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Description
発光素子と、第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積より小さい、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
発光素子と、第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、前記第1画素電極に重畳する第1透明樹脂と、前記第2画素電極に重畳する第2透明樹脂と、を備え、前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積と同等であり、前記第1透明樹脂及び前記第2透明樹脂は、前記ポリマー及び前記液晶分子とは異なる材料によって形成され、前記第1画素電極と前記第1透明樹脂との重畳面積は、前記第2画素電極と前記第2透明樹脂との重畳面積より大きい、表示装置が提供される。
図1において拡大して示すように、各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。共通電極CEは、複数の画素電極PEに対して共通に設けられている。画素電極PEの各々は、第3方向Zにおいて共通電極CEと対向している。液晶層LC(特に、液晶分子32)は、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって駆動される。容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。
第1基板SUB1は、透明基板10と、絶縁膜11及び12と、容量電極13と、スイッチング素子SWと、画素電極PEと、配向膜AL1と、を備えている。透明基板10は、主面(下面)10Aと、主面10Aの反対側の主面(上面)10Bと、を備えている。スイッチング素子SWは、主面10B側に設けられている。絶縁膜11は、スイッチング素子SWを覆っている。なお、図1に示した走査線G及び信号線Sは、透明基板10と絶縁膜11との間に設けられているが、ここでは図示を省略している。容量電極13は、絶縁膜11及び12の間に設けられている。画素電極PEは、絶縁膜12と配向膜AL1との間において、画素PX毎に設けられている。つまり、容量電極13は、透明基板10と画素電極PEとの間に設けられている。画素電極PEは、容量電極13の開口部OPを介してスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、絶縁膜12を挟んで、容量電極13と重畳し、画素PXの容量CSを形成している。配向膜AL1は、画素電極PEを覆っている。配向膜AL1は、液晶層LCに接している。
表示装置DSPは、透明基板30を備えている。透明基板30は、透明な接着層ADにより透明基板20に接着されている。透明基板20は、第3方向Zにおいて、液晶層LCと透明基板30との間に位置している。透明基板30は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板であり、透明基板10及び20と同等の屈折率を有している。透明基板30は、主面(下面)30Aと、主面30Aの反対側の主面(上面)30Bと、側面30Cと、を備えている。接着層ADは、透明基板20の主面20Bと透明基板30の主面30Aとの間に介在している。接着層ADは、透明基板20及び30と同等の屈折率を有している。なお、ここでの「同等」とは、屈折率差がゼロの場合に限らず、屈折率差が0.03以下の場合を含む。
発光素子LDは、第2方向Yにおいて、側面20C及び側面30Cと向かい合っている。発光素子LDは、配線基板Fに電気的に接続されている。発光素子LDは、例えば、発光ダイオードであり、詳述しないが、赤発光部、緑発光部、及び、青発光部を備えている。なお、発光素子LDと、側面20C及び30Cとの間に、透明な導光体が配置されてもよい。
発光素子LDは、側面20C及び30Cに向けて光L1を出射する。発光素子LDから出射された光L1は、第2方向Yを示す矢印の向きに沿って進行し、側面20Cから透明基板20に入射するとともに、側面30Cから透明基板30に入射する。透明基板20及び30に入射した光L1は、繰り返し反射されながら、表示パネルPNLの内部を進行する。電圧が印加されていない液晶層LCに入射した光L1は、ほとんど散乱されることなく液晶層LCを透過する。また、電圧が印加された液晶層LCに入射した光L1は、液晶層LCで散乱される。表示装置DSPは、主面10A側から観察可能であるとともに、主面30B側からも観察可能である。また、表示装置DSPが主面10A側から観察された場合であっても、主面30B側から観察された場合であっても、表示装置DSPを介して、表示装置DSPの背景を観察可能である。
まず、図5乃至図7を参照しながら、本実施形態の基本コンセプトを説明する。なお、図5乃至図7の各々の(A)においては、横軸は発光素子LDから第2方向Yに沿った距離を示し、縦軸は各画素PXの散乱面積を示している。散乱面積とは、液晶層LCに電圧が印加された際にポリマー31の屈折率と液晶分子32の屈折率とがミスマッチする領域(あるいは、液晶分子32が電界によって駆動される領域)の面積に相当する。あるいは、散乱面積は、平面視で画素電極PE及び共通電極CEが重畳する電極面積と定義することもできる。図5乃至図7の各々の(B)においては、横軸は発光素子LDから第2方向Yに沿った距離を示し、縦軸は各画素PXの輝度を示している。
以下で述べる発光素子LDに近接した画素とは図4の画素PX1に相当し、発光素子LDから離間した画素とは図4の画素PX2に相当する。
図5の(A)に示すように、比較例では、発光素子LDからの距離に関係なく、各画素の散乱面積が一定である。表示パネルPNLの内部を進行する光は、発光素子LDから離れるにしたがって減衰する。また、発光素子LDに近接した画素PX1に到達する光の量は、発光素子LDから離間した画素PX2に到達する光の量より多い。このため、比較例では、画素PX1で散乱される光量は、画素PX2で散乱される光量より少ない。したがって、図5の(B)に示すように、比較例では、発光素子LDから離れるにしたがって輝度が低下する。
図6の(A)に示すように、第1実施形態では、発光素子LDから離れるにしたがって、各画素の散乱面積が増加する。つまり、発光素子LDに近接した画素PX1の散乱面積は、発光素子LDから離間した画素PX2の散乱面積より小さい。このため、画素PX1で散乱される光の量は、比較例よりも減少する。一方で、画素PX2で散乱される光の量は、比較例よりも増加する。したがって、表示パネルPNLの内部を進行する光の減衰が補償される。つまり、画素PX1に到達する光の量は多いが散乱面積が小さいため、比較例よりも輝度が低下する。一方で、画素PX2に到達する光の量は少ないが散乱面積が大きいため、比較例よりも輝度が増加する。このため、図6の(B)に示すように、第1実施形態では、発光素子LDからの距離に関係なく、輝度を均一化することができる。あるいは、発光素子LDに近接した画素と、発光素子LDから離間した画素とでの輝度差を低減することができる。したがって、輝度の低下に伴う表示品位の低下を抑制することができる。
図7の(A)に示すように、第2実施形態では、発光素子LD1、表示パネルPNL、及び、発光素子LD2がこの順に第2方向Yに沿って並んでいる。表示パネルPNLは、第2方向Yに沿ったほぼ中間の領域MAで最大の散乱面積を有している。つまり、発光素子LD1から領域MAに向かうにしたがって各画素の散乱面積が増加する。一方で、領域MAから発光素子LD2に向かうにしたがって各画素の散乱面積が減少する。発光素子LD1及びLD2から等距離の画素では、散乱面積がほぼ同等である。このような第2実施形態では、発光素子LD1に近接した画素、及び、発光素子LD2に近接した画素が図4に示した画素PX1に相当し、領域MAの画素が図4に示した画素PX2に相当する。
図8は、第1基板SUB1の一例を示す平面図である。第1基板SUB1において、走査線G1乃至G4は、それぞれ第1方向Xに延出し、第2方向Yに並んでいる。走査線G1及びG2は第2方向Yに隣接し、また、走査線G3及びG4も第2方向Yに隣接している。走査線G2と走査線G3との間には、図示しない複数の走査線(あるいは画素)が配置されている。走査線G1及びG2の第2方向Yに沿った間隔DY1は、走査線G3及びG4の第2方向Yに沿った間隔DY2と同等である。走査線G2及びG3の第2方向Yに沿った間隔DY3は、間隔DY1よりも大きい。
信号線S1乃至S3は、それぞれ第2方向Yに延出し、第1方向Xに並んでいる。信号線S1乃至S3は、走査線G1乃至G4と交差している。信号線S1及びS2は第1方向Xに隣接し、また、信号線S2及びS3も第1方向Xに隣接している。信号線S1及びS2の第1方向Xに沿った間隔DX1は、信号線S2及びS3の第1方向Xに沿った間隔DX2と同等である。
スイッチング素子SW21は、走査線G3及び信号線S1と電気的に接続されている。画素電極PE21は、画素PX21に設けられ、スイッチング素子SW21と電気的に接続されている。画素電極PE21は、開口部OP21を備えている。
画素電極PE11は、第2方向Yにおいて、延出部Exに設けられた発光素子LDと、画素電極PE21との間に設けられている。あるいは、透明基板10は側面10Cの反対側の側面10Dを備え、画素電極PE21は画素電極PE11と側面10Dとの間に設けられている。
画素電極PE11の電極面積は、画素電極PE21の電極面積より小さい。画素電極PE11の電極面積は開口部OP11を除いた電極本体の面積であり、画素電極PE21の電極面積は開口部OP21を除いた電極本体の面積である。また、開口部OP11の総面積は、開口部OP21の総面積より大きい。
開口部OP11及びOP21の面積について、図8に示した例では、開口部OP11及びOP21のそれぞれ1個当たりの面積が同等であるが、開口部OP11の面積が開口部OP21の面積より大きくてもよいし、開口部OP11の面積が開口部OP21の面積より小さくてもよい。
開口部OP11及びOP21の個数について、図8に示した例では、開口部OP11の個数(9個)が開口部OP21の個数(2個)より多いが、この例に限定されるものではない。開口部OP11の面積が開口部OP21の面積より大きい場合には、開口部OP11の個数が開口部OP21の個数より少ない場合も有り得るし、開口部OP11の個数が開口部OP21の個数と等しい場合も有り得る。
例えば、画素PX11に設けられた画素電極PE11、及び、画素PX12に設けられた画素電極PE12は、第1方向Xに並んでいる。画素電極PE12の電極面積は、画素電極PE11の電極面積と同等である。また、画素電極PE12が備える開口部OP12の総面積は、画素電極PE11が備える開口部OP11の総面積と同等である。図8に示した例では、開口部OP12の形状は開口部OP11の形状と同等であり、開口部OP12の面積は開口部OP11の面積と同等であり、開口部OP12の個数は開口部OP11の個数と同等である。なお、画素電極PE12はスイッチング素子SW12と電気的に接続され、スイッチング素子SW12は走査線G1及び信号線S2と電気的に接続されている。
共通電極CEは、開口部OP11に重畳する開口部OP31と、開口部OP21に重畳する開口部OP41と、を備えている。開口部OP31の総面積は、開口部OP41の総面積より大きい。
例えば、画素電極PE12に重畳する開口部OP32の総面積は、画素電極PE11に重畳する開口部OP31の総面積と同等である。なお、開口部OP32は、開口部OP12に重畳している。同様に、画素電極PE22に重畳する開口部OP42の総面積は、画素電極PE21に重畳する開口部OP41の総面積と同等である。なお、開口部OP42は、開口部OP22に重畳している。
図10は、第1基板SUB1の一例を示す平面図である。第2構成例は、上記の第1構成例と比較して、開口部OP11、OP12、OP21、OP22がいずれも同一方向に延出している点で相違している。図10に示した例では、これらの開口部OP11、OP12、OP21、OP22は、いずれも第1方向Xに延出している。開口部OP11、OP12、OP21、OP22の延出方向は、液晶層LCにおけるポリマー31の延出方向とほぼ平行である。すなわち、ポリマー31は、図1を参照して説明したように、第1方向Xに延出した筋状に形成されている。
図12は、図9及び図11に示したA-B線に沿った断面図である。ここでは、開口部OP11を含む画素電極PE11、開口部OP31を含む共通電極CE、及び、液晶層LCのみを図示している。
開口部OP31は、開口部OP11の直上に位置している。液晶層LCは、画素電極PE11と共通電極CEとの間において、第3方向Zに沿った厚さTLCを有している。画素電極PE11において、開口部OP11の第2方向Yに沿った幅WPEは、厚さTLCより大きい。なお、開口部OP31の第2方向Yに沿った幅については、幅WPEと同等である。図9に示した第1構成例の開口部OP11及びOP31は円形であり、幅WPEは開口部OP11及びOP31の直径に相当する。図11に示した第2構成例の開口部OP11及びOP31は第1方向Xに延出しており、幅WPEは開口部OP11及びOP31の延出方向(第1方向X)と直交する方向(第2方向Y)の長さに相当する。
図13は、容量電極13の一例を示す平面図である。容量電極13は、例えば、走査線G1乃至G4と、信号線S1乃至S3と、スイッチング素子SW11、SW12、SW21、SW22と、に重畳し、格子状に形成されている。また、容量電極13は、図13において斜線で示すように、画素電極PE11、PE12、PE21、PE22に重畳し、各画素における容量を形成している。なお、容量電極13は、各画素電極PEにおいて、開口部OP11、OP12、OP21、OP22には重畳していない。画素電極PE11と容量電極13との重畳面積は、画素電極PE21と容量電極13との重畳面積と同等である。また、画素電極PE11と容量電極13との重畳面積は、画素電極PE12と容量電極13との重畳面積と同等である。画素電極PE21と容量電極13との重畳面積は、画素電極PE22と容量電極13との重畳面積と同等である。つまり、発光素子からの距離にかかわらず、各画素の容量を揃えることができる。また、各画素電極PEの開口部OPが容量電極13と重畳していないため、不所望なフリンジ電界の形成を抑制することができる。
図14は、第1基板SUB1の一例を示す平面図である。第3構成例は、第1構成例と比較して、各画素電極PEが開口部を備えていない平板状に形成され、各画素電極PEに透明樹脂TRが重畳している点で相違している。なお、図示しない共通電極についても、開口部を備えていない平板状に形成されている。
透明樹脂TR11は画素電極PE11に重畳し、透明樹脂TR12は画素電極PE12に重畳し、透明樹脂TR21は画素電極PE21に重畳し、透明樹脂TR22は画素電極PE22に重畳している。透明樹脂TRは、液晶層LCのポリマー31及び液晶分子32とは異なる材料によって形成されている。一例では、透明樹脂TRは、ポリマー31よりも高い透明度を有する材料によって形成されている。また、透明樹脂TRは、ポリマー31とは異なり、屈折率異方性を有していない。なお、透明樹脂TRの屈折率は、ポリマー31の常光屈折率noと同等であり、約1.5である。
画素電極PE11と透明樹脂TR11との重畳面積は、画素電極PE21と透明樹脂TR21との重畳面積より大きい。なお、画素電極PE11と透明樹脂TR11との重畳面積は、画素電極PE12と透明樹脂TR12との重畳面積と同等である。また、画素電極PE21と透明樹脂TR21との重畳面積は、画素電極PE22と透明樹脂TR22との重畳面積と同等である。
平面視における透明樹脂TRの面積について、図14に示した例では、すべての透明樹脂の1個当たりの面積が同等であるが、異なっていてもよい。
各画素電極PEに重畳する透明樹脂TRの個数について、図14に示した例に限定されるものではない。
図15の(A)では、透明樹脂TR11は、共通電極CE及び配向膜AL2に接し、配向膜AL1から離間している。つまり、配向膜AL1と透明樹脂TR11との間には液晶層LCが介在している。このとき、透明樹脂TR11の第3方向Zに沿った厚さTTRは、液晶層LCの厚さTLCの1/2以上であることが望ましい。このような透明樹脂TR11は、第3方向Zに押圧するような衝撃が加わった際に、配向膜AL1に接触する。これにより、表示パネルPNLの過度の変形を抑制することができる。
図15の(B)では、透明樹脂TR11は、共通電極CE及び配向膜AL2に接し、また、配向膜AL1に接している。つまり、透明樹脂TR11は、配向膜AL1と配向膜AL2との間のセルギャップを形成するスペーサとして機能する。
なお、上記の第1乃至第3構成例は、適宜組み合わせることが可能である。
図17は、第4構成例における散乱面積の分布を説明するための図である。表示パネルPNLは、第2方向Yに並んだ複数の表示ブロックB1乃至B4を有している。表示ブロックB1乃至B4の各々は、図6の(A)を参照して説明したように、発光素子LDから離れるにしたがって各画素の散乱面積が増加するように構成されている。このため、表示ブロックB1乃至B4の各々において、発光素子LDに近接した画素で散乱される光量が低減し、発光素子LDから離間した画素で散乱される光量が増加する。これにより、表示ブロックB1乃至B4の各々において、輝度を均一化することができる。
したがって、表示ブロックB1及びB4において、それぞれ輝度を均一化することができる。
したがって、表示ブロックB1及びB4において、それぞれ輝度を均一化することができる。
図20は、第1基板SUB1の一例を示す平面図である。図20に示す例は、各画素電極PEが開口部OPを備え、画素電極PEの電極面積によって散乱面積の分布を形成するものである。
画素電極PE11は第1画素電極に相当し、開口部OP11は第1開口部に相当する。画素電極PE21は第2画素電極に相当し、開口部OP21は第2開口部に相当する。画素電極PE31は第3画素電極に相当し、画素電極PE41は第4画素電極に相当する。共通電極CEにおいて、開口部OP31は第3開口部に相当し、開口部OP41は第4開口部に相当する。
走査線G1は第1走査線に相当し、走査線G2は第2走査線に相当し、走査線G3は第3走査線に相当し、走査線G4は第4走査線に相当する。信号線S1は第1信号線に相当し、信号線S2は第2信号線に相当する。画素PX11は第1画素に相当し、画素PX21は第2画素に相当する。
透明樹脂TR11は第1透明樹脂に相当し、透明樹脂TR21は第2透明樹脂に相当し、透明樹脂TR31は第3透明樹脂に相当し、透明樹脂TR41は第4透明樹脂に相当する。
(1)
発光素子と、
第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、
前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、
前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積より小さい、表示装置。
(2)
前記第1画素電極の外周エッジの全長は、前記第2画素電極の外周エッジの全長と同等である、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第1基板は、第1乃至第4走査線と、前記第1乃至第4走査線と交差する第1信号線及び第2信号線と、を備え、
前記第1画素電極は、前記第1走査線及び前記第2走査線と、前記第1信号線及び前記第2信号線とで囲まれた第1画素に設けられ、
前記第2画素電極は、前記第3走査線及び前記第4走査線と、前記第1信号線及び前記第2信号線とで囲まれた第2画素に設けられ、
前記第1走査線及び前記第2走査線の間隔は、前記第3走査線及び前記第4走査線の間隔と同等である、(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第1画素電極は、第1開口部を備え、
前記第2画素電極は、第2開口部を備え、
前記第1開口部の総面積は、前記第2開口部の総面積より大きい、(1)乃至(3)のいずれか1項に記載の表示装置。
(5)
前記共通電極は、前記第1開口部に重畳する第3開口部と、前記第2開口部に重畳する第4開口部と、を備えている、(4)に記載の表示装置。
(6)
前記第1開口部及び前記第2開口部の各々は、同一方向に延出し、
前記ポリマーは、前記第1開口部及び前記第2開口部の延出方向に延出した筋状に形成されている、(4)または(5)に記載の表示装置。
(7)
前記第1開口部及び前記第2開口部の各々は、前記延出方向に直交する幅を有し、
前記幅は、前記液晶層の厚さより大きい、(6)に記載の表示装置。
(8)
前記第1基板は、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する容量電極を備え、
前記第1画素電極と前記容量電極との重畳面積は、前記第2画素電極と前記容量電極との重畳面積と同等である、(1)乃至(7)のいずれか1項に記載の表示装置。
(9)
前記第1基板は、第3スイッチング素子及び第4スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子と電気的に接続された第3画素電極と、前記第4スイッチング素子と電気的に接続された第4画素電極と、を備え、
前記第3画素電極は、前記第2画素電極と前記第4画素電極との間に設けられ、
前記第3画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積より小さく、
前記第4画素電極の電極面積は、前記第3画素電極の電極面積より大きい、(1)乃至(8)のいずれか1項に記載の表示装置。
(10)
発光素子と、
第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、
前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極に重畳する第1透明樹脂と、
前記第2画素電極に重畳する第2透明樹脂と、を備え、
前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、
前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積と同等であり、
前記第1透明樹脂及び前記第2透明樹脂は、前記ポリマー及び前記液晶分子とは異なる材料によって形成され、
前記第1画素電極と前記第1透明樹脂との重畳面積は、前記第2画素電極と前記第2透明樹脂との重畳面積より大きい、表示装置。
(11)
前記第1基板は、第3スイッチング素子及び第4スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子と電気的に接続された第3画素電極と、前記第4スイッチング素子と電気的に接続された第4画素電極と、を備え、
前記第3画素電極に重畳する第3透明樹脂と、
前記第4画素電極に重畳する第4透明樹脂と、を備え、
前記第3画素電極は、前記第2画素電極と前記第4画素電極との間に設けられ、
前記第3画素電極と前記第3透明樹脂との重畳面積は、前記第2画素電極と前記第2透明樹脂との重畳面積より大きく、
前記第4画素電極と前記第4透明樹脂との重畳面積は、前記第3画素電極と前記第3透明樹脂との重畳面積より小さい、(10)に記載の表示装置。
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板
LC…液晶層 31…ポリマー 32…液晶分子
SW…スイッチング素子 PE…画素電極 CE…共通電極 OP…開口部
10…透明基板 20…透明基板
Claims (9)
- 発光素子と、
第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、
前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、
前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積より小さく、
前記第1画素電極は、第1開口部を備え、
前記第2画素電極は、第2開口部を備え、
前記第1開口部の総面積は、前記第2開口部の総面積より大きい、表示装置。 - 前記第1画素電極の外周エッジの全長は、前記第2画素電極の外周エッジの全長と同等である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、第1乃至第4走査線と、前記第1乃至第4走査線と交差する第1信号線及び第2信号線と、を備え、
前記第1画素電極は、前記第1走査線及び前記第2走査線と、前記第1信号線及び前記第2信号線とで囲まれた第1画素に設けられ、
前記第2画素電極は、前記第3走査線及び前記第4走査線と、前記第1信号線及び前記第2信号線とで囲まれた第2画素に設けられ、
前記第1走査線及び前記第2走査線の間隔は、前記第3走査線及び前記第4走査線の間隔と同等である、請求項2に記載の表示装置。 - 前記共通電極は、前記第1開口部に重畳する第3開口部と、前記第2開口部に重畳する第4開口部と、を備えている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1開口部及び前記第2開口部の各々は、同一方向に延出し、
前記ポリマーは、前記第1開口部及び前記第2開口部の延出方向に延出した筋状に形成されている、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1開口部及び前記第2開口部の各々は、前記延出方向に直交する幅を有し、
前記幅は、前記液晶層の厚さより大きい、請求項5に記載の表示装置。 - 発光素子と、
第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、
前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、ポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、
前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積より小さく、
前記第1基板は、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する容量電極を備え、
前記第1画素電極と前記容量電極との重畳面積は、前記第2画素電極と前記容量電極との重畳面積と同等である、表示装置。 - 前記第1基板は、第3スイッチング素子及び第4スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子と電気的に接続された第3画素電極と、前記第4スイッチング素子と電気的に接続された第4画素電極と、を備え、
前記第3画素電極は、前記第2画素電極と前記第4画素電極との間に設けられ、
前記第3画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積より小さく、
前記第4画素電極の電極面積は、前記第3画素電極の電極面積より大きい、請求項7に記載の表示装置。 - 発光素子と、
第1透明基板と、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と電気的に接続された第1画素電極と、前記第2スイッチング素子と電気的に接続された第2画素電極と、を備えた第1基板と、
前記発光素子と向かい合う側面を備えた第2透明基板と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極に重畳する共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極に重畳する第1透明樹脂と、
前記第2画素電極に重畳する第2透明樹脂と、を備え、
前記第1画素電極は、前記発光素子と前記第2画素電極との間に設けられ、
前記第1画素電極の電極面積は、前記第2画素電極の電極面積と同等であり、
前記第1透明樹脂及び前記第2透明樹脂は、前記ポリマー及び前記液晶分子とは異なる材料によって形成され、
前記第1画素電極と前記第1透明樹脂との重畳面積は、前記第2画素電極と前記第2透明樹脂との重畳面積より大きく、
前記第1基板は、第3スイッチング素子及び第4スイッチング素子と、前記第3スイッチング素子と電気的に接続された第3画素電極と、前記第4スイッチング素子と電気的に接続された第4画素電極と、を備え、
前記第3画素電極に重畳する第3透明樹脂と、
前記第4画素電極に重畳する第4透明樹脂と、を備え、
前記第3画素電極は、前記第2画素電極と前記第4画素電極との間に設けられ、
前記第3画素電極と前記第3透明樹脂との重畳面積は、前記第2画素電極と前記第2透明樹脂との重畳面積より大きく、
前記第4画素電極と前記第4透明樹脂との重畳面積は、前記第3画素電極と前記第3透明樹脂との重畳面積より小さい、表示装置。
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