JP7162705B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Description
(1)基板処理装置の構成
本発明の第1実施形態に係る基板処理装置について、図1を用いて以下に説明する。
真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の負圧(減圧)に耐えることが出来る真空気密可能な構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。ロードロック室LM1,LM2、処理モジュールPM1~PM4は、真空搬送室TMの外周を囲むように配置されている。なお、処理モジュールPM1~PM4を総称又は代表する場合は、処理モジュールPMと称する。ロードロック室LM1,LM2を総称又は代表する場合は、ロードロック室LMと称する。その他の構成(後述する真空ロボットVR、アームVRA等)についても同様のルールとする。
一方、基板処理装置の大気圧側には、上述の通り、ロードロック室LM1,LM2に接続されたフロントモジュールである大気圧搬送室EFEM(Equipment Front End Module)と、大気圧搬送室EFEMに接続され、例えば1ロット分、25枚のウエハWをそれぞれ収納したウエハ収納容器としてのキャリアCA1~CA3を載置するキャリア載置部としてのロードポートLP1~LP3と、が設けられている。このようなキャリアCA1~CA3としては、例えばFOUP(Front Opening Unified Pod)が使用される。ここで、ロードポートLP1~LP3を総称又は代表する場合は、ロードポートLPと称する。キャリアCA1~CA3を総称又は代表する場合は、キャリアCAと称する。真空側の構成と同様に大気圧側の構成(後述するキャリアドアCAH1~CAH3、キャリアオープナCP1~CP3等)についても同様のルールとする。
次に、本発明の第1実施形態に係る処理機構としての処理モジュールPMについて、図2を用いて説明する。処理機構PMは、ウエハWをプラズマ処理する処理炉202を備えている。処理炉202には、処理室201を構成する処理容器203が設けられている。処理容器203は、第1の容器である石英製のドーム型の上側容器210(以後、石英ドームともいう)と、第2の容器である碗型の下側容器211とを備えている。上側容器210が下側容器211の上に被さることにより、処理室201が形成される。また、上側容器210には熱電対等の温度センサ280が設けられ、上側容器210の温度を検出することができるよう構成されている。上側容器210は、例えば酸化アルミニウム(Al2O3)または石英(SiO2)等の非金属材料で形成されており、下側容器211は、例えばアルミニウム(Al)で形成されている。
処理室201の底側中央には、ウエハWを載置する基板載置部としてのサセプタ217が配置されている。サセプタ217は例えば窒化アルミニウム(AlN)、セラミックス、石英等の非金属材料から形成されており、ウエハW上に形成される膜等に対する金属汚染を低減することができるように構成されている。
主に、サセプタ217及びヒータ217b、電極217cにより、本実施形態に係る基板載置部が構成されている。
処理室201の上方、つまり上側容器210の上部には、ガス供給ヘッド236が設けられている。ガス供給ヘッド236は、キャップ状の蓋体233と、ガス導入口234と、バッファ室237と、開口238と、遮蔽プレート240と、ガス吹出口239とを備え、反応ガスを処理室201内へ供給できるように構成されている。バッファ室237は、ガス導入口234より導入される反応ガスを分散する分散空間としての機能を持つ。
下側容器211の側壁には、処理室201内から反応ガスを排気するガス排気口235が設けられている。ガス排気口235には、ガス排気管231の上流端が接続されている。ガス排気管231には、上流側から順に圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)242、開閉弁としてのバルブ243b、真空排気装置としての真空ポンプ246が設けられている。 主に、ガス排気口235、ガス排気管231、APC242、バルブ243bにより、本実施形態に係る排気部が構成されている。尚、真空ポンプ246を排気部に含めても良い。
処理室201の外周部、すなわち上側容器210の側壁の外側には、処理室201を囲うように、第1の電極としての、螺旋状の共振コイル212が設けられている。共振コイル212には、RFセンサ272、高周波電源273、高周波電源273のインピーダンスや出力周波数の整合を行う整合器274が接続される。主に、共振コイル212、RFセンサ272、整合器274により、本実施形態に係るプラズマ生成部(プラズマユニット)が構成されている。尚、プラズマ生成部として高周波電源273を含めても良い。
図3に示すように、処理制御部としてのコントローラ221は、信号線Aを通じてAPC242、バルブ243b及び真空ポンプ246を、信号線Bを通じてサセプタ昇降機構268を、信号線Cを通じてヒータ電力調整機構276及びインピーダンス可変機構275を、信号線Dを通じてゲートバルブ244を、信号線Eを通じてRFセンサ272、高周波電源273及び整合器274を、信号線Fを通じてMFC252a~252c及びバルブ253a~253c,243aを、それぞれ制御するように構成されている。
図4は、本実施形態に係る処理レシピとしての基板処理工程を示すフロー図である。本実施形態に係る基板処理工程は、例えば半導体デバイスの製造工程の一工程として、上述の処理機構PMにより実施される。以下の説明において、処理機構PMを構成する各部の動作は、処理制御部221により制御される。
まず、サセプタ昇降機構268がウエハWの搬送位置までサセプタ217を下降させて、サセプタ217の貫通孔217aにウエハ突上げピン266を貫通させる。その結果、ウエハ突き上げピン266が、サセプタ217表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。
続いて、処理室201内に搬入されたウエハWの昇温を行う。ヒータ217bは予め加熱されており、ヒータ217bが埋め込まれたサセプタ217上にウエハWを保持することで、例えば150~750℃の範囲内の所定値にウエハWを加熱する。ここでは、ウエハWの温度が600℃となるよう加熱する。また、ウエハWの昇温を行う間、真空ポンプ246によりガス排気管231を介して処理室201内を真空排気し、処理室201内の圧力を所定の値とする。真空ポンプ246は、少なくとも後述の基板搬出工程S160が終了するまで作動させておく。
次に、反応ガスとして、酸素含有ガスであるO2ガスと水素含有ガスであるH2ガスの供給を開始する。具体的には、バルブ253a及び253bを開け、MFC252a及び252bにて流量制御しながら、処理室201内へO2ガス及びH2ガスの供給を開始する。このとき、O2ガスの流量を、例えば20~2000sccm、好ましくは20~1000sccmの範囲内の所定値とする。また、H2ガスの流量を、例えば20~1000sccm、好ましくは20~500sccmの範囲内の所定値とする。より好適な例として、O2ガスとH2ガスの合計流量を1000sccmとし、流量比はO2/H2≧950/50とすることが好ましい。
また、処理室201内の圧力が、例えば1~250Pa、好ましくは50~200Paの範囲内の所定圧力、より好ましくは約150Paとなるように、APC242の開度を調整して処理室201内の排気を制御する。このように、処理室201内を適度に排気しつつ、後述のプラズマ処理工程S140の終了時までO2ガス及びH2ガスの供給を継続する。
処理室201内の圧力が安定したら、共振コイル212に対して高周波電源273からRFセンサ272を介して、高周波電力の印加を開始する。本実施形態では、高周波電源273から共振コイル212に27.12MHzの高周波電力を供給する。共振コイル212に供給する高周波電力は、例えば100~5000Wの範囲内の所定の電力であって、好ましくは100~3500Wであり、より好ましくは約3500Wとする。電力が100Wより低い場合、プラズマ放電を安定的に生じさせることが難しい。
O2ガス及びH2ガスの供給を停止したら、ガス排気管231を介して処理室201内を真空排気する。これにより、処理室201内のO2ガスやH2ガス、これらガスの反応により発生した排ガス等を処理室201外へと排気する。その後、APC242の開度を調整し、処理室201内の圧力を処理室201に隣接する真空搬送室(ウエハWの搬出先。図示せず)と同じ圧力(例えば100Pa)に調整する。
処理室201内が所定の圧力となったら、サセプタ217をウエハWの搬送位置まで下降させ、ウエハ突上げピン266上にウエハWを支持させる。そして、ゲートバルブ244を開き、ウエハ搬送機構を用いてウエハWを処理室201外へ搬出する。以上により、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
まず、真空ポンプ246により処理室201を真空排気し、処理室201の圧力を所定の値とする。真空ポンプ246は、少なくとも排気・調圧工程S440が終了するまで作動させておく。なお、ヒータ217bも同様にサセプタ217を加熱するよう制御されている。
次に、放電用ガスとして、図4に示す処理レシピにおける反応ガスと同じく、O2ガスとH2ガスの混合ガスを処理室201内へ供給する。具体的なガス供給手順や、供給ガス流量、処理室201の圧力等の条件については、図4に示す処理レシピと同様である。
次に、共振コイル212に対して高周波電源273から高周波電力の印加を開始する。共振コイル212に供給する高周波電力の大きさも図4に示す処理レシピと同様である。ただし、高周波電力の大きさは、プラズマ放電を促進させるため図4に示す処理レシピより大きくしてもよく、また、他の処理条件に合わせて、100~5000Wの範囲内で異ならせてもよい。
処理室201のガスを処理室201外へと排気する。その後、APCバルブ242の開度を調整し、処理室201の圧力を真空搬送室と同じ圧力とする。これにより、前処理工程を終了し、引き続き図4に示すロット処理が実行される。
先ず、プラズマを生成する前の前準備工程が実行される。具体的には、図4に示す真空排気工程S410及び放電ガス供給工程S420が実行される。よって、詳細は省略する。
温度センサ280の温度(検出温度)が目標温度の上限値以下か比較される。目標温度の上限値より低い温度である場合、高周波電源273がオンとなり、高周波電力を処理室201に供給し、プラズマ処理が行われる(S530)と共に次のステップ(S550)へ移行する。プラズマ処理の詳細は、プラズマ放電工程S430にて説明済なので詳細は省略する。これにより、石英ドーム210の温度が上昇する。
コントローラ221は検出温度が目標温度の上限値を超えるまで待機する。
コントローラ221は検出温度が目標温度の上下限値の範囲内を保持するように制御を行い、搬送系コントローラ31に温度保持工程S560に移ったことを通知する。
コントローラ221は、搬送系コントローラ31から後処理工程S580の処理に移るように指示を受けたら後処理を行う。後処理の内容は、図4に示す排気・調圧工程S440にて説明済のため省略する。後処理が終了することにより、前処理レシピが終了する。そして、コントローラ221は前処理レシピが終了したことを搬送系コントローラ31に通知する。
<本発明の他の実施形態>
上述の実施形態では、プラズマを用いて基板表面に対して酸化処理や窒化処理を行う例について説明したが、これらの処理に限らず、プラズマを用いて基板に対して処理を施すあらゆる技術に適用することができる。例えば、プラズマを用いて行う基板表面に形成された膜に対する改質処理やドーピング処理、酸化膜の還元処理、当該膜に対するエッチング処理、レジストのアッシング処理、等に適用することができる。
Claims (15)
- 基板を処理する処理容器と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給するガス供給部と、
プラズマを発生させるプラズマユニットと、
前記処理容器内の温度を検出するよう構成される温度センサと、
前記基板を処理する前に前記処理容器内の温度を調整する前処理レシピを記憶する記憶装置と、
前記処理容器内に前記基板の搬送を行うことなく、前記基板を処理する際に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が、予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記プラズマユニットの出力を制御するよう前記前処理レシピを実行することが可能に構成されている制御部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記処理容器内の温度が上昇するように、前記プラズマユニットの出力を制御するよう構成されている請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の上限値よりも高い場合、前記処理容器内の温度が下降するように、前記プラズマユニットの出力を制御するよう構成されている請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも低い場合は、前記処理容器内の温度が上昇するように、また、前記目標温度の上限値を超えた場合は、前記処理容器内の温度が下降するように、前記プラズマユニットの出力を制御するよう構成されている請求項1記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるよう構成されている請求項1記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサにより検出される各々の温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるよう構成されている請求項1記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサのうち、少なくとも一つの温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の上限値よりも高い場合、若しくは、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記前処理レシピを継続するよう構成されている請求項1記載の基板処理装置。 - 前記プラズマユニットは前記処理容器の外周に設けられたコイルを備える、請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理容器と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給するガス供給部と、
プラズマを発生させるプラズマユニットと、
前記処理容器内の温度を検出するよう構成される温度センサと、
前記基板を処理する前に、前記処理容器内の温度を調整する前処理レシピを記憶する記憶装置と、
前記処理容器内に前記基板がない状態で、前記基板を処理する際に供給される処理ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が、予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記プラズマユニットの出力を制御するよう前記前処理レシピを実行することが可能に構成されている制御部と、を備えた基板処理装置。 - 基板を処理する処理容器内の温度を検出する工程と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給する工程と、
前記処理容器内でプラズマを発生させるプラズマユニットの出力を制御する工程と、
前記処理容器内に前記基板の搬送を行うことなく、前記基板を処理する際に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記プラズマユニットの出力を制御する前処理工程と、
前記基板の処理を実行する処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理容器内の温度を検出する工程と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給する工程と、
前記処理容器内でプラズマを発生させるプラズマユニットの出力を制御する工程と、
前記処理容器内に前記基板がない状態で、前記基板を処理する際に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記プラズマユニットの出力を制御する前処理工程と、
前記基板の処理を実行する処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理容器内の温度を検出する手順と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給する手順と、
前記処理容器内に前記基板の搬送を行うことなく、前記基板を処理する際に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理容器内でプラズマを発生させるプラズマユニットの出力を制御する手順と、
を有する前処理手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板を処理する処理容器内の温度を検出する手順と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給する手順と、
前記処理容器内に前記基板がない状態で、前記基板を処理する際に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理容器内でプラズマを発生させるプラズマユニットの出力を制御する手順と、
を有する前処理手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板を処理する処理容器内の温度を検出する工程と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給する工程と、
前記処理容器内に前記基板の搬送を行うことなく、前記基板処理時に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理容器内でプラズマを発生させるプラズマユニットの出力を制御する工程と、
を有する前処理工程と、
を有する処理方法。 - 基板を処理する処理容器内の温度を検出する工程と、
前記基板を処理する際に、前記処理容器内に複数種類のガスを供給する工程と、
前記処理容器内に前記基板がない状態で、前記基板処理時に供給される前記ガスのうち少なくとも1つのガスを用いて、前記処理容器内の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理容器内でプラズマを発生させるプラズマユニットの出力を制御する工程と、
を有する前処理工程と、
を有する処理方法。
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US20230029782A1 (en) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | System, method and device for temperature control |
WO2023239494A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | Lam Research Corporation | Radio frequency system protection based on temperature inference |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006161071A (ja) | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 窒化金属膜作製装置、窒化金属膜作製方法及び窒化金属膜 |
JP2009543355A (ja) | 2006-07-03 | 2009-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 進歩型フロントエンド処理のためのクラスターツール |
JP2013222878A (ja) | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ熱処理方法および装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6063233A (en) * | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
JP3018627B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-03-13 | 富士電機株式会社 | 絶縁膜の製造方法 |
US5571366A (en) * | 1993-10-20 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2008244224A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2011029475A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012109429A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
JP2013045933A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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WO2016046957A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
JP6077147B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-02-08 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6805358B2 (ja) * | 2017-09-13 | 2020-12-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006161071A (ja) | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 窒化金属膜作製装置、窒化金属膜作製方法及び窒化金属膜 |
JP2009543355A (ja) | 2006-07-03 | 2009-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 進歩型フロントエンド処理のためのクラスターツール |
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