，并与背板105产生变化的电势，该电势又产生单独的电流，该电流经由导线107被发送到ASIC 108。ASIC 108进一步处理该信号，例如，执行噪声去除功能。
垫片组件110可以由环氧树脂构成，包括四个壁120，并形成容积或腔115。容积或腔115是麦克风100的前腔容积117的一部分。前腔容积117包括容积115和由MEMS器件104形成的后孔的容积119。前腔容积117由进入保护元件112分开。在一些方面，前腔容积117还可包括端口114的容积。麦克风100的后腔容积121由盖116、MEMS器件104、基座102和ASIC 108界定。
在一个示例中，进入保护元件112可以是筛网(mesh screen)。更具体地，筛可以由薄膜(例如，由聚酰胺构成)构成，并且包括穿过薄膜并且声音所穿过的多个开口(或孔)。然而，开口足够小，以至于选定的固体、液体或气体污染物无法通过。
在一个示例中，进入保护元件112(例如，筛网)以大于端口孔114的直径D2的长度D1在MEMS器件104下方延伸。进入保护元件112(例如，筛网)的面积也大于端口孔114的面积。除筛外，进入保护元件的其他示例也是可能的。
将进入保护元件112(例如，筛网)放置在中空垫片组件的顶部，然后将MEMS器件104放置在进入保护元件112(例如，筛网)的顶部。在一个示例中，效果是筛网被定位在MEMS腔的前腔容积117的中间，筛网将前腔容积117分开。MEMS器件104、进入保护元件112和垫片组件110的组合结构被声学密封。也就是说，在这些元件的连接点或区域之间没有声泄漏。
麦克风100的进入保护元件112的等效声阻取决于多种因素。假设进入保护元件是筛网，则等效声阻部分地取决于筛网的尺寸和声学开口的面积(现在大于端口)。筛网中一个开口(或孔)的阻抗为：
Za＝Ra-jωMa
其中：
Figure BDA0002413921130000041
并且：
Figure BDA0002413921130000042
其中：ρ0是空气密度，r是开口半径，b是孔之间的距离，t是网的厚度，Ah是开口的面积，Ab是每个孔单元的非开口的面积。
上面的等式描述了一个建模为RL串联电路的声阻抗路径。来自筛网的噪声主要由有损电阻路径(Ra)决定。网的总声阻抗是所有路径的总和，可以可视化为图12所示的等效电路。该图中的每个Ra和Ma元件代表声阻抗路径。
并联的RL网络越多，总有效阻抗越低。直接设置在端口孔上方的筛网被端口孔的尺寸限制了路径的数量。由于MEMS器件的开口(后孔)总是大于端口孔，因此可以安装更多的网，并创建更多的路径。增加路径数量的效果是减少网引入的总噪声。这可以从图13的等效电路看出，其中Ra_N+x代表通过将筛放置在MEMS下方而不是在端口孔中而获得的增加的路径数量。应当理解，通过增加路径的数量，由筛网引入的阻抗(以及因此的噪声)被降低到可接受的水平。
现在参照图6至图11，描述了组装或制造过程的一个示例。
在步骤602，将元件(其将包括垫片组件)生长、沉积或以其他方式组装为晶片。如图7所示，将材料(其将成为垫片组件)生长为垫片组件晶片704。晶片704包括各个单独的部件702，并且这些部件中的每一个将成为单独的垫片组件。
在步骤604，在垫片组件晶片上方沉积网薄膜。如图7和图8所示，在晶片704上沉积网薄膜706。
在步骤606，如图9所示，将MEMS晶片708设置在网薄膜706和垫片组件晶片704上方。与垫片组件晶片704一样，MEMS晶片将被分成单独的MEMS器件。这些MEMS器件中的每一个对应于一个垫片组件(来自垫片组件晶片704)。
在步骤608，使用激光来划切(dice)(切割)组件。如图10和图1所示，特定的MEMS器件710被切割出并根据需要成形。还从垫片组件晶片704切下特定垫片组件712(例如，图1的垫片组件110)以形成垫片组件712。可以移除MEMS器件710，并添加振膜和背板以完成MEMS器件710。切割网706以形成与垫片组件712的尺寸匹配的网部分711。
在步骤610，在基座714上沉积网部分711和垫片组件712。
在步骤612，在网部分711上沉积MEMS器件710。可以形成声密封以确保从麦克风的前腔容积到后腔容积不发生泄漏。
在步骤614，通过将盖(未示出)附接到基座714来完成麦克风组件。也可以在盖与基座714之间创建声密封，以确保在麦克风的内部与麦克风的外部之间没有泄漏。
现在参照图14，描述了垫片组件、网和MEMS器件组合的另一示例。
在该示例中，MEMS器件1404包括双MEMS马达。MEMS器件1404设置在筛网1412的顶部，并且筛网1412设置在垫片组件1410的顶部。除了MEMS器件104的外表面不与筛网1412的外表面和垫片组件1410的外表面齐平之外，该示例类似于图1至图5的示例。取而代之的是，MEMS器件1404的宽度和长度小于筛网1412和垫片组件1410的宽度和长度，从而创建了阶梯状构造。
本文描述了本发明的优选实施方式，包括发明人已知的用于实施本发明的最佳模式。应该理解的是，所示的实施方式仅是示例性的，而不应视为限制本发明的范围。

Claims (20)

1.一种微机电系统(MEMS)麦克风，该MEMS麦克风包括：
基座，其包括延伸穿过所述基座的端口；
垫片组件，其设置在所述基座上并且设置在所述端口上方，所述垫片组件具有形成中空内部腔的多个壁，所述垫片组件具有上表面和下表面，所述下表面联接至所述基座；
进入保护元件，其在所述垫片组件的所述上表面上方延伸，并联接到所述垫片组件的所述上表面，其中，所述垫片组件在所述基座上方提升所述进入保护元件，所述进入保护元件能有效地防止污染物从中通过；以及
MEMS器件，其包括振膜和背板，所述MEMS器件设置在所述进入保护元件上方。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述垫片组件、所述进入保护元件和所述MEMS器件的组合结构形成声密封。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述垫片组件由环氧树脂材料构成，并且所述多个壁包括四个壁。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述进入保护元件是筛。
5.根据权利要求4所述的MEMS麦克风，其中，所述筛由网状材料构成并且包括多个开口。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述进入保护元件的面积大于所述端口的面积。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，所述MEMS麦克风还包括设置在所述基座上的专用集成电路(ASIC)。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述MEMS器件还包括第二振膜和第二背板。
9.根据权利要求8所述的MEMS麦克风，其中，所述基座包括延伸穿过所述基座的多个端口，并且其中，所述进入保护元件的面积大于所述多个端口的组合面积。
10.一种微机电系统(MEMS)器件组件，该MEMS器件组件包括：
垫片组件，其具有形成中空内部腔的多个壁，所述垫片组件具有上表面和下表面；
进入保护元件，其在所述垫片组件的所述上表面上方延伸，并联接到所述垫片组件的所述上表面，其中，所述垫片组件在所述下表面的上方提升所述进入保护元件，所述进入保护元件能有效地防止污染物从中通过；以及
MEMS器件，其包括振膜和背板，所述MEMS器件设置在所述进入保护元件上方。
11.根据权利要求10所述的MEMS器件组件，其中，所述垫片组件由环氧树脂材料构成，并且所述多个壁包括四个壁。
12.根据权利要求10所述的MEMS器件组件，其中，所述进入保护元件是筛。
13.根据权利要求12所述的MEMS器件组件，其中，所述筛由网状材料构成并且包括多个开口。
14.根据权利要求10所述的MEMS器件组件，其中，所述MEMS器件还包括第二振膜和第二背板。
15.一种制造微机电系统(MEMS)麦克风的方法，该方法包括以下步骤：
在第一晶片上生长垫片组件，所述垫片组件包括形成中空内部腔的多个壁；
在所述第一晶片上方沉积进入保护元件，所述进入保护元件能有效地防止污染物从中通过；
在所述进入保护元件上方沉积第二晶片，其中，所述第二晶片是MEMS晶片；
划切所述第一晶片、所述进入保护元件和所述MEMS晶片以形成MEMS器件，所述MEMS器件包括振膜和背板；
在所述麦克风的基座上沉积所述垫片组件；
在所述垫片组件的顶部上沉积所述进入保护元件；
在所述进入保护元件的顶部上沉积所述MEMS器件；以及
将盖联接到所述基座，从而封装所述垫片组件、所述进入保护元件和所述MEMS器件。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述垫片组件、所述进入保护元件和所述MEMS器件的组合结构形成声密封。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述垫片组件由环氧树脂材料构成，并且所述多个壁包括四个壁。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述进入保护元件是筛。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述筛由网状材料构成并且包括多个开口。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述进入保护元件的面积大于端口的面积。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT201800002049A1 (it) * 2018-01-26 2019-07-26 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di una piastrina a semiconduttore provvista di un modulo filtrante sottile, piastrina a semiconduttore includente il modulo filtrante, package alloggiante la piastrina a semiconduttore, e sistema elettronico
US10848864B2 (en) * 2018-09-07 2020-11-24 Apple Inc. Liquid-resistant modules, acoustic transducers and electronic devices
US11317199B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Apple Inc. Vented acoustic transducers, and related methods and systems
US11310591B2 (en) 2019-05-28 2022-04-19 Apple Inc. Vented acoustic transducers, and related methods and systems
USD928749S1 (en) * 2019-09-17 2021-08-24 Ningbo Kepo Electronics Co., Ltd. Vehicle microphone kit
CN213718168U (zh) 2019-12-30 2021-07-16 美商楼氏电子有限公司 传感器组件
CN213547840U (zh) 2019-12-30 2021-06-25 美商楼氏电子有限公司 用于麦克风组件的声音端口适配器
US11706561B1 (en) 2021-12-23 2023-07-18 Knowles Electronics, Llc Balanced armature receiver with liquid-resistant pressure relief vent

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102187685A (zh) * 2008-10-14 2011-09-14 美商楼氏电子有限公司 具有多个换能器元件的传声器
CN105493519A (zh) * 2014-08-27 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 带阀门机制的mems器件
CN106167246A (zh) * 2015-05-20 2016-11-30 英飞凌科技股份有限公司 微机电系统装置
CN206341428U (zh) * 2016-10-25 2017-07-18 瑞声科技(新加坡)有限公司 Mems麦克风
CN109890748A (zh) * 2017-06-09 2019-06-14 歌尔股份有限公司 Mems麦克风、其制造方法以及电子设备

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10160830A1 (de) 2001-12-11 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Mikromechanische Sensoren und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102004003413A1 (de) * 2004-01-23 2005-08-11 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Verpacken von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
DE102004011149B3 (de) 2004-03-08 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Mikrophon und Verfahren zur Herstellung eines Mikrophons
US7268006B2 (en) 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US7795695B2 (en) 2005-01-27 2010-09-14 Analog Devices, Inc. Integrated microphone
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
US7825484B2 (en) 2005-04-25 2010-11-02 Analog Devices, Inc. Micromachined microphone and multisensor and method for producing same
SG130158A1 (en) 2005-08-20 2007-03-20 Bse Co Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
KR100722686B1 (ko) * 2006-05-09 2007-05-30 주식회사 비에스이 부가적인 백 챔버를 갖고 기판에 음향홀이 형성된 실리콘콘덴서 마이크로폰
TW200847827A (en) 2006-11-30 2008-12-01 Analog Devices Inc Microphone system with silicon microphone secured to package lid
TWI327357B (en) 2007-01-10 2010-07-11 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone package and method thereof
TWI323242B (en) 2007-05-15 2010-04-11 Ind Tech Res Inst Package and packageing assembly of microelectromechanical system microphone
TWM341025U (en) 2008-01-10 2008-09-21 Lingsen Precision Ind Ltd Micro electro-mechanical microphone package structure
US8193596B2 (en) 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
US8351634B2 (en) 2008-11-26 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Side-ported MEMS microphone assembly
US8325951B2 (en) 2009-01-20 2012-12-04 General Mems Corporation Miniature MEMS condenser microphone packages and fabrication method thereof
US8472648B2 (en) 2009-01-20 2013-06-25 General Mems Corporation Miniature MEMS condenser microphone package and fabrication method thereof
CN201438743U (zh) 2009-05-15 2010-04-14 瑞声声学科技(常州)有限公司 麦克风
CN101651913A (zh) 2009-06-19 2010-02-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风
CN101651917A (zh) 2009-06-19 2010-02-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容麦克风
CN101959106A (zh) 2009-07-16 2011-01-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微机电系统麦克风的封装结构及其封装方法
CN101765047A (zh) 2009-09-28 2010-06-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容麦克风及其制作方法
TW201225684A (en) * 2010-12-08 2012-06-16 Ind Tech Res Inst Microphone packaging structure and method for fabricating the same
DE102010062887B4 (de) * 2010-12-13 2014-01-30 Robert Bosch Gmbh Mikrofonpackage und Verfahren zu dessen Herstellung
US9278849B2 (en) * 2012-06-15 2016-03-08 The Boeing Company Micro-sensor package and associated method of assembling the same
US9078063B2 (en) * 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
US9079760B2 (en) * 2012-12-17 2015-07-14 Invensense, Inc. Integrated microphone package
DE102013104407B4 (de) * 2013-04-30 2020-06-18 Tdk Corporation Auf Waferlevel herstellbares Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US9961452B2 (en) * 2014-04-22 2018-05-01 Akustica, Inc. MEMS microphone package
US9769554B2 (en) * 2015-03-05 2017-09-19 Stmicroelectronics (Malta) Ltd Semiconductor integrated device for acoustic applications with contamination protection element, and manufacturing method thereof
WO2017012122A1 (zh) * 2015-07-23 2017-01-26 华为技术有限公司 硅麦克风装置及使用其的电子设备
US9794661B2 (en) * 2015-08-07 2017-10-17 Knowles Electronics, Llc Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package
EP3542553B1 (en) * 2016-11-18 2021-03-17 Robert Bosch GmbH Mems microphone system having an electrode assembly
US10167188B2 (en) 2017-01-30 2019-01-01 Apple Inc. Integrated particle filter for MEMS device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102187685A (zh) * 2008-10-14 2011-09-14 美商楼氏电子有限公司 具有多个换能器元件的传声器
CN105493519A (zh) * 2014-08-27 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 带阀门机制的mems器件
CN106167246A (zh) * 2015-05-20 2016-11-30 英飞凌科技股份有限公司 微机电系统装置
CN206341428U (zh) * 2016-10-25 2017-07-18 瑞声科技(新加坡)有限公司 Mems麦克风
CN109890748A (zh) * 2017-06-09 2019-06-14 歌尔股份有限公司 Mems麦克风、其制造方法以及电子设备

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