JP7181495B2 - カルコゲナイドガラス - Google Patents
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Claims (13)
- モル%で、S+Se+Te 60.8~80%、遷移金属元素 0.1~3%、Ga 0~9.2%、Ge 0~9.4%、Bi 1~6.8%を含有し、Asを実質的に含有せず、水分量が100ppm以下であることを特徴とするカルコゲナイドガラス。
- Ge、Ga、Sbから選択される少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項1に記載のカルコゲナイドガラス。
- Ge 0~4.7%を含有することを特徴とする請求項1または2に記載のカルコゲナイドガラス。
- モル%で、Ge+Ga+Sb+Bi+Sn+In+Ag+Si 1~39.0%を含有することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のカルコゲナイドガラス。
- 遷移金属元素が、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、及び、希土類元素から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のカルコゲナイドガラス。
- 希土類元素が、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項5に記載のカルコゲナイドガラス。
- Cd、Tl及びPbを実質的に含有しないことを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のカルコゲナイドガラス。
- Sb 0~33.3%を含有することを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のカルコゲナイドガラス。
- Sn 0~6.7%を含有することを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載のカルコゲナイドガラス。
- 請求項1~9に記載のカルコゲナイドガラスからなることを特徴とする発光体。
- ファイバ状であることを特徴とする請求項10に記載の発光体。
- 請求項10または11に記載の発光体からなることを特徴とするレーザー媒体。
- 請求項1~9のいずれか一項に記載のカルコゲナイドガラスの製造方法であって、
原料を、(原料の融点-100℃)~(原料の融点-20℃)にて熱処理することを特徴とするカルコゲナイドガラスの製造方法。
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D. Lezal et al.,Chalcogenide glasses for optical and photonics applications,Journal of Optoelectronics and Advanced Materials,2004年03月,Vol.6, No.1,pp.133-137 |
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