JP7193141B2 - 溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば円板形を呈した半導体基板（ウエハ）などの被処理品に対し、その片面にめっきを施すにあたって好適に使用することのできるめっき装置に関する。

今般、めっき装置として、半導体基板などの円板形をした被処理品の片面にめっき膜を形成するに際して、めっき膜の平面度や平滑度、膜厚などを高精度、高品質に保てるようにすることを目指して種々の装置開発が進められている。
この種のめっき装置のなかには、被処理品の板面大きさよりも少し小さな装着口が一つの側壁に貫通形成された処理槽を備えたものがある（例えば、特許文献１等参照）。側壁の装着口は槽内外を連通しているが、めっき処理時にはこの装着口の開口縁部へ被処理品の外周部を押し付け、これによって装着口を閉鎖できるようにしてある。また、処理槽内部には、装着口を介して被処理品の片面が臨む状態になるので、この状態で処理槽へ処理液を注入して被処理品の片面にめっきを施すようにするというものである。

このようなめっき装置は、被処理品をその板面が縦方向になるように立てた状態に保持させて処理する方式であることから、本明細書ではこの方式のめっき装置を「縦保持型めっき装置」と言う。
ところで、一般的なめっき処理システムとして、処理槽とは別に溶解槽を設置して、これら処理槽と溶解槽との間で処理液を循環させるように構成されたものは周知である。溶解槽は、めっき側の金属を溶解させて処理液の濃度調整を行うため、処理槽内の処理液は常に濃度一定に安定する点で優れている。しかしながら、このようなめっきシステムでは溶解槽の設置により配管経路が長くなり、設備が大きくなり設置占有面積も広大化するという問題があった。

そこでこれらを解消する目的のもと、縦保持型めっき装置では、処理槽内に、めっき側の金属として、不溶解電極を用いる方式が多用されていた（特許文献１もこの方式である）。

特許第３２８５００６号公報

縦保持型めっき装置では、めっき処理後に得られる製品の特性上、めっき膜に気泡や老廃物等が付着していることを徹底的に嫌うという宿命的な事情が付きまとう。しかしながら、不溶解電極の場合はガスの発生率が高く、その結果、めっき処理が進行すれば処理槽内で気泡や老廃物等が多量に発生する。
従来の縦保持型めっき装置では、気泡や老廃物等への対策が何ら採られていなかったため、被処理品に気泡や老廃物等が付着することは避けられなかったものと推察する。当然に、気泡や老廃物等が付着した部位から製品（集積回路チップ等）を切り出すことは不適であるため、それだけ被処理品の歩留まりは低下する。

なお、被処理品に形成されるめっきの膜厚が、外周寄りほど肉厚になり中央ほど肉薄になったり、反対に外周寄りほど肉薄で中央ほど肉厚になったりすることもあって、めっきの膜厚を均一にすることが難しいということがあった。このようなめっきの膜厚が不均等となる現象も、被処理品の歩留まりを低下させる大きな要因となっていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、半導体基板等の被処理品をめっき処理するに際して、気泡や老廃物等の付着を徹底的に防止して平面度や平滑度を飛躍的に高めることができ、まためっき膜厚の均一化を可能にすることにより、被処理品の歩留まりを極限まで高めることができる溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明は次の手段を講じた。
即ち、本発明に係る溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置は、底体とこの底体を取り囲んで立ち上がる槽壁とを有して槽内に処理液を貯留可能にする槽本体を有しており、前記槽本体の前記槽壁には、板状を呈する被処理品の板面外周部と輪状に当接する開口縁部を形成しつつ当該開口縁部の内側に槽内外間を貫通させる装着口が設けられており、前記槽本体の槽内には、めっき側金属の小片を入れる透液性の溶解ケースが設けられていることを特徴とする。

前記溶解ケースは、透液性を有する素材によりケース外壁が形成されたケース本体と、前記ケース本体の前記ケース外壁を外側から包み込んで前記ケース本体内に入れられためっき側金属から発生する老廃物を不通過とさせる濾材により形成された被覆体と、を有したものとするのがよい。
前記槽本体の槽内には前記溶解ケースを支持する支持台が設けられており、前記支持台には前記溶解ケースの内部と前記槽本体の槽外とを唯一の直通関係で連通させる排液通路が設けられたものとするのがよい。

前記槽本体の前記装着口が設けられた壁部に対して被処理品を槽外から押し付け及び押し付け状態の被処理品を取り出しする着脱装置を有しており、前記着脱装置は、前記槽本体の前記装着口に向けて押し付けた被処理品を回転させる回転機構を有しているものとするのが一層好適である。

本発明に係る、溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置では、半導体基板等の被処理品をめっき処理するに際して、気泡や老廃物等の付着を徹底的に防止して平面度や平滑度を飛躍的に高めることができ、まためっき膜厚の均一化を可能にすることにより、被処理品の歩留まりを極限まで高めることができる。

本発明に係る縦保持型めっき装置の実施形態を示した側断面図である。 本発明に係る縦保持型めっき装置の実施形態を示した平面図である。 溶解ケースを示した側断面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づき説明する。
図１乃至図３は、本発明に係る縦保持型めっき装置１の一実施形態を示している。この縦保持型めっき装置１は、主要部として備える槽本体２の槽内に溶解ケース３２が設けられたものである。
また、この縦保持型めっき装置１は、槽本体２に併設される状態で着脱装置３を有している。本実施形態では、これら槽本体２と着脱装置３とが装置フレーム４に支持されたベース５を介して並設されたものを例示してある。

なお、以下では被処理品Ｗが円板形を呈した半導体基板（ウエハ）である場合について説明する。
まず、槽本体２について説明する。
槽本体２は、底体１０とこの底体１０を取り囲んで立ち上がる槽壁１１とを有して、槽内を処理液Ｌの貯留用空間としている。底体１０を平面四角形とした場合に槽壁１１は底体１０の４辺に配置された４つの壁部１１ａ～１１ｄ（図２参照）を有することになる。なお、底体１０の平面形状は特に限定されるものではなく、したがって壁部の枚数も限定されない。

この槽本体２は、槽壁１１のうち少なくとも一面の壁部１１ａを、被処理品Ｗの着脱を想定する着脱想定面とする。この着脱想定面には槽本体２の内外間を貫通した状態で被処理品Ｗ用の装着口１５が設けられている。そのため、この装着口１５を閉鎖しないと槽内へ処理液Ｌを貯留することはできない。装着口１５の閉鎖には、被処理品Ｗそのものを使用することになる。

このような事情があるため、装着口１５は、被処理品Ｗの板面大きさよりも少し小さな開口大きさを有するように形成されている。従って、この装着口１５に向けて被処理品Ｗを同心関係となるように押し付けることにより、装着口１５の開口縁部に被処理品Ｗの外周部が輪状に当接して、装着口１５からの処理液Ｌの漏洩を防止し、もって槽本体２内に処理液Ｌを貯留できることになる。

本実施形態では、前記したように被処理品Ｗが円板形を呈したものとしているので、装着口１５の開口形状も円形としてある。
装着口１５が設けられた壁部１１ａは、重ね合わせ状態にして互いの間が固定される内枠体１７及び外枠体１８と、これら内枠体１７と外枠体１８との重合間で挟持状に保持される回転支持体１９とを有して形成されている。内枠体１７と外枠体１８とは、それぞれの枠内開口（開口形状は円形とした）を合致させてある。

これに対して回転支持体１９には、内枠体１７及び外枠体１８の間で合致する互いの枠内開口と連通関係を有するようになるやや小径の中央開口（開口形状は円形とした）が形成されている。要するに、内枠体１７、外枠体１８及び回転支持体１９の三者間にわたって連通する開口が設けられていることになり、この連通する開口によって前記した装着口１５が形成されている。

このような装着口１５において、回転支持体１９の開口縁部には、薄く形成されることで径方向内方へ張り出すような形状を備えた部分が設けられており、この張り出した部分で被処理品Ｗとの当接部１５ａを確保するようにしてある。この当接部１５ａは、垂直面（縦方向面）に沿って面一であり且つ周方向に均等幅の円形リング形を有したものとなっており、被処理品Ｗの外周部全周に対して均一且つ水密的に面接触するようになっている。

回転支持体１９は内枠体１７に対して回転自在に保持されている。回転支持体１９の回転が円滑に得られるようにするため、本実施形態では、内枠体１７と回転支持体１９とが面対偶で摺り合わされる界面部分に、ベアリング球２０を挟み込む構造を採用している。
具体的には、内枠体１７において回転支持体１９を向く面と、回転支持体１９において内枠体１７を向く面との少なくとも一方の面、又は両方の面に、ベアリング球２０を嵌め入れ可能な凹部を形成させてある。

なお、内枠体１７又は回転支持体１９の一方の面のみに凹部を設ける場合は、周方向に３箇所以上設けるか、又は装着口１５の開口縁部に沿った円環状の周溝２１として形成すればよい。また、内枠体１７及び回転支持体１９の両方の面に同径の周溝２１を形成することも可能であって、この場合には各周溝２１の溝内にベアリング球２０の約半球分が没する深さとするのがよい。

本実施形態では、内枠体１７及び回転支持体１９の両方の面に周溝２１を形成した例であり、溝方向に沿って多数のベアリング球２０が連接状態となるようにして両周溝２１間に挟持させてある。
ところで、内枠体１７が回転支持体１９を回転自在に保持させる構造部分（本実施形態においてベアリング球２０を挟み込んだ部分）では、本来ならば、槽本体２内の処理液Ｌが漏洩しない構造とする必要がある。場合によっては、そもそもベアリング球２０の挟み込み構造などの簡潔構造ではなく、回転支持構造自体に他の複雑な漏洩防止構造を備えたものを採用するのがよい。

しかし、本発明では複雑な漏洩防止構造は採らず、あえて処理液Ｌの漏洩を許容させるような簡潔構造（ベアリング球２０の挟み込み構造）を選択し、そのうえで漏洩した処理液Ｌを利用して被処理品Ｗへの給電効率を高められるように工夫している。
具体的には、回転支持体１９を導電性素材により形成するか、又は絶縁素材により形成したうえで被処理品Ｗの当接部１５ａと回転支持体１９の外周面との間の導電を適宜の導電材によって確保する構造を採用してある。そして、外枠体１８における枠内開口の内周面と、この内周面に対向するようになる回転支持体１９の槽外方向を向く外周面との周間を利用して、被処理品Ｗ側をカソードに保持させるための導通接点２５を設けてある。

また、漏洩した処理液Ｌを回収するための漏出液受け部２７を槽本体２の外部側に設けてある。この漏出液受け部２７は、槽本体２の槽外へ漏洩した処理液Ｌをこの漏出液受け部２７へ導く途中に、導通接点２５が含まれるような配置とする。
換言すれば、槽本体２における処理液Ｌの漏洩を許容する構造部分と漏出液受け部２７との間であって、処理液Ｌと接触するような位置に、導通接点２５を設けてあると言うことができる。

具体的には、外枠体１８の下端位置に下方へ通り抜けるドレン孔２８を形成し、このドレン孔２８の下方に漏出液受け部２７を配置してある。漏出液受け部２７は、回収した処理液Ｌを貯留する構造としてもよいし、処理液Ｌを槽本体２へ回帰させるための循環経路など（図示略）に対して送り出す構造としてもよい。
従って、内枠体１７が回転支持体１９を回転自在に保持させる構造部分（ベアリング球２０を挟み込んだ部分）を介して槽本体２の槽内から漏洩する処理液Ｌは、その一部が回転支持体１９の槽外方向を向く外周面へと導かれ、導通接点２５の摺接部分を潤して（液中給電状態となって）給電率を高めるという効果が得られる。

なお、槽本体２の槽内には溶解ケース３２が立設されている。図例では筒形を呈したものとし、また使用数を３つとしているが、槽本体２の容量に応じて溶解ケース３２の使用数は増減できるものである。勿論、溶解ケース３２の容量（内径や高さ、形状など）についても任意に変更できるものであり、場合によっては溶解ケース３２を１つだけ設けるようなことも可能である。

この溶解ケース３２は、透液性を有する素材によりケース外壁が形成されたケース本体３２ａと、このケース本体３２ａのケース外壁を外側から包み込んだ被覆体３２ｂとを有している。
ケース本体３２ａのケース外壁は、例えばチタン等を素材として形成され、アミ構造、多孔構造、スリット格子構造などを備えたものとなっている。

被覆体３２ｂは、ケース本体３２ａ内に入れられためっき側金属から発生する老廃物を不通過とさせる濾材（例えば、老廃物を通さない目開きの濾布）によって形成されている。
溶解ケース３２にニッケル、銅、金、銀、パラジウムなどのめっき側金属の小片３３を入れておき、これら溶解ケース３２の上端側からアノード液（例えば硫酸など）を供給することで、各溶解ケース３２の側面から槽本体２の槽内へ処理液Ｌ（硫酸銅など）を供給することができる。

このようにして槽本体２に供給される処理液Ｌは、溶解ケース３２の被覆体３２ｂにより不純物や老廃物などが除去されていると共に、金属の小片３３により、めっきの目的や小片３３の材質、質量、電流密度などのめっき条件に応じて濃度調整されていることは言うまでもない。
槽本体２の槽壁１１には、一部の壁部（図例では壁部１１ｃとした）に、処理液Ｌの貯留量を制限するためのオーバーフロー部３５が設けられている。このオーバーフロー部３５を設けることで、処理液Ｌの液面付近の汚損した老廃物を積極的に槽本体２の槽内から排出できるという利点もある。

槽本体２における槽内の底体１０上には、給排機能を備えた支持台３７が設けられており、この支持台３７上に溶解ケース３２が支持されている。この支持台３７には、溶解ケース３２の下端部に向けた排液通路３９と、槽本体２の槽内外間を直通で繋げる噴出通路４０と、前記した漏出液受け部２７とが形成されている。
排液通路３９は、溶解ケース３２の下端部に形成された小径の排液孔４２と、槽本体２の槽外とを唯一の直通関係で連通させるようになっており、溶解ケース３２のケース内で発生した老廃物（めっき側金属の小片３３から出た老廃物）については、槽本体２の槽内へ一切漏れ出させることなく、槽本体２の槽外へと排出できるようになっている。

要するに、溶解ケース３２内で生じた老廃物により槽本体２の槽内環境（もちろん、被処理品Ｗの被めっき面を含む）が汚染されることは、実質上、略防止できると言うことができる。殊に、めっき後に槽本体２から被処理品Ｗを取り出すに際して、予め槽本体２から処理液Ｌを除去するときには、この除去する処理液Ｌに老廃物が混合してしまうのを防止するうえで極めて有益となっている。

噴出通路４０は、槽本体２の槽外から供給されるカソード液（アノード液と同様に硫酸などを用いることが可能）を、装着口１５内で槽内へ向けて押し付け保持された被処理品Ｗ（めっきする面）に沿わせながら、可及的に近い位置で供給できるようになっている。この噴出通路４０は、槽本体２に向けて開口する開口径を径小に絞って複数並べて設けることができる。このようにすることで、カソード液の供給流れを、勢いを持ったカーテン状の噴流とすることができる。

なお、噴出通路４０から供給されるカソード液を一層効率よく被処理品Ｗに接しさせるために、溶解ケース３２と被処理品Ｗとの間を区画するように整流板（図示略）を設けてもよい。
次に、着脱装置３について説明する。
着脱装置３は、槽本体２の着脱想定面（装着口１５の開口縁部）に被処理品Ｗを押し付けたり、押し付け状態の被処理品Ｗを取り出したりするためのものであって、被処理品Ｗの保持機構４５と、この保持機構４５を槽本体２に対して近接離反させる方向で移動させる移動機構４６と、この移動機構４６に対して保持機構４５を回転させる回転機構４７とを有している。

保持機構４５は、被処理品Ｗの板面大きさとほぼ同じ大きさの円盤形を呈する保持体５０を有している。この保持体５０は、円盤形の中心軸が水平方向へ向くように横向きに保持されている。保持体５０の中央部には被処理品Ｗの板面大きさよりも一回り径小となる凹部が形成されており、したがって保持する被処理品Ｗとは、円盤形の正面側外周部のみによって当接し、それ以外の正面部分とは非接触状態を保持できるようになっている。

保持体５０の正面側外周部（被処理品Ｗと当接する部位）には、周方向に所定間隔をおいて複数の吸引孔５１が形成されており、各吸引孔５１が円盤形の中心位置で後方（槽本体２とは逆向きとなる方向：図１の右方）へ連通され、適宜の吸引装置（図示略）と接続されている。したがって、この吸引装置を動作させることで、保持体５０の正面に被処理品Ｗを吸着保持させることができる。

なお、保持体５０の正面側外周部に並ぶ全ての吸引孔５１に対し、それらの開口部を繋ぐように、保持体５０の正面側外周部に沿って周溝（図示略）を形成することで、各吸引孔５１を連通状態にさせるとよい。
この保持体５０の外周部には、少なくとも１箇所で径方向外方へ突出するようにして回り止め片５３が設けられている。この回り止め片５３と係合する相手側の係合部５５が、槽本体２の回転支持体１９に設けられている。

回転機構４７は例えばディスクモーターなどにより形成されており、モーター本体４７ａにより回転駆動される回転駆動体４７ａに対し、前記した保持機構４５の保持体５０が取り付けられている。勿論、ディスクモーターの使用が限定されるものではなく、スペース的に余裕がある場合には一般的なモーターを用いることもできる。
回転機構４７による保持体５０（被処理品Ｗ）の回転速度は、被処理品Ｗが半導体基板である場合にあっては技術常識としてその外径が所定範囲に収まるものであることから、この外径との相関から、例えば２～３ｒｐｍ程度とするのが好適とされる。

２ｒｐｍより低速であると、被処理品Ｗに対する気泡や老廃物等の付着を防止する作用が乏しくなり、まためっきの膜厚を均一にする効果も低くなる。また３ｒｐｍよりも高速であると、却ってめっきの膜厚にムラが生じるおそれがある。
但し、この回転数に関しては、前記した噴出通路４０から供給されるカソード液の有無や、カソード液の供給を噴流とするか否か等との相関によるものなので、カソード液の供給に関する条件が異なる場合には、必ずしも回転数に制限が付されるものではない。

移動機構４６は、例えば流体圧シリンダやロッドレスシリンダ、或いは巻掛け伝動手段等を電動駆動させる機構５６などにより、移動台５７をガイドレール５８に沿ってスライドさせるような構造とすればよい（図例はエアシリンダを用い場合とした）。
言うまでもなく、移動機構４６によって保持機構４５や回転機構４７が移動する際に、保持機構４５によって保持される被処理品Ｗの中心高さや、回転機構４７の回転中心高さなどは、槽本体２における装着口１５の中心高さや、回転支持体１９の回転中心高さと一致したものとされている。

そのため、保持機構４５によって保持される被処理品Ｗは、移動機構４６の移動によって槽本体２における装着口１５の開口縁部へ押し付けられ、且つ回転機構４７によって回転されるときに、回転支持体１９の回転中心と同心回転することになる。
またこのとき、保持機構４５の保持体５０に設けられた回り止め片５３が回転支持体１９の係合部５５と係合しているため、回転機構４７によって保持体５０に付与される回転力が直接、回転支持体１９に伝えられ、保持体５０と回転支持体１９とによって挟持状に保持された被処理品Ｗ共々、一体回転することになる。

すなわち、このようにして被処理品Ｗが回転するときに、被処理品Ｗは何物に対しても相対的な回転擦れを起こすことはなく、すり傷などが生じるおそれはない。
次に、本発明に係る縦保持型めっき装置１の稼働状況を説明する。
はじめに、槽本体２は槽内に処理液Ｌが貯留されていない空の状態にする。そして移動機構４６は保持機構４５を槽本体２から離した位置で停止させ、回転機構４７は保持機構４５の保持体５０を非回転とさせる。

この状態で機械動作又は人為操作により、保持機構４５の保持体５０へ被処理品Ｗを吸着保持させる。回転機構４７を非回転状態のまま、移動機構４６が保持機構４５及び回転機構４７を槽本体２へ向けて進行させ、被処理品Ｗを装着口１５の開口縁部へ押し付ける。
次に、この状態で槽本体２の槽内（溶解ケース３２の上端部）へアノード液を供給する。アノード液が槽本体２のオーバーフロー部３５から溢れるようになった後、回転機構４７を駆動させて被処理品Ｗに回転を付与する。

同時に、槽本体２の槽内に噴出通路４０を介してカソード液を供給して、アノード液と導通接点２５との間に電流を印加し、被処理品Ｗに対してめっき処理を施す。
噴出通路４０から噴出するカソード液は、槽本体２の槽内に貯留された処理液Ｌを撹拌する作用をも奏するため、処理液Ｌが濃度一定に安定されるという利点にも繋がる。
めっき処理中において被処理品Ｗは回転を続けるので、被処理品Ｗに対して気泡や老廃物等は付着することがない。もとより、溶解ケース３２内で発生する老廃物はケース外へ漏れ出すことがない状態に管理されているため、槽本体２の槽内環境として老廃物が殆ど存在しない状態に保持されており、この点からも、被処理品Ｗに付着する老廃物は略ゼロと言えるレベルになる。また、被処理品Ｗの回転は、付着するめっき膜の膜厚を均一にする効果もある。

めっきが終了した段階で回転機構４７を停止させ、槽本体２から処理液Ｌを全て排出する。
その後、移動機構４６を動作させて保持機構４５及び回転機構４７を槽本体２から離れる方向へ移動させ、その後、保持機構４５から被処理品Ｗを取り出すことで表面処理工程の１サイクルが完了する。

以上詳説したところから明らかなように、本発明に係る、溶解ケース３２を備えた縦保持型めっき装置１は、被処理品Ｗに対する気泡や老廃物等の付着を徹底的に防止することができるため、めっき膜の平面度や平滑度を飛躍的に高めることができる。また、めっき膜厚の均一化を可能になるため、被処理品Ｗの歩留まりを極限まで高めることができる。
加えて、本発明に係る縦保持型めっき装置１によりめっきされた被処理品Ｗは、めっき膜の平面度や平滑度、めっき膜厚などに関して高品質を有するものであり、半導体製造等の業界における製品安定化や製品開発にとって寄与するところ大である。

また、被処理品Ｗをカソードにするための導通接点２５の摺接部分を処理液Ｌにより潤して（液中給電状態として）給電率を高めるようにすることで、アノードとカソードとの間に印加する電流密度を高めることができる（４０～５０Ａ／ｄｍ²とすることも可）。これにより、処理効率（時間短縮化や低コスト化等）を高め、且つ処理品質を更に一層高めることができるという効果が得られる。

ところで、本発明は、前記した実施形態に限定されるものではなく、実施の形態に応じて適宜変更可能である。
例えば、回転機構４７は、ディスクモーター等によって一軸駆動方式にすることは限定されない。例えば、保持体５０の外周面にリングギヤを設け、このリングギヤに減速機を介すか又は介さないで外付けモーターによる回転駆動を付与するような構造としてもよい。

溶解ケース３２は箱型などに形成することも可能である。
槽本体２において、装着口１５を一面の壁部１１ａに対して設けることが限定されるものではなく、二面以上の壁部にも装着口１５を設けることができる。この場合、各装着口１５に対応させて保持気孔４５、回転機構４７及び移動機構４６を設ければよい。
保持機構４５の保持体５０は、円盤形とすることが限定されるものではなく、四角盤状や多角形の盤状のものなど、他の形状を採用してもよい。

本発明において対象とする被処理品Ｗについては、板状であり、１サイクルのめっき処理のなかで片面をめっきするものであれば、半導体基板（ウエハ）に限定されるものではない。
また、めっき側金属の小片３３については、図１では球形のものを図示したが、板状や板状を巻いたもの、円柱形、角柱形、不定形などの塊状のものとしてもよい。

１ 縦保持型めっき装置
２ 槽本体
３ 着脱装置
４ 装置フレーム
５ ベース
１０ 底体
１１ 槽壁
１１ａ～１１ｄ 壁部
１５ 装着口
１５ａ 当接部
１７ 内枠体
１８ 外枠体
１９ 回転支持体
２０ ベアリング球
２１ 周溝
２５ 導通接点
２７ 漏出液受け部
２８ ドレン孔
３２ 溶解ケース
３２ａ ケース本体
３２ｂ 被覆体
３３ 小片
３５ オーバーフロー部
３７ 支持台
３９ 排液通路
４０ 噴出通路
４２ 排液孔
４５ 保持機構
４６ 移動機構
４７ 回転機構
４７ａ モーター本体
４７ａ 回転駆動体
５０ 保持体
５１ 吸引孔
５３ 回り止め片
５５ 係合部
５６ 機構
５７ 移動台
５８ ガイドレール
Ｌ 処理液
Ｗ 被処理品

Claims (4)

1. 一面の壁部（１１ａ）を、被処理品（Ｗ）の装着により閉鎖される装着口（１５）を形成した着脱想定面としていて、内部に処理液（Ｌ）を貯留可能な槽本体（２）と、被処理品（Ｗ）を保持して槽本体（２）の外側から装着口（１５）に押し付ける着脱装置（３）とを有する縦保持型めっき装置であって、
   前記槽本体（２）の槽内には、めっき側金属の小片（３３）が入れられておりかつアノード液が上端側から供給され側面及び下部から流出可能な透液性の溶解ケース（３２）が、装着口（１５）に対面して配置されており、
   前記槽本体（２）の底には、溶解ケース（３２）と装着口（１５）との間で装着口（１５）に近接して被処理品（Ｗ）に沿ってカソード液を上向き噴出供給する噴出通路（４０）が設けられていることを特徴とする溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置。
2. 前記槽本体（２）の着脱想定面には、重ね合わせ状態に固定される内枠体（１７）及び外枠体（１８）と、これら内枠体（１７）と外枠体（１８）との重合間で回転可能に保持された回転支持体（１９）とが設けられ、この回転支持体（１９）に装着口（１５）となる中央開口と、この中央開口の開口縁部であって被処理品（Ｗ）が押し付けられる当接部（１５ａ）とが形成されており、
   前記着脱装置（３）は、被処理品（Ｗ）を先端に保持する保持体（５０）と、この保持体（５０）を回転支持体（１９）に向けて移動して被処理品（Ｗ）を回転支持体（１９）の当接部（１５ａ）に押し付ける移動機構（４６）と、回転支持体（１９）に押し付けた保持体（５０）を回転支持体（１９）とともに回転させる回転機構（４７）とが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置。
3. 前記噴出通路（４０）は、カソード液を被処理品（Ｗ）に沿ってカーテン状に噴出するべく、装着口（１５）に近接して複数並べて設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置。
4. 前記溶解ケース（３２）は、透液性を有する素材によりケース外壁が形成されたケース本体（３２ａ）と、ケース本体（３２ａ）を外側から包み込んでアノード液を側方へ流出させるが老廃物は不通過とさせる濾材により形成された被覆体（３２ｂ）とで形成されており、
   前記溶解ケース（３２）は装着口（１５）に対面して複数並べて設けられ、複数の溶解ケース（３２）を支持する支持台（３７）には溶解ケース（３２）の下部からアノード液を排出する排液通路（３９)が設けられていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の溶解ケースを備えた縦保持型めっき装置。

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