JP7073602B2 - Printed circuit board - Google Patents

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Description

本発明は、プリント回路基板(PRINTED CIRCUIT BOARD)に関する。 The present invention relates to a printed circuit board (PRINTED CIRCUIT BOARD).

PCBの製造過程においては、PCBが熱処理工程を経ることにより反り(warpage)が発生することがある。電子製品の小型化、薄型化に伴ってPCBも薄板化されており、薄板化が進むほど、反りによる不良率が問題となっている。反りの発生原因は、樹脂絶縁材と金属回路との間の熱膨脹係数(CTE)の差、弾性係数の差等様々である。反りを制御するために、低膨脹樹脂の開発、無機フィラー含有量の調整等絶縁材を調整する技術が開発されている。一方、反りを低減するために絶縁材を調整する技術以外に、プリント回路基板に反り防止構造物を付加したり、回路のデザイン等を調整する技術も開発されている。 In the process of manufacturing a PCB, warpage may occur due to the PCB undergoing a heat treatment step. As electronic products become smaller and thinner, PCBs are becoming thinner, and as the thinning progresses, the defect rate due to warpage becomes a problem. There are various causes of warpage, such as a difference in the coefficient of thermal expansion (CTE) and a difference in the elastic modulus between the resin insulating material and the metal circuit. In order to control warpage, techniques for adjusting insulating materials such as development of low swelling resin and adjustment of inorganic filler content have been developed. On the other hand, in addition to the technique of adjusting the insulating material in order to reduce the warp, a technique of adding a warp prevention structure to the printed circuit board and adjusting the design of the circuit has also been developed.

韓国公開特許第2016-0080433号公報Korean Publication No. 2016-0080433 Gazette

本発明の一側面によれば、互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、上記絶縁材の上記一面及び他面に形成される回路層と、上記回路層上に形成される金属層と、を含み、上記金属層の電気伝導率は、上記回路層の電気伝導率よりも小さく、上記絶縁材の上記一面側に位置する上記金属層の厚さは、上記絶縁材の上記他面側に位置する上記金属層の厚さよりも大きいプリント回路基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, an insulating material having one surface and another surface facing each other, a circuit layer formed on the one surface and the other surface of the insulating material, and a metal layer formed on the circuit layer. , The electric conductivity of the metal layer is smaller than the electric conductivity of the circuit layer, and the thickness of the metal layer located on one side of the insulating material is the other side of the insulating material. Provided is a printed circuit board that is larger than the thickness of the metal layer located in.

本発明の一側面によれば、互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、上記絶縁材の上記一面上に積層される1つ以上の第1絶縁層と、上記絶縁材の上記他面上に積層される1つ以上の第2絶縁層と、上記1つ以上の第1絶縁層のうちの少なくともいずれか1つ上に形成される第1回路層と、上記1つ以上の第2絶縁層のうちの少なくともいずれか1つ上に形成される第2回路層と、上記第1回路層上に形成される第1金属層と、上記第2回路層上に形成される第2金属層と、を含み、上記第1金属層の電気伝導率は、上記第1回路層の電気伝導率よりも小さく、上記第2金属層の電気伝導率は、上記第2回路層の電気伝導率よりも小さく、上記第1金属層の厚さは、上記第2金属層の厚さよりも大きいプリント回路基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, an insulating material having one surface and another surface facing each other, one or more first insulating layers laminated on the one surface of the insulating material, and the other surface of the insulating material. One or more second insulating layers laminated on top, a first circuit layer formed on at least one of the one or more first insulating layers, and one or more second insulating layers. A second circuit layer formed on at least one of the insulating layers, a first metal layer formed on the first circuit layer, and a second metal formed on the second circuit layer. The electric conductivity of the first metal layer including the layer is smaller than the electric conductivity of the first circuit layer, and the electric conductivity of the second metal layer is the electric conductivity of the second circuit layer. A printed circuit board is provided in which the thickness of the first metal layer is smaller than that of the second metal layer and the thickness of the first metal layer is larger than the thickness of the second metal layer.

本発明の一側面によれば、絶縁材と、上記絶縁材上に形成される回路層と、上記回路層上に形成され、電気伝導率が上記回路層の電気伝導率よりも小さい金属層と、上記絶縁材上に積層される絶縁層と、上記絶縁層及び上記金属層を貫通するビアホールと、を含み、上記ビアホールの底面から上記回路層が露出されるプリント回路基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, an insulating material, a circuit layer formed on the insulating material, and a metal layer formed on the circuit layer and having an electric conductivity smaller than that of the circuit layer. Provided is a printed circuit board including an insulating layer laminated on the insulating material, a via hole penetrating the insulating layer and the metal layer, and the circuit layer is exposed from the bottom surface of the via hole.

本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 回路形成工法による様々な回路層を示す図である。It is a figure which shows various circuit layers by a circuit formation method. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 図24の部分拡大図である。It is a partially enlarged view of FIG. 24. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 図26の部分拡大図である。FIG. 26 is a partially enlarged view. 本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the printed circuit board which concerns on embodiment of this invention. 図28の部分拡大図である。FIG. 28 is a partially enlarged view.

本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。 The terms used in this application are used solely to illustrate specific embodiments and are not intended to limit the invention. A singular expression contains multiple expressions unless explicitly expressed in a sentence.

本出願において、ある部分がある構成要素を「含む」とする場合、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。 In the present application, when a component is referred to as "contains" a component, this does not exclude other components unless otherwise stated, but may further include other components. means.

また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。 Also, throughout the specification, "above" means to be above or below the target portion, not necessarily above it with respect to the direction of gravity.

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。 Further, "bonding" does not mean only the case where each component is in direct physical contact with each other in the contact relationship between the components, and other components are interposed between the components. , Used as a comprehensive concept up to the case where each component is in contact with other components.

第1、第2等の用語は、多様な構成要素を説明するために用いたものであって、上記構成要素が上記用語により限定されることはない。上記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するための目的にのみ使用される。 The first, second, and the like terms are used to explain various components, and the above components are not limited by the above terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from the other.

図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。 The sizes and thicknesses of the configurations shown in the drawings are arbitrary for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited thereto.

本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。 In explaining the embodiment of the printed circuit board according to the present invention in detail with reference to the attached drawings and explaining with reference to the attached drawings, the same or corresponding components are designated by the same drawing reference numerals. Duplicate explanation is omitted.

また、以下で説明した本発明のそれぞれの実施例は、必ずしも1つの実施例のみを示す概念ではなく、それぞれの実施例に従属されている実施例を包括する概念として理解しなければならない。 In addition, each embodiment of the present invention described below must be understood not necessarily as a concept showing only one embodiment but as a concept including examples subordinate to each embodiment.

図1から図9は、様々な実施例に係るプリント回路基板の断面図を示している。 1 to 9 show cross-sectional views of printed circuit boards according to various embodiments.

図1を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材110と、回路層120と、金属層130とを含み、上記金属層130の電気伝導率は、上記回路層120の電気伝導率よりも小さく、上記絶縁材110の上記一面側に位置する金属層131の厚さは、上記絶縁材110の上記他面側に位置する金属層132の厚さよりも大きいことができる。 Referring to FIG. 1, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention includes an insulating material 110, a circuit layer 120, and a metal layer 130, and the electric conductivity of the metal layer 130 is the same as that of the circuit layer 120. The thickness of the metal layer 131, which is smaller than the electric conductivity and is located on the one side of the insulating material 110, can be larger than the thickness of the metal layer 132 located on the other side of the insulating material 110.

絶縁材110は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材であって、薄い板状である。絶縁材110の側面を除いた、互いに対向する両面を一面及び他面と称する。すなわち、絶縁材110は、一面及び他面を備えることができる。 The insulating material 110 is a material composed of an insulating substance such as a resin, and has a thin plate shape. Both sides facing each other except the side surface of the insulating material 110 are referred to as one side and the other side. That is, the insulating material 110 can be provided with one side and the other side.

絶縁材110の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂またはポリイミド等を用いることができる。ここで、エポキシ樹脂には、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂等があるが、これに限定されない。 As the resin of the insulating material 110, various materials such as a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used, and specifically, an epoxy resin, a polyimide or the like can be used. Here, the epoxy resin includes, for example, naphthalene-based epoxy resin, bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, novolak-based epoxy resin, cresol novolak-based epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, and ring-type aliphatic epoxy. There are, but are not limited to, resins, silicon-based epoxy resins, nitrogen-based epoxy resins, phosphorus-based epoxy resins, and the like.

絶縁材110は、プリプレグ(PPG)またはビルドアップフィルム(build up film)であってもよい。プリプレグの場合は、上記樹脂にガラス・クロス(glass cloth)等の繊維補強材が含まれてもよい。ビルドアップフィルムの場合は、上記樹脂にシリカ等の無機フィラー(filler)が充填されてもよい。このビルドアップフィルムとしては、ABF(Ajinomoto Build-up Film)等を用いることができる。 The insulating material 110 may be a prepreg (PPG) or a build-up film (build up film). In the case of a prepreg, the resin may contain a fiber reinforcing material such as glass cloth. In the case of a build-up film, the resin may be filled with an inorganic filler such as silica. As this build-up film, ABF (Ajinomoto Build-up Film) or the like can be used.

絶縁材110は、プリント回路基板の中間に位置するコアであってもよく、またはコア上に積層されるそれぞれの層であってもよい。 The insulating material 110 may be a core located in the middle of the printed circuit board, or may be each layer laminated on the core.

回路層120は、絶縁材110の一面及び他面に形成されており、電気信号を伝達するためにパターン化されている導電体である。回路層120は、複数の回路パターンの集合として理解すればよく、回路層120の各回路パターンは、所定の幅と厚さを有して形成され、回路デザインの設計に応じて長さ、方向等を決定できる。 The circuit layer 120 is a conductor formed on one surface and the other surface of the insulating material 110 and patterned for transmitting an electric signal. The circuit layer 120 may be understood as a set of a plurality of circuit patterns, and each circuit pattern of the circuit layer 120 is formed with a predetermined width and thickness, and has a length and a direction according to the design of the circuit design. Etc. can be determined.

回路層120は、金属により形成されることができ、電気伝導特性を考慮して、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等の金属またはこれらの合金からなることができる。 The circuit layer 120 can be formed of a metal, and in consideration of electrical conduction characteristics, copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), and gold (Au). ), Metals such as platinum (Pt) or alloys thereof.

回路層120は、シード層S1を含むことができる。シード層S1は、回路層120と同一の金属で形成されることができる。シード層S1の存在は、回路層120の形成工法により決定可能であり、特に回路層120がSAP、MSAP等の工法により形成される場合は、回路層120にはシード層S1が含まれることができる。 The circuit layer 120 can include a seed layer S1. The seed layer S1 can be made of the same metal as the circuit layer 120. The existence of the seed layer S1 can be determined by a method for forming the circuit layer 120, and particularly when the circuit layer 120 is formed by a method such as SAP or MSAP, the circuit layer 120 may include the seed layer S1. can.

図1においては、回路層120がSAP工法により形成された例と理解すればよく、ここでシード層S1は、絶縁材110の一面及び他面に直接形成される。これとは異なって、回路層120がMSAP工法により形成される場合は、シード層S4は、絶縁材110の一面及び他面から若干離隔して位置することができる(図21の(c)参照)。ここで、シード層S4と絶縁材110の一面(または他面)との間の離隔距離は、MSAPにおいて使用される原資材の薄い金属箔(銅箔)Mの厚さと一致することになる。 In FIG. 1, it may be understood that the circuit layer 120 is formed by the SAP method, and here the seed layer S1 is directly formed on one surface and the other surface of the insulating material 110. Unlike this, when the circuit layer 120 is formed by the MSAP method, the seed layer S4 can be located slightly separated from one side and the other side of the insulating material 110 (see (c) in FIG. 21). ). Here, the separation distance between the seed layer S4 and one surface (or the other surface) of the insulating material 110 matches the thickness of the thin metal foil (copper foil) M of the raw material used in MSAP.

図1に基づいて発明を説明したが、回路層120が必ずしもSAP工法により形成される必要はなく、またMSAPを含む他の工法を排除することではない。例えば、図21の(b)のように、サブトラクティブ法(subtractive)またはテンティング法(tenting)により回路層120を形成する場合は、回路層120は、シード層を含まなくてもよく、これは、図21の(a)のSAP工法により形成した回路層120と差がある。 Although the invention has been described with reference to FIG. 1, the circuit layer 120 does not necessarily have to be formed by the SAP method, and it does not exclude other methods including MSAP. For example, when the circuit layer 120 is formed by a subtractive method or a tenting method as shown in FIG. 21 (b), the circuit layer 120 may not include a seed layer. Is different from the circuit layer 120 formed by the SAP method of FIG. 21 (a).

回路層120は、絶縁材110の一面に形成される第1回路層121と、絶縁材110の他面に形成される第2回路層122とに区分できる。 The circuit layer 120 can be divided into a first circuit layer 121 formed on one surface of the insulating material 110 and a second circuit layer 122 formed on the other surface of the insulating material 110.

回路層120において、絶縁材110の一面に形成される第1回路層121と絶縁材110の他面に形成される第2回路層122とは、実質的に同一の厚さを有してもよく、例えば、第1回路層121及び第2回路層122の厚さは、15μmであってもよい。 In the circuit layer 120, even if the first circuit layer 121 formed on one surface of the insulating material 110 and the second circuit layer 122 formed on the other surface of the insulating material 110 have substantially the same thickness. Often, for example, the thickness of the first circuit layer 121 and the second circuit layer 122 may be 15 μm.

金属層130は、回路層120上に形成され、金属からなる層である。金属層130の金属は、合金素材であってもよく、具体的には、インバー(invar)等のFe-Ni(ニッケル鋼)合金、Cu-Zn合金の黄銅(brass)等の銅合金であってもよい。 The metal layer 130 is a layer formed on the circuit layer 120 and made of metal. The metal of the metal layer 130 may be an alloy material, specifically, a Fe—Ni (nickel steel) alloy such as invar, or a copper alloy such as brass of a Cu—Zn alloy. You may.

金属層130は、回路層120と接触するように形成されてもよく、回路層120の幅と一致するように形成されてもよい。この場合、平面図では金属層130のみが観察され、回路層120は観察されないことがある。ただし、この形状に限定されず、金属層130と回路層120とが接触しない構造については後述する。 The metal layer 130 may be formed so as to be in contact with the circuit layer 120, or may be formed so as to match the width of the circuit layer 120. In this case, only the metal layer 130 may be observed in the plan view, and the circuit layer 120 may not be observed. However, the structure is not limited to this shape, and the structure in which the metal layer 130 and the circuit layer 120 do not come into contact with each other will be described later.

金属層130の電気伝導率は、回路層120の電気伝導率よりも小さい。このため、電気信号は実質的に回路層120に伝達され得る。 The electrical conductivity of the metal layer 130 is smaller than the electrical conductivity of the circuit layer 120. Therefore, the electrical signal can be substantially transmitted to the circuit layer 120.

金属層130の厚さは、回路層120の厚さよりも薄くできる。金属層130の厚さは、結合している回路層120の厚さの2/3を超えない。 The thickness of the metal layer 130 can be made thinner than the thickness of the circuit layer 120. The thickness of the metal layer 130 does not exceed two-thirds of the thickness of the coupled circuit layer 120.

金属層130の電気伝導率が回路層120の電気伝導率よりも小さいので、金属層130が回路層120よりも薄く形成されることにより、効果的な信号伝達を図ることができる。ここで、回路層120は15μmの厚さを、金属層130は2~5μmの厚さを有することができる。 Since the electric conductivity of the metal layer 130 is smaller than that of the circuit layer 120, the metal layer 130 is formed thinner than the circuit layer 120, so that effective signal transmission can be achieved. Here, the circuit layer 120 can have a thickness of 15 μm, and the metal layer 130 can have a thickness of 2 to 5 μm.

金属層130は、第1回路層121上に形成される第1金属層131と、第2回路層122上に形成される第2金属層132とを含む。すなわち、第1金属層131は、絶縁材110の一面側に形成され、第2金属層132は、絶縁材110の他面側に形成される。 The metal layer 130 includes a first metal layer 131 formed on the first circuit layer 121 and a second metal layer 132 formed on the second circuit layer 122. That is, the first metal layer 131 is formed on one surface side of the insulating material 110, and the second metal layer 132 is formed on the other surface side of the insulating material 110.

絶縁材110の一面側に位置する金属層131の厚さは、絶縁材110の他面側に位置する金属層132の厚さよりも大きいことができる。すなわち、第1金属層131の厚さは、第2金属層132の厚さよりも大きく形成されることができる。 The thickness of the metal layer 131 located on one side of the insulating material 110 can be larger than the thickness of the metal layer 132 located on the other side of the insulating material 110. That is, the thickness of the first metal layer 131 can be formed larger than the thickness of the second metal layer 132.

プリント回路基板が製造工程で熱処理されることにより、プリント回路基板には反りが発生することがある。金属層130は、プリント回路基板の反りを制御することができ、特に、絶縁材110の両面に形成されている金属層130の厚さを互いに異なる厚さにすることで、プリント回路基板においての反りを効果的に制御することができる。 When the printed circuit board is heat-treated in the manufacturing process, the printed circuit board may be warped. The metal layer 130 can control the warp of the printed circuit board, and in particular, by making the thicknesses of the metal layers 130 formed on both sides of the insulating material 110 different from each other, in the printed circuit board. Warpage can be effectively controlled.

例えば、プリント回路基板が(側面から見た場合)下方に凸に反る場合(smile)は、絶縁材110の下面側の金属層130を相対的に厚く形成して反りを低減することができ、これに対して、プリント回路基板が上方に凸に反る場合(crying)は、絶縁材110の上面側の金属層130を相対的に厚く形成して反りを低減することができる。 For example, when the printed circuit board warps downward (when viewed from the side), the metal layer 130 on the lower surface side of the insulating material 110 can be formed relatively thick to reduce the warp. On the other hand, when the printed circuit board warps upward convexly (crying), the metal layer 130 on the upper surface side of the insulating material 110 can be formed relatively thick to reduce the warp.

金属層130の熱膨脹係数は、回路層120の熱膨脹係数よりも小さいことができ、この場合、金属層130の剛性(rigidity)は、回路層120の剛性よりも大きいことができる。または、金属層130の熱膨脹係数は、回路層120の熱膨脹係数よりも大きいことができ、この場合、金属層130の剛性は、回路層120の剛性よりも小さいことができる。 The coefficient of thermal expansion of the metal layer 130 can be smaller than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer 120, in which case the rigidity of the metal layer 130 can be greater than the rigidity of the circuit layer 120. Alternatively, the coefficient of thermal expansion of the metal layer 130 can be greater than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer 120, in which case the rigidity of the metal layer 130 can be less than the rigidity of the circuit layer 120.

ここで、剛性は、外力に対する変形率を意味し、単純には、軸方向力(垂直応力)が加えられる時の変形率と見ることができる。この剛性は、弾性係数(modulus of elasticity)またはヤング率(Young's modulus)に応じて変わり、弾性係数またはヤング率が大きいほど剛性は大きいと理解できる。 Here, the rigidity means the deformation rate with respect to an external force, and can be simply seen as the deformation rate when an axial force (normal stress) is applied. This rigidity varies depending on the elastic modulus (modulus of elasticity) or Young's modulus (Young's modulus), and it can be understood that the larger the elastic modulus or Young's modulus is, the higher the rigidity is.

金属層130の熱膨脹係数が回路層120の熱膨脹係数よりも小さく、金属層130の剛性が回路層120の剛性よりも大きい場合として、回路層120が銅で、金属層130がインバーで形成される例が挙げられる。また、金属層130の熱膨脹係数が回路層120の熱膨脹係数よりも大きく、金属層130の剛性が回路層120の剛性よりも小さい場合として、回路層120が銅で、金属層130が黄銅で形成される例が挙げられる。 Assuming that the coefficient of thermal expansion of the metal layer 130 is smaller than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer 120 and the rigidity of the metal layer 130 is larger than the rigidity of the circuit layer 120, the circuit layer 120 is formed of copper and the metal layer 130 is formed of Invar. An example is given. Further, assuming that the coefficient of thermal expansion of the metal layer 130 is larger than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer 120 and the rigidity of the metal layer 130 is smaller than the rigidity of the circuit layer 120, the circuit layer 120 is formed of copper and the metal layer 130 is formed of brass. An example is given.

いずれの場合でも、金属層130の熱膨脹係数は絶縁材110の樹脂の熱膨脹係数よりも小さく、金属層130の剛性は絶縁材110樹脂の剛性よりも大きいので、絶縁材110の両面に形成されている金属層131、132の厚さの差、すなわち、第1金属層131と第2金属層132との厚さの差を調整することによりプリント回路基板の反りを制御することができる。 In either case, the coefficient of thermal expansion of the metal layer 130 is smaller than the coefficient of thermal expansion of the resin of the insulating material 110, and the rigidity of the metal layer 130 is larger than the rigidity of the resin of the insulating material 110. The warp of the printed circuit board can be controlled by adjusting the difference in thickness between the metal layers 131 and 132, that is, the difference in thickness between the first metal layer 131 and the second metal layer 132.

一方、第1金属層131と第2金属層132との厚さの差は、絶縁材110の両面の配線密度(wiring density)の差、すなわち、第1回路層121と第2回路層122との配線密度の差により決定できる。回路層120の配線密度は回路層120の体積から決定される。すなわち、金属層130の厚さは、回路層120の体積を考慮して設定することができる。ここで、回路層120の体積は、回路層120を構成する複数の回路パターンの全体の体積を意味する。 On the other hand, the difference in thickness between the first metal layer 131 and the second metal layer 132 is the difference in wiring density on both sides of the insulating material 110, that is, the difference between the first circuit layer 121 and the second circuit layer 122. It can be determined by the difference in wiring density. The wiring density of the circuit layer 120 is determined from the volume of the circuit layer 120. That is, the thickness of the metal layer 130 can be set in consideration of the volume of the circuit layer 120. Here, the volume of the circuit layer 120 means the total volume of the plurality of circuit patterns constituting the circuit layer 120.

例えば、絶縁材110の一面側に位置する第1回路層121の体積が絶縁材110の他面側に位置する第2回路層122の体積よりも小さい場合は、絶縁材110の一面側に位置する第1金属層131の厚さが絶縁材110の他面側に位置する第2金属層132の厚さよりも大きいことができる。 For example, when the volume of the first circuit layer 121 located on one side of the insulating material 110 is smaller than the volume of the second circuit layer 122 located on the other side of the insulating material 110, it is located on the one side of the insulating material 110. The thickness of the first metal layer 131 can be larger than the thickness of the second metal layer 132 located on the other side of the insulating material 110.

具体的には、絶縁材110の上面に位置する回路層120の体積が小さく、絶縁材110の下面に位置する回路層120の体積が大きい場合は、熱膨脹係数は、絶縁材110の上面が相対的に大きく、剛性は、絶縁材110の上面が相対的に小さいので、プリント回路基板の熱処理時に、上方に凸状の反りが発生することがあり、絶縁材110の上面に位置する金属層130の厚さを絶縁材110の下面に位置する金属層130の厚さよりも大きくすることにより、絶縁材110の上下面の熱膨脹率及び剛性のバランスを合わせてプリント回路基板の反りを制御することができる。 Specifically, when the volume of the circuit layer 120 located on the upper surface of the insulating material 110 is small and the volume of the circuit layer 120 located on the lower surface of the insulating material 110 is large, the thermal expansion coefficient is relative to the upper surface of the insulating material 110. Since the upper surface of the insulating material 110 is relatively small in terms of rigidity, an upward convex warp may occur during heat treatment of the printed circuit board, and the metal layer 130 located on the upper surface of the insulating material 110 may occur. By making the thickness of the metal layer 130 larger than the thickness of the metal layer 130 located on the lower surface of the insulating material 110, it is possible to control the warp of the printed circuit board by balancing the thermal expansion rate and the rigidity of the upper and lower surfaces of the insulating material 110. can.

これに対して、絶縁材110の上面に位置する回路層120の体積が大きく、絶縁材110の下面に位置する回路層120の体積が小さい場合は、熱膨脹係数は、絶縁材110の下面が相対的に大きく、剛性は、絶縁材110の下面が相対的に小さいので、プリント回路基板の熱処理時に、下方に凸状の反りが発生することがあり、絶縁材110の下面に位置する金属層130の厚さを絶縁材110の上面に位置する金属層130の厚さよりも大きくすることにより、絶縁材110の上下面の熱膨脹率及び剛性のバランスを合わせてプリント回路基板の反りを制御することができる。 On the other hand, when the volume of the circuit layer 120 located on the upper surface of the insulating material 110 is large and the volume of the circuit layer 120 located on the lower surface of the insulating material 110 is small, the thermal expansion coefficient is relative to the lower surface of the insulating material 110. Since the lower surface of the insulating material 110 is relatively small in terms of rigidity, a convex warp may occur downward during heat treatment of the printed circuit board, and the metal layer 130 located on the lower surface of the insulating material 110 may occur. By making the thickness of the metal layer 130 larger than the thickness of the metal layer 130 located on the upper surface of the insulating material 110, it is possible to control the warp of the printed circuit board by balancing the thermal expansion rate and the rigidity of the upper and lower surfaces of the insulating material 110. can.

つまり、金属層130は、回路層120に比べて電気伝導率及び厚さが小さいため、回路層120による電気信号の伝達には実質的に関与せず、絶縁材110の両面においての金属層131、132の厚さの差によりプリント回路基板の反りを制御する機能をすることができる。 That is, since the metal layer 130 has a smaller electric conductivity and thickness than the circuit layer 120, it does not substantially participate in the transmission of electric signals by the circuit layer 120, and the metal layer 131 on both sides of the insulating material 110. , 132 can function to control the warp of the printed circuit board by the difference in thickness.

図2を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、貫通ビア140を含むことができる。 Referring to FIG. 2, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention can include a through via 140.

貫通ビア140は、絶縁材110の内部を貫通して形成され、絶縁材110の一面に形成されている第1回路層121と絶縁材110の他面に形成されている第2回路層122とを接続させる。 The penetrating via 140 includes a first circuit layer 121 formed through the inside of the insulating material 110 and formed on one surface of the insulating material 110, and a second circuit layer 122 formed on the other surface of the insulating material 110. To connect.

貫通ビア140は、絶縁材110の内部を貫通する貫通ビアホール141の内部に導電層を形成することにより形成されることができる。ここで、導電層としては、メッキ層、導電性ペースト、導電性インク等を含むことができる。 The penetrating via 140 can be formed by forming a conductive layer inside the penetrating via hole 141 penetrating the inside of the insulating material 110. Here, the conductive layer may include a plating layer, a conductive paste, a conductive ink, and the like.

一方、貫通ビア140及び回路層120は、シード層S1を含むことができ、シード層S1は、貫通ビアホール141の内壁及び絶縁材110の一面及び他面に形成されることができる。この場合、貫通ビア140の導電層は、無電解メッキにより形成されたシード層S1と、電解メッキにより形成された電解メッキ層とを含むことができる。 On the other hand, the penetrating via 140 and the circuit layer 120 can include the seed layer S1, and the seed layer S1 can be formed on the inner wall of the penetrating via hole 141 and one surface and the other surface of the insulating material 110. In this case, the conductive layer of the penetrating via 140 can include a seed layer S1 formed by electroless plating and an electrolytic plating layer formed by electrolytic plating.

図3を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、貫通ビア140及び合金層150を含むことができる。 Referring to FIG. 3, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention can include a through via 140 and an alloy layer 150.

貫通ビア140は、絶縁材110の内部を貫通して形成され、絶縁材110の一面に形成されている第1回路層121と、絶縁材110の他面に形成されている第2回路層122とを接続させる。 The penetrating via 140 is formed by penetrating the inside of the insulating material 110, and is formed on one surface of the insulating material 110 and the first circuit layer 121 and the second circuit layer 122 formed on the other surface of the insulating material 110. To connect with.

貫通ビア140は、絶縁材110の内部を貫通する貫通ビアホール141の内部に導電層を形成することにより形成されることができる。 The penetrating via 140 can be formed by forming a conductive layer inside the penetrating via hole 141 penetrating the inside of the insulating material 110.

合金層150は、絶縁材110と貫通ビア140との間、及び絶縁材110と回路層120との間に形成されることができる。合金層150は、金属層130と同一の金属で形成されることができる。 The alloy layer 150 can be formed between the insulating material 110 and the penetrating via 140, and between the insulating material 110 and the circuit layer 120. The alloy layer 150 can be made of the same metal as the metal layer 130.

図3に示すように、合金層150は、シード層S2を含むことができる。シード層S2は、合金層150と同一の金属で形成されることができる。シード層S2は、貫通ビアホール141の内壁及び絶縁材110の一面及び他面に形成されることができる。この場合、上記導電層は、メッキ層、特に電解メッキにより形成されたメッキ層であることができる。また、この場合、貫通ビア140の幅は、貫通ビアホール141の幅よりも狭い。 As shown in FIG. 3, the alloy layer 150 can include a seed layer S2. The seed layer S2 can be made of the same metal as the alloy layer 150. The seed layer S2 can be formed on the inner wall of the through via hole 141 and one surface and the other surface of the insulating material 110. In this case, the conductive layer can be a plating layer, particularly a plating layer formed by electrolytic plating. Further, in this case, the width of the penetrating via 140 is narrower than the width of the penetrating via hole 141.

図4を参照すると、図3を参照して説明した合金層150において、絶縁材110の一面に位置する第1合金層151の厚さは、絶縁材110の他面に位置する第2合金層152の厚さよりも大きいことができる。貫通ビアホール141の内壁、すなわち、絶縁材110と貫通ビア140との間に形成される第3合金層153の厚さは、第1合金層151及び/または第2合金層152の厚さと同一または異なってもよいが、貫通ビア140の幅を確保するために、厚過ぎないようにする必要があり、第2合金層152の厚さよりも薄くできる。 Referring to FIG. 4, in the alloy layer 150 described with reference to FIG. 3, the thickness of the first alloy layer 151 located on one surface of the insulating material 110 is the thickness of the second alloy layer located on the other surface of the insulating material 110. It can be larger than the thickness of 152. The thickness of the inner wall of the through via hole 141, that is, the third alloy layer 153 formed between the insulating material 110 and the through via 140 is the same as or the thickness of the first alloy layer 151 and / or the second alloy layer 152. It may be different, but in order to secure the width of the penetrating via 140, it must be not too thick and can be thinner than the thickness of the second alloy layer 152.

図5を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ソルダーレジスト層170を含むことができる。 Referring to FIG. 5, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention can include a solder resist layer 170.

ソルダーレジスト層170は、金属層130上に積層され、感光性絶縁物質で形成されることができる。ソルダーレジスト層170には開口部Oが形成され、開口部Oから回路層120が露出されることができる。回路層120の露出された領域は、電子部品を接続するためのワイヤボンディングパッドまたはソルダーボールパッドとなる。ソルダーレジスト層170の開口部Oから回路層120を露出するために、金属層130は、開口部Oの領域には形成されなくてもよい。金属層130の電気伝導率が回路層120の電気伝導率よりも小さいので、パッドとなる領域は、金属層130ではなく回路層120の一部であることが電気信号の伝達の側面から有利である。 The solder resist layer 170 is laminated on the metal layer 130 and can be formed of a photosensitive insulating material. An opening O is formed in the solder resist layer 170, and the circuit layer 120 can be exposed from the opening O. The exposed area of the circuit layer 120 becomes a wire bonding pad or solder ball pad for connecting electronic components. In order to expose the circuit layer 120 from the opening O of the solder resist layer 170, the metal layer 130 may not be formed in the region of the opening O. Since the electrical conductivity of the metal layer 130 is smaller than the electrical conductivity of the circuit layer 120, it is advantageous from the aspect of electrical signal transmission that the padded region is part of the circuit layer 120 rather than the metal layer 130. be.

図6を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、図5を参照して説明したプリント回路基板において、表面処理層171をさらに含むことができる。 Referring to FIG. 6, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention may further include the surface treatment layer 171 in the printed circuit board described with reference to FIG.

表面処理層171は、ソルダーレジスト層170の開口部Oから露出する回路層120の領域上に形成され、回路層120の酸化を防止することができる。表面処理層171は、金属で形成されることができる。金属素材の表面処理層171は、無電解メッキにより形成されることができる。また、表面処理層171は、複数の層で構成されてもよい。例えば、表面処理層171は、金で形成されることができる。また、表面処理層171'は、ニッケル層及び金層の複数層で形成されることができる。この場合、「回路層(銅層)-ニッケル層-金層」の順に形成されることで、ニッケル層が銅層と金層との間の拡散を防止することができる。一方、表面処理層171は、OSP等の非金属で形成されることもできる。 The surface treatment layer 171 is formed on the region of the circuit layer 120 exposed from the opening O of the solder resist layer 170, and can prevent the circuit layer 120 from being oxidized. The surface treatment layer 171 can be made of metal. The surface treatment layer 171 of the metal material can be formed by electroless plating. Further, the surface treatment layer 171 may be composed of a plurality of layers. For example, the surface treatment layer 171 can be formed of gold. Further, the surface treatment layer 171'can be formed of a plurality of layers of a nickel layer and a gold layer. In this case, by forming the circuit layer (copper layer) -nickel layer-gold layer in this order, the nickel layer can be prevented from diffusing between the copper layer and the gold layer. On the other hand, the surface treatment layer 171 can also be formed of a non-metal such as OSP.

図7を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ビルドアップ層160を含むことができる。ビルドアップ層160は、絶縁層161、162と、ビルドアップ回路層163、164と、ビア165と、ビルドアップ金属層167、168とを含むことができる。図7には、両面にそれぞれビルドアップ層160が1層ずつ形成されており、プリント回路基板が(回路層数を基準にした場合)4層に示されているが、ビルドアップ層160は、複数形成されることができ、プリント回路基板は、4層、6層、8層…等様々な回路層数を有することができる。 Referring to FIG. 7, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention can include the build-up layer 160. The build-up layer 160 can include insulating layers 161 and 162, build-up circuit layers 163 and 164, vias 165, and build-up metal layers 167 and 168. In FIG. 7, one build-up layer 160 is formed on each side, and the printed circuit board is shown as four layers (based on the number of circuit layers). A plurality of printed circuit boards can be formed, and the printed circuit board can have various circuit layers such as 4 layers, 6 layers, 8 layers, and the like.

絶縁層161、162は、金属層130上に積層され、第1絶縁層161は、第1金属層131上に、及び第2絶縁層162は第2金属層132上にそれぞれ積層される。 The insulating layers 161 and 162 are laminated on the metal layer 130, the first insulating layer 161 is laminated on the first metal layer 131, and the second insulating layer 162 is laminated on the second metal layer 132, respectively.

絶縁層161、162は、樹脂等の絶縁物質で組成され、絶縁層161、162の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂またはポリイミド等を用いることができる。 The insulating layers 161 and 162 are composed of an insulating substance such as a resin, and various materials such as a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used as the resin of the insulating layers 161 and 162. Epoxy resin, polyimide or the like can be used.

絶縁層161、162は、プリプレグ(PPG)またはビルドアップフィルム(build up film)であってもよい。プリプレグの場合は、上記樹脂にガラス・クロス(glass cloth)等の繊維補強材が含まれてもよい。ビルドアップフィルムの場合は、上記樹脂にシリカ等の無機フィラーが充填されてもよい。このビルドアップフィルムとしては、ABF(Ajinomoto Build-up Film)等を用いることができる。 The insulating layers 161, 162 may be a prepreg (PPG) or a build-up film (build up film). In the case of a prepreg, the resin may contain a fiber reinforcing material such as glass cloth. In the case of a build-up film, the resin may be filled with an inorganic filler such as silica. As this build-up film, ABF (Ajinomoto Build-up Film) or the like can be used.

絶縁層161、162は、絶縁材110と同一の物質で形成可能であり、互いに異なる物質で形成されることも可能である。例えば、絶縁材110はプリプレグであり、絶縁層161、162はビルドアップフィルムにより形成されることができる。 The insulating layers 161 and 162 can be formed of the same substance as the insulating material 110, and can also be formed of different substances from each other. For example, the insulating material 110 is a prepreg, and the insulating layers 161 and 162 can be formed of a build-up film.

ビルドアップ回路層163、164は、絶縁層161、162上に形成され、電気信号を伝達するためにパターン化された導電体である。ビルドアップ回路層163、164は、上述した回路層120と機能の側面から実質的に同一であるが、説明上、区分する必要があるため、ビルドアップ回路層163、164という用語を導入した。 The build-up circuit layers 163 and 164 are conductors formed on the insulating layers 161, 162 and patterned to transmit electrical signals. Although the build-up circuit layers 163 and 164 are substantially the same as the circuit layer 120 described above in terms of function, the terms build-up circuit layers 163 and 164 have been introduced because they need to be separated for the sake of explanation.

ビルドアップ回路層163、164は、複数の回路パターンの集合として理解することができる。回路層120とビルドアップ回路層163、164とは、機能的には同一の構成であると理解することができ、上述した回路層120に関する説明はビルドアップ回路層163、164にも適用できる。ただし、形成される位置が互いに異なる。回路層120は、コアである絶縁材110上に形成される回路パターンの集合であり、ビルドアップ回路層163、164は、絶縁材110上に積層される絶縁層161、162上に形成される回路パターンの集合である。ビルドアップ回路層163、164の厚さは回路層120の厚さと実質的に同一であることができる。 The build-up circuit layers 163 and 164 can be understood as a set of a plurality of circuit patterns. It can be understood that the circuit layer 120 and the build-up circuit layers 163 and 164 have functionally the same configuration, and the above description of the circuit layer 120 can also be applied to the build-up circuit layers 163 and 164. However, the formed positions are different from each other. The circuit layer 120 is a set of circuit patterns formed on the insulating material 110 which is a core, and the build-up circuit layers 163 and 164 are formed on the insulating layers 161 and 162 laminated on the insulating material 110. It is a set of circuit patterns. The thickness of the build-up circuit layers 163 and 164 can be substantially the same as the thickness of the circuit layer 120.

ビルドアップ回路層163、164は金属で形成されることができるが、電気伝導特性を考慮して銅(Cu)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、金(Au)、白金(Pt)等の金属またはこれらの合金で形成されることができる。 The build-up circuit layers 163 and 164 can be made of metal, but in consideration of electrical conduction characteristics, copper (Cu), palladium (Pd), aluminum (Al), nickel (Ni), titanium (Ti), It can be formed of a metal such as gold (Au), platinum (Pt) or an alloy thereof.

ビルドアップ回路層163、164は、シード層S3を含むことができる。シード層S3は、ビルドアップ回路層163、164と同一の金属で形成されることができる。シード層S3の存在は、ビルドアップ回路層163、164の形成工法により決まり、特にビルドアップ回路層163、164がSAP、MSAP等の工法により形成される場合は、ビルドアップ回路層163、164にはシード層S3が含まれることができる。 The build-up circuit layers 163 and 164 can include a seed layer S3. The seed layer S3 can be made of the same metal as the build-up circuit layers 163 and 164. The existence of the seed layer S3 is determined by the formation method of the build-up circuit layers 163 and 164, and particularly when the build-up circuit layers 163 and 164 are formed by the construction method of SAP, MSAP, etc., the build-up circuit layers 163 and 164 Can include a seed layer S3.

図7を参照して発明を説明しているが、ビルドアップ回路層163、164が必ずしもSAP工法により形成される必要はなく、MSAPを含む他の工法を排除することでもない。 Although the invention is described with reference to FIG. 7, the build-up circuit layers 163 and 164 do not necessarily have to be formed by the SAP method, nor do they exclude other methods including MSAP.

ビルドアップ回路層163、164は、絶縁材110の一面側に形成される第1ビルドアップ回路層163と、絶縁材110の他面側に形成される第2ビルドアップ回路層164とに区分できる。 The build-up circuit layers 163 and 164 can be divided into a first build-up circuit layer 163 formed on one side of the insulating material 110 and a second build-up circuit layer 164 formed on the other side of the insulating material 110. ..

第1ビルドアップ回路層163と第2ビルドアップ回路層164とは、実質的に同一の厚さを有することができ、例えば、第1ビルドアップ回路層163及び第2ビルドアップ回路層164の厚さは、15μmであることができる。 The first build-up circuit layer 163 and the second build-up circuit layer 164 can have substantially the same thickness, for example, the thickness of the first build-up circuit layer 163 and the second build-up circuit layer 164. The sword can be 15 μm.

ビア165は、絶縁層161、162を貫通してビルドアップ回路層163、164と回路層120とを接続する導電体であり、互いに異なる層にある回路パターン間に電気信号を伝達する。ビア165は、ビルドアップ回路層163、164及び回路層120と同一の金属で形成されることができる。 The via 165 is a conductor that penetrates the insulating layers 161 and 162 to connect the build-up circuit layers 163 and 164 and the circuit layer 120, and transmits an electric signal between circuit patterns in different layers. The via 165 can be made of the same metal as the build-up circuit layers 163, 164 and circuit layer 120.

ビア165と回路層120とが直接接触するように、金属層130はビア165の形成領域には形成されない。金属層130の電気伝導率が回路層120の電気伝導率よりも小さいため、ビア165と回路層120とが直接接触することが電気信号の伝達に有利である。 The metal layer 130 is not formed in the formation region of the via 165 so that the via 165 and the circuit layer 120 are in direct contact with each other. Since the electrical conductivity of the metal layer 130 is smaller than the electrical conductivity of the circuit layer 120, direct contact between the via 165 and the circuit layer 120 is advantageous for transmission of electrical signals.

ビア165は、絶縁層161、162に形成されているビアホール166の内部に導電層が形成されることにより形成されることができる。ここで、導電層は、メッキ層等であることができる。 The via 165 can be formed by forming a conductive layer inside the via hole 166 formed in the insulating layers 161 and 162. Here, the conductive layer can be a plating layer or the like.

上記ビルドアップ回路層163、164及び上記ビア165は、シード層S3を含むことができ、シード層S3は、ビアホール166の内部の表面(内壁及び底部)及び絶縁層161、162上に形成されることができる。この場合、導電層は電解メッキにより形成されたメッキ層であり、ビア165は、無電解メッキにより形成されたシード層S3と電解メッキにより形成されたメッキ層とを含む。 The build-up circuit layers 163 and 164 and the vias 165 can include a seed layer S3, which is formed on the inner surface (inner wall and bottom) of the via holes 166 and on the insulating layers 161, 162. be able to. In this case, the conductive layer is a plating layer formed by electrolytic plating, and the via 165 includes a seed layer S3 formed by electroless plating and a plating layer formed by electrolytic plating.

ビルドアップ金属層167、168は、ビルドアップ回路層163、164上に形成され、金属層130と同一の金属で形成されることができる。ビルドアップ金属層167、168は、金属層130と実質的に同一の機能を有するので、上述した金属層130の説明を同様にビルドアップ金属層167、168に適用することができる。 The build-up metal layers 167 and 168 are formed on the build-up circuit layers 163 and 164 and can be formed of the same metal as the metal layer 130. Since the build-up metal layers 167 and 168 have substantially the same functions as the metal layer 130, the above description of the metal layer 130 can be similarly applied to the build-up metal layers 167 and 168.

上記絶縁材110の上記一面側に位置するビルドアップ金属層167、168の厚さは、上記絶縁材110の上記他面側に位置するビルドアップ金属層167、168の厚さよりも大きいことができる。 The thickness of the build-up metal layer 167, 168 located on the one side of the insulating material 110 can be larger than the thickness of the build-up metal layer 167, 168 located on the other side of the insulating material 110. ..

第1ビルドアップ回路層163上に形成されるビルドアップ金属層を第1ビルドアップ金属層167といい、第2ビルドアップ回路層164上に形成されるビルドアップ金属層を第2ビルドアップ金属層168といい、第1ビルドアップ金属層167の厚さを第2ビルドアップ金属層168の厚さよりも大きいことができる。これにより、プリント回路基板の反りを制御することができる。 The build-up metal layer formed on the first build-up circuit layer 163 is called the first build-up metal layer 167, and the build-up metal layer formed on the second build-up circuit layer 164 is called the second build-up metal layer. It is called 168, and the thickness of the first build-up metal layer 167 can be larger than the thickness of the second build-up metal layer 168. This makes it possible to control the warp of the printed circuit board.

ビルドアップ金属層167、168の厚さは、回路層120及び/またはビルドアップ回路層163、164の配線密度により決定できる。例えば、第1回路層121及び/または第1ビルドアップ回路層163の配線密度が第2回路層122及び/または第2ビルドアップ回路層164の配線密度よりも小さい場合は、第1ビルドアップ金属層167の厚さが第2ビルドアップ金属層168の厚さよりも大きいことができる。 The thickness of the build-up metal layers 167 and 168 can be determined by the wiring densities of the circuit layers 120 and / or the build-up circuit layers 163 and 164. For example, if the wiring density of the first circuit layer 121 and / or the first build-up circuit layer 163 is smaller than the wiring density of the second circuit layer 122 and / or the second build-up circuit layer 164, the first build-up metal The thickness of the layer 167 can be greater than the thickness of the second build-up metal layer 168.

図7を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ソルダーレジスト層170をさらに含むことができる。 Referring to FIG. 7, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention may further include a solder resist layer 170.

ソルダーレジスト層170は、ビルドアップ金属層167、168上に積層され、感光性絶縁物質で形成されることができる。ソルダーレジスト層170には開口部Oが形成され、開口部Oからビルドアップ回路層163、164が露出され得る。ビルドアップ回路層163、164の露出された領域はパッドとなる。ソルダーレジスト層170の開口部Oからビルドアップ回路層163、164が露出されるために、ビルドアップ金属層167、168は、開口部Oの領域には形成されなくてもよい。ビルドアップ金属層167、168の電気伝導率がビルドアップ回路層163、164の電気伝導率よりも小さいので、パッドとなる領域は、ビルドアップ金属層167、168ではなく、ビルドアップ回路層163、164の一部であることが電気信号の伝達の側面から有利である。 The solder resist layer 170 is laminated on the build-up metal layer 167 and 168 and can be formed of a photosensitive insulating material. An opening O is formed in the solder resist layer 170, and the build-up circuit layers 163 and 164 can be exposed from the opening O. The exposed area of the build-up circuit layers 163 and 164 becomes a pad. Since the build-up circuit layers 163 and 164 are exposed from the opening O of the solder resist layer 170, the build-up metal layers 167 and 168 may not be formed in the region of the opening O. Since the electrical conductivity of the build-up metal layers 167 and 168 is smaller than the electrical conductivity of the build-up circuit layers 163 and 164, the padded area is not the build-up metal layers 167 and 168, but the build-up circuit layer 163, Being part of 164 is advantageous from the aspect of electrical signal transmission.

図8を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、図7を参照して説明したプリント回路基板と比べて表面処理層171をさらに含むことができる。 Referring to FIG. 8, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention may further include a surface treatment layer 171 as compared with the printed circuit board described with reference to FIG. 7.

表面処理層171は、ソルダーレジスト層170の開口部Oから露出されるビルドアップ回路層163、164の領域上に形成され、ビルドアップ回路層163、164の酸化を防止することができる。表面処理層171は、金属で形成されることができる。金属素材の表面処理層171は、無電解メッキにより形成されることができる。また、表面処理層171は、複数の層で構成されることができる。例えば、表面処理層171は、金で形成されることができる。また、表面処理層171'は、ニッケル層及び金層の複数層で形成されることができる。この場合、「ビルドアップ回路層(銅層)-ニッケル層-金層」の順に形成することができる。ニッケル層は、銅層と金層との間の拡散を防止することができる。一方、表面処理層171は、OSP等の非金属で形成されることができる。 The surface treatment layer 171 is formed on the region of the build-up circuit layers 163 and 164 exposed from the opening O of the solder resist layer 170, and can prevent the build-up circuit layers 163 and 164 from being oxidized. The surface treatment layer 171 can be made of metal. The surface treatment layer 171 of the metal material can be formed by electroless plating. Further, the surface treatment layer 171 can be composed of a plurality of layers. For example, the surface treatment layer 171 can be formed of gold. Further, the surface treatment layer 171'can be formed of a plurality of layers of a nickel layer and a gold layer. In this case, "build-up circuit layer (copper layer) -nickel layer-gold layer" can be formed in this order. The nickel layer can prevent diffusion between the copper layer and the gold layer. On the other hand, the surface treatment layer 171 can be formed of a non-metal such as OSP.

図9を参照すると、図6を参照して説明したプリント回路基板と比べて、金属層130と回路層120とが厚さ方向に互いに離隔することができる。すなわち、金属層130は、回路層120から離隔して形成されることができる。ソルダーレジスト層170は、金属層130と回路層120とが離隔することで形成される空間にもさらに形成されることができる。すなわち、金属層130がソルダーレジスト層170の中間に位置することができる。 Referring to FIG. 9, the metal layer 130 and the circuit layer 120 can be separated from each other in the thickness direction as compared with the printed circuit board described with reference to FIG. That is, the metal layer 130 can be formed at a distance from the circuit layer 120. The solder resist layer 170 can be further formed in the space formed by separating the metal layer 130 and the circuit layer 120. That is, the metal layer 130 can be located in the middle of the solder resist layer 170.

金属層130は、回路層120が形成されていない領域まで延びることができる。この場合、金属層130の形成領域(横断面積)は、回路層120の形成領域(横断面積)よりも大きい。ただし、この場合であっても、金属層130はソルダーレジスト層170の開口部Oには形成されない。金属層130は、開口部Oの領域に対応して穴が形成された金属シートであってもよい。すなわち、金属層130は、回路層120の回路パターンのパターン通りにパターン化されない。また、この場合にすべての電気信号は、回路層120に伝達され、金属層130には伝達されない。 The metal layer 130 can extend to a region where the circuit layer 120 is not formed. In this case, the formation region (cross-sectional area) of the metal layer 130 is larger than the formation region (cross-sectional area) of the circuit layer 120. However, even in this case, the metal layer 130 is not formed in the opening O of the solder resist layer 170. The metal layer 130 may be a metal sheet in which a hole is formed corresponding to the region of the opening O. That is, the metal layer 130 is not patterned according to the pattern of the circuit pattern of the circuit layer 120. Further, in this case, all the electric signals are transmitted to the circuit layer 120 and not to the metal layer 130.

金属層130の厚さに関連して、絶縁材110の一面側に位置する第1金属層131の厚さは、絶縁材110の他面側に位置する第2金属層132の厚さよりも大きいことができ、これにより、プリント回路基板の反りを制御することができる。これ以外にも、図6等を参照して説明した内容を本実施例にも適用することができる。 In relation to the thickness of the metal layer 130, the thickness of the first metal layer 131 located on one side of the insulating material 110 is larger than the thickness of the second metal layer 132 located on the other side of the insulating material 110. This allows the warpage of the printed circuit board to be controlled. In addition to this, the contents described with reference to FIG. 6 and the like can be applied to this embodiment.

以下、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法について説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention will be described.

図10から図20は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。 10 to 20 are views showing a method of manufacturing a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

図10を参照すると、絶縁材110に貫通ビアホール141が形成され、貫通ビアホール141の内壁と絶縁材110の一面及び他面とにシード層S1が形成される。貫通ビアホール141は、ドリルビット等を用いて形成可能であり、シード層S1は、無電解メッキにより形成することができる。貫通ビア140は、シード層S1上に電解メッキされた電解メッキ層を含むことができる。 Referring to FIG. 10, a penetrating via hole 141 is formed in the insulating material 110, and a seed layer S1 is formed on the inner wall of the penetrating via hole 141 and one surface and the other surface of the insulating material 110. The through via hole 141 can be formed by using a drill bit or the like, and the seed layer S1 can be formed by electroless plating. The penetrating via 140 can include an electrolytic plating layer electrolytically plated on the seed layer S1.

図11を参照すると、メッキレジストR1を用いて回路層120が形成される。ここで、第1回路層121、貫通ビア140の電解メッキ層、第2回路層122を同一のメッキ過程で形成することができる。 Referring to FIG. 11, the circuit layer 120 is formed by using the plating resist R1. Here, the first circuit layer 121, the electrolytic plating layer of the penetrating via 140, and the second circuit layer 122 can be formed in the same plating process.

第1回路層121及び第2回路層122の高さ(厚さ)は、メッキレジストR1の高さ(厚さ)よりも低い(薄い)。これは、同一のメッキレジストR1を用いて金属層130を形成するためである。 The height (thickness) of the first circuit layer 121 and the second circuit layer 122 is lower (thinner) than the height (thickness) of the plating resist R1. This is because the metal layer 130 is formed by using the same plating resist R1.

すなわち、図12を参照すると、回路層120上に金属層130が形成される。金属層130は、メッキレジストR1を用いた電解メッキにより形成されることができる。 That is, referring to FIG. 12, the metal layer 130 is formed on the circuit layer 120. The metal layer 130 can be formed by electrolytic plating using the plating resist R1.

図13を参照すると、メッキレジストR1が剥離され、シード層S1の不要な部分が除去される。シード層S1の不要な部分の除去は、エッチングにより行われることができる。ここで、「不要な部分」とは、回路層120の領域ではない部分を意味し、不要なショートを防止するためである。 Referring to FIG. 13, the plating resist R1 is peeled off, and an unnecessary portion of the seed layer S1 is removed. The removal of unnecessary portions of the seed layer S1 can be performed by etching. Here, the "unnecessary portion" means a portion that is not a region of the circuit layer 120, and is for preventing an unnecessary short circuit.

図14から図17を参照すると、ビルドアップ層160が形成される。 Referring to FIGS. 14 to 17, the buildup layer 160 is formed.

先ず、図14及び図15を参照すると、金属層130上に絶縁層161、162が積層され、ビアホール166が形成される。ビアホール166は、金属層130の一部の領域まで除去する方式により形成されることができる。この場合、ビアホール166は、段階的に形成される。すなわち、金属層130を露出するように、絶縁層161、162の領域のビアホールAが先に除去され(図14)、その後に金属層130の領域のビアホールBが除去される(図15)。これは、絶縁層161、162と金属層130との材料の差から起因することである。 First, referring to FIGS. 14 and 15, the insulating layers 161 and 162 are laminated on the metal layer 130 to form the via hole 166. The via hole 166 can be formed by a method of removing a part of the metal layer 130. In this case, the via hole 166 is formed stepwise. That is, the via holes A in the regions of the insulating layers 161 and 162 are first removed so as to expose the metal layer 130 (FIG. 14), and then the via holes B in the region of the metal layer 130 are removed (FIG. 15). This is due to the difference in material between the insulating layers 161, 162 and the metal layer 130.

絶縁層161、162の領域のビアホールAは、レーザドリルにより形成可能であり、金属層130の領域のビアホールBは、エッチングにより形成可能である。金属層130と回路層120とが互いに異なるエッチング液に反応するように設定し、金属層130のエッチングにおいては回路層120がストッパとなることができる。また、金属層130がエッチングされるときには、絶縁層161、162がエッチングレジストの役割をすることができる。 The via hole A in the region of the insulating layers 161 and 162 can be formed by a laser drill, and the via hole B in the region of the metal layer 130 can be formed by etching. The metal layer 130 and the circuit layer 120 are set to react with different etching solutions, and the circuit layer 120 can serve as a stopper in the etching of the metal layer 130. Further, when the metal layer 130 is etched, the insulating layers 161 and 162 can serve as an etching resist.

すなわち、ビアホール166の断面形状は、絶縁層161、162の領域のビアホールAの幅が絶縁材110側に行くほど狭くなるが、これはレーザ光量が内側に行くほど小さくなるからである。一方、金属層130の領域のビアホールBの幅も絶縁材110側に行くほど狭くなり、これは、エッチングが等方性エッチングである場合に該当する。特に、この場合は、金属層130の領域のビアホールBの内壁が曲面をなすことができる。 That is, the cross-sectional shape of the via hole 166 becomes narrower as the width of the via hole A in the regions of the insulating layers 161 and 162 becomes narrower toward the insulating material 110, because the laser beam amount becomes smaller toward the inward side. On the other hand, the width of the via hole B in the region of the metal layer 130 also becomes narrower toward the insulating material 110 side, which corresponds to the case where the etching is isotropic etching. In particular, in this case, the inner wall of the via hole B in the region of the metal layer 130 can form a curved surface.

一方、絶縁層161、162の領域のビアホールAと、金属層130の領域のビアホールBとが結合する地点において、絶縁層161、162の領域のビアホールAの幅は、金属層130の領域のビアホールBの幅よりも狭くできる。また、金属層130の領域のビアホールBの最底部の幅は、絶縁層161、162の領域のビアホールAの最底部の幅と実質的に同一である。 On the other hand, at the point where the via hole A in the region of the insulating layers 161 and 162 and the via hole B in the region of the metal layer 130 are bonded, the width of the via hole A in the region of the insulating layers 161 and 162 is the via hole in the region of the metal layer 130. It can be narrower than the width of B. Further, the width of the bottom of the via hole B in the region of the metal layer 130 is substantially the same as the width of the bottom of the via hole A in the regions of the insulating layers 161 and 162.

ただし、エッチングの条件を調整して金属層130の領域のビアホールBの幅が一定になるようにすることができる。 However, the etching conditions can be adjusted so that the width of the via hole B in the region of the metal layer 130 becomes constant.

図16を参照すると、ビアホール166の内部及び絶縁層161、162上にシード層S3を形成し、メッキレジストR2を積層した後にパターニングする。 Referring to FIG. 16, the seed layer S3 is formed inside the via hole 166 and on the insulating layers 161 and 162, and the plating resist R2 is laminated and then patterned.

図17を参照すると、ビルドアップ回路層163、164とビルドアップ金属層167、168が順次メッキされて形成される。メッキレジストR2は剥離される。 Referring to FIG. 17, the build-up circuit layers 163 and 164 and the build-up metal layers 167 and 168 are sequentially plated and formed. The plating resist R2 is peeled off.

図18及び図19を参照すると、ビルドアップ金属層167、168上にソルダーレジスト層170が形成され、ソルダーレジスト層170には開口部Oが形成される。開口部Oもビルドアップ金属層167、168の一部も除去されて形成され、上述したビアホール166と同様に、2つの部分に区分できる。すなわち、開口部Oは、ソルダーレジスト層170の領域の開口部Cとビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dとを含むことができる。 Referring to FIGS. 18 and 19, a solder resist layer 170 is formed on the build-up metal layer 167 and 168, and an opening O is formed in the solder resist layer 170. The opening O is also formed by removing a part of the build-up metal layer 167 and 168, and can be divided into two parts in the same manner as the via hole 166 described above. That is, the opening O can include the opening C in the region of the solder resist layer 170 and the opening D in the region of the build-up metal layer 167 and 168.

開口部Oの断面形状は、ソルダーレジスト層170の領域の開口部Cの幅が絶縁材110側に行くほど狭くなるが、これはフォトリソグラフィ工程において露光量(またはレーザドリルの光量)が内側に行くほど小さくなるからである。一方、ビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dの幅も絶縁材110側に行くほど狭くなり、これはエッチングが等方性エッチングである場合に該当する。特に、この場合、ビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dの内壁が曲面をなすことができる。 The cross-sectional shape of the opening O becomes narrower as the width of the opening C in the region of the solder resist layer 170 goes toward the insulating material 110, which means that the exposure amount (or the light amount of the laser drill) is inward in the photolithography process. This is because it gets smaller as it goes. On the other hand, the width of the opening D in the region of the build-up metal layer 167 and 168 also becomes narrower toward the insulating material 110 side, which corresponds to the case where the etching is isotropic etching. In particular, in this case, the inner wall of the opening D in the region of the build-up metal layer 167 and 168 can form a curved surface.

一方、ソルダーレジスト層170の領域の開口部Cと、ビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dとが結合する地点において、ソルダーレジスト層170の領域の開口部Cの幅は、ビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dの幅よりも狭くできる。また、ビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dの最底部の幅は、ソルダーレジスト層170の領域の開口部Cの最底部の幅と実質的に同一である。 On the other hand, at the point where the opening C in the region of the solder resist layer 170 and the opening D in the region of the build-up metal layer 167 and 168 are bonded, the width of the opening C in the region of the solder resist layer 170 is built-up. It can be narrower than the width of the opening D in the region of the metal layer 167 and 168. Further, the width of the bottom of the opening D in the region of the build-up metal layer 167 and 168 is substantially the same as the width of the bottom of the opening C in the region of the solder resist layer 170.

ただし、エッチングの条件を調整してビルドアップ金属層167、168の領域の開口部Dの幅が一定になるようにすることができる。 However, the etching conditions can be adjusted so that the width of the opening D in the region of the build-up metal layer 167 and 168 becomes constant.

図20を参照すると、開口部Oから露出しているビルドアップ回路層163、164に表面処理層171が形成される。表面処理層171は、金属がメッキされて、1つ以上の層で形成されることができる。 Referring to FIG. 20, the surface treatment layer 171 is formed on the build-up circuit layers 163 and 164 exposed from the opening O. The surface treatment layer 171 can be plated with metal and formed of one or more layers.

図22は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。以下には、上述した内容を同様に適用することができる。 FIG. 22 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention. The above-mentioned contents can be similarly applied to the following.

図22を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材110と、1つ以上の第1絶縁層161と、1つ以上の第2絶縁層162と、第1回路層221と、第2回路層222と、第1金属層231と、第2金属層232と、を含むことができる。 Referring to FIG. 22, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention includes an insulating material 110, one or more first insulating layers 161 and one or more second insulating layers 162, and a first circuit layer 221. , A second circuit layer 222, a first metal layer 231 and a second metal layer 232 can be included.

絶縁材110は、互いに対向する一面及び他面を備える。絶縁材110の一面及び他面には、回路321、322が形成されることができる。絶縁材110の一面及び他面に形成されている回路321、322は、絶縁材110を貫通する貫通ビア141により電気的に接続されることができる。 The insulating material 110 includes one side facing each other and the other side. Circuits 321 and 322 can be formed on one surface and the other surface of the insulating material 110. The circuits 321 and 322 formed on one surface and the other surface of the insulating material 110 can be electrically connected by a penetrating via 141 penetrating the insulating material 110.

絶縁材110の一面上には、1つ以上の第1絶縁層161が積層されることができる。例えば、第1絶縁層161が2つであれば、図22に示すように、絶縁材110の一面上に(図22を基準にして、絶縁材110の下側へ)2つの層が厚さ方向に順次積層されることができる。 One or more first insulating layers 161 can be laminated on one surface of the insulating material 110. For example, if there are two first insulating layers 161 as shown in FIG. 22, the two layers are thick on one surface of the insulating material 110 (to the lower side of the insulating material 110 with reference to FIG. 22). It can be stacked sequentially in the direction.

また、絶縁材110の他面上には、1つ以上の第2絶縁層162を積層することができる。例えば、第2絶縁層162が2つであれば、図22に示すように、絶縁材110の他面上に(図22を基準にして、絶縁材110の上側へ)2つの層が厚さ方向に順次積層されることができる。 Further, one or more second insulating layers 162 can be laminated on the other surface of the insulating material 110. For example, if there are two second insulating layers 162, as shown in FIG. 22, the two layers are thick on the other surface of the insulating material 110 (to the upper side of the insulating material 110 with reference to FIG. 22). It can be stacked sequentially in the direction.

第1絶縁層161及び第2絶縁層162のそれぞれが、3つ、4つ…等で構成されている場合であっても、上述した方式により絶縁材110の両面に厚さ方向に順次積層されることができる。 Even when each of the first insulating layer 161 and the second insulating layer 162 is composed of three, four, etc., they are sequentially laminated on both sides of the insulating material 110 in the thickness direction by the above-mentioned method. Can be

一方、第1絶縁層161及び第2絶縁層162がそれぞれ1つである場合は、絶縁材110の両面にそれぞれ1つずつ絶縁層が積層されることになり、その第1絶縁層161及び第2絶縁層162は、最外層に位置する絶縁層となる。 On the other hand, when the first insulating layer 161 and the second insulating layer 162 are each one, one insulating layer is laminated on both sides of the insulating material 110, and the first insulating layer 161 and the first insulating layer 162 are laminated. 2 The insulating layer 162 is an insulating layer located on the outermost layer.

第1回路層221は、上述の1つ以上の第1絶縁層161のうちの少なくともいずれか1つ上に形成される。第1絶縁層161が1つである場合は、その第1絶縁層161上に第1回路層221が形成されることになり、第1絶縁層161が2つ以上である場合は、それらのうちの少なくともいずれか1つ上に形成される。勿論、第1回路層221が形成されていない他の第1絶縁層161上にも他の回路321が形成され、第1回路層221と電気的に接続されることができる。 The first circuit layer 221 is formed on at least one of the one or more first insulating layers 161 described above. When the first insulating layer 161 is one, the first circuit layer 221 is formed on the first insulating layer 161. When the first insulating layer 161 is two or more, those are formed. It is formed on at least one of them. Of course, another circuit 321 can be formed on the other first insulating layer 161 on which the first circuit layer 221 is not formed, and can be electrically connected to the first circuit layer 221.

図22に示すように、第1回路層221は、1つ以上の第1絶縁層161のうちの最外層に位置する第1絶縁層161上に形成されることができる。 As shown in FIG. 22, the first circuit layer 221 can be formed on the first insulating layer 161 located on the outermost layer of the one or more first insulating layers 161.

第2回路層222は、上述の1つ以上の第2絶縁層162のうちの少なくともいずれか1つ上に形成される。第2絶縁層162が1つである場合は、その第2絶縁層162上に第2回路層222が形成されることになり、第2絶縁層162が2つ以上である場合は、それらのうちの少なくともいずれか1つ上に形成される。勿論、第2回路層222が形成されていない他の第2絶縁層162上にも他の回路322が形成され、第2回路層222と電気的に接続されることができる。 The second circuit layer 222 is formed on at least one of the one or more second insulating layers 162 described above. When there is one second insulating layer 162, the second circuit layer 222 is formed on the second insulating layer 162, and when there are two or more second insulating layers 162, those are formed. It is formed on at least one of them. Of course, another circuit 322 is also formed on the other second insulating layer 162 on which the second circuit layer 222 is not formed, and can be electrically connected to the second circuit layer 222.

図22に示すように、第2回路層222は、1つ以上の第2絶縁層162のうちの最外層に位置する第2絶縁層162上に形成されることができる。 As shown in FIG. 22, the second circuit layer 222 can be formed on the second insulating layer 162 located on the outermost layer of the one or more second insulating layers 162.

第1金属層231は、第1回路層221上に形成され、第1金属層231の電気伝導率は、第1回路層221の電気伝導率よりも小さい。 The first metal layer 231 is formed on the first circuit layer 221, and the electric conductivity of the first metal layer 231 is smaller than the electric conductivity of the first circuit layer 221.

第2金属層232は、第2回路層222上に形成され、第2金属層232の電気伝導率は、第2回路層222の電気伝導率よりも小さい。 The second metal layer 232 is formed on the second circuit layer 222, and the electric conductivity of the second metal layer 232 is smaller than the electric conductivity of the second circuit layer 222.

第1回路層221と第2回路層222とは互いに同一の厚さを有することができる。また、第1金属層231の厚さは、第1回路層221の厚さよりも薄く、第2金属層232の厚さは、第2回路層222の厚さよりも薄くできる。第1金属層231の厚さは、第1回路層221の厚さの2/3を超えない。また、第2金属層232の厚さは、第2回路層222の厚さの2/3を超えない。一方、第1金属層231の厚さは、第2金属層232の厚さよりも大きいことができる。このように厚さを調整することにより、プリント回路基板の反りを制御することができる。 The first circuit layer 221 and the second circuit layer 222 can have the same thickness as each other. Further, the thickness of the first metal layer 231 can be thinner than the thickness of the first circuit layer 221 and the thickness of the second metal layer 232 can be thinner than the thickness of the second circuit layer 222. The thickness of the first metal layer 231 does not exceed 2/3 of the thickness of the first circuit layer 221. Further, the thickness of the second metal layer 232 does not exceed 2/3 of the thickness of the second circuit layer 222. On the other hand, the thickness of the first metal layer 231 can be larger than the thickness of the second metal layer 232. By adjusting the thickness in this way, it is possible to control the warp of the printed circuit board.

第1回路層221と第2回路層222とは、銅を主成分とする層であることができ、第1金属層231と第2金属層232とは、インバー(invar)等のFe-Ni(ニッケル鋼)合金、Cu-Zn合金の黄銅(brass)等の銅合金素材からなることができる。 The first circuit layer 221 and the second circuit layer 222 can be layers containing copper as a main component, and the first metal layer 231 and the second metal layer 232 are Fe-Ni such as invar. It can be made of a copper alloy material such as a (nickel steel) alloy or a Cu—Zn alloy brass.

本発明の実施例に係るプリント回路基板は、最外層に位置する上記第1絶縁層161及び上記第2絶縁層162上にそれぞれ積層されるソルダーレジスト層170をさらに含むことができる。 The printed circuit board according to the embodiment of the present invention can further include a solder resist layer 170 laminated on the first insulating layer 161 and the second insulating layer 162 located on the outermost layer, respectively.

ソルダーレジスト層170には開口部Oが形成され、開口部Oから第1回路層221及び第2回路層222が露出するように、第1金属層231及び第2金属層232は開口部領域には形成されなくてもよい。このような構造的特徴は、方法的には、第1回路層221に第1金属層231を形成した後に第1金属層231をエッチングすることにより、エッチングされた領域が開口部O(の一部)となることができる。同様に、第2回路層222に第2金属層232を形成した後に第2金属層232をエッチングすることによりエッチングされた領域が開口部O(の一部)となることができる。 The first metal layer 231 and the second metal layer 232 are formed in the opening region so that the opening O is formed in the solder resist layer 170 and the first circuit layer 221 and the second circuit layer 222 are exposed from the opening O. Does not have to be formed. Such a structural feature is that the etched region is formed by etching the first metal layer 231 after forming the first metal layer 231 on the first circuit layer 221. Part) can be. Similarly, by forming the second metal layer 232 on the second circuit layer 222 and then etching the second metal layer 232, the etched region can be (a part of) the opening O.

図23は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。 FIG. 23 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention.

図23を参照すると、図22を参照して説明したプリント回路基板において、第1金属層231と第1回路層221とが厚さ方向に互いに離隔し、第1金属層231と第1回路層221との間に空間が形成され、上記空間にはソルダーレジスト層170が形成される。 Referring to FIG. 23, in the printed circuit board described with reference to FIG. 22, the first metal layer 231 and the first circuit layer 221 are separated from each other in the thickness direction, and the first metal layer 231 and the first circuit layer are separated from each other. A space is formed between the 221 and the solder resist layer 170.

同様に、第2金属層232と第2回路層222とが厚さ方向に互いに離隔し、第2金属層232と第2回路層222との間には空間が形成され、上記空間にはソルダーレジスト層170が形成される。 Similarly, the second metal layer 232 and the second circuit layer 222 are separated from each other in the thickness direction, a space is formed between the second metal layer 232 and the second circuit layer 222, and a solder is formed in the space. The resist layer 170 is formed.

ここで、第1金属層231の形成領域は、第1回路層221の形成領域よりも大きいことができる、第2金属層232の形成領域は、第2回路層222の形成領域よりも大きいことができる。 Here, the formation region of the first metal layer 231 can be larger than the formation region of the first circuit layer 221. The formation region of the second metal layer 232 is larger than the formation region of the second circuit layer 222. Can be done.

第1金属層231は、第1回路層221が形成されていない領域上にも形成されることができ、ソルダーレジスト層170の開口部Oを除いた全体の領域にわたって形成されることができる。第2金属層232は、第2回路層222が形成されていない領域上にも形成されることができ、ソルダーレジスト層170の開口部Oを除いた全体の領域にわたって形成されることができる。第1金属層231及び第2金属層232は、金属シートであってもよい。 The first metal layer 231 can also be formed on the region where the first circuit layer 221 is not formed, and can be formed over the entire region excluding the opening O of the solder resist layer 170. The second metal layer 232 can also be formed on the region where the second circuit layer 222 is not formed, and can be formed over the entire region excluding the opening O of the solder resist layer 170. The first metal layer 231 and the second metal layer 232 may be metal sheets.

図24は本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図25は、図24の部分拡大図であり、図26は本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図27は、図26の部分拡大図であり、図28は本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図29は、図28の部分拡大図である。 24 is a cross-sectional view of the printed circuit board according to the embodiment of the present invention, FIG. 25 is a partially enlarged view of FIG. 24, and FIG. 26 is a cross-sectional view of the printed circuit board according to the embodiment of the present invention. 27 is a partially enlarged view of FIG. 26, FIG. 28 is a cross-sectional view of a printed circuit board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 29 is a partially enlarged view of FIG. 28.

図24を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材110と、回路層121、122と、金属層131、132と、絶縁層161、162と、を含み、絶縁層161、162及び金属層131、132にはビアホール166が形成され、ビアホール166の底面から回路層121、122が露出されることができる。 Referring to FIG. 24, the printed circuit board according to the embodiment of the present invention includes an insulating material 110, circuit layers 121 and 122, metal layers 131 and 132, and insulating layers 161 and 162, and includes an insulating layer 161. , 162 and the via holes 166 are formed in the metal layers 131 and 132, and the circuit layers 121 and 122 can be exposed from the bottom surface of the via holes 166.

絶縁材110は、樹脂等の絶縁物質で組成される板状の資材であって、上述した通りである。 The insulating material 110 is a plate-shaped material composed of an insulating substance such as a resin, and is as described above.

回路層121、122は、電気信号を伝達するためにパターン化された導電体であって、絶縁材110上に形成される。回路層121、122は、絶縁材110の両面上に形成されることができる。 The circuit layers 121 and 122 are conductors patterned for transmitting electrical signals and are formed on the insulating material 110. The circuit layers 121 and 122 can be formed on both sides of the insulating material 110.

金属層131、132は、回路層121、122上に形成され、電気伝導率が回路層121、122の電気伝導率よりも小さい金属で形成される導電体である。 The metal layers 131 and 132 are conductors formed on the circuit layers 121 and 122 and having an electric conductivity smaller than that of the circuit layers 121 and 122.

絶縁層161、162は、樹脂等の絶縁物質で組成される板状の資材であって、絶縁材110と同一または異なる物質で形成されることができる。 The insulating layers 161 and 162 are plate-shaped materials composed of an insulating material such as a resin, and can be formed of the same or different material as the insulating material 110.

ビアホール166は、上記絶縁層161、162及び上記金属層131、132を貫通するホールであって、上記ビアホール166の底面から回路層121、122が露出されることができる。また、ビアホール166に導電層が形成されてビア165が形成されると、金属層131、132とビア165の側面とが接触可能となる。この場合、ビア165の底面は、回路層121、122と直接接触することができる。 The via hole 166 is a hole that penetrates the insulating layers 161 and 162 and the metal layers 131 and 132, and the circuit layers 121 and 122 can be exposed from the bottom surface of the via hole 166. Further, when the conductive layer is formed in the via hole 166 and the via 165 is formed, the metal layers 131 and 132 and the side surface of the via 165 can come into contact with each other. In this case, the bottom surface of the via 165 can be in direct contact with the circuit layers 121, 122.

ビアホール166は、第1ホールEと第2ホールFとを含むことができる。第1ホールEは、第2ホールFよりも外側に位置し、第1ホールEの幅及び第2ホールFの幅のそれぞれは、内側に行くほど狭くなる。 The via hole 166 can include a first hole E and a second hole F. The first hole E is located outside the second hole F, and the width of the first hole E and the width of the second hole F become narrower toward the inside.

図25には、第1ホールE及び第2ホールFを含むビアホール166の様々な形態が示されている。 FIG. 25 shows various forms of the via hole 166 including the first hole E and the second hole F.

図25の(a)、(b)に示すように、第1ホールEと第2ホール(F)とが接する面において、第1ホールEの幅が第2ホールFの幅よりも狭くできる。また、(b)に示すように、第2ホールFの側面は、曲面をなすことができる。これは、金属層131、132が等方性エッチングされることにより第2ホールFが形成された結果であると言える。ここで、第1ホールEの最内側の幅及び第2ホールFの最内側の幅は、実質的に同一であることができる。 As shown in FIGS. 25 (a) and 25 (b), the width of the first hole E can be narrower than the width of the second hole F on the surface where the first hole E and the second hole (F) meet. Further, as shown in (b), the side surface of the second hole F can be curved. It can be said that this is a result of the formation of the second hole F by isotropic etching of the metal layers 131 and 132. Here, the innermost width of the first hole E and the innermost width of the second hole F can be substantially the same.

一方、金属層131、132の厚さ、エッチングの方法、条件等を調整することにより、(c)に示すように、第1ホールEと第2ホールFとが接する面において第1ホールEの幅と第2ホールFの幅とを同一に形成することができる。 On the other hand, by adjusting the thicknesses of the metal layers 131 and 132, the etching method, the conditions, etc., as shown in (c), the first hole E is formed on the surface where the first hole E and the second hole F are in contact with each other. The width and the width of the second hole F can be formed to be the same.

図26を参照すると、ビアホール166内にビア165が形成されており、ビア165は、シード層を含むことができる。また、絶縁層161、162上には、ビア165と接続するビルドアップ回路層163、164を形成することができ、ビルドアップ回路層163、164上にはビルドアップ金属層167、168を形成することができる。 Referring to FIG. 26, a via 165 is formed in the via hole 166, and the via 165 can include a seed layer. Further, build-up circuit layers 163 and 164 connected to vias 165 can be formed on the insulating layers 161 and 162, and build-up metal layers 167 and 168 are formed on the build-up circuit layers 163 and 164. be able to.

ビアホール166内のビア165の側面は、金属層131、132と接触することができ、ビア165がシード層を含む場合は、金属層131、132はシード層と接触することができる。 The side surface of the via 165 in the via hole 166 can be in contact with the metal layers 131, 132, and if the via 165 includes a seed layer, the metal layers 131, 132 can be in contact with the seed layer.

図27には、図25の(a)、(b)、(c)によりシード層、ビア165、ビルドアップ回路層163、164、ビルドアップ金属層167、168が形成されている状態を示している。 27 shows a state in which the seed layer, via 165, build-up circuit layer 163, 164, and build-up metal layer 167, 168 are formed by (a), (b), and (c) of FIG. 25. There is.

図28を参照すると、絶縁層161、162上にソルダーレジスト層170が形成され、ソルダーレジスト層170に開口部Oが形成されており、開口部Oは、第1開口Gと第2開口Hとを含むことができる。第1開口Gは、第2開口Hよりも外側に位置し、第1開口Gの幅及び第2開口Hの幅のそれぞれは、内側に行くほど狭くなる。 Referring to FIG. 28, a solder resist layer 170 is formed on the insulating layers 161 and 162, an opening O is formed in the solder resist layer 170, and the openings O are the first opening G and the second opening H. Can be included. The first opening G is located outside the second opening H, and the width of the first opening G and the width of the second opening H become narrower toward the inside.

図29には、第1開口Gと第2開口Hとを含む開口部Oの様々な形態が示されている。 FIG. 29 shows various forms of the opening O including the first opening G and the second opening H.

図29の(a)、(b)に示すように、第1開口Gと第2開口Hとが互いに接する面において、第1開口Gの幅が第2開口Hの幅よりも狭くできる。また、(b)に示すように、第2開口Hの側面は、曲面をなすことができる。これは、ビルドアップ金属層167、168が等方性エッチングされることにより第2開口Hが形成された結果であると言える。ここで、第1開口Gの最内側の幅及び第2開口Hの最内側の幅は、実質的に同一であることができる。 As shown in FIGS. 29A and 29B, the width of the first opening G can be narrower than the width of the second opening H on the surface where the first opening G and the second opening H are in contact with each other. Further, as shown in (b), the side surface of the second opening H can be curved. It can be said that this is a result of the formation of the second opening H by isotropic etching of the build-up metal layers 167 and 168. Here, the innermost width of the first opening G and the innermost width of the second opening H can be substantially the same.

一方、ビルドアップ金属層167、168の厚さ、エッチングの方法、条件等を調整することにより、図29の(c)に示すように、第1開口Gと第2開口Hとが接する面において、第1開口Gの幅と第2開口Hの幅とを同一に形成することができる。 On the other hand, by adjusting the thickness of the build-up metal layer 167 and 168, the etching method, the conditions, and the like, as shown in FIG. 29 (c), on the surface where the first opening G and the second opening H are in contact with each other. , The width of the first opening G and the width of the second opening H can be formed to be the same.

一方、図28、図29に示すように、開口部Oから露出したビルドアップ回路層163、164上には表面処理層171を形成することができる。 On the other hand, as shown in FIGS. 28 and 29, the surface treatment layer 171 can be formed on the build-up circuit layers 163 and 164 exposed from the opening O.

以上、本発明の実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。 Although the embodiments of the present invention have been described above, if the person has ordinary knowledge in the technical field, the addition of components can be performed within the range not deviating from the idea of the present invention described in the claims. The present invention can be variously modified and changed by modification, deletion, addition, etc., and it can be said that this is also included in the scope of the present invention.

110 絶縁材
120 回路層
121、221 第1回路層
122、222 第2回路層
130 金属層
131、231 第1金属層
132、232 第2金属層
140 貫通ビア
141 貫通ビアホール
150 合金層
151 第1合金層
152 第2合金層
153 第3合金層
160 ビルドアップ層
161 第1絶縁層
162 第2絶縁層
163 第1ビルドアップ回路層
164 第2ビルドアップ回路層
165 ビア
166 ビアホール
167 第1ビルドアップ金属層
168 第2ビルドアップ金属層
170 ソルダーレジスト層
O 開口部
171 表面処理層
S1、S2、S3、S4 シード層
R1、R2 メッキレジスト
110 Insulation 120 Circuit layer 121, 221 First circuit layer 122, 222 Second circuit layer 130 Metal layer 131, 231 First metal layer 132, 232 Second metal layer 140 Penetrating via 141 Penetrating via hole 150 Alloy layer 151 First alloy Layer 152 2nd alloy layer 153 3rd alloy layer 160 Build-up layer 161 1st insulation layer 162 2nd insulation layer 163 1st build-up circuit layer 164 2nd build-up circuit layer 165 Via 166 Via hole 167 1st build-up metal layer 168 Second build-up metal layer 170 Solder resist layer O Opening 171 Surface treatment layer S1, S2, S3, S4 Seed layer R1, R2 Plated resist

Claims (22)

互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、
前記絶縁材の前記一面及び他面上に形成される回路層と、
前記回路層上に形成される金属層と、を含み、
前記金属層の電気伝導率は、前記回路層の電気伝導率よりも小さく、
前記絶縁材の前記一面側に位置する前記金属層の厚さは、前記絶縁材の前記他面側に位置する前記金属層の厚さよりも厚い、プリント回路基板。
An insulating material having one side and the other side facing each other,
A circuit layer formed on one surface and the other surface of the insulating material,
Including a metal layer formed on the circuit layer,
The electrical conductivity of the metal layer is smaller than the electrical conductivity of the circuit layer.
A printed circuit board in which the thickness of the metal layer located on the one side of the insulating material is thicker than the thickness of the metal layer located on the other side of the insulating material.
前記金属層の厚さは、前記回路層の厚さよりも薄い請求項1に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 1, wherein the thickness of the metal layer is thinner than the thickness of the circuit layer. 前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも小さく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも大きい請求項1又は2に記載のプリント回路基板。
The coefficient of thermal expansion of the metal layer is smaller than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer.
The printed circuit board according to claim 1 or 2, wherein the rigidity of the metal layer is larger than the rigidity of the circuit layer.
前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも大きく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも小さい請求項1又は2に記載のプリント回路基板。
The coefficient of thermal expansion of the metal layer is larger than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer.
The printed circuit board according to claim 1 or 2, wherein the rigidity of the metal layer is smaller than the rigidity of the circuit layer.
前記絶縁材の前記一面側に位置する前記回路層の体積は、前記絶縁材の前記他面側に位置する前記回路層の体積よりも小さい請求項1又は2に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 1 or 2, wherein the volume of the circuit layer located on the one side of the insulating material is smaller than the volume of the circuit layer located on the other side of the insulating material. 前記絶縁材の内部を貫通して形成され、
前記絶縁材の前記一面に形成されている前記回路層と前記絶縁材の前記他面に形成されている前記回路層とを接続させる貫通ビアをさらに含む請求項1から5のいずれか1項に記載のプリント回路基板。
Formed through the inside of the insulating material,
The invention according to any one of claims 1 to 5, further comprising a penetrating via for connecting the circuit layer formed on one surface of the insulating material and the circuit layer formed on the other surface of the insulating material. The printed circuit board described.
前記絶縁材と前記貫通ビアとの間、そして前記絶縁材と前記回路層との間に形成される合金層をさらに含み、
前記金属層と前記合金層とは、互いに同一の物質からなる請求項6に記載のプリント回路基板。
Further comprising an alloy layer formed between the insulating material and the penetrating via and between the insulating material and the circuit layer.
The printed circuit board according to claim 6, wherein the metal layer and the alloy layer are made of the same substance.
前記絶縁材の前記一面に位置する前記合金層の厚さは、前記絶縁材の前記他面に位置する前記合金層の厚さよりも厚い請求項7に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 7, wherein the thickness of the alloy layer located on the one side of the insulating material is thicker than the thickness of the alloy layer located on the other side of the insulating material. 前記貫通ビアは、前記絶縁材を貫通する貫通ビアホール内に形成され、
前記合金層は、シード層を含み、
前記シード層は、前記貫通ビアホールの内壁及び前記絶縁材の前記一面及び他面に形成される請求項7又は8に記載のプリント回路基板。
The penetrating via is formed in the penetrating via hole penetrating the insulating material.
The alloy layer includes a seed layer and includes a seed layer.
The printed circuit board according to claim 7 or 8, wherein the seed layer is formed on the inner wall of the through via hole and on one surface and the other surface of the insulating material.
互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、
前記絶縁材の前記一面上に積層される1つ以上の第1絶縁層と、
前記絶縁材の前記他面上に積層される1つ以上の第2絶縁層と、
前記1つ以上の第1絶縁層のうちの少なくともいずれか1つ上に形成される第1回路層と、
前記1つ以上の第2絶縁層のうちの少なくともいずれか1つ上に形成される第2回路層と、
前記第1回路層上に形成される第1金属層と、
前記第2回路層上に形成される第2金属層と、を含み、
前記第1金属層の電気伝導率は、前記第1回路層の電気伝導率よりも小さく、
前記第2金属層の電気伝導率は、前記第2回路層の電気伝導率よりも小さく、
前記第1金属層の厚さは、前記第2金属層の厚さよりも厚い、
プリント回路基板。
An insulating material having one side and the other side facing each other,
One or more first insulating layers laminated on the one surface of the insulating material,
With one or more second insulating layers laminated on the other surface of the insulating material,
A first circuit layer formed on at least one of the one or more first insulating layers, and a first circuit layer.
A second circuit layer formed on at least one of the one or more second insulating layers, and
The first metal layer formed on the first circuit layer and
A second metal layer formed on the second circuit layer, and the like.
The electric conductivity of the first metal layer is smaller than the electric conductivity of the first circuit layer.
The electric conductivity of the second metal layer is smaller than the electric conductivity of the second circuit layer.
The thickness of the first metal layer is thicker than the thickness of the second metal layer.
Printed circuit board.
前記第1回路層及び前記第1金属層は、最外層に位置する第1絶縁層上に形成され、
前記第2回路層及び前記第2金属層は、最外層に位置する第2絶縁層上に形成される請求項10に記載のプリント回路基板。
The first circuit layer and the first metal layer are formed on the first insulating layer located on the outermost layer.
The printed circuit board according to claim 10, wherein the second circuit layer and the second metal layer are formed on a second insulating layer located on the outermost layer.
最外層に位置する前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層上にそれぞれ積層されるソルダーレジスト層をさらに含み、
前記ソルダーレジスト層には開口部が形成され、
前記開口部から前記第1回路層及び前記第2回路層が露出するように、
前記第1金属層及び前記第2金属層は前記開口部の領域には形成されない請求項11に記載のプリント回路基板。
Further including a solder resist layer laminated on the first insulating layer and the second insulating layer located on the outermost layer, respectively.
An opening is formed in the solder resist layer, and an opening is formed.
The first circuit layer and the second circuit layer are exposed from the opening so that the first circuit layer and the second circuit layer are exposed.
The printed circuit board according to claim 11, wherein the first metal layer and the second metal layer are not formed in the region of the opening.
前記第1金属層と前記第1回路層とは、厚さ方向に互いに離隔され、
前記ソルダーレジスト層は、前記第1金属層と前記第1回路層との間にさらに形成される請求項12に記載のプリント回路基板。
The first metal layer and the first circuit layer are separated from each other in the thickness direction.
The printed circuit board according to claim 12, wherein the solder resist layer is further formed between the first metal layer and the first circuit layer.
前記第1金属層の形成領域は、前記第1回路層の形成領域よりも大きい請求項13に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 13, wherein the formation region of the first metal layer is larger than the formation region of the first circuit layer. 絶縁材と、
前記絶縁材上に形成される回路層と、
インバー(invar)を含み、前記回路層上に形成され、電気伝導率が前記回路層の電気伝導率よりも小さい金属層と、
前記絶縁材上に積層される絶縁層と、
前記絶縁層及び前記金属層を貫通するビアホールと、を含み、
前記ビアホールの底面から前記回路層が露出される、
プリント回路基板。
Insulating material and
The circuit layer formed on the insulating material and
A metal layer containing invar , formed on the circuit layer, and having an electric conductivity smaller than that of the circuit layer.
The insulating layer laminated on the insulating material and
Includes the insulating layer and via holes penetrating the metal layer.
The circuit layer is exposed from the bottom surface of the via hole.
Printed circuit board.
前記ビアホール内に形成されるビアをさらに含み、
前記ビアの側面は、前記金属層と接触する請求項15に記載のプリント回路基板。
Further including vias formed in the via hole,
The printed circuit board according to claim 15, wherein the side surface of the via is in contact with the metal layer.
前記ビアホールは、第1ホールと第2ホールとを含み、
前記第1ホールは、前記絶縁層を貫通し、
前記第2ホールは、前記金属層を貫通し、
前記第1ホールの幅及び前記第2ホールの幅のそれぞれは、前記絶縁材側に行くほど狭くなる請求項15に記載のプリント回路基板。
The via hole includes a first hole and a second hole, and includes the first hole and the second hole.
The first hole penetrates the insulating layer and
The second hole penetrates the metal layer and
The printed circuit board according to claim 15, wherein each of the width of the first hole and the width of the second hole becomes narrower toward the insulating material side.
前記第1ホールと前記第2ホールとが接する面において、
前記第1ホールの幅は、前記第2ホールの幅よりも狭い請求項17に記載のプリント回路基板。
On the surface where the first hole and the second hole are in contact with each other
The printed circuit board according to claim 17, wherein the width of the first hole is narrower than the width of the second hole.
前記第2ホールの側面が曲面である請求項17に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to claim 17, wherein the side surface of the second hole is a curved surface. 前記金属層の厚さは、前記回路層の厚さの2/3を超えない請求項15から19のいずれか1項に記載のプリント回路基板。 The printed circuit board according to any one of claims 15 to 19, wherein the thickness of the metal layer does not exceed 2/3 of the thickness of the circuit layer. 前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも小さく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも大きい請求項15から19のいずれか1項に記載のプリント回路基板。
The coefficient of thermal expansion of the metal layer is smaller than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer.
The printed circuit board according to any one of claims 15 to 19, wherein the rigidity of the metal layer is larger than the rigidity of the circuit layer.
前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも大きく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも小さい請求項15から19のいずれか1項に記載のプリント回路基板。
The coefficient of thermal expansion of the metal layer is larger than the coefficient of thermal expansion of the circuit layer.
The printed circuit board according to any one of claims 15 to 19, wherein the rigidity of the metal layer is smaller than the rigidity of the circuit layer.
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