JP7188836B2 - printed circuit board - Google Patents

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Description

本発明は、プリント回路基板(printed circuit board)に関する。 The present invention relates to printed circuit boards.

近年20GHz以上の高周波帯域を使用する5G通信に対する関心が急増しており、これに対応するためにPCBに新たな材料を用いる技術研究が行われている。高周波帯域での信号伝達のときの損失を最小化するために、低誘電率(Dk)、低誘電損失(Df)を有する絶縁材料の使用及び回路表面粗度の低減、ビア間接続の向上などに関する技術開発が求められる。 In recent years, there has been a rapid increase in interest in 5G communication using high-frequency bands of 20 GHz or higher, and technical research is being conducted to use new materials for PCBs in order to respond to this. Use of insulating materials with low dielectric constant (Dk) and low dielectric loss (Df), reduction of circuit surface roughness, improvement of connection between vias, etc., in order to minimize loss during signal transmission in high frequency bands technology development is required.

韓国公開特許第10-2011-0002112号公報Korean Patent Publication No. 10-2011-0002112

本発明は、ビア間の接続が向上されたプリント回路基板を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a printed circuit board with improved connections between vias.

本発明の一側面によれば、一面に金属パッドが形成された第1絶縁層と、上記金属パッドの一面に接続するように上記第1絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、上記第1絶縁層の一面に積層される第2絶縁層と、上記金属パッドの他面に接続するように上記第2絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、上記メッキビアの第1絶縁層の他面側の表面が上記第1絶縁層内に位置するプリント回路基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, a first insulating layer having a metal pad formed on one surface thereof; a plated via formed through the first insulating layer to be connected to one surface of the metal pad; a second insulating layer laminated on one surface of one insulating layer; and a paste via formed through the second insulating layer so as to be connected to the other surface of the metal pad; A printed circuit board is provided in which the other surface of the insulating layer is located within the first insulating layer.

本発明の他の側面によれば、第1絶縁層と、上記第1絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、上記第1絶縁層上に積層される第2絶縁層と、上記メッキビアと接触するように上記第2絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、上記メッキビアと上記ペーストビアとの接触界面が上記第1絶縁層内に位置するプリント回路基板が提供される。 According to another aspect of the present invention, a first insulating layer, a plated via formed through the first insulating layer, a second insulating layer laminated on the first insulating layer, and the plated via a paste via formed through the second insulating layer so as to be in contact therewith, wherein a contact interface between the plated via and the paste via is located within the first insulating layer. .

本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。1 is a diagram showing a printed circuit board according to an embodiment of the invention; FIG. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の複数の単位層を示す図である。FIG. 2 illustrates a plurality of unit layers of a printed circuit board according to an embodiment of the invention; 本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図である。FIG. 2 illustrates vias in a printed circuit board according to an embodiment of the present invention; 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the printed circuit board based on the Example of this invention.

本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。 Exemplary embodiments of printed circuit boards in accordance with the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding components are identified by like reference numerals, Duplicate explanation is omitted.

また、以下で使用する「第1」、「第2」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第1、第2等の用語により限定されることはない。 In addition, terms such as "first" and "second" used below are merely identification symbols for distinguishing the same or corresponding components, and the same or corresponding components are the first, second, etc. is not limited by the term

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。 In addition, in the contact relationship between each component, the term “coupled” does not mean only the case where each component is in direct physical contact. It is used as a concept that includes the case where each component is in contact with another configuration.

図1は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図であり、図2は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の複数の単位層を示す図であり、図3は、本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a plurality of unit layers of the printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 2 illustrates vias in a printed circuit board according to an embodiment of the invention;

本発明の実施例に係るプリント回路基板は、2つの側面から説明することにする。第1側面は、一つの単位層内の構造についての説明であり、第2側面は、隣接した互いに異なる単位層間を結合するビア構造についての説明である。具体的には、図1及び図2を参照しながら、前者について説明し、図3を参照しながら、後者について説明する。 A printed circuit board according to embodiments of the present invention will be described from two aspects. The first aspect describes the structure within one unit layer, and the second aspect describes the via structure connecting different adjacent unit layers. Specifically, the former will be described with reference to FIGS. 1 and 2, and the latter will be described with reference to FIG.

図1及び図2を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第1絶縁層100と、メッキビア130と、第2絶縁層200と、ペーストビア230と、を含む。 1 and 2, a printed circuit board according to an embodiment of the present invention includes a first insulating layer 100, a plated via 130, a second insulating layer 200, and a paste via 230. As shown in FIG.

プリント回路基板は、複数の単位層で形成されることができ、複数の単位層のそれぞれは、第1絶縁層100と、メッキビア130と、第2絶縁層200と、ペーストビア230と、を含む。 The printed circuit board may be formed of a plurality of unit layers, each of which includes a first insulating layer 100, a plated via 130, a second insulating layer 200, and a paste via 230. .

第1絶縁層100及び第2絶縁層200は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材である。第2絶縁層200は、第1絶縁層100の一面に積層される。プリント回路基板が複数の単位層で形成される場合は、各単位層が第1絶縁層100と第2絶縁層200とを含むので、最終的に製造されるプリント回路基板は、第1絶縁層100と第2絶縁層200とが交互に繰り返し積層される構造を有する。 The first insulating layer 100 and the second insulating layer 200 are materials composed of an insulating material such as resin. The second insulation layer 200 is stacked on one surface of the first insulation layer 100 . When the printed circuit board is formed of a plurality of unit layers, each unit layer includes the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200, so that the finally manufactured printed circuit board has the first insulating layer. It has a structure in which the 100 and the second insulating layer 200 are alternately and repeatedly laminated.

絶縁層100、200の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な材料を用いることができる。 Various materials such as thermosetting resins and thermoplastic resins can be used as the resin of the insulating layers 100 and 200 .

絶縁層100、200は、誘電率及び誘電損失の低い材料で形成可能である。特に、絶縁層100、200は、誘電定数(Dk)及び誘電正接(Df)の低い材料、例えば、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PPE(Polyphenylene Ether)、COP(Cyclo Olefin Polymer)、PFA(Perfluoroalkoxy)、PI(Polyimide)のうちの少なくとも1種で形成可能である。これらの材料は、高周波信号を伝送する基板において信号損失を低減するために好適である。 The insulating layers 100, 200 can be made of materials with low dielectric constant and dielectric loss. In particular, the insulating layers 100 and 200 are made of a material with low dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df), such as LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer). , PFA (Perfluoroalkoxy), and PI (Polyimide). These materials are suitable for reducing signal loss in substrates that transmit high frequency signals.

しかし、絶縁層100、200は、上記の材料に限定されず、それら以外にもエポキシ樹脂またはポリイミド等で形成することができる。ここで、エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。 However, the insulating layers 100 and 200 are not limited to the above materials, and can be made of other materials such as epoxy resin or polyimide. Examples of epoxy resins include naphthalene-based epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, novolak-based epoxy resins, cresol novolak-based epoxy resins, rubber-modified epoxy resins, and cycloaliphatic epoxy resins. Resins, silicon-based epoxy resins, nitrogen-based epoxy resins, phosphorus-based epoxy resins, and the like can be used, but are not limited to these.

絶縁層100、200には、上記樹脂にガラス繊維(glass cloth)等の繊維補強材やシリカ等の無機フィラー(filler)が含有されてもよい。前者の例としては、プリプレグ(Prepregと、PPG)が挙げられ、後者の例としては、ABF(Ajinomoto Build-up Film)等のビルドアップフィルム(build up film)が挙げられる。 The insulating layers 100 and 200 may contain a fiber reinforcing material such as glass cloth or an inorganic filler such as silica in the resin. Examples of the former include prepreg (PPG), and examples of the latter include build-up films such as ABF (Ajinomoto Build-up Film).

第1絶縁層100の一面には、第1回路111及び金属パッド110が形成される。 A first circuit 111 and a metal pad 110 are formed on one surface of the first insulating layer 100 .

第1回路111及び金属パッド110は、第1絶縁層100の一面に埋め込まれることができる。この場合、第1回路111及び金属パッド110は、第2絶縁層200において第1絶縁層100の一面と接触する面(第2絶縁層200の他面であって、本明細書では第2絶縁層200において第1絶縁層100と接触しない面を「一面」と称し、その反対面を「他面」と称する。)上に形成され、第1回路111及び金属パッド110は、第1絶縁層100と第2絶縁層200との間に位置し、第1絶縁層100の一面に埋め込まれる。 The first circuit 111 and the metal pad 110 may be embedded in one surface of the first insulating layer 100 . In this case, the first circuit 111 and the metal pad 110 are the surface of the second insulating layer 200 that contacts one surface of the first insulating layer 100 (the other surface of the second insulating layer 200, which is the second insulating layer 200 in this specification). The side of the layer 200 that is not in contact with the first insulating layer 100 is called "one side", and the opposite side is called the "other side"), and the first circuits 111 and the metal pads 110 are formed on the first insulating layer. 100 and the second insulating layer 200 and embedded in one surface of the first insulating layer 100 .

第1回路111は、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。金属パッド110は、第1回路111に接続する伝導体である。第1回路111及び金属パッド110は、電気伝導特性を考慮して、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等の金属またはこれらの合金で形成することができる。 The first circuit 111 is a conductor patterned to carry electrical signals. Metal pad 110 is a conductor that connects to first circuit 111 . The first circuit 111 and the metal pad 110 are made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum ( It can be made of a metal such as Pt) or an alloy thereof.

第1回路111と金属パッド110の各側面は、傾斜して形成されることができる。特に、第1回路111及び金属パッド110の各側面は、下向きの傾斜面を有することができ、第1回路111及び金属パッド110の横断面積は、下部に行くほど(第2絶縁層200側に行くほど)大きくなることができる。特に、金属パッド110は、一面から他面に行くほどその横断面積が大きくなる。この傾斜した側面は、テンティング(tenting)のようにサブトラクティブ法(subtractive)により第1回路111と金属パッド110を形成した結果であり得る。 Each side of the first circuit 111 and the metal pad 110 may be inclined. In particular, each side surface of the first circuit 111 and the metal pad 110 may have a downward sloping surface, and the cross-sectional area of the first circuit 111 and the metal pad 110 increases downward (toward the second insulating layer 200). The further you go, the bigger it can get. In particular, the cross-sectional area of the metal pad 110 increases from one surface to the other surface. The slanted sides may be the result of forming the first circuit 111 and the metal pad 110 by a subtractive method such as tenting.

第1絶縁層100の他面には、第2回路112が形成される。 A second circuit 112 is formed on the other surface of the first insulating layer 100 .

第2回路112は、第1回路111と同じく、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。第2回路112は、電気伝導特性を考慮して、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等の金属またはこれらの合金で形成することができる。 The second circuit 112, like the first circuit 111, is a conductor patterned to carry electrical signals. The second circuit 112 is made of copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or the like, in consideration of electrical conduction characteristics. It can be made of metals or alloys thereof.

第2回路112は、第1回路111に比べて微細ピッチ(pitch)を有することができる。すなわち、第2回路112の配線密度は、第1回路111の配線密度よりも大きく、第2回路112の幅は、第1回路111の幅よりも小さく、第2回路112間の間隔は、第1回路111間の間隔よりも小さくてもよい。 The second circuit 112 may have a finer pitch than the first circuit 111 . That is, the wiring density of the second circuits 112 is higher than the wiring density of the first circuits 111, the width of the second circuits 112 is smaller than the width of the first circuits 111, and the interval between the second circuits 112 is the same as that of the first circuits 111. It may be smaller than the interval between one circuit 111 .

第2回路112の側面は、傾斜面を有さないか、第1回路111に比べて垂直に近い傾斜面を有することができる。これは、第1回路111と第2回路112とが互いに異なる方式により形成された結果であり得、例えば、第1回路111は、サブトラクティブ法により形成され、第2回路112は、アディティブ法(additive)、セミアディティブ法(semi additive)、モディファイドセミアディティブ法(modified semi additive)等により形成されることができる。 The sides of the second circuit 112 may have no slope or a slope that is more vertical than the first circuit 111 . This may be the result of the first circuit 111 and the second circuit 112 being formed by different methods, for example, the first circuit 111 is formed by a subtractive method and the second circuit 112 is formed by an additive method ( additive), semi-additive method, modified semi-additive method, and the like.

第2回路112は、下部にシード層Sを含むことができる。シード層Sは、無電解メッキにより形成可能であり、この場合、第2回路112は、電解メッキにより形成可能である。シード層Sは、2μm以下の厚さを有することができる。 The second circuit 112 may include a seed layer S underneath. The seed layer S can be formed by electroless plating, and in this case the second circuit 112 can be formed by electrolytic plating. The seed layer S may have a thickness of 2 μm or less.

第1絶縁層100の他面には、グラウンド層113を形成することができる。第2回路112はパターン化された導体であることに対して、グラウンド層113は第2回路112よりも広く形成される金属層であり得る。 A ground layer 113 may be formed on the other surface of the first insulating layer 100 . The second circuit 112 may be a patterned conductor, while the ground layer 113 may be a metal layer formed wider than the second circuit 112 .

プリント回路基板が複数の単位層で形成される場合、各単位層の第1絶縁層100の他面には第2回路112またはグラウンド層113を選択的に形成することができ、複数の単位層が一括積層されて最終的に製造されたプリント回路基板においては、回路層(第1回路111、第2回路112)及びグラウンド層113が特定の順に交互に形成されることができる。例えば、図1では、グラウンド層113が3つの回路層毎に形成されるように設計されている。 When the printed circuit board is formed of a plurality of unit layers, the second circuit 112 or the ground layer 113 may be selectively formed on the other surface of the first insulating layer 100 of each unit layer. In the printed circuit board finally manufactured by laminating together, the circuit layers (the first circuit 111 and the second circuit 112) and the ground layer 113 can be alternately formed in a specific order. For example, in FIG. 1, the ground plane 113 is designed to be formed every three circuit layers.

しかし、この構造に制限されず、第1絶縁層100の他面に第2回路112とグラウンド層113とがともに形成されることもできる。 However, the structure is not limited to this, and the second circuit 112 and the ground layer 113 may be formed together on the other surface of the first insulating layer 100 .

第1絶縁層100にはメッキビア130が形成される。 A plating via 130 is formed in the first insulating layer 100 .

メッキビア130は、第1絶縁層100を貫通する第1開口部120内に形成されることにより、メッキビア130は、第1絶縁層100を貫通する形態に形成されることができる。メッキビア130は、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等の金属またはこれらの合金が第1開口部120内にメッキされることにより形成可能である。 Since the plated via 130 is formed in the first opening 120 penetrating the first insulating layer 100 , the plated via 130 may be formed to pass through the first insulating layer 100 . The plated via 130 is made of a metal such as copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), gold (Au), platinum (Pt), or an alloy thereof. It can be formed by plating in 120 .

メッキビア130は、金属パッド110に接続され、金属パッド110の一面と接触する。メッキビア130は、金属パッド110と第2回路112(または、グラウンド層113)とを電気的に接続する。このとき、金属パッド110は、第1回路111に接続されるので、第1回路111と第2回路112(または、グラウンド層113)とは、メッキビア130により電気的に接続される。 The plating via 130 is connected to the metal pad 110 and contacts one surface of the metal pad 110 . The plated via 130 electrically connects the metal pad 110 and the second circuit 112 (or ground layer 113). At this time, since the metal pad 110 is connected to the first circuit 111 , the first circuit 111 and the second circuit 112 (or the ground layer 113 ) are electrically connected by the plated via 130 .

メッキビア130において金属パッド110と接触しない表面は、第1絶縁層100の他面側に露出される。ただし、メッキビア130において金属パッド110と接触しない表面は、第1絶縁層100の他面よりも陥没している。すなわち、メッキビア130の第1絶縁層100の他面側の表面は、第1絶縁層100の内部に位置する。このため、第1絶縁層100の一面を下面、第1絶縁層100の他面を上面と設定すると、メッキビア130の上面は、第1絶縁層100の上面よりも下に位置する。ここで、メッキビア130の表面が第1絶縁層100の上面よりも陥没して形成される空間をリセス(recess)空間140と称することがある。リセス空間140の厚さは、3μm以下であってもよい。 A surface of the plating via 130 that does not contact the metal pad 110 is exposed to the other surface of the first insulating layer 100 . However, the surface of the plated via 130 that is not in contact with the metal pad 110 is more depressed than the other surface of the first insulating layer 100 . That is, the surface of the plated via 130 on the other side of the first insulating layer 100 is located inside the first insulating layer 100 . Therefore, if one surface of the first insulating layer 100 is set as the bottom surface and the other surface of the first insulating layer 100 is set as the top surface, the top surface of the plated via 130 is positioned below the top surface of the first insulating layer 100 . Here, a space formed by the surface of the plated via 130 being recessed below the top surface of the first insulating layer 100 may be referred to as a recess space 140 . A thickness of the recess space 140 may be 3 μm or less.

メッキビア130の横断面積は、第1絶縁層100の一面から他面に行くほど大きくなることができる。すなわち、メッキビア130の横断面積は、第1回路111から第2回路112(または、グラウンド層113)に行くほど大きくなる。一方、複数の単位層のうちの1つの単位層において、メッキビア130の横断面積は、金属パッド110から外側に行くほど大きくなることができる。これは、第1開口部120がCOレーザ等のレーザ加工により形成された結果であり得る。 A cross-sectional area of the plating via 130 may increase from one surface to the other surface of the first insulating layer 100 . That is, the cross-sectional area of the plated via 130 increases from the first circuit 111 to the second circuit 112 (or ground layer 113). Meanwhile, in one unit layer among the plurality of unit layers, the cross-sectional area of the plating via 130 may increase outward from the metal pad 110 . This may be the result of the first opening 120 being formed by laser machining, such as a CO2 laser.

メッキビア130は、下部にシード層Sを含むことができる。シード層Sは、無電解メッキにより形成可能であり、この場合、メッキビア130は、電解メッキにより形成可能である。シード層Sは、2μm以下の厚さを有することができる。第2回路112のシード層Sとメッキビア130のシード層Sとは互いに接続されて、その間に界面が存在しないことがある。 The plating via 130 may include a seed layer S underneath. The seed layer S can be formed by electroless plating, and in this case, the plated vias 130 can be formed by electrolytic plating. The seed layer S may have a thickness of 2 μm or less. The seed layer S of the second circuit 112 and the seed layer S of the plated via 130 may be connected to each other without an interface therebetween.

第2絶縁層200には、ペーストビア230が形成される。ペーストビア230は、伝導性充填材で形成されたビアであって、例えば、金属ペーストで充填されたビアであり得る。 A paste via 230 is formed in the second insulating layer 200 . Paste vias 230 are vias formed with a conductive filler, and may be, for example, vias filled with a metal paste.

ペーストビア230を形成する金属ペーストの金属は、メッキビア130を形成する金属と異なってもよい。ペーストビア230の金属の溶融点は、メッキビア130のメッキの溶融点よりも小さくてもよい。メッキビア130は銅を含む金属で形成され、ペーストビア230は、ビスマスがコーティングされた銅、錫、銀を含む金属で形成されることができる。 The metal of the metal paste forming paste via 230 may be different from the metal forming plated via 130 . The melting point of the metal of the paste via 230 may be lower than the melting point of the plating of the plated via 130 . The plated via 130 may be formed of a metal containing copper, and the paste via 230 may be formed of a metal containing bismuth-coated copper, tin, or silver.

ペーストビア230は、第2絶縁層200を貫通する第2開口部220内に形成されることにより、第2絶縁層200を貫通する形態に形成可能である。ペーストビア230は、金属パッド110に接続され、金属パッド110の他面と接触する。 The paste via 230 may be formed in the second opening 220 penetrating the second insulation layer 200 so as to penetrate the second insulation layer 200 . Paste via 230 is connected to metal pad 110 and contacts the other surface of metal pad 110 .

ペーストビア230の横断面積は、金属パッド110の他面から第2絶縁層200の一面に行くほど大きくなる。メッキビア130の横断面積及びペーストビア230の横断面積の増減は、金属パッド110を基準にして互いに対称をなすことができる。すなわち、複数の単位層のうちの1つの単位層において、メッキビア130の横断面積及びペーストビア230の横断面積は、金属パッド110から外側に行くほど大きくなることができる。これは、第1開口部120と第2開口部220の加工面が反対に位置した結果であり得る。 The cross-sectional area of the paste via 230 increases from the other surface of the metal pad 110 to the one surface of the second insulation layer 200 . The cross-sectional area of the plated via 130 and the cross-sectional area of the paste via 230 may increase or decrease symmetrically with respect to the metal pad 110 . That is, in one unit layer among the plurality of unit layers, the cross-sectional area of the plated via 130 and the cross-sectional area of the paste via 230 may increase outward from the metal pad 110 . This may be a result of the opposing working surfaces of the first opening 120 and the second opening 220 .

ペーストビア230は、第2絶縁層200の一面から露出することができる。この場合、ペーストビア230は、第2絶縁層200の一面よりも突出することができる。すなわち、第2絶縁層200の一面を下面と称すると、第2絶縁層200の他面が第1絶縁層100の一面と接触し、ペーストビア230の下面は第2絶縁層200の下面から露出され、第2絶縁層200の下面よりも突出することができる。 The paste via 230 may be exposed from one side of the second insulation layer 200 . In this case, the paste via 230 may protrude from one surface of the second insulation layer 200 . That is, if one surface of the second insulation layer 200 is referred to as a bottom surface, the other surface of the second insulation layer 200 is in contact with one surface of the first insulation layer 100, and the bottom surface of the paste via 230 is exposed from the bottom surface of the second insulation layer 200. and may protrude from the lower surface of the second insulating layer 200 .

一方、ペーストビア230の横断面積は、第2絶縁層200の一面から外側に行くほど小さくなることができる。結局、ペーストビア230の横断面積は、金属パッド110の他面から第2絶縁層200の一面までは大きくなり、その後には小さくなることができる。 On the other hand, the cross-sectional area of the paste via 230 may decrease from one surface of the second insulating layer 200 toward the outside. As a result, the cross-sectional area of the paste via 230 may increase from the other surface of the metal pad 110 to the one surface of the second insulating layer 200 and then decrease.

図3は、複数の単位層でプリント回路基板を形成する場合、ある1つの単位層に形成されたメッキビア130と、隣接している他の1つの単位層に形成されたペーストビア230との結合関係を示す図である。 FIG. 3 shows a connection between a plated via 130 formed in one unit layer and a paste via 230 formed in another adjacent unit layer when forming a printed circuit board with a plurality of unit layers. FIG. 4 is a diagram showing relationships;

複数の単位層でプリント回路基板を形成する場合、ある1つの単位層の第1絶縁層100は、隣接する他の1つの単位層の第2絶縁層200と接することになる。このとき、上記のある1つの単位層にあるメッキビア130は、上記隣接する他の1つの単位層にあるペーストビア230と接触することになる。 When forming a printed circuit board with a plurality of unit layers, the first insulating layer 100 of one unit layer is in contact with the second insulating layer 200 of another adjacent unit layer. At this time, the plated via 130 in one unit layer contacts the paste via 230 in another adjacent unit layer.

すなわち、第1絶縁層100上に第2絶縁層200が積層され、第1絶縁層100を貫通するメッキビア130と第2絶縁層200を貫通するペーストビア230とは互いに接触する。このとき、メッキビア130とペーストビア230との接触界面は、第1絶縁層100内に位置する。図3に示すように、第1絶縁層100と第2絶縁層200との界面をAとする場合、メッキビア130とペーストビア230との接触界面は、Aに比べてBの分だけ第1絶縁層100側に位置する。ここで、Bの分だけの空間がリセス空間140となる。 That is, the second insulation layer 200 is stacked on the first insulation layer 100, and the plated via 130 penetrating the first insulation layer 100 and the paste via 230 penetrating the second insulation layer 200 are in contact with each other. At this time, the contact interface between the plated via 130 and the paste via 230 is located within the first insulating layer 100 . As shown in FIG. 3, when the interface between the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200 is A, the contact interface between the plated via 130 and the paste via 230 is the first insulating layer B compared to A. Located on the layer 100 side. Here, the space corresponding to B is the recess space 140 .

具体的に、メッキビア130の表面が界面Aよりも陥没しており、第1絶縁層100と第2絶縁層200とが互いに積層されるとき、ペーストビア230がメッキビア130の陥没している領域に挿入されて、結果的にペーストビア230が界面AからBの分だけ突出する。ここで、ペーストビア230の端部の側面は、第1絶縁層100と接触する。 Specifically, the surface of the plated via 130 is recessed from the interface A, and when the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200 are stacked, the paste via 230 is located in the region where the plated via 130 is recessed. As a result, the paste via 230 protrudes from the interface A by the distance B. FIG. Here, the side surfaces of the end portions of the paste vias 230 are in contact with the first insulating layer 100 .

このリセス空間140は、ペーストビア230を一部収容するので、ペーストビア230の不要なフロー(flow)を防止できる。また、リセス空間140により、メッキビア130とペーストビア230との整合に有利な効果があり、別途のビアパッドが不要となり、ビアパッドによる信号損失も低減することができる。 Since the recess space 140 partially accommodates the paste via 230, unnecessary flow of the paste via 230 can be prevented. In addition, the recess space 140 is advantageous in matching the plated via 130 and the paste via 230, thus eliminating the need for additional via pads and reducing signal loss caused by the via pads.

なお、1絶縁層100の一面には、第1回路111及び金属パッド110が形成され、メッキビア130は金属パッド110の一面に形成され、第2絶縁層200は第1絶縁層100の他面に積層される。ここで、金属パッド110の側面には傾斜面が含まれ、金属パッド110の横断面積は、金属パッド110の一面から他面に行くほど大きくなることができる。第1回路111の側面にも同じ傾斜面が含まれることができる。第2回路112の横断面積も、一面から他面に行くほど大きくなることができる。 In addition, the first circuit 111 and the metal pad 110 are formed on one surface of the first insulating layer 100 , the plating via 130 is formed on one surface of the metal pad 110 , and the second insulating layer 200 is formed on the other surface of the first insulating layer 100 . Laminated. Here, the side surfaces of the metal pad 110 may include inclined surfaces, and the cross-sectional area of the metal pad 110 may increase from one surface to the other surface of the metal pad 110 . A side surface of the first circuit 111 may also include the same inclined surface. The cross-sectional area of the second circuit 112 may also increase from one side to the other.

第1絶縁層100の他面には、第2回路112が形成される。第2回路112の側面は、傾斜面を含まないか、垂直に近い傾斜面を含むことができる。第2回路112の下部にはシード層Sが備えられ、シード層Sは、メッキビア130の下部に備えられるシード層Sに接続することができる。 A second circuit 112 is formed on the other surface of the first insulating layer 100 . The sides of the second circuit 112 may include no sloped surfaces or nearly vertical sloped surfaces. A seed layer S may be provided below the second circuit 112 , and the seed layer S may be connected to the seed layer S provided below the plating via 130 .

第1絶縁層100の他面にはグラウンド層113を形成することができる。 A ground layer 113 may be formed on the other surface of the first insulating layer 100 .

上記第1絶縁層100及び上記第2絶縁層200は、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PPE(Polyphenylene Ether)、COP(Cyclo Olefin Polymer)、PFA(Perfluoroalkoxy)、PI(Polyimide)のうちの少なくとも1種で形成することができる。 The first insulating layer 100 and the second insulating layer 200 are made of LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), PFA (Perfluoroalkoxy), PI (polyethylene). It can be formed with at least one of them.

一方、第1絶縁層100を貫通する第1開口部120及び第2絶縁層200を貫通する第2開口部220は、界面Aから反対に行くほどその横断面積が小さくなることができる。この場合、メッキビア130の横断面積は、一面から他面に行くほど小さくなり、つまり、メッキビア130の横断面積は下面から界面Aに行くほど大きくなる。また、ペーストビア230の横断面積は、上面から第1絶縁層100と第2絶縁層200との界面に行くほど大きくなり、第1絶縁層100と第2絶縁層200との界面から界面Aに行くほど小さくなる。これは、ペーストビア230の一部が第1開口部120の内部に挿入されるからであり、これにより、第1開口部120内でのペーストビア230の側面の傾きは、メッキビア130の側面の傾きと同じである。 On the other hand, the cross-sectional areas of the first opening 120 penetrating the first insulating layer 100 and the second opening 220 penetrating the second insulating layer 200 may be reduced in the opposite directions from the interface A. FIG. In this case, the cross-sectional area of the plated via 130 decreases from one surface to the other surface, that is, the cross-sectional area of the plated via 130 increases from the bottom surface to the interface A. In addition, the cross-sectional area of the paste via 230 increases from the upper surface toward the interface between the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200, and extends from the interface between the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200 to the interface A. It gets smaller as you go. This is because a part of the paste via 230 is inserted inside the first opening 120 , so that the inclination of the side surface of the paste via 230 within the first opening 120 is the same as that of the side surface of the plated via 130 . Same as tilt.

図4は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。 FIG. 4 shows a printed circuit board according to an embodiment of the invention.

図4に示すプリント回路基板は、硬軟性基板であることができる。このプリント回路基板は、同軸ケーブルの代用として用いることができる。 The printed circuit board shown in FIG. 4 can be a rigid flexible board. This printed circuit board can be used as a replacement for the coaxial cable.

硬軟性基板は、リジッド部とフレキシブル部とに区画され、リジッド部とフレキシブル部にかけて形成されるフレキシブル絶縁層310は、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PI(polyimide)等の屈曲可能な材料で形成され、リジッド部にはフレキシブル絶縁層の両面にリジッド絶縁層320が積層される。リジッド絶縁層320には、屈曲性の小さい樹脂を用いることができる。 The hard-soft substrate is divided into a rigid part and a flexible part, and the flexible insulating layer 310 formed over the rigid part and the flexible part is made of bendable material such as LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PI (polyimide), or the like. In the rigid portion, rigid insulating layers 320 are laminated on both sides of the flexible insulating layer. A resin with low flexibility can be used for the rigid insulating layer 320 .

リジッド部は、図1から図3を参照して説明した構造を含むことができる。これに関する説明は上述した内容と同様であるので省略する。 The rigid portion can include structures described with reference to FIGS. 1-3. A description of this is omitted because it is the same as the content described above.

図5から図18は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 5 to 18 are diagrams illustrating a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the invention.

図5に示すように、絶縁材に金属箔Mの積層された原資材を準備する。ここで、絶縁材は、上述した説明での第2絶縁層200に対応し、金属箔Mは、第1回路111及び金属パッド110の母体となる。 As shown in FIG. 5, a raw material in which a metal foil M is laminated on an insulating material is prepared. Here, the insulating material corresponds to the second insulating layer 200 described above, and the metal foil M serves as the base of the first circuit 111 and the metal pads 110 .

絶縁材は、誘電定数及び誘電正接の小さいLCP(Liquid Crystal Polymer)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PPE(Polyphenylene Ether)、COP(Cyclo Olefin Polymer)、PFA(Perfluoroalkoxy)、PI(polyimide)等の材料で形成可能であり、好ましくは、誘電正接が(10GHzにおいて)0.002よりも小さいことが可能である。また、絶縁材は、25~100μmの厚さを有することができる。金属箔Mは、銅であってもよく、10~20μmの厚さを有することができる。しかし、これに制限されない。 The insulating material is formed of materials such as LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), PFA (Perfluoroalkoxy), PI (Polyimide), etc., which have a small dielectric constant and dielectric loss tangent. It is possible and preferably the dissipation factor is less than 0.002 (at 10 GHz). Also, the insulating material can have a thickness of 25 to 100 μm. The metal foil M may be copper and may have a thickness of 10-20 μm. However, it is not limited to this.

図6では、感光性レジストR1を積層し、パターン化する。感光性レジストR1のパターン化は、露光現像を含むフォトリソグラフィ工程により形成可能である。感光性レジストR1は、エッチングレジストとなる。すなわち、パターン化された感光性レジストR1は、第1回路111及び金属パッド110が形成される領域に残留する。 In FIG. 6, a photosensitive resist R1 is deposited and patterned. The patterning of the photosensitive resist R1 can be formed by a photolithography process including exposure and development. The photosensitive resist R1 becomes an etching resist. That is, the patterned photosensitive resist R1 remains in the regions where the first circuits 111 and the metal pads 110 are formed.

図7に示すように、パターン化された感光性レジストR1がエッチングレジストとなり、金属箔Mがエッチングされる。このようなテンティング法(tenting)により第1回路111及び金属パッド110を形成することができるが、これに制限されない。テンティング法により第1回路111及び金属パッド110を形成すると、第1回路111及び金属パッド110の側面には傾斜面が形成され、第1回路111及び金属パッド110のそれぞれの横断面積は、絶縁材側に行くほど大きくなる。すなわち、第1回路111と金属パッド110の縦断面は、台形となる。ただし、図8の以後からは、第1回路111及び金属パッド110の側面の傾斜面を省略して示す。 As shown in FIG. 7, the patterned photosensitive resist R1 serves as an etching resist, and the metal foil M is etched. The first circuit 111 and the metal pad 110 may be formed by such a tenting method, but is not limited thereto. When the first circuit 111 and the metal pad 110 are formed by the tenting method, the sides of the first circuit 111 and the metal pad 110 are inclined, and the cross-sectional areas of the first circuit 111 and the metal pad 110 are insulated. It gets bigger as it goes to the material side. That is, the vertical cross section of the first circuit 111 and the metal pad 110 is trapezoidal. However, from FIG. 8 onwards, the inclined side surfaces of the first circuit 111 and the metal pad 110 are omitted.

図8では、絶縁材上に第1絶縁層100を積層し、第1絶縁層100の一面が絶縁材に接触する。第1絶縁層100の積層は、V-pressによるラミネートで実現できる。第1絶縁層100は、25~100μmの厚さを有することができる。第1絶縁層100は、絶縁材(第2絶縁層200)と同種のまたは異種の材料で形成可能である。ただし、第1絶縁層100の誘電正接も(10GHzにおいて)0.002よりも小さいことが可能である。 In FIG. 8, the first insulating layer 100 is laminated on the insulating material, and one surface of the first insulating layer 100 contacts the insulating material. Lamination of the first insulating layer 100 can be realized by lamination by V-press. The first insulating layer 100 may have a thickness of 25-100 μm. The first insulating layer 100 can be made of the same or different material as the insulating material (the second insulating layer 200). However, the dissipation factor of the first insulating layer 100 can also be less than 0.002 (at 10 GHz).

図8の工程により、第1絶縁層100と第2絶縁層200とが結合した単位層が形成され、第1絶縁層100と第2絶縁層200との間に、第1回路111及び金属パッド110が位置し、第1回路111及び金属パッド110が第1絶縁層100に埋め込まれる。 Through the process of FIG. 8, a unit layer is formed by combining the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200, and between the first insulating layer 100 and the second insulating layer 200, the first circuit 111 and the metal pad are formed. 110 is located, the first circuit 111 and the metal pad 110 are embedded in the first insulating layer 100 .

図9に示すように、第1絶縁層100に第1開口部120を形成する。第1開口部120は、COレーザ、UVレーザ等のレーザ加工により形成するか、サンドブラスト(Sand Blast)等の機械的加工により形成することができる。第1開口部120は、金属パッド110上に形成されて、金属パッド110の一面が第1開口部120から露出される。第1開口部120の横断面積は、金属パッド110側に行くほど小さくなってもよく、第1開口部120の金属パッド110の反対側の幅は、40~100μmであってもよい。 As shown in FIG. 9, a first opening 120 is formed in the first insulating layer 100 . The first opening 120 can be formed by laser processing such as CO 2 laser or UV laser, or by mechanical processing such as sand blasting. A first opening 120 is formed on the metal pad 110 such that one surface of the metal pad 110 is exposed through the first opening 120 . The cross-sectional area of the first opening 120 may decrease toward the metal pad 110, and the width of the first opening 120 opposite the metal pad 110 may be 40-100 μm.

図10に示すように、第1開口部120内にメッキビア130が形成される。メッキビア130は、無電解メッキによりシード層Sを形成した後に、電解メッキにより充填することができる。このとき、無電解メッキにより形成されるシード層Sは、第1開口部120の内側壁、底面だけではなく、第1絶縁層100の他面上にも延長して形成されることができる。シード層Sは、2μm以下の厚さを有することができる。 As shown in FIG. 10, a plating via 130 is formed within the first opening 120 . The plated via 130 can be filled by electroplating after the seed layer S is formed by electroless plating. At this time, the seed layer S formed by electroless plating may be formed to extend not only to the inner sidewalls and bottom surface of the first opening 120 but also to the other surface of the first insulating layer 100 . The seed layer S may have a thickness of 2 μm or less.

図11に示すように、シード層S上に感光性レジストR2が積層され、感光性レジストR2がパターニングされる。感光性レジストR2は、第2回路112の形成領域に対応して除去される。 As shown in FIG. 11, a photosensitive resist R2 is layered on the seed layer S, and the photosensitive resist R2 is patterned. The photosensitive resist R2 is removed corresponding to the forming region of the second circuit 112. Next, as shown in FIG.

図12に示すように、第2回路112が形成されるが、電解メッキにより第2回路112を形成することができる。このように、第2回路112はセミアディティブ法により形成できるが、これに制限されない。 As shown in FIG. 12, the second circuit 112 is formed, and the second circuit 112 can be formed by electroplating. Thus, the second circuit 112 can be formed by a semi-additive method, but is not limited to this.

図13に示すように、感光性レジストR2を剥離する。 As shown in FIG. 13, the photosensitive resist R2 is removed.

図14では、不要なシード層Sを除去する。すなわち、第2回路112の下部に位置したシード層S以外の他の領域のシード層Sを除去する。ここで、シード層Sを除去するときに、シード層Sと同じ金属で形成されたメッキビア130の一面の一部が除去される。すなわち、メッキビア130にリセス空間140が形成される。これにより、メッキビア130の一面は、第1絶縁層100の他面よりも下に陥没する。 In FIG. 14, the unnecessary seed layer S is removed. That is, the seed layer S other than the seed layer S positioned under the second circuit 112 is removed. Here, when removing the seed layer S, a part of one surface of the plated via 130 made of the same metal as the seed layer S is removed. That is, a recess space 140 is formed in the plating via 130 . Accordingly, one surface of the plated via 130 is recessed below the other surface of the first insulating layer 100 .

図15に示すように、第2開口部220が形成されるが、第2絶縁層200の一面に保護フィルム210を付着した後に第2開口部220を形成する。保護フィルム210は、PETフィルムであってもよい。保護フィルム210は、第2開口部220を加工するときにバリ(burr)の発生を防止できる。第2開口部220は、COレーザ、UVレーザ等のレーザ加工により形成するか、サンドブラスト(Sand Blast)等の機械的加工により形成することができる。第2開口部220の第2絶縁層200の一面での幅は、40~100μmであってもよい。 As shown in FIG. 15, the second opening 220 is formed after attaching the protective film 210 to one surface of the second insulating layer 200 . Protective film 210 may be a PET film. The protective film 210 can prevent burrs from being generated when the second opening 220 is processed. The second opening 220 can be formed by laser processing such as CO 2 laser or UV laser, or by mechanical processing such as sand blasting. The width of the second opening 220 on one surface of the second insulating layer 200 may be 40 to 100 μm.

図16に示すように、第2開口部220内に金属ペーストが充填される。金属ペーストは、錫系列、銀系列、またはビスマス(Bi)がコーティングされた銅で形成された金属フィラー(filler)を含み、熱硬化性樹脂によりミキシングされたペーストであってもよい。金属ペーストは、真空印刷機、または大気印刷機によりスクィジング(squeezing)されることができる。 As shown in FIG. 16, the second opening 220 is filled with a metal paste. The metal paste may be a paste mixed with a thermosetting resin containing a metal filler made of tin-based, silver-based, or bismuth (Bi)-coated copper. The metal paste can be squeezed by a vacuum press or an air press.

図17においては、保護フィルム210が除去され、ペーストビア230が完成される。保護フィルム210を除去するとき、金属ペーストの一部が除去されることがある。しかし、この場合であっても、金属ペーストは第2絶縁層200の一面よりも突出する。この過程を経てプリント回路基板の単位層を形成することができる。 In FIG. 17, protective film 210 is removed and paste via 230 is completed. A portion of the metal paste may be removed when removing the protective film 210 . However, even in this case, the metal paste protrudes from one surface of the second insulating layer 200 . Through this process, a unit layer of a printed circuit board can be formed.

図18では、第2回路112の代わりにグラウンド層113が形成された単位層を製造する。 In FIG. 18, a unit layer having a ground layer 113 instead of the second circuit 112 is manufactured.

すなわち、同じく第2絶縁層200及び第1絶縁層100が積層された単位層を準備し、第1開口部120の加工、シード層Sを形成し、メッキビア130とともにグラウンド層113をメッキにより形成することができる。以後、保護フィルム210の付着、第2開口部220の加工、ペーストビア230の形成、保護フィルム210の除去の過程を経て、グラウンド層113が形成された単位層を製造することができる。 That is, similarly, a unit layer in which the second insulating layer 200 and the first insulating layer 100 are stacked is prepared, the first opening 120 is processed, the seed layer S is formed, and the ground layer 113 is formed together with the plated via 130 by plating. be able to. Thereafter, a unit layer having the ground layer 113 formed thereon can be manufactured through processes of attaching the protective film 210, processing the second opening 220, forming the paste via 230, and removing the protective film 210. FIG.

図5から図7で説明した第2回路112の形成された単位層と、図18で説明したグラウンド層113の形成された単位層とを互いに仮付けした後に高温で一括積層することにより、プリント回路基板を製造することができる(図2参照)。 The unit layer formed with the second circuit 112 described with reference to FIGS. 5 to 7 and the unit layer formed with the ground layer 113 described with reference to FIG. A circuit board can be manufactured (see FIG. 2).

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。 An embodiment of the present invention has been described above. , deletions, additions, etc., can be modified and changed in various ways, and these are also included in the scope of rights of the present invention.

100 第1絶縁層
110 金属パッド
111 第1回路
112 第2回路
113 グラウンド層
120 第1開口部
130 メッキビア
140 リセス空間
200 第2絶縁層
210 保護フィルム
220 第2開口部
230 ペーストビア
100 first insulating layer 110 metal pad 111 first circuit 112 second circuit 113 ground layer 120 first opening 130 plated via 140 recess space 200 second insulating layer 210 protective film 220 second opening 230 paste via

Claims (20)

一面に金属パッドが形成された第1絶縁層と、
前記金属パッドの一面に接続するように、前記第1絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、
前記第1絶縁層の一面に積層される第2絶縁層と、
前記金属パッドの他面に接続するように、前記第2絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、
前記メッキビアの前記第1絶縁層の他面側の最外部の表面は、前記第1絶縁層の一面と他面との間に位置し、その周りは前記第1絶縁層と接するプリント回路基板。
a first insulating layer having a metal pad formed on one surface;
a plated via formed through the first insulating layer to connect to one surface of the metal pad;
a second insulating layer laminated on one surface of the first insulating layer;
a paste via formed through the second insulating layer so as to be connected to the other surface of the metal pad;
The outermost surface of the plated via on the other surface side of the first insulating layer is located between one surface and the other surface of the first insulating layer, and a printed circuit board surrounding it is in contact with the first insulating layer. .
前記金属パッドの側面は、傾斜して形成される請求項1に記載のプリント回路基板。 2. The printed circuit board of claim 1, wherein the side surfaces of the metal pads are slanted. 前記金属パッドの横断面積は、前記金属パッドの一面から他面に行くほど大きくなる請求項2に記載のプリント回路基板。 3. The printed circuit board of claim 2, wherein the cross-sectional area of the metal pad increases from one surface to the other surface of the metal pad. 前記第1絶縁層の一面に形成された第1回路をさらに含み、
前記第1回路の側面は、傾斜して形成される請求項1から3のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
further comprising a first circuit formed on one surface of the first insulating layer;
The printed circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein the side surface of the first circuit is slanted.
前記第1絶縁層の他面に形成される第2回路をさらに含む請求項1から4のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 5. The printed circuit board according to claim 1, further comprising a second circuit formed on the other surface of said first insulating layer. 前記メッキビア及び前記第2回路は、下部にシード層を含む請求項5に記載のプリント回路基板。 6. The printed circuit board of claim 5, wherein the plated via and the second circuit include a seed layer underneath. 前記第1絶縁層の他面に形成されるグラウンド層をさらに含む請求項1から6のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 7. The printed circuit board of claim 1, further comprising a ground layer formed on the other surface of the first insulating layer. 前記ペーストビアは、前記第2絶縁層の一面よりも突出する請求項1から7のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 1 to 7, wherein the paste via protrudes from one surface of the second insulating layer. 前記メッキビア及び前記ペーストビアのそれぞれの横断面積は、前記金属パッドから外側に行くほど大きくなる請求項1から8のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 1 to 8, wherein each cross-sectional area of the plated via and the paste via increases outward from the metal pad. 前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層は、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PPE(Polyphenylene Ether)、COP(Cyclo Olefin Polymer)、PFA(Perfluoroalkoxy)、PI(Polyimide)のうちの少なくとも1種で形成される請求項1から9のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The first insulating layer and the second insulating layer are LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), PFA (Perfluoroalkoxy), and PI (Polyimide). 10. The printed circuit board according to any one of claims 1 to 9, formed of at least one. 第1絶縁層と、
前記第1絶縁層を貫通して形成されるメッキビアと、
前記第1絶縁層の他面上に積層される第2絶縁層と、
前記メッキビアに接触するように、前記第2絶縁層を貫通して形成されるペーストビアと、を含み、
前記メッキビアと前記ペーストビアとの接触界面は、前記第1絶縁層内に位置し、前記ペーストビアの端部の側面は前記第1絶縁層と接触するプリント回路基板。
a first insulating layer;
a plated via formed through the first insulating layer;
a second insulating layer laminated on the other surface of the first insulating layer;
a paste via formed through the second insulating layer so as to contact the plated via;
A printed circuit board in which a contact interface between the plated via and the paste via is located in the first insulating layer, and a side surface of an end portion of the paste via is in contact with the first insulating layer.
前記ペーストビアの端部の側面は、前記第1絶縁層と接触する請求項11に記載のプリント回路基板。 12. The printed circuit board of claim 11, wherein a side surface of an end of the paste via is in contact with the first insulating layer. 前記第1絶縁層の一面に形成される金属パッドをさらに含み、
前記メッキビアは、前記金属パッドの一面に形成され、
前記第2絶縁層は、前記第1絶縁層の他面に積層される請求項11または12に記載のプリント回路基板。
further comprising a metal pad formed on one surface of the first insulating layer;
the plating via is formed on one surface of the metal pad;
13. The printed circuit board of claim 11, wherein the second insulating layer is laminated on the other surface of the first insulating layer.
前記金属パッドの横断面積は、前記金属パッドの一面から他面に行くほど大きくなる請求項13に記載のプリント回路基板。 14. The printed circuit board of claim 13, wherein the cross-sectional area of the metal pad increases from one surface to the other surface of the metal pad. 前記第1絶縁層の一面に形成された第1回路をさらに含み、
前記第1回路の側面は、傾斜して形成される請求項13または14に記載のプリント回路基板。
further comprising a first circuit formed on one surface of the first insulating layer;
15. The printed circuit board of claim 13 or 14, wherein the side surface of the first circuit is slanted.
前記第1絶縁層の他面に形成される第2回路をさらに含む請求項13から15のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 16. The printed circuit board of any one of claims 13 to 15, further comprising a second circuit formed on the other surface of the first insulating layer. 前記メッキビア及び前記第2回路は、下部にシード層を含む請求項16に記載のプリント回路基板。 17. The printed circuit board of claim 16, wherein the plated via and the second circuit include a seed layer underneath. 前記第1絶縁層の他面に形成されるグラウンド層をさらに含む請求項13から17のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 18. The printed circuit board of any one of claims 13 to 17, further comprising a ground layer formed on the other surface of the first insulating layer. 前記メッキビアの横断面積は、下面から前記接触界面に行くほど大きくなり、
前記ペーストビアの横断面積は、上面から前記第1絶縁層と前記第2絶縁層との界面に行くほど大きくなり、前記第1絶縁層と前記第2絶縁層との界面から前記接触界面に行くほど小さくなる請求項11から18のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
the cross-sectional area of the plated via increases from the bottom surface toward the contact interface,
The cross-sectional area of the paste via increases from the upper surface toward the interface between the first insulating layer and the second insulating layer, and extends from the interface between the first insulating layer and the second insulating layer to the contact interface. 19. A printed circuit board according to any one of claims 11 to 18, wherein the printed circuit board is as small as .
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層は、LCP(Liquid Crystal Polymer)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PPE(Polyphenylene Ether)、COP(Cyclo Olefin Polymer)、PFA(Perfluoroalkoxy)、PI(Polyimide)のうちの少なくとも1種で形成される請求項11から19のいずれか一項に記載のプリント回路基板。 The first insulating layer and the second insulating layer are LCP (Liquid Crystal Polymer), PTFE (Polytetrafluoroethylene), PPE (Polyphenylene Ether), COP (Cyclo Olefin Polymer), PFA (Perfluoroalkoxy), and PI (Polyimide). 20. A printed circuit board as claimed in any one of claims 11 to 19 formed of at least one.
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