JP7166188B2 - 窒化物半導体の水素脱離方法 - Google Patents
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本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。
図1は、本発明の実施の形態に係る水素脱離方法を適用し得る窒化物半導体発光素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。この窒化物半導体発光素子1(以下、単に「発光素子1」ともいう。)は、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)である。図1に示す例では、特に、中心波長が250nm~350nmの深紫外光を発する発光素子1を例に挙げて説明する。
次に、発光素子1の製造方法について説明する。結晶成長には、有機金属化学気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)、分子線エピタキシ法(Molecular Beam Epitaxy:MBE)、ハライド気相エピタキシ法(Halide Vapor Phase Epitaxy:NVPE)等の周知のエピタキシャル成長法を用いることができる。また、原料ガスには、Ga源としてTMG(トリメチルガリウム)、Al源としてTMA(トリメチルアルミニウム)、N源としてアンモニア、n型ドーパント源としてシラン、p型ドーパント源としてCp2Mg(ビスシクロペンタジエニルマグネシウム)を用いることができる。
次に、図2を参照して、本発明の実施の形態に係る水素脱離方法を説明する。図2は、本発明の実施の形態に係る水素脱離方法を模式的に説明する図である。この水素脱離方法は、主として、上述した窒化物半導体層10のうち特にp型半導体層15(図1に示す例では、pクラッド層152及びpコンタクト層154)に作用する。
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る水素脱離方法は、Heイオンをp型半導体層に照射して、複合物から解離された水素イオンを散乱させてp型半導体層から放出する工程を含むため、p型半導体層内に残留する水素の量を低減することができる。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
[2]前記放出する工程と同時に行われる、前記p型半導体層(15)に前記複合物(50)を解離するエネルギーを有する光(3)を照射して前記複合物(5)から水素を解離する工程、をさらに含む、前記[1]に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
[3]前記複合物から水素を解離する工程は、400℃以上の温度の下で行う、前記[1]又は[2]に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
[4]前記所定の雰囲気は、酸素系雰囲気である、前記[1]から[3]のいずれか1つに記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
[5]前記光は、400nm以下の波長を有する、前記[2]から[4]のいずれか1つに記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
[6]前記複合物から水素を解離する工程は、所定の強度を有する磁界下で行う、前記[1]から[5]のいずれか1つに記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
[7]前記p型ドーパントは、Mgである、前記[1]から[6]のいずれか1つに記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
10…窒化物半導体層
11…透明基板
12…バッファ層
13…nクラッド層
13a…露出面
14…発光層
15…p型半導体層
152…pクラッド層
154…pコンタクト層
16…電極
162…アノード側(p側)電極部
164…カソード側(n側)電極部
2…酸素
3…光
4…Heイオン
50…Mg-H(複合物)
51A…水素イオン(p型半導体層内)
51B…水素イオン(放出された)
Claims (7)
- 水素を含まない所定の雰囲気下で、かつ、200℃以上の温度の下において、p型半導体層にHeイオンを照射して、p型ドーパントと水素とが結合した複合物から解離された水素イオンを散乱させて前記p型半導体層から放出する工程、
を含む、窒化物半導体の水素脱離方法。 - 前記放出する工程と同時に行われる、前記p型半導体層に前記複合物を解離するエネルギーを有する光を照射して前記複合物から水素を解離する工程、
をさらに含む、請求項1に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。 - 前記複合物から水素を解離する工程は、400℃以上の温度の下で行う、
請求項1又は2に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。 - 前記所定の雰囲気は、酸素系雰囲気である、
請求項1から3のいずれか1項に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。 - 前記光は、400nm以下の波長を有する、
請求項2に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。 - 前記複合物から水素を解離する工程は、所定の強度を有する磁界下で行う、
請求項1から5のいずれか1項に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。 - 前記p型ドーパントは、Mgである、
請求項1から6のいずれか1項に記載の窒化物半導体の水素脱離方法。
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