JP7177040B2 - 磁気記憶素子、および電子機器 - Google Patents
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Description
1.SOT-MRAMの概略
1.1.本開示に係る技術の背景
1.2.SOT-MRAMの構造
1.3.SOT-MRAMの動作
2.本開示の一実施形態について
2.1.第1の構成
2.2.第2の構成
2.3.第3の構成
2.4.第4の構成
3.電子機器の構成
(1.1.本開示に係る技術の背景)
不揮発性の半導体記憶素子は、フラッシュメモリに代表されるように進歩が著しく、HDD(Hard Disk Drive)装置などの半導体記憶素子以外の記憶装置を駆逐する勢いで開発が進められている。また、不揮発性の半導体記憶素子からなる記憶装置は、データストレージ以外にも、プログラムおよび演算パラメータ等を記憶するコードストレージ、およびプログラムの実行において適宜変化するパラメータ等を一時的に記憶するワーキングメモリへの展開が検討されている。
まず、図1を参照して、SOT-MRAMの基本的な構造について説明する。図1は、SOT-MRAMの構造を模式的に示した説明図である。
続いて、上述したSOT-MRAMへの情報の書き込み動作、および情報の読み出し動作について、具体的に説明する。
(2.1.第1の構成)
まず、図2を参照して、本実施形態に係る磁気記憶素子の第1の構成について説明する。図2は、第1の構成に係る磁気記憶素子を説明する模式的な断面図である。
続いて、図3を参照して、本実施形態に係る磁気記憶素子の第2の構成について説明する。図3は、第2の構成に係る磁気記憶素子を説明する模式的な断面図である。
次に、図4を参照して、本実施形態に係る磁気記憶素子の第3の構成について説明する。図4は、第3の構成に係る磁気記憶素子を説明する模式的な断面図である。
続いて、図5を参照して、本実施形態に係る磁気記憶素子の第4の構成について説明する。図5は、第4の構成に係る磁気記憶素子を説明する模式的な断面図である。
さらに、図6および図7を参照して、本実施形態に係る磁気記憶素子を用いた電子機器について説明する。本実施形態に係る磁気記憶素子は、アレイ状に複数配列されることで磁気記憶装置を形成し、電子機器は、例えば、大容量ファイルメモリ、コードストレージまたはワーキングメモリのいずれかとして、該磁気記憶装置を備えていてもよい。
まず、図6を参照して、本実施形態に係る磁気記憶素子、または磁気記憶装置を用いた電子機器200の外観について説明する。図6は、電子機器200の外観例を示した斜視図である。
次に、図7を参照して、電子機器200の内部構成について説明する。図7は、電子機器200の内部構成を示すブロック図である。
(1)
一方向に延伸されたスピン軌道層と、
前記スピン軌道層と電気的に接続し、前記スピン軌道層の延伸方向に電流を流す書き込み線と、
前記スピン軌道層の上に、記憶層、絶縁体層、および磁化固定層を順に積層することで設けられたトンネル接合素子と、
前記スピン軌道層および前記絶縁体層の間のいずれかの積層位置に設けられた膜厚2nm以下の非磁性層と、
を備える、磁気記憶素子。
(2)
前記記憶層は、第1記憶層および第2記憶層を含み、
前記非磁性層は、前記第1記憶層および前記第2記憶層に挟持されて設けられる、前記(1)に記載の磁気記憶素子。
(3)
前記第1記憶層および前記第2記憶層は、前記非磁性層を介して互いに磁気結合する、前記(2)に記載の磁気記憶素子。
(4)
前記第2記憶層の下には、前記非磁性層がさらに設けられる、前記(2)または(3)に記載の磁気記憶素子。
(5)
前記スピン軌道層と、前記第2記憶層との間には、NaCl型結晶構造を有する化合物で形成された垂直アシスト層がさらに設けられる、前記(2)~(4)のいずれか一項に記載の磁気記憶素子。
(6)
前記スピン軌道層の上には、NaCl型結晶構造を有する化合物で形成された垂直アシスト層、前記非磁性層、および前記記憶層が順に積層される、前記(1)に記載の磁気記憶素子。
(7)
前記記憶層は、Co、Fe、B、Al、Si、Mn、Ga、Ge、Ni、Cr、およびVからなる群より選択された複数の元素を組み合わせた組成の磁性材料で形成される、前記(1)~(6)のいずれか一項に記載の磁気記憶素子。
(8)
前記非磁性層は、Ru、Mo、Nb、HfB、Ta、W、Cr、MgO、AlOx、MgS、およびMgCaS2からなる群より選択された少なくとも1種以上の非磁性材料で形成された単層膜または積層膜である、前記(1)~(7)のいずれか一項に記載の磁気記憶素子。
(9)
一方向に延伸されたスピン軌道層と、前記スピン軌道層と電気的に接続し、前記スピン軌道層の延伸方向に電流を流す書き込み線と、前記スピン軌道層の上に、記憶層、絶縁体層、および磁化固定層を順に積層することで設けられたトンネル接合素子と、前記スピン軌道層および前記絶縁体層の間のいずれかの積層位置に設けられた膜厚2nm以下の非磁性層と、を備える磁気記憶素子を用いた記憶部と、
前記記憶部に記憶された情報に基づいて情報処理を行う演算処理部と、
を備える、電子機器。
20 スピン軌道層
21、41 電極
30 書き込み線
40 読み出し線
110 記憶層
111 第1記憶層
112 第2記憶層
120 非磁性層
121 第1非磁性層
122 第2非磁性層
130 絶縁体層
140 磁化固定層
150 垂直アシスト層
Claims (4)
- 一方向に延伸されたスピン軌道層と、
前記スピン軌道層と電気的に接続し、前記スピン軌道層の延伸方向に電流を流す書き込み線と、
前記スピン軌道層の上に、記憶層、絶縁体層、および磁化固定層を順に積層することで設けられたトンネル接合素子と、
を備え、
前記記憶層は、第1記憶層および第2記憶層を順に積層した積層構造を有し、
前記第1記憶層および前記第2記憶層に挟持されて設けられ、膜厚が、1nmより大きく、2nm以下の第2非磁性層と、
前記スピン軌道層と前記第1記憶層との間に設けられ、膜厚が、1nmより大きく、2nm以下の第1非磁性層と、
をさらに備え、
前記第1及び第2非磁性層は、Ru、Mo、Nb、HfB、Cr、MgO、AlOx、MgS、およびMgCaS 2 からなる群より選択された少なくとも1種以上の非磁性材料で形成された単層膜または積層膜である、
磁気記憶素子。 - 前記第1記憶層および前記第2記憶層は、前記第2非磁性層を介して互いに磁気結合する、請求項1に記載の磁気記憶素子。
- 前記第1及び第2記憶層は、Co、Fe、B、Al、Si、Mn、Ga、Ge、Ni、Cr、およびVからなる群より選択された複数の元素を組み合わせた組成の磁性材料で形成される、請求項1又は2に記載の磁気記憶素子。
- 一方向に延伸されたスピン軌道層と、前記スピン軌道層と電気的に接続し、前記スピン軌道層の延伸方向に電流を流す書き込み線と、前記スピン軌道層の上に、記憶層、絶縁体層、および磁化固定層を順に積層することで設けられたトンネル接合素子と、を備える磁気記憶素子を用いた記憶部と、
前記記憶部に記憶された情報に基づいて情報処理を行う演算処理部と、
を備える、電子機器であって、
前記記憶層は、第1記憶層および第2記憶層を順に積層した積層構造を有し、
前記磁気記憶素子は、
前記第1記憶層および前記第2記憶層に挟持されて設けられ、膜厚が、1nmより大きく、2nm以下の第2非磁性層と、
前記スピン軌道層と前記第1記憶層との間に設けられ、膜厚が、1nmより大きく、2nm以下の第1非磁性層と、
をさらに備え、
前記第1及び第2非磁性層は、Ru、Mo、Nb、HfB、Cr、MgO、AlOx、MgS、およびMgCaS 2 からなる群より選択された少なくとも1種以上の非磁性材料で形成された単層膜または積層膜である、
電子機器。
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