JP7030468B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本実施形態は、表示装置に関する。

近年、入射した光を拡散する拡散状態と入射した光を透過させる透過状態とを切り替え可能な高分子分散型液晶（Polymer Dispersed Liquid Crystal：以下、『ＰＤＬＣ』と称する場合がある）を用いた表示装置が種々提案されている。ＰＤＬＣを用いた表示装置では、複数の点光源を含む照明装置が、表示パネルの一端側又は両端側に配置される場合がある。表示パネルは、直線状に延出した複数の配線を含むことが多い。

このような配線は、点光源から表示パネルに入射された光に対して指向性の強い散乱を生じさせる場合がある。この結果、表示パネルを観察する方向によって輝度が変化するなどの表示品位の低下が生じる場合がある。

特開２０１０－９２６８２号公報 特開２０１６－５７３３８号公報

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
隣り合う第１配線及び第２配線と、前記第１配線及び前記第２配線と交差する第３配線と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、配向処理されたポリマーと液晶分子とを含む液晶層と、第１方向に沿って並んだ発光部を含む発光素子と、を備え、前記第１配線及び前記第２配線は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延出し、前記第３配線は、前記発光素子に近接する側に位置する第１辺を有し、前記第１辺は、前記第１配線と前記第２配線との間において、曲線状の第１湾曲部を有する、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態における表示装置の構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示装置の断面図である。 図３は、図２に示した表示パネルの構成例を示す断面図である。 図４は、直線状の溝を備える導光板における光の散乱を示す図である。 図５は、半球状の凹部を備える導光板における光の散乱を示す図である。 図６は、図３に示す画素の一例を示す平面図である。 図７は、図６に示す画素のＡ－Ｂ線に沿った断面図である。 図８は、透明状態の液晶層を模式的に示す図である。 図９は、散乱状態の液晶層を模式的に示す図である。 図１０は、液晶層が透明状態である場合の表示パネルを示す断面図である。 図１１は、液晶層が散乱状態である場合の表示パネルを示す断面図である。 図１２は、画素の他の例を示す平面図である。 図１３は、画素の他の例を示す平面図である。 図１４は、画素の他の例を示す平面図である。 図１５は、画素の他の例を示す平面図である。 図１６は、画素の他の例を示す平面図である。 図１７は、画素の他の例を示す平面図である。 図１８は、画素の他の例を示す平面図である。

以下、いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに交差し、第３方向Ｚは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差している。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ－Ｙ平面に向かってみることを平面視という。

本実施形態においては、表示装置の一例として、高分子分散型液晶を適用した表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３、及び、ここでは図示しない光源ユニットを備えている。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で重畳している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳している領域に位置している。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の走査線Ｇ、及び、複数の信号線Ｓを備えている。なお、走査線Ｇの数と信号線Ｓの数とは、等しくてもよく、異なっていてもよい。図示した例では、走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。

第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ１３及びＥ１４とを有している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ２１及びＥ２２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ２３及びＥ２４とを有している。図示した例では、平面視で、端部Ｅ１１及びＥ２１、端部Ｅ１３及びＥ２３、及び、端部Ｅ１４及びＥ２４は、それぞれ重畳しているが、重畳していなくてもよい。端部Ｅ２２は、平面視で、端部Ｅ１２と表示領域ＤＡとの間に位置している。第１基板ＳＵＢ１は、端部Ｅ１２と端部Ｅ２２との間に延出部Ｅｘを有している。

配線基板Ｆ１乃至Ｆ３は、それぞれ延出部Ｅｘに接続され、この順に第１方向Ｘに並んでいる。配線基板Ｆ１は、ゲートドライバＧＤ１を備えている。配線基板Ｆ２は、ソースドライバＳＤを備えている。配線基板Ｆ３は、ゲートドライバＧＤ２を備えている。なお、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３は、単一の配線基板に置換されてもよい。

複数の信号線Ｓは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。複数の走査線Ｇは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２に接続されている。図示した例では、奇数番目の走査線Ｇは、端部Ｅ１４と表示領域ＤＡとの間に引き出され、ゲートドライバＧＤ２に接続されている。また、偶数番目の走査線Ｇは、端部Ｅ１３と表示領域ＤＡとの間に引き出され、ゲートドライバＧＤ１に接続されている。なお、ゲートドライバＧＤ１及びＧＤ２と各走査線Ｇとの接続関係は図示した例に限らない。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの断面において、主要部のみを説明する。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層３０を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シール４０によって接着されている。

光源ユニットＬＵは、発光素子ＬＳ、配線基板Ｆ４などを備えている。発光素子ＬＳは、配線基板Ｆ４に接続されている。図示した例では、発光素子ＬＳは、延出部Ｅｘの上に位置している。また、発光素子ＬＳは、配線基板Ｆ１乃至Ｆ３と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。発光素子ＬＳは、端部Ｅ２２と対向する発光部ＥＭを有している。発光素子ＬＳは、発光部ＥＭから端部Ｅ２２に向けて光を照射する。端部Ｅ２２から入射した光は、後述するように、第２方向Ｙに沿って表示パネルＰＮＬを伝播する。なお、発光素子ＬＳは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の両方の端部と対向していてもよく、例えば、端部Ｅ１１及びＥ２１と対向していてもよい。

図３は、図２に示した表示パネルＰＮＬの構成例を示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、透明基板１０、配線１１、絶縁層１２、画素電極１３、及び、配向膜１４を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、透明基板２０、共通電極２１、及び、配向膜２２を備えている。なお、第２基板ＳＵＢ２は、配線１１と重畳する遮光層を備えていない。

透明基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。配線１１は、モリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。図示した配線１１は、第１方向Ｘに延出しているが、第２方向Ｙに延出していてもよい。絶縁層１２は、透明な絶縁材料によって形成されている。画素電極１３及び共通電極２１は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。画素電極１３は、画素ＰＸ毎に配置されている。共通電極２１は、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。配向膜１４及び２２は、Ｘ－Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜であってもよいし、第３方向に略平行な配向規制力を有する垂直配向膜であってもよい。

液晶層３０は、配向膜１４と配向膜２２との間に位置している。液晶層３０は、高分子化合物であるポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散型液晶を備えている。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマーは、例えば、液晶性モノマーが配向膜１４及び２２の配向規制力によって所定の方向に配向した状態で重合されることによって得られる。一例では、配向膜１４及び２２の配向処理方向は第１方向Ｘであり、配向膜１４及び２２は第１方向Ｘに沿った配向規制力を有している。このため、ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延びた筋状に形成される。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。なお、図中の拡大部分において、ポリマー３１は右上がりの斜線で示し、液晶分子３２は右下がりの斜線で示している。

ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。液晶分子３２は、正の誘電率異方性を有するポジ型の液晶性分子であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶性分子であってもよい。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々の電界に対する応答性は異なる。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

次に、図４及び図５を参照して、媒質中に設けられた散乱体の形状と光の散乱との関係について説明する。ここでは、点光源ＰＬから出射された光が導光板ＬＧを伝搬する場合を想定する。

図４は、導光板ＬＧが散乱体として直線状の溝ＳＡを備える場合を示している。図４（ａ）は、導光板ＬＧの一例を示す平面図である。図示した例では、溝ＳＡは、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って間隔をおいて並んでいる。点光源ＰＬは、導光板ＬＧの第２方向Ｙの一端側に配置されている。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す導光板ＬＧの断面図である。溝ＳＡは、一例では、略三角形状の断面を有している。溝ＳＡは、導光板ＬＧのＸ－Ｙ平面と平行な２つの面のうちの、一方の面ＬＧＡに形成されている。導光板ＬＧを伝搬する光は、溝ＳＡにおいて散乱される。具体的には、導光板ＬＧを伝搬する光は、溝ＳＡに到達すると、導光板ＬＧと例えば空気との界面において散乱される。図示した例では、導光板ＬＧを伝搬する光は、溝ＳＡの点光源ＰＬ側に位置する面によって散乱される。

上記の構成において、点光源ＰＬから導光板ＬＧへ入射した光が散乱される方向は、その入射方向に依存する。換言すると、溝ＳＡのように、光が散乱される面が直線状に延出している場合、指向性の強い散乱が生じる。図４（ａ）に示す例では、第２方向Ｙに沿って導光板ＬＧに入射した光ＬＡは、例えば位置Ａにおいて散乱され、ほぼ第２方向Ｙに沿って出射している。また、点光源ＰＬから出射された光のうち、第２方向Ｙから角度θだけずれた方向Ｄ１に沿って導光板ＬＧに入射した光ＬＢは、例えば位置Ｂにおいて散乱され、ほぼ方向Ｄ１に沿って出射している。なお、図４（ａ）では、散乱前の光を破線の矢印で示し、散乱後の光を実線の矢印で示している。

図４（ｃ）は、Ｘ－Ｙ平面における散乱光の分布を模式的に示す図である。ここでは、位置Ａにおいて散乱された散乱光ＳＬＡの強度が所定値以上となる領域を右上がりの斜線を付して示し、位置Ｂにおいて散乱された散乱光ＳＬＢの強度が所定値以上となる領域を右下がりの斜線を付して示している。なお、グラフにおいて、位置Ａ及びＢは、各領域の端部がグラフの原点に位置するように補正されている。散乱光ＳＬＡは、主に第２方向Ｙに沿って分布している。一方、散乱光ＳＬＢは、方向Ｄ１に沿って分布している。したがって、方向Ｄ１に沿って導光板ＬＧを見る観測者は、散乱光ＳＬＡを視認せず、散乱光ＳＬＢのみを視認する。この結果、観測者からは、導光板ＬＧにおいて輝度の高い領域がスジ状に分布するように見える。換言すると、導光板の輝度分布は、観測者の観測方向によって変化する。

図５は、導光板ＬＧが散乱体として島状の凹部ＳＢを備える場合を示している。図５（ａ）は、導光板ＬＧの一例を示す平面図である。図示した例では、凹部ＳＢは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。点光源ＰＬは、導光板ＬＧの第２方向Ｙの一端側に配置されている。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す導光板ＬＧの断面図である。凹部ＳＢは、Ｘ－Ｙ平面と平行な面ＬＧＡに設けられている。凹部ＳＢは、一例では、半球状である。すなわち、凹部ＳＢは、曲面を有している。導光板ＬＧを伝搬する光は、凹部ＳＢの曲面において散乱される。

上記の構成において、点光源ＰＬから導光板ＬＧへ入射した光が散乱される方向は、その入射方向にほとんど依存しない。換言すると、凹部ＳＢのように、光が散乱される面が曲面状である場合、散乱光の指向性が弱められる。図５（ａ）に示す例では、光ＬＡ及びＬＢは、位置Ａ及びＢにおいて、いずれも凹部ＳＢから広がるように散乱されている。

図５（ｃ）は、Ｘ－Ｙ平面における散乱光の分布を模式的に示す図である。ここでは、位置Ａにおいて散乱された散乱光ＳＬＡの強度が所定値以上となる領域を右上がりの斜線を付して示し、位置Ｂにおいて散乱された散乱光ＳＬＢの強度が所定値以上となる領域を右下がりの斜線を付して示している。図４（ｃ）と比較して、散乱光ＳＬＡ及びＳＬＢの分布領域は、円形に近く、且つ重なりが大きい。したがって、方向Ｄ１に沿って導光板ＬＧを見る観測者は、散乱光ＳＬＡと散乱光ＳＬＢの両方を視認することができる。換言すると、導光板の輝度分布は、観測者の観測方向にほとんど依存しない。

図６は、図３に示す画素ＰＸの一例を示す平面図である。図示した例では、画素ＰＸは、第１方向Ｘに沿って並ぶ２本の信号線Ｓ１及びＳ２と、第２方向Ｙに沿って並ぶ２本の走査線Ｇ１及びＧ２とで区画されている。走査線Ｇ１は、走査線Ｇ２よりも発光素子ＬＳに近接している。

図示した例では、発光素子ＬＳは、第１方向に沿って延出している。具体的には、発光素子ＬＳは、第１方向Ｘに沿って並んだ複数の発光部ＥＭを備えている。発光部ＥＭと発光部ＥＭとの間隔が十分に大きい場合、発光部ＥＭは、点光源とみなされる場合がある。発光素子ＬＳから出射された光は、巨視的に第２方向Ｙに沿って表示パネルＰＮＬ内を伝搬する。

信号線Ｓ１及びＳ２は、発光素子ＬＳから離間する方向に沿って延出している。すなわち、信号線Ｓ１及びＳ２は、第２方向Ｙに沿って延出している。換言すると、信号線Ｓ１及びＳ２は、発光素子ＬＳから出射され表示パネルＰＮＬを伝搬する光Ｌの伝搬方向に沿って延出している。図示した例では、信号線Ｓ１及びＳ２は、直線状に延出し、後述するスイッチング素子ＳＷの近傍を除きほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。

走査線Ｇ１及びＧ２は、信号線Ｓ１及びＳ２とそれぞれ交差している。換言すると、走査線Ｇ１及びＧ２は、光Ｌの伝搬方向と交差する方向に延出している。図５を参照して説明したように、光が散乱される面が曲面状である場合、散乱光の指向性が弱められる。したがって、本実施形態において、走査線Ｇ１及びＧ２は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において湾曲している。図示した例では、走査線Ｇ１及びＧ２は、発光素子ＬＳ側に向かって凸となっている。

より具体的には、走査線Ｇ１は、発光素子ＬＳ側に位置する辺Ｅ１と、辺Ｅ１と反対側の辺（発光素子ＬＳから離間する側の辺）Ｅ２とを有している。図示した例では、辺Ｅ１と辺Ｅ２との間隔は、スイッチング素子ＳＷの近傍を除いてほぼ一定である。

辺Ｅ１は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、曲線状に湾曲した湾曲部ＣＲ１を有している。辺Ｅ２は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、湾曲部ＣＲ１に沿って湾曲した湾曲部ＣＲ２を有している。湾曲部ＣＲ１及びＣＲ２は、いずれも発光素子ＬＳ側に向かって凸となっている。すなわち、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に位置する辺Ｅ１は、信号線Ｓ１及びＳ２と重なる辺Ｅ１よりも発光素子ＬＳに近接している。同様に、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に位置する辺Ｅ２は、信号線Ｓ１及びＳ２と重なる辺Ｅ２よりも発光素子ＬＳに近接している。図示した例では、辺Ｅ１及びＥ２は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との略中央において、発光素子ＬＳに最も近接している。

一例では、湾曲部ＣＲ１及びＣＲ２の形状は、円周状である。図示した例では、湾曲部ＣＲ１の曲率半径Ｒ１は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間隔（ピッチ）Ｐ１の半分の長さとほぼ等しい。曲率半径Ｒ１は、間隔Ｐ１の半分以下であることが好ましい。なお、湾曲部ＣＲ１及びＣＲ２の形状は、曲線状であればよく、円周状に限定されない。例えば、湾曲部ＣＲ１及びＣＲ２は、楕円の周状でもよく、複数の曲率半径を有する形状であってもよく、互いに形状が異なっていてもよい。また、後述するように、湾曲部ＣＲ１及びＣＲ２は、発光素子ＬＳから離間する方向に向かって凸となっていてもよい。さらに、辺Ｅ１及びＥ２は、複数の湾曲部を有していてもよい。

走査線Ｇ２は、走査線Ｇ１と同様の形状である。すなわち、走査線Ｇ２は、発光素子ＬＳ側に位置する辺Ｅ３と、辺Ｅ３と反対側の辺（発光素子ＬＳから離間する側の辺）Ｅ４とを有している。辺Ｅ３及びＥ４は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、発光素子ＬＳ側に向かって凸となるように湾曲している。

画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、画素電極１３とを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタである。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ１及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷは、第１方向Ｘにおいて、信号線Ｓ２よりも信号線Ｓ１に近接し、第２方向Ｙにおいて、走査線Ｇ２よりも走査線Ｇ１に近接している。上述の湾曲部ＣＲ１は、第１方向Ｘにおいて、スイッチング素子ＳＷと信号線Ｓ２との間に設けられている。

スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇ１と一体的に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥが位置するボトムゲート型であるが、半導体層ＳＣの上にゲート電極ＧＥが位置するトップゲート型であってもよい。半導体層ＳＣは、例えばアモルファスシリコンによって形成されるが、多結晶シリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。ソース電極ＳＥは、信号線Ｓ１と一体的に形成され、半導体層ＳＣに接触している。ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥから離間し、半導体層ＳＣに接触している。画素電極１３は、ドレイン電極ＤＥの上に重畳し、コンタクトホールＣＨにおいてドレイン電極ＤＥに接触している。

画素電極１３は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間で、且つ走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間に配置されている。走査線Ｇ１は、第２方向Ｙにおいて、画素電極１３と発光素子ＬＳとの間に位置している。図示した例では、画素電極１３は、スイッチング素子ＳＷの近傍を除き、信号線Ｓ１及びＳ２と走査線Ｇ１及びＧ２とによって囲まれた領域とほぼ同形状に形成されている。画素電極１３は、走査線Ｇ１と対向する辺１３ａ、走査線Ｇ２と対向する辺１３ｂ、信号線Ｓ１と対向する辺１３ｃ、及び信号線Ｓ２と対向する辺１３ｄを有している。辺１３ａは、辺Ｅ２に沿って湾曲している。辺１３ｂは、辺Ｅ３に沿って湾曲している。辺１３ｃ及び１３ｄは、第２方向Ｙに沿って直線状に延出している。

走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間には、容量線Ｃが配置されている。容量線Ｃは、画素電極１３と重なっている。一例では、容量線Ｃは、画素電極１３の下方で、走査線Ｇ２側に位置している。容量線Ｃと画素電極１３とが重畳する部分は、蓄積容量を形成する。本実施形態において、容量線Ｃは、走査線Ｇ１及びＧ２と同様に湾曲している。すなわち、図示した例では、容量線Ｃの走査線Ｇ１側の辺Ｅ５は、辺Ｅ３と同様に湾曲している。容量線Ｃの走査線Ｇ２側の辺Ｅ６は、平面視で辺１３ｂと一致している。

上記の構成において、表示パネルＰＮＬを伝搬する光Ｌは、表示パネルＰＮＬに配置された各種配線のうち、主に、光Ｌの伝搬方向と交差する方向に沿った配線によって散乱される。ここでは、走査線Ｇ１及びＧ２、容量線Ｃなどが上記の配線に相当する。なお、走査線Ｇ１において、辺Ｅ１で散乱される光の量は、辺Ｅ２で散乱される光の量より多い。また、走査線Ｇ２において、辺Ｅ３で散乱される光の量は、辺Ｅ４で散乱される光の量より多い。

図６では、辺Ｅ１及びＥ３によって散乱される光を細い実線の矢印で模式的に示している。辺Ｅ１において、湾曲部ＣＲ１において散乱された光は、湾曲部ＣＲ１からほぼ等方的に拡散される。このような湾曲部ＣＲ１は、例えば図５（ａ）に示す凹部ＳＢに相当する。辺Ｅ３においても同様に、辺Ｅ３の湾曲部において散乱された光は、ほぼ等方的に拡散される。なお、図示は省略するが、辺１３ａにおいて散乱された光についても同様である。

図７は、図６に示す画素ＰＸのＡ－Ｂ線に沿った断面図である。

第１基板ＳＵＢ１において、ゲート電極ＧＥ及び図示しない走査線Ｇ及び容量線Ｃは、透明基板１０の上に位置し、例えば図３に示した配線１１に相当する。絶縁層１２１は、ゲート電極ＧＥ及び透明基板１０を覆っている。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥの直上において、絶縁層１２１の上に位置している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層１２１の上に位置し、それぞれ半導体層ＳＣに接触している。絶縁層１２２は、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、絶縁層１２１を覆っている。絶縁層１２３は、絶縁層１２２を覆っている。絶縁層１２１乃至１２３は、例えば図３に示した絶縁層１２に相当する。絶縁層１２１及び１２２は、シリコン窒化物やシリコン酸化物などの透明な無機絶縁材料によって形成されている。絶縁層１２３は、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。画素電極１３は、絶縁層１２３の上に位置している。画素電極１３は、絶縁層１２２及び１２３を貫通するコンタクトホールＣＨにおいて、ドレイン電極ＤＥに接触している。配向膜１４は、画素電極１３及び絶縁層１２３を覆っている。

第２基板ＳＵＢ２において、共通電極２１は、透明基板２０の下に位置している。配向膜２２は、共通電極２１を覆っている。液晶層３０は、配向膜１４及び２２に接触している。

図８は、透明状態の液晶層３０を模式的に示す図である。図示した例は、液晶層３０に電圧が印加されていない状態（例えば画素電極１３と共通電極２１との間の電位差がほぼゼロである状態）に相当する。ポリマー３１の光軸Ａｘ１及び液晶分子３２の光軸Ａｘ２は、互いに平行である。図示した例では、光軸Ａｘ１及び光軸Ａｘ２は、いずれも第１方向Ｘに平行である。ポリマー３１及び液晶分子３２は、ほぼ同等の屈折率異方性を有している。つまり、ポリマー３１及び液晶分子３２の常光屈折率は互いにほぼ同等であり、また、ポリマー３１及び液晶分子３２の異常光屈折率は互いにほぼ同等である。このため、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、ポリマー３１と液晶分子３２との間にほとんど屈折率差がない。このため、第３方向Ｚに沿って液晶層３０に入射した光Ｌ１は、液晶層３０内でほとんど散乱されることなく透過する。同様に、第３方向Ｚに対して傾斜した斜め方向に入射した光Ｌ２及びＬ３についても、液晶層３０内でほとんど散乱されることはない。このため、高い透明性が得られる。図６に示した状態を『透明状態』と称する。例えば、光Ｌ３は、図３に示した発光素子ＬＳから照射された光に相当し、液晶層３０においてほとんど散乱されることなく、第２方向Ｙの矢印で示した向きとは逆向きに伝播する。

図９は、散乱状態の液晶層３０を模式的に示す図である。図示した例は、液晶層３０に電圧が印加された状態（例えば画素電極１３と共通電極２１との間の電位差がしきい値以上である状態）に相当する。上記の通り、ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層３０にしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。つまり、図示したように、光軸Ａｘ１は第１方向Ｘとほとんど平行であるのに対して、光軸Ａｘ２は第１方向Ｘに対して傾斜している。液晶分子３２がポジ型液晶性分子である場合には、液晶分子３２は、その長軸が電界に沿うように配向する。画素電極１３と共通電極２１との間の電界は、第３方向Ｚに沿って形成される。このため、液晶分子３２は、その長軸あるいは光軸Ａｘ２が第３方向Ｚに沿うように配向する。つまり、光軸Ａｘ１及びＡｘ２は、互いに交差する。したがって、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、ポリマー３１と液晶分子３２との間に大きな屈折率差が生ずる。これにより、液晶層３０に入射した光Ｌ１乃至Ｌ３は、液晶層３０内で散乱される。図７に示した状態を『散乱状態』と称する。

図１０は、液晶層３０が透明状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。発光素子ＬＳから照射された光Ｌ１１は、端部Ｅ２２から表示パネルＰＮＬに入射し、透明基板２０、液晶層３０、透明基板１０などを伝播する。配線１１及び画素電極１３と重畳する液晶層３０は、透明状態である。このため、光Ｌ１１は、液晶層３０でほとんど散乱されず、透明基板１０の下面１０Ｂ及び透明基板２０の上面２０Ｔからほとんど漏れ出すことはない。

表示パネルＰＮＬに入射する外部光Ｌ１２は、液晶層３０でほとんど散乱されることなく透過する。つまり、下面１０Ｂから表示パネルＰＮＬに入射した外部光は上面２０Ｔを透過し、上面２０Ｔから表示パネルＰＮＬに入射した外部光は下面１０Ｂを透過する。このため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを上面２０Ｔ側から観察した場合には、表示パネルＰＮＬを透かして下面１０Ｂ側の背景を視認することができる。同様に、ユーザは、表示パネルＰＮＬを下面１０Ｂ側から観察した場合には、表示パネルＰＮＬを透かして上面２０Ｔ側の背景を視認することができる。

図１１は、液晶層３０が散乱状態である場合の表示パネルＰＮＬを示す断面図である。発光素子ＬＳから照射された光Ｌ２１は、端部Ｅ２２から表示パネルＰＮＬに入射し、透明基板２０、液晶層３０、透明基板１０などを伝播する。図示した例では、配線１１と重畳する液晶層３０は透明状態に維持されている。また、画素電極１３１と重畳する液晶層３０は透明状態である。このため、光Ｌ２１は、液晶層３０のうち配線１１及び画素電極１３１と重畳する領域でほとんど散乱されない。一方、画素電極１３２と重畳する液晶層３０は散乱状態である。このため、光Ｌ２１は、液晶層３０のうち画素電極１３２と重畳する領域で散乱される。光Ｌ２１のうち、一部の散乱光Ｌ２１１は上面２０Ｔを透過し、一部の散乱光Ｌ２１２は下面１０Ｂを透過し、他の散乱光は表示パネルＰＮＬ内を伝播する。

画素電極１３１と重畳する領域では、表示パネルＰＮＬに入射する外部光Ｌ２２は、図９に示した外部光Ｌ１２と同様に、液晶層３０でほとんど散乱されることなく透過される。画素電極１３２と重畳する領域では、下面１０Ｂから入射した外部光Ｌ２３は、液晶層３０で散乱された後に、その一部の光Ｌ２３１が上面２０Ｔを透過する。また、上面２０Ｔから入射した外部光Ｌ２４は、液晶層３０で散乱された後に、その一部の光Ｌ２４１が下面１０Ｂを透過する。

このため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを上面２０Ｔ側から観察した場合には、画素電極１３２と重畳する領域で光Ｌ２１の色を視認することができる。加えて、一部の外部光Ｌ２３１が表示パネルＰＮＬを透過するため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして下面１０Ｂ側の背景を視認することもできる。同様に、ユーザは、表示パネルＰＮＬを下面１０Ｂ側から観察した場合には、画素電極１３２と重畳する領域で光Ｌ２１の色を視認することができる。加えて、一部の外部光Ｌ２４１が表示パネルＰＮＬを透過するため、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして上面２０Ｔ側の背景を視認することもできる。なお、画素電極１３１と重なる領域では、液晶層３０が透明状態であるため、光Ｌ２１の色はほとんど視認されず、ユーザは、表示パネルＰＮＬを透かして背景を視認することができる。

以上の本実施形態によれば、走査線Ｇ１において、少なくとも、発光素子ＬＳ側に位置する辺Ｅ１は、湾曲部ＣＲ１を有している。このため、表示パネルＰＮＬを伝搬する光Ｌが辺Ｅ１によって散乱される場合であっても、散乱された光は、湾曲部ＣＲ１を起点としてほぼ等方的に拡散される。換言すると、表示パネルＰＮＬにおいて、散乱光の指向性が弱められる。したがって、表示パネルＰＮＬにおいて散乱光の輝度のムラを抑制することができ、表示品位の低下を抑制することができる。

さらに、本実施形態によれば、画素電極１３において、発光素子ＬＳ側に位置する辺１３ａが湾曲している。また、容量線Ｃにおいて、少なくとも発光素子ＬＳ側に位置する辺Ｅ５が湾曲している。したがって、辺１３ａ、及び辺Ｅ５によって散乱される光も、湾曲部ＣＲ１によって散乱された光と同様に、指向性が弱められる。この結果、表示品位の低下を抑制することができる。

なお、本実施形態は、例えば走査線Ｇ１及びＧ２が第２方向Ｙに沿って延出し、信号線Ｓ１及びＳ２が走査線Ｇ１及びＧ２と交差する方向に延出した表示装置にも適用できる。この場合、信号線Ｓ１及びＳ２を、走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間において湾曲させることで、同様の効果を得ることができる。

図１２は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１２に示す例は、走査線Ｇ１及びＧ２が発光素子ＬＳから離間する側に向かって凸となっている点で、図６に示す例と相違している。

より具体的には、走査線Ｇ１において、湾曲部ＣＲ１及びＣＲ２は、発光素子ＬＳから離間する側に向かって凸になっている。信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に位置する辺Ｅ１は、信号線Ｓ１及びＳ２と重なる辺Ｅ１よりも発光素子ＬＳから離間している。同様に、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間に位置する辺Ｅ２は、信号線Ｓ１及びＳ２と重なる辺Ｅ２よりも発光素子ＬＳから離間している。図示した例では、辺Ｅ１及びＥ２は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との略中央において、発光素子ＬＳに最も離間している。

図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、信号線Ｓ２及び走査線Ｇ２と電気的に接続されている。走査線Ｇ２は、走査線Ｇ１と同様の形状である。画素電極１３において、辺１３ａは辺Ｅ２に沿って湾曲し、辺１３ｂは辺Ｅ３に沿って湾曲している。すなわち、辺１３ａ及び１３ｂは、いずれも発光素子ＬＳから離間する側に凸となっている。また、図示した例では、容量線Ｃは、走査線Ｇ１側に位置し、辺Ｅ２に沿って湾曲している。辺Ｅ５は、平面視で辺１３ａと一致している。また、辺Ｅ６は、辺Ｅ５と同様に湾曲している。

図において細い実線の矢印で示すように、辺Ｅ１において、湾曲部ＣＲ１によって散乱された光は、辺Ｅ１と発光素子ＬＳとの間で集光された後、ほぼ等方的に広がる。辺Ｅ３においても同様に、辺Ｅ３の湾曲部で反射された光は、辺Ｅ３と辺Ｅ２との間で集光された後、ほぼ等方的に広がる。なお、図示は省略するが、辺１３ａにおいて散乱された光についても同様である。したがって、本例においても、図６に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１３は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１３に示す例は、辺Ｅ１及びＥ２が複数の湾曲部を有している点で、図１２に示す例と相違している。

辺Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って並ぶ２つの湾曲部ＣＲ１１及びＣＲ１２を有している。辺Ｅ２は、湾曲部ＣＲ１１に沿って湾曲した湾曲部ＣＲ２１と、湾曲部ＣＲ１２に沿って湾曲した湾曲部ＣＲ２２とを有している。湾曲部ＣＲ１１、ＣＲ１２、ＣＲ２１、及びＣＲ２２は、いずれも発光素子ＬＳから離間する側に向かって凸となっている。図示した例では、湾曲部ＣＲ１１の曲率半径と湾曲部ＣＲ１２の曲率半径は、ほぼ等しいが、それぞれ異なっていてもよい。

画素電極１３において、辺１３ａは、辺Ｅ２に沿って２つの湾曲部を有し、辺１３ｂは、辺Ｅ３に沿って２つの湾曲部を有している。容量線Ｃにおいて、辺Ｅ５は、平面視で辺１３ａと一致しており、辺Ｅ２に沿って湾曲している。本例においても、図１２に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１４は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１４に示す例は、辺Ｅ１が部分的に直線状に延出している点で、図１３に示す例と相違している。なお、図示した例では、湾曲部ＣＲ１１、ＣＲ１２、ＣＲ２１、ＣＲ２２は、いずれも発光素子ＬＳへ向かう側に凸となっている。

辺Ｅ１は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間で、且つスイッチング素子ＳＷが設けられる側に、直線状に延出した直線部ＬＮ１を有している。図示した例では、直線部ＬＮ１は、湾曲部ＣＲ１２と信号線Ｓ２との間、具体的には、湾曲部ＣＲ１２とゲート電極ＧＥとの間に位置している。一例では、直線部ＬＮ１は、第１方向Ｘに沿って延出している。辺Ｅ２は、直線部ＬＮ１に沿って延出した直線部ＬＮ２を有している。また、図示した例では、辺１３ａ及び辺Ｅ５は、直線部ＬＮ１に沿った直線部を有している。本例においても、図１３に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１５は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１５に示す例は、湾曲部ＣＲ１１と湾曲部ＣＲ１２とが逆方向に凸となっている点で、図１３に示す例と相違している。なお、図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、信号線Ｓ１及び走査線Ｇ１に電気的に接続されている。

図示した例では、湾曲部ＣＲ１１及びＣＲ２１は、発光素子ＬＳ側に向かって凸となっている。湾曲部ＣＲ１２及びＣＲ２２は、発光素子ＬＳから離間する側に向かって凸となっている。なお、湾曲部ＣＲ１１及びＣＲ２１は、発光素子ＬＳから離間する側に向かって凸となり、湾曲部ＣＲ１２及びＣＲ２２は、発光素子ＬＳ側に向かって凸となってもよい。また、図示した例では、湾曲部ＣＲ１１、ＣＲ１２、ＣＲ２１、及びＣＲ２２は、円周に沿っているが、他の形状でもよい。例えば、辺Ｅ１及びＥ２は、正弦波に沿った形状であってもよい。

辺１３ａは、辺Ｅ２に沿って、発光素子ＬＳ側に凸となる領域と発光素子ＬＳから離間する側に凸となる領域とを有している。同様に、辺１３ｂは、辺Ｅ３に沿って、発光素子ＬＳ側に凸となる領域と発光素子ＬＳから離間する側に凸となる領域とを有している。図示した例では、容量線Ｃは、走査線Ｇ２側に位置し、辺１３ｂと同様に湾曲している。本例においても、図１３に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１６は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１６に示す例は、画素電極１３が走査線Ｇ１及びＧ２と重なっている点で、図６に示す例と相違している。すなわち、画素電極１３の形状は、信号線Ｓ１及びＳ２と走査線Ｇ１及びＧ２とによって囲まれる領域の形状と異なっている。一例では、画素電極１３は、略四角形である。辺１３ａ及び１３ｂは、第１方向Ｘに沿って直線状に延出している。

図示した例では、走査線Ｇ２と容量線Ｃとは、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、そのほとんどが画素電極１３と重なっている。換言すると、走査線Ｇ２と容量線Ｃとは、辺１３ｂよりも発光素子ＬＳ側に位置している。一方、走査線Ｇ１は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、そのほとんどが、画素電極１３と重なっていない。図示した例では、走査線Ｇ１は、辺１３ａより発光素子ＬＳ側に位置し、画素電極１３と第２方向Ｙに隣り合う画素電極１３Ａと重なっている。本例においても、図６に示す例と同様の効果を得ることができる。

図１７は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１７に示す例は、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、辺Ｅ２が直線状に延出している点で、図６に示す例と相違している。辺Ｅ１は、第１方向Ｘに沿って並んだ複数の湾曲部ＣＲ１を有している。換言すると、信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間において、辺Ｅ１と辺Ｅ２との間隔は、一定ではない。このような走査線Ｇ１は、発光素子ＬＳと対向する側に複数の凸部を有しているとみなすことができる。図示した例では、走査線Ｇ２及び容量線Ｃは、走査線Ｇ１と同様の形状である。画素電極１３において、辺１３ａは、辺Ｅ２に沿って直線状に延出している。一方、辺１３ｂは、辺Ｅ３に沿って、複数の湾曲部を有している。

本例においても、図６に示す例と同様の効果を得ることができる。さらに、本例によれば、画素ＰＸにおける走査線Ｇ１及びＧ２の長さを短縮することができるため、走査線Ｇ１及びＧ２の抵抗を小さくすることができる。

図１８は、画素ＰＸの他の例を示す平面図である。図１８に示す例は、第２方向Ｙにおいて画素ＰＸを挟んで２つの発光素子ＬＳ１及びＬＳ２が設けられている点で、図１２に示す例と相違している。図示した例では、発光素子ＬＳ２、走査線Ｇ２、走査線Ｇ１、及び発光素子ＬＳ１は、この順で第２方向Ｙに沿って並んでいる。

発光素子ＬＳ１から出射された光ＬＬ１は、図１２に示す例と同様に散乱される。すなわち、光ＬＬ１は、走査線Ｇ１において、主に辺Ｅ１において散乱され、走査線Ｇ２において、主にＥ３において散乱される。辺Ｅ１において、湾曲部ＣＲ１によって散乱された光は、図において細い実線の矢印で示すように、辺Ｅ１と発光素子ＬＳとの間で集光された後、ほぼ等方的に拡散される。辺Ｅ３においても同様に、辺Ｅ３の湾曲部で散乱された光は、辺Ｅ３と辺Ｅ２との間で集光された後、ほぼ等方的に拡散される。なお、辺１３ａにおいて散乱される光についても同様である。

発光素子ＬＳ２から出射された光ＬＬ２は、図６に示す例と同様に散乱される。すなわち、光ＬＬ２は、走査線Ｇ１において、主に辺Ｅ２において散乱され、走査線Ｇ２において、主に辺Ｅ４において散乱される。辺Ｅ２において、湾曲部ＣＲ２によって散乱された光は、図において細い実線の矢印で示すように、ほぼ等方的に拡散される。辺Ｅ４においても同様に、辺Ｅ４の湾曲部において散乱された光は、ほぼ等方的に拡散される。なお、辺１３ｂにおいて散乱される光についても同様である。

本例によれば、表示装置ＤＳＰは、第２方向Ｙに沿って対向する２つの発光素子ＬＳ１及びＬＳ２を備えている。発光素子ＬＳ１から出射した光ＬＬ１は、第２方向Ｙと反対方向に伝搬し、発光素子ＬＳ２から出射した光ＬＬ２は、第２方向Ｙに伝搬する。したがって、表示パネルＰＮＬを伝搬する光が一方向に減衰することを抑制することができる。

さらに、本例によれば、走査線Ｇ１において、発光素子ＬＳ１側に位置する辺Ｅ１は、湾曲部ＣＲ１を有し、発光素子ＬＳ２側に位置する辺Ｅ２は、湾曲部ＣＲ２を有している。光ＬＬ１は、主に湾曲部ＣＲ１を起点として等方的に拡散され、光ＬＬ２は、主に湾曲部ＣＲ２を起点として等方的に拡散される。したがって、走査線Ｇ１を挟んで両側に発光素子ＬＳ１及びＬＳ２が設けられている場合であっても、表示パネルＰＮＬにおいて、散乱光の指向性が弱められる。この結果、本例においても、表示パネルＰＮＬにおいて散乱光の輝度のムラを抑制することができ、表示品位の低下を抑制することができる。

なお、この発明は、上記各実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、各実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

以上の各例において、信号線Ｓ１は、第１配線に相当し、信号線Ｓ２は、第２配線に相当する。走査線Ｇ１は、第３配線に相当する。辺Ｅ１は、第１辺に相当する。辺Ｅ２は、第２辺に相当する。湾曲部ＣＲ１及びＣＲ１１は、第１湾曲部に相当する。湾曲部ＣＲ２は、第２湾曲部に相当する。湾曲部ＣＲ１２は、第３湾曲部に相当する。辺１３ａは、第３辺に相当する。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル
ＬＳ…発光素子 ＥＭ…発光部
ＳＵＢ１…第１基板 １３…画素電極 １３ａ，１３ｂ…辺
ＳＵＢ２…第２基板 ３０…液晶層 ３１…ポリマー ３２…液晶分子
Ｓ１，Ｓ２…信号線 Ｇ１，Ｇ２…走査線 Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４…辺
ＣＲ１，ＣＲ１１，ＣＲ１２，ＣＲ２，ＣＲ２１，ＣＲ２２…湾曲部

Claims (7)

1. 隣り合う第１配線及び第２配線と、前記第１配線及び前記第２配線と交差する第３配線と、を備えた第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、配向処理されたポリマーと液晶分子とを含む液晶層と、
   第１方向に沿って並んだ発光部を含む発光素子と、を備え、
   前記第１配線及び前記第２配線は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延出し、
   前記第３配線は、前記発光素子に近接する側に位置する第１辺を有し、
   前記第１辺は、前記第１配線と前記第２配線との間において、曲線状の第１湾曲部と,
   曲線状の第３湾曲部と、を有し、
   前記第３湾曲部は、前記第１湾曲部と反対側に凸となっている、表示装置。
2. 前記第３配線は、前記発光素子から離間した側に位置する第２辺を有し、
   前記第２辺は、前記第１配線と前記第２配線との間において、前記第１湾曲部に沿って湾曲した第２湾曲部を有する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１基板は、前記第１配線及び前記第３配線と電気的に接続されたスイッチング素子を備え、
   前記第１湾曲部は、前記スイッチング素子と前記第２配線との間に位置する、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記第１湾曲部は、前記発光素子側に向かって凸となっている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第１湾曲部は、前記発光素子から離間する側に向かって凸となっている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１湾曲部の曲率半径は、前記第１配線と前記第２配線との間隔の半分以下である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１基板は、前記第１配線と前記第２配線との間に位置する画素電極をさらに備え、
   前記第３配線は、前記発光素子と前記画素電極との間に位置し、
   前記画素電極は、前記第３配線と対向した第３辺を有し
   前記第３辺は、曲線状に湾曲している、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。

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