JP7195478B2 - レゾルバの異常検出装置 - Google Patents
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Description
第1系統と第2系統との間で磁気干渉が生じる、第1系統の励磁巻線、第1系統の2つの出力巻線、第2系統の励磁巻線、及び第2系統の2つの出力巻線を有するレゾルバと、
前記第1系統の励磁巻線に第1周期の交流電圧を印加する第1系統の励磁部と、
前記第2系統の励磁巻線に、前記第1周期と異なる第2周期の交流電圧を印加する第2系統の励磁部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号を、前記第1周期の半分以下の周期で検出する第1系統の出力信号検出部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の成分を低減する第2周期成分低減処理を行う第1系統の低減処理部と、
前記第2周期成分低減処理後の前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の成分を低減する直流抽出処理を行って、第1系統の2つの出力信号の直流値を算出する第1系統の直流抽出処理部と、
前記第1系統の2つの出力信号の直流値が、予め設定された第1系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第1系統の異常を判定する第1系統の異常検出部と、を備え、
前記第2周期は、前記第1周期より長く設定され、
前記第1系統の低減処理部は、前記第2周期成分低減処理として、今回の検出タイミングで検出した前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値と、今回の検出タイミングよりも第1系統低減処理間隔前の検出タイミングで検出した前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値とを加算し、前記第1系統低減処理間隔は、前記第2周期をTBとして、TB/2+TB×M(Mは、0以上の整数)に設定されているものである。
実施の形態1に係るレゾルバの異常検出装置について図面を参照して説明する。図1は、本実施の形態に係るレゾルバの異常検出装置の概略構成図である。なお、レゾルバの異常検出装置は、角度検出装置でもある。
レゾルバ1は、第1系統の励磁巻線10A、第1系統の2つの出力巻線111A、112A(第1系統の第1出力巻線111A、第1系統の第2出力巻線112Aとも称す)、第2系統の励磁巻線10B、第2系統の2つの出力巻線111B、112B(第2系統の第1出力巻線111B、第2系統の第2出力巻線112Bとも称す)を有している。第1系統の巻線と第2系統の巻線との間で磁気干渉が生じる。すなわち、第1系統の励磁巻線10Aが発生した磁束による電磁誘導より、第1系統の2つの出力巻線111A、111Aだけでなく、第2系統の2つの出力巻線111B、112Bにも、誘起電圧が生じ、第2系統の励磁巻線10Bが発生した磁束による電磁誘導により、第2系統の2つの出力巻線111B、111Bだけでなく、第1系統の2つの出力巻線111A、112Aにも、誘起電圧が生じる。
レゾルバの異常検出装置は、制御装置50を備えている。制御装置50は、図1に示すように、第1系統の励磁部51A、第1系統の出力信号検出部52A、第1系統の低減処理部53A、第1系統の角度算出部54A、第1系統の直流抽出処理部55A、第1系統の異常検出部56A、第2系統の励磁部51B、第2系統の出力信号検出部52B、第2系統の低減処理部53B、第2系統の角度算出部54B、第2系統の直流抽出処理部55B、及び第2系統の異常検出部56Bを備えている。制御装置50の各機能は、制御装置50が備えた処理回路により実現される。
第1系統の励磁部51Aは、第1系統の励磁巻線10Aに第1周期TAの交流電圧VRA(本例では、正弦波の交流電圧VRA)を印加する。第1系統の励磁部51Aは、第1周期TAの交流電圧指令を算出し、交流電圧指令と三角波との比較結果に基づいて、出力回路93に設けられた第1系統の励磁巻線用のスイッチング素子をオンオフするPWM信号(Pulse Width Modulation)を生成する。スイッチング素子がオンされると、電源電圧が第1系統の励磁巻線10A側に印加され、スイッチング素子がオフされると、電源電圧の印加が停止する。
第1系統の出力信号検出部52Aは、第1系統の2つの出力巻線111A、112Aの出力信号V1A、V2Aを予め設定された検出タイミングで周期的に検出する。本実施の形態では、後述するように、検出タイミングは、第1系統の異常判定及び角度算出を考慮して設定される。
<系統間の磁気干渉による課題>
図5に第1系統の第1出力巻線の出力信号V1Aの例を示すように、第1系統の2つの出力巻線111A、112Aの出力信号V1A、V2Aには、それぞれ、系統間の磁気干渉により、第2系統の励磁巻線10Bに励磁された第2周期TBの磁束により電磁誘導により誘起された第2周期の成分V1A_TB、V2A_TBが重畳される。図5の上段のグラフに、第1系統の第1出力巻線の出力信号V1Aを示し、中段のグラフに、第1系統の第1出力巻線の出力信号V1Aに含まれる、第1系統の励磁巻線10Aの磁束により電磁誘導により誘起された第1周期の成分V1A_TAを示し、下段のグラフに、第1系統の第1出力巻線の出力信号V1Aに含まれる、第2系統の励磁巻線10Bの磁束により電磁誘導により誘起された第2周期の成分V1A_TBを示す。第1系統の第1出力巻線の出力信号V1Aは、第1周期の成分V1A_TAと第2周期の成分V1A_TBとを合計した信号となる。
そこで、第1系統の低減処理部53Aは、第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1A_S、V2A_Sに対して、第2周期の成分を低減する第2周期成分低減処理を行う。
ΔT1=TB/2+TB×M ・・・(1)
TB=TA×2×N ・・・(2)
ΔT1=TA×(N+2×N×M) ・・・(3)
V1A_F≒2×V1A_TA
V2A_F≒2×V2A_TA ・・・(4)
<異常判定の原理>
第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1A_F、V2A_F(以下、第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力信号V1A_F、V2A_Fとも称す)は、図3に示した系統間の磁気干渉がない場合の第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1A_S、V2A_Sと同様の挙動になる。よって、第1系統に異常がない場合は、第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力信号V1A_F、V2A_Fは、所定の電圧を中心に第1周期TAで振動し、振幅が回転周期で振動する。このように振動している第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力信号V1A_F、V2A_Fの瞬時値では、異常の有無を判定し難い。一方、異常がない場合は、振動中心値は所定の正常値になるので、振動中心値が正常値から変動した場合に、異常が発生したと検出できる。
そこで、第1系統の出力信号検出部52Aは、第1系統の2つの出力巻線111A、112Aの出力信号V1A、V2Aを、第1周期TAの半分以下の周期に設定された第1系統の異常判定用の検出周期で周期的に検出する。本実施の形態では、図5に示されているように、第1系統の出力信号検出部52Aは、第1系統の励磁巻線10Aに印加される第1周期TAの交流電圧VRAが最大値又は最小値になる第1周期の半周期TA/2毎のタイミングで、第1系統の2つの出力巻線の出力信号V1A_S、V2A_Sを検出する。
そして、第1系統の低減処理部53Aは、第1系統の2つの出力信号V1A_S、V2A_Sを検出する第1周期の半周期TA/2毎に、第1系統の2つの出力信号の検出値V1A_S、V2A_Sに対して第2周期成分低減処理を行って、第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力信号V1A_F、V2A_Fを算出する。本実施の形態では、第1系統の低減処理部53Aは、異常判定用の検出周期毎(本例では第1周期の半周期TA/2毎)に、今回検出した第1系統の2つの出力信号の検出値V1A_S、V2A_Sに、第1系統低減処理間隔ΔT1前(本例では、第1周期TA前(第1周期TAの整数倍前でもよい)に検出した第1系統の2つの出力信号の検出値V1A_Sold、V2A_Soldを加算して、第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力信号V1A_F、V2A_Fを算出する。
第1系統の直流抽出処理部55Aは、第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力信号V1A_F、V2A_Fに対して、それぞれ、第1周期TAの成分を低減する直流抽出処理を行って、第1系統の2つの出力信号の直流値V1A_DC、V2A_DCを算出する。
V1A_DC={V1A_F+V1A_F_old}/2
V2A_DC={V2A_F+V2A_F_old}/2
・・・(5)
第1系統の異常検出部56Aは、第1系統の2つの出力信号の直流値V1A_DC、V2A_DCが、それぞれ、予め設定された第1系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第1系統の異常を判定する。
図8のフローチャートを用いて、異常判定の処理の別例を説明する。図8のフローチャートの処理は、異常判定用の検出周期毎に、第1系統の2つの出力信号の直流値V1A_DC、V2A_DCが算出された後に実行される。図8では、第1系統の第1出力巻線の出力信号の直流値V1A_DCを用いた異常判定について説明するが、第1系統の第2出力巻線の出力信号の直流値V2A_DCについても同様に行われる。
第1系統の角度算出部54Aは、次式に示すように、第2周期成分低減処理後の第1系統の第1出力巻線の出力信号V1A_Fと、第1系統の第2出力巻線の出力信号V2A_Fとの比の、アークタンジェント(逆正接関数)を算出することにより、第1角度θ1を算出する。
θ1=tan-1(V1A_F/V2A_F) ・・・(6)
θ1≒tan-1{(2×V1A_TA)/(2×V2A_TA)}
=tan-1(V1A_TA/V2A_TA) ・・・(7)
第2系統の出力信号検出部52Bは、第2系統の2つの出力巻線111B、112Bの出力信号V1B、V2Bを予め設定された検出タイミングで周期的に検出する。本実施の形態では、後述するように、検出タイミングは、第2系統の異常判定及び角度算出を考慮して設定される。
<系統間の磁気干渉による課題>
図9に第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bの例を示すように、第2系統の2つの出力巻線111B、112Bの出力信号V1B、V2Bには、系統間の磁気干渉により、第1系統の励磁巻線10Aに励磁された第1周期TAの磁束により誘起された第1周期の成分が重畳する。図9の上段のグラフに、第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bを示し、中段のグラフに、第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bに含まれる、第2系統の励磁巻線10Bの磁束による電磁誘導により誘起された第2周期の成分V1B_TBを示し、下段のグラフに、第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bに含まれる、第1系統の励磁巻線10Aの磁束による電磁誘導により誘起された第1周期の成分V1B_TAを示す。第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bは、第2周期の成分V1B_TBと第1周期の成分V1B_TAとを合計した信号となる。
そこで、第2系統の低減処理部53Bは、第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1B_S、V2B_Sに対して、第1周期の成分を低減する第1周期成分低減処理を行う。
ΔT2=TA×P ・・・(8)
TB=TA×2×N ・・・(9)
ΔT2=TB/2+TB×L ・・・(10)
ΔT2=TA×N×(1+2×L) ・・・(11)
V1B_F≒2×V1B_TB
V2B_F≒2×V2B_TB ・・・(12)
<異常判定の原理>
第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1B_F、V2B_F(以下、第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力信号V1B_F、V2B_Fとも称す)は、図3に示した系統間の磁気干渉がない場合の第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1A_S、V2A_Sと同様の挙動になる。よって、第2系統に異常がない場合は、第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力信号V1B_F、V2B_Fは、所定の電圧を中心に第2周期TBで振動し、振幅が回転周期で振動する。このように振動している第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力信号V1B_F、V2B_Fの瞬時値では、異常の有無を判定し難い。一方、異常がない場合は、振動中心値は所定の正常値になるので、振動中心値が正常値から変動した場合に、異常が発生したと検出できる。
そこで、第2系統の出力信号検出部52Bは、第2系統の2つの出力巻線111B、112Bの出力信号V1B、V2Bを、第2周期TBの半分以下の周期に設定された第2系統の異常判定用の検出周期で周期的に検出する。本実施の形態では、図9に示されているように、第2系統の出力信号検出部52Bは、第2系統の励磁巻線10Bに印加される第2周期TBの交流電圧VRBが最大値又は最小値になる第2周期の半周期TB/2毎のタイミングで、第2系統の2つの出力巻線の出力信号V1B_S、V2B_Sを検出する。
そして、第1系統の低減処理部53Bは、第2系統の2つの出力信号V1B_S、V2B_Sを検出する第2周期の半周期TB/2毎に、第2系統の2つの出力信号の検出値V1B_S、V2B_Sに対して第1周期成分低減処理を行って、第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力信号V1B_F、V2B_Fを算出する。本実施の形態では、第2系統の低減処理部53Bは、異常判定用の検出周期毎(本例では第2周期の半周期TB/2毎)に、今回検出した第2系統の2つの出力信号の検出値V1B_S、V2A_Sから、第2系統低減処理間隔ΔT2前(本例では、第2周期TB前(第1周期TAの整数倍前でもよい)に検出した第2系統の2つの出力信号の検出値V1B_Sold、V2B_Soldを減算して、第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力信号V1B_F、V2B_Fを算出する。
第2系統の直流抽出処理部55Bは、第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力信号V1B_F、V2B_Fに対して、それぞれ、第2周期TBの成分を低減する直流抽出処理を行って、第2系統の2つの出力信号の直流値V1B_DC、V2B_DCを算出する。
V1B_DC={V1B_F+V1B_F_old}/2
V2B_DC={V2B_F+V2B_F_old}/2
・・・(13)
第2系統の異常検出部56Bは、第2系統の2つの出力信号の直流値V1B_DC、V2B_DCが、それぞれ、予め設定された第2系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第2系統の異常を判定する。
図12のフローチャートを用いて、異常判定の処理の別例を説明する。図12のフローチャートの処理は、異常判定用の検出周期毎に、第2系統の2つの出力信号の直流値V1B_DC、V2B_DCが算出された後に実行される。図12では、第2系統の第1出力巻線の出力信号の直流値V1B_DCを用いた異常判定について説明するが、第2系統の第2出力巻線の出力信号の直流値V2B_DCについても同様に行われる。
第2系統の角度算出部54Bは、次式に示すように、第1周期成分低減処理後の第2系統の第1出力巻線の出力信号V1B_Fと、第2系統の第2出力巻線の出力信号V2B_Fとの比の、アークタンジェント(逆正接関数)を算出することにより、第2角度θ2を算出する。
θ2=tan-1(V1B_F/V2B_F) ・・・(14)
θ2≒tan-1{(2×V1B_TB)/(2×V2B_TB)}
=tan-1(V1B_TB/V2B_TB) ・・・(15)
次に、実施の形態2に係るレゾルバの異常検出装置について説明する。上記の実施の形態1と同様の構成部分は説明を省略する。本実施の形態に係る角度検出装置の基本的な構成は実施の形態1と同様であるが、制御装置50の第2系統の出力信号検出部52B、第2系統の低減処理部53B、及び第2系統の直流抽出処理部55Bの構成が、実施の形態1と異なる。
図13に第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bの例を示すように、第2系統の2つの出力巻線111B、112Bの出力信号V1B、V2Bには、系統間の磁気干渉により、第1系統の励磁巻線10Aに励磁された第1周期TAの磁束により電磁誘導で誘起された第1周期の成分が重畳する。図13の上段のグラフに、第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bを示し、中段のグラフに、第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bに含まれる、第2系統の励磁巻線10Bの磁束により電磁誘導で誘起された第2周期の成分V1B_TBを示し、下段のグラフに、第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bに含まれる、第1系統の励磁巻線10Aの磁束により誘起された第1周期の成分V1B_TAを示す。第2系統の第1出力巻線の出力信号V1Bは、第2周期の成分V1B_TBと第1周期の成分V1B_TAとを合計した信号となる。
本実施の形態でも、第2系統の低減処理部53Bは、第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値V1B_S、V2B_Sに対して、第1周期の成分を低減する第1周期成分低減処理を行う。
ΔT2=TA/2+TA×X ・・・(16)
ΔTM12=ΔT2/2 ・・・(17)
V1B_F≒2×V1B_TB
V2B_F≒2×V2B_TB ・・・(18)
TB=TA×2
ΔT2=TA/2
ΔTM12=TA/4 ・・・(19)
第2系統の出力信号検出部52Bは、第2系統の2つの出力巻線111B、112Bの出力信号V1B、V2Bを、第2周期TBの半分以下の周期に設定された第2系統の異常判定用の検出周期で周期的に検出する。本実施の形態では、図13に示されているように、第2系統の出力信号検出部52Bは、第2周期TBの4分の1の周期毎のタイミング(TM1、TM2)で、第2系統の2つの出力巻線の出力信号V1B_S、V2B_Sを検出する。
V1B_DC={V1B_F+V1B_F_old}/2
V2B_DC={V2B_F+V2B_F_old}/2
・・・(20)
次に、実施の形態3に係るレゾルバの異常検出装置について説明する。上記の実施の形態1又は2と同様の構成部分は説明を省略する。本実施の形態に係るレゾルバの異常検出装置の基本的な構成は実施の形態1と同様であるが、レゾルバ1の構成が、実施の形態1又は2と異なる。図15は、本実施の形態に係る角度検出装置の概略構成図である。
最後に、本願のその他の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する各実施の形態の構成は、それぞれ単独で適用されるものに限られず、矛盾が生じない限り、他の実施の形態の構成と組み合わせて適用することも可能である。
Claims (15)
- 第1系統と第2系統との間で磁気干渉が生じる、第1系統の励磁巻線、第1系統の2つの出力巻線、第2系統の励磁巻線、及び第2系統の2つの出力巻線を有するレゾルバと、
前記第1系統の励磁巻線に第1周期の交流電圧を印加する第1系統の励磁部と、
前記第2系統の励磁巻線に、前記第1周期と異なる第2周期の交流電圧を印加する第2系統の励磁部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号を、前記第1周期の半分以下の周期で検出する第1系統の出力信号検出部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の成分を低減する第2周期成分低減処理を行う第1系統の低減処理部と、
前記第2周期成分低減処理後の前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の成分を低減する直流抽出処理を行って、第1系統の2つの出力信号の直流値を算出する第1系統の直流抽出処理部と、
前記第1系統の2つの出力信号の直流値が、予め設定された第1系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第1系統の異常を判定する第1系統の異常検出部と、を備え、
前記第2周期は、前記第1周期より長く設定され、
前記第1系統の低減処理部は、前記第2周期成分低減処理として、今回の検出タイミングで検出した前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値と、今回の検出タイミングよりも第1系統低減処理間隔前の検出タイミングで検出した前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値とを加算し、前記第1系統低減処理間隔は、前記第2周期をTBとして、TB/2+TB×M(Mは、0以上の整数)に設定されているレゾルバの異常検出装置。 - 前記第2周期は、前記第1周期をTAとして、TA×2×N(Nは、1以上の整数)に設定されている請求項1に記載のレゾルバの異常検出装置。
- 第1系統と第2系統との間で磁気干渉が生じる、第1系統の励磁巻線、第1系統の2つの出力巻線、第2系統の励磁巻線、及び第2系統の2つの出力巻線を有するレゾルバと、
前記第1系統の励磁巻線に第1周期の交流電圧を印加する第1系統の励磁部と、
前記第2系統の励磁巻線に、前記第1周期と異なる第2周期の交流電圧を印加する第2系統の励磁部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号を、前記第1周期の半分以下の周期で検出する第1系統の出力信号検出部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の成分を低減する第2周期成分低減処理を行う第1系統の低減処理部と、
前記第2周期成分低減処理後の前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の成分を低減する直流抽出処理を行って、第1系統の2つの出力信号の直流値を算出する第1系統の直流抽出処理部と、
前記第1系統の2つの出力信号の直流値が、予め設定された第1系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第1系統の異常を判定する第1系統の異常検出部と、
前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号を前記第2周期の半分以下の周期で検出する第2系統の出力信号検出部と、
前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の成分を低減する第1周期成分低減処理を行う第2系統の低減処理部と、
前記第1周期成分低減処理後の前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の成分を低減する直流抽出処理を行って、第2系統の2つの出力信号の直流値を算出する第2系統の直流抽出処理部と、
前記第2系統の2つの出力信号の直流値が、予め設定された第2系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第2系統の異常を判定する第2系統の異常検出部と、を備え、
前記第2系統の低減処理部は、前記第1周期成分低減処理として、今回の検出タイミングで検出した前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値と今回の検出タイミングよりも第2系統低減処理間隔前の検出タイミングで検出した前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値との差を算出する減算処理を行い、前記第2系統低減処理間隔は、前記第1周期をTAとして、TA×P(Pは、1以上の整数)に設定されているレゾルバの異常検出装置。 - 前記第2周期は、前記第1周期をTAとして、TA×2×N(Nは、1以上の整数)に設定され、
前記第2系統低減処理間隔は、前記第2周期をTBとして、TB/2+TB×L(Lは、0以上の整数)に設定されている請求項3に記載のレゾルバの異常検出装置。 - 第1系統と第2系統との間で磁気干渉が生じる、第1系統の励磁巻線、第1系統の2つの出力巻線、第2系統の励磁巻線、及び第2系統の2つの出力巻線を有するレゾルバと、
前記第1系統の励磁巻線に第1周期の交流電圧を印加する第1系統の励磁部と、
前記第2系統の励磁巻線に、前記第1周期と異なる第2周期の交流電圧を印加する第2系統の励磁部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号を、前記第1周期の半分以下の周期で検出する第1系統の出力信号検出部と、
前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の成分を低減する第2周期成分低減処理を行う第1系統の低減処理部と、
前記第2周期成分低減処理後の前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の成分を低減する直流抽出処理を行って、第1系統の2つの出力信号の直流値を算出する第1系統の直流抽出処理部と、
前記第1系統の2つの出力信号の直流値が、予め設定された第1系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第1系統の異常を判定する第1系統の異常検出部と、
前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号を前記第2周期の半分以下の周期で検出する第2系統の出力信号検出部と、
前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の成分を低減する第1周期成分低減処理を行う第2系統の低減処理部と、
前記第1周期成分低減処理後の前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の成分を低減する直流抽出処理を行って、第2系統の2つの出力信号の直流値を算出する第2系統の直流抽出処理部と、
前記第2系統の2つの出力信号の直流値が、予め設定された第2系統の正常範囲にあるか否かに基づいて、第2系統の異常を判定する第2系統の異常検出部と、を備え、
前記第2系統の低減処理部は、前記第1周期成分低減処理として、今回の検出タイミングで検出した前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号と今回の検出タイミングよりも第2系統低減処理間隔前の検出タイミングで検出した前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号とを加算し、
前記第2系統低減処理間隔は、前記第1周期をTAとして、TA/2+TA×X(Xは、0以上の整数)に設定されているレゾルバの異常検出装置。 - 前記第2系統の出力信号検出部は、前記第2系統の励磁巻線に印加される前記第2周期の交流電圧が最大値又は最小値になる基準タイミングに対して前後対称になる2つのタイミングで、周期的に前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号を検出し、
前記2つのタイミングの間隔は、前記第2系統低減処理間隔に設定され、
前記第2系統の低減処理部は、前記2つのタイミングの後のタイミングで、前記2つのタイミングで検出した前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値を互いに加算する請求項5に記載のレゾルバの異常検出装置。 - 前記第2系統の出力信号検出部は、前記第2周期の4分の1の周期毎の検出タイミングで、前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号を検出し、
前記第2系統の直流抽出処理部は、今回の前記後のタイミングで算出された前記第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値と、前回の前記後のタイミングで算出された前記第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値との平均値を、前記第2系統の2つの出力信号の直流値として算出する請求項6に記載のレゾルバの異常検出装置。 - 前記第1系統の異常検出部は、前記第1系統の2つの出力信号の直流値が前記第1系統の正常範囲にない場合が、予め設定された異常判定回数以上、連続して継続した場合に、前記第1系統に異常が発生していると判定する請求項1から7のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。
- 前記第1系統の直流抽出処理部は、前記第2周期成分低減処理後の前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第1周期の自然数倍の期間の移動平均処理を行って、前記第1系統の2つの出力信号の直流値を算出する請求項1から8のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。
- 前記第1系統の出力信号検出部は、前記第1系統の励磁巻線に印加される前記第1周期の交流電圧が最大値又は最小値になる前記第1周期の半周期毎の検出タイミングで、前記第1系統の2つの出力巻線の出力信号を検出し、
前記第1系統の直流抽出処理部は、今回の検出タイミングで算出された前記第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値と、前回の検出タイミングで算出された前記第2周期成分低減処理後の第1系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値との平均値を、前記第1系統の2つの出力信号の直流値として算出する請求項1から9のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。 - 前記第2系統の異常検出部は、前記第2系統の2つの出力信号の直流値が前記第2系統の正常範囲にない場合が、予め設定された異常判定回数以上、連続して継続した場合に、第2系統に異常が発生していると判定する請求項3から7のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。
- 前記第2系統の直流抽出処理部は、前記第1周期成分低減処理後の前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値に対して、前記第2周期の自然数倍の期間の移動平均処理を行って、前記第2系統の2つの出力信号の直流値を算出する請求項3から7、及び11のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。
- 前記第2系統の出力信号検出部は、前記第2系統の励磁巻線に印加される前記第2周期の交流電圧が最大値又は最小値になる前記第2周期の半周期毎の検出タイミングで、前記第2系統の2つの出力巻線の出力信号を検出し、
前記第2系統の直流抽出処理部は、今回の検出タイミングで算出された前記第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値と、前回の検出タイミングで算出された前記第1周期成分低減処理後の第2系統の2つの出力巻線の出力信号の検出値との平均値を、前記第2系統の2つの出力信号の直流値として算出する請求項3から7、11、及び12のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。 - 前記第1系統の励磁巻線、前記第1系統の2つの出力巻線、前記第2系統の励磁巻線、及び前記第2系統の2つの出力巻線は、同じ1つのステータに巻装されている請求項1から13のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。
- 前記第1系統の励磁巻線及び前記第1系統の2つの出力巻線は第1系統のステータに巻装され、前記第2系統の励磁巻線及び前記第2系統の2つの出力巻線は、前記第1系統のステータと軸方向に隣接する第2系統のステータに巻装されている請求項1から13のいずれか一項に記載のレゾルバの異常検出装置。
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