JP7181045B2 - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
20:窒化物半導体層
22:ドリフト領域
23:JFET領域
24:高濃度ボディ領域
25:低濃度ボディ領域
26:ボディ領域
27:ソース領域
32:ドレイン電極
34:ソース電極
36:絶縁ゲート部
36a:ゲート絶縁膜
36b:ゲート電極
Claims (4)
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の一方の主面上に設けられているソース電極と、
前記窒化物半導体層の他方の主面上に設けられているドレイン電極と、
絶縁ゲート部と、を備えており、
前記窒化物半導体層は、
n型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域上に設けられているn型のJFET領域と、
前記ドリフト領域上に設けられており、前記JFET領域を間に置いて対向するように設けられており、p型不純物を相対的に高濃度に含む高濃度ボディ領域とp型不純物を相対的に低濃度に含む低濃度ボディ領域が積層して構成されているボディ領域と、
前記ボディ領域によって前記JFET領域から隔てられているn型のソース領域と、を有しており、
前記絶縁ゲート部は、前記JFET領域と前記ソース領域を隔てている部分の前記ボディ領域に対向している、窒化物半導体装置の製造方法であって、
前記高濃度ボディ領域を形成する工程が、
p型不純物を含む窒化物半導体の第1エピタキシャル層とp型不純物を含む窒化物半導体の第2エピタキシャル層を離間して結晶成長させる結晶成長工程と、
アニール処理を実施して前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の間の領域に前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の双方から前記p型不純物を拡散させて前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層を含む範囲に前記高濃度ボディ領域を形成するアニール処理工程と、を備える、窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記結晶成長工程では、前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の間に窒化物半導体の中間エピタキシャル層を結晶成長させており、
前記中間エピタキシャル層は、i型、n型、又は、前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の前記p型不純物の濃度よりも薄いp型不純物を含む、のいずれかである、請求項1に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記JFET領域を間に置いて対向する前記高濃度ボディ領域間の距離が、前記JFET領域を間に置いて対向する前記低濃度ボディ領域間の距離よりも小さい、請求項1又は2に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記p型不純物がマグネシウムである、請求項1~3のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283692A (ja) | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2011210780A (ja) | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Oki Electric Industry Co Ltd | GaN−MISトランジスタ、GaN−IGBT、およびこれらの製造方法 |
JP2017168506A (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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