JP2014170634A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理対象物を処理する処理容器と、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、処理容器内を排気する排気系と、処理容器の外側に設けられ、処理容器内に供給された処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、少なくとも処理容器とプラズマ生成部との間に設けられ、処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、処理容器の周方向に開設され、流路に温度調整ガスを導入する導入孔と、流路を流れた温度調整ガスを排出する排出孔と、を有する。
【選択図】図1
Description
処理対象物を処理する処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ、前記処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、
前記処理容器の周方向に開設され、前記流路に前記温度調整ガスを導入する導入孔と、
前記流路を流れた前記温度調整ガスを排出する排出孔と、
を有するプラズマ処理装置が提供される。
処理対象物を収容する処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ、前記処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、
前記流路に前記温度調整ガスを導入する導入孔と、
前記流路を流れた前記温度調整ガスを排出する排出孔と、
前記排出孔に接続され、前記温度調整ガスを前記排出孔から排出する排出管と、
前記排出管に設けられた調整弁と、
前記調整弁の開度を調整して、前記温度調整ガスの流量を制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置が提供される。
処理容器内に処理対象物を搬送する工程と、
前記処理容器内に処理ガスを導入し、前記処理容器の外側に設けられたプラズマ生成部により前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成して、前記処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ前記処理容器の外壁に沿った流路に、前記処理容器の周方向に開設された導入孔から、温度調整ガスを流すプラズマ処理方法が提供される。
処理容器内に処理対象物を搬送する工程と、
前記処理容器内に処理ガスを導入し、前記処理容器の外側に設けられたプラズマ生成部により前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成して、前記処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ前記処理容器の外壁に沿った流路に温度調整ガスを流すとともに、前記処理容器の温度が所定の温度となるように前記温度調整ガスの流量を制御するプラズマ処理方法が提供される。
まず、発明者等が得た知見について説明する。半導体装置の製造工程において、処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が用いられる場合がある。プラズマ処理装置では、処理容器内で処理ガスのプラズマを生成して、処理対象物に対してプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置に、複数枚の処理対象物を搬送し、搬送された処理対象物を順番にプラズマ処理するバッチ処理が行われる。
図1は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す断面概略図である。プラズマ処理装置10は、処理対象物としてのウエハ20を処理する処理容器120と、処理容器120内に処理ガスを供給するガス供給系と、処理容器120内を排気する排気系と、処理容器120の外側に設けられ、処理容器120内に供給された処理ガスを励起するプ
ラズマ生成部と、処理容器120とプラズマ生成部との間に設けられ、処理容器120の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路140と、処理容器120の周方向に均等な間隔で開設され、流路140に温度調整ガスを導入する導入孔152aと、流路140を流れた温度調整ガスを排出する排出孔185と、を有する。以下、詳細を説明する。
反応管131は、例えば円筒状である。反応管131は、例えば高純度の石英ガラスまたはセラミックス等により形成されている。反応管131の上端及び下端は、開口している。反応管131は、架台としてのベースプレート148の上に設けられている。反応管131の中心軸は、ベースプレート148の法線方向に設けられている。
処理容器120の外側には、共振コイル132が設けられている。共振コイル132は、処理容器120内に供給された処理ガスのプラズマを生成する。共振コイル132は、例えば、反応管131の外周に沿って巻回されている。共振コイル132には、RFセンサ168を介して、高周波電源144が接続されている。高周波電源144は、共振コイル132に高周波電力を印加する。これにより、処理ガスは、プラズマ生成領域130において、プラズマ状態となる。共振コイル132には、RFセンサ168を介して、周波数整合器146が接続されている。RFセンサ168は、高周波電力の進行波、反射波等をモニタするよう構成されている。RFセンサ168によってモニタされた高周波電力値は、周波数整合器146にフィードバックされる。周波数整合器146は、高周波電力の反射波が最小となるように、発振周波数を制御するよう構成されている。
プラズマ生成部としての共振コイル132の外側を囲むように、遮蔽部152が設けられている。遮蔽部152は導電性を有する。遮蔽部152は、共振コイル132の外側に、電磁波が漏れることを遮蔽する。共振に必要な容量成分は、共振コイル132と遮蔽部152との間に形成される。遮蔽部152は、例えばアルミニウム合金、銅または銅合金などの導電性材料により形成されている。遮蔽部152は、円筒状であり、金属板を円筒状に曲げ加工して形成される。
反応管131の下方(排気系側)には、ウエハ収容部190が設けられている。ウエハ収容部190は、ウエハ20を収容する。反応管131の下端開口は、ウエハ収容部190に気密に接続されている。ウエハ収容部190内には、ウエハ20を処理する処理室145が形成されている。処理室145は、上述のプラズマ生成領域130と連通している。ウエハ収容部190の下端開口は、碗状の底板169によって封止されている。ウエハ収容部190、反応管131及び底板169のそれぞれの中心軸は、鉛直に配置されている。
テーブル111を有する。サセプタテーブル111は、ウエハ20を支持する。サセプタテーブル111の下方には、複数の支柱161が設けられている。複数の支柱161は、サセプタテーブル111を下方から支持する。サセプタ159の内部には、ヒータ163が設けられている。ヒータ163は、サセプタ159上に支持されたウエハ20を加熱する。
制御部としてのコントローラ170は、上述のマスフローコントローラ51b、52b、バルブ51a、52a、高周波電源144、周波数整合器146、RFセンサ168、ヒータ163、昇降駆動部、圧力センサ、APCバルブ181、及び排気装置179等に接続されている。コントローラ170は、これらの動作を制御するよう構成されている。コントローラ170には、表示部としてのディスプレイ172が接続されている。ディスプレイ172は、例えばRFセンサ168による反射波のモニタ結果等のデータを表示する。
以下に、温度調整ガスの流路140についての詳細構成を、図1及び図2を用いて説明
する。図2(a)は、図1のA−A’線の矢印方向にみた断面図であり、(b)は、遮蔽部の展開図である。図1及び図2において、実線の矢印は、温度調整ガスの流れを示している。
図1のように、遮蔽部152には、導入孔(Air Intake Hole)152aが設けられている。導入孔152aは、流路140内に温度調整ガスを導入するよう構成されている。導入孔152aは、遮蔽部152の下端側に設けられている。導入孔152aは、共振コイル132の鉛直下に位置している。導入孔152aは、可動タップ166の下、つまり共振コイル132の下端部の更に下に設けられている。温度調整ガスは、共振コイル132よりも鉛直下側から導入される。言い換えれば、温度調整ガスは、プラズマ生成領域130よりも鉛直下側から導入される。
ド164も引き出される。開口162aは、可動タップ162の可動範囲に設けられている。開口166aは、可動タップ166の可動範囲に設けられている。
処理容器120と共振コイル132との間には、ガス案内部(Air Flow Guide)153が設けられている。ガス案内部153は、処理容器120の外側を囲んでいる。ガス案内部153は、導入孔152aから処理容器120と共振コイル132との間に温度調整ガスを案内するよう構成されている。流路140の一部は、処理容器120とガス案内部153の間に形成される。温度調整ガスは、効率的に処理容器120と共振コイル132との間に流れる。ガス案内部153は、ベースプレート148、反応管131、又は遮蔽部152に固定されている。
dcg=(φg−φc)/2
dgs=(φs−φg)/2
140の他の部分における温度調整ガスの流速よりも高くなる。これにより、温度調整ガスと処理容器120との間における熱伝達率が向上する。
dfs=(φs−φf)/2
れにより、プラズマ処理の際に、ガス案内部153の形状は維持される。
少なくとも共振コイル132よりも上方には、中間開口156が設けられている。例えば、中間開口156は、トッププレート154の上に設けられている。中間開口156は、流路140のうち共振コイル132と後述する排出孔185との間に設けられている。中間開口156は、処理容器120並びに遮蔽部152の間における部分と、後述するガス緩衝部182と、を接続している。中間開口156は、例えば反応管131の円筒部分の上端の外側に設けられている。
処理容器120の鉛直上には、ガス緩衝部(Air Pumping Box)182が設けられている。ガス緩衝部182は、トッププレート154の上に配置されている。ガス緩衝部182は、流路140のうち中間開口156と後述する排出孔185との間に設けられている。ガス緩衝部182は、流路140のうち共振コイル132よりも下流側(後述する排出孔185側)に設けられている。
処理容器120の鉛直上方には、排出孔185が設けられている。排出孔185は、流路140から温度調整ガスを排出するよう構成されている。排出孔185は、ガス緩衝部182の中間開口156の反対側に設けられている。排出孔185は、プラズマ処理装置10の鉛直上から見て、ガス緩衝部182の中央に配置されている。複数の中間開口156は、排出孔185から均等な距離で配置されている。より良くは、複数の中間開口156は、プラズマ処理装置10の鉛直上から見てガス緩衝部182の中心から点対称となるように配置されている。温度調整ガスは、プラズマ処理装置10の鉛直上から見て、各々の中間開口156から処理容器120の中央に向かって径方向に流れる。これにより、処理容器120の外壁に沿った部分における温度調整ガスの流速は、周方向に均一になり易い。
排出孔185には、排出管186が接続されている。排出管186の排出孔185の反対側には、排出装置188が接続されている。排出装置188は、流路140内に導入孔152aから排出孔185に向かう流路140を形成するように、温度調整ガスを排出孔185から強制的に排出する。なお、排出装置188は、プラズマ処理装置10の専用品として設けられている必要はない。排出装置188は、クリーンルームに設けられた共用ダクトであってもよい。
例えば、複数の導入孔152a、ガス案内部153、複数の中間開口156、ガス緩衝部182及び排出孔185により、温度調整ガスの流路140が構成される。温度調整ガスはこれらの順に流れる。なお、排出管186、調整弁184及び排出装置188を流路140に含めて考えてもよい。
調整弁184には、制御部としてのコントローラ170が接続されている。コントローラ170は、調整弁184の開度を調整して、温度調整ガスの流量を制御するよう構成されている。例えば処理容器120の温度が所定の温度よりも低いとき、コントローラ170は調整弁184の開度を小さくする。これにより、処理容器120の温度が所定の温度に上昇する。一方、処理容器120の温度が所定の温度よりも高いとき、コントローラ170は調整弁184の開度を大きくする。これにより、処理容器120の温度は所定の温度に降下する。このようにして、処理容器120の温度は、所定の温度に維持される。
図3は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理方法を示すフローチャートである。図3を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、本実施形態に係るプラズマ処理工程を説明する。以下では、例えば、ウエハ20上に塗布されたレジスト膜をアッシングする場合について説明する。プラズマ処理工程は、上述のプラズマ処理装置10によって実施される。下記の説明において、プラズマ処理装置10の各部の動作はコントローラ170によって制御される。
プラズマ処理装置10のロードロック室(不図示)に、例えば25枚のウエハ20を有するポッド(不図示)が搬送される。それぞれのウエハ20の処理面の上には、例えばレジスト膜が塗布されている(S101)。
排出装置188を作動させ、流路140内の温度調整ガスを排出し始める。温度調整ガスは、処理容器120の周方向に均等な間隔で開設された導入孔152aから流路140内に流入する。コントローラ170は、温度測定部183からの温度情報に基づいて、調整弁184の開度を調整し、温度調整ガスの流量を制御する。例えば開始時など、処理容器120の温度が所定の温度よりも低いとき、コントローラ170は調整弁184の開度を小さくする。または、温度調整ガスの流量は小さくしておく。なお、温度調整ガスの流量制御は、例えばプラズマ処理工程が終了するまでの間、継続して行われる(S102)。
次に、搬送部は、ロードロック室にて、一枚のウエハ20をピックアップして、処理室145内に搬入する。昇降シャフト173によりリフタピン113を上昇させて、ウエハ20をリフタピン113上に載置する。搬送部は、処理室145から引き抜かれる。昇降シャフト173によりリフタピン113を降下させて、ウエハ20を所定の処理位置まで降下させる。これにより、ウエハ20をサセプタテーブル111上に移動させる(S103)。
処理容器120内が所定の圧力(真空度)となるように、排気装置179によって処理容器120内が真空排気される。この際、コントローラ170は、圧力センサが測定した処理容器120内の圧力情報に基づいて、APCバルブ181の開度を調整して、処理容器120内の圧力を制御する。処理容器120内の圧力は、例えば30Pa〜530Paの範囲内の所定の圧力に制御される。なお、排気装置179は、少なくともプラズマ処理工程の間において常時作動させた状態を維持する。また、処理容器120内の圧力の制御は、少なくともプラズマ処理工程の間、継続して行われる。
次に、ウエハ20の温度が所定の温度に上昇したら、ガス供給系により処理ガスを処理容器120内に供給する。具体的には、処理ガス供給系のバルブ52aを開き、そしてマ
スフローコントローラ52bにより処理ガスの流量を調整しながら、処理容器120内に処理ガスを供給する。処理容器120内に供給された処理ガスは、拡散板160により分散され、反応管131の内壁に沿って下方に向かって流れる。
次に、共振コイル132への電力供給及び処理ガスの供給を停止した後、APCバルブ181を全開にして、所定の時間、処理容器120内を排気する。このとき、パージガス供給系のバルブ51aを開き、そしてマスフローコントローラ51bによりパージガスの流量を調整しながら、処理容器120内にパージガスを供給する。これにより、処理容器120内をパージガスで置換する。そして、APCバルブ181の開度を調整して、処理容器120内を大気復帰する(S106)。
次に、処理済みのウエハ20を処理室145内から搬出する。処理済みのウエハ20は、ポッドに戻される(S107)。
次に、所定枚数のウエハ20に対するプラズマ処理を全て実施したか否かを判定する(
S108)。所定枚数とは、例えばプラズマ処理装置10に設置されるポッド内のウエハ20の収容枚数であり、例えば25枚である。
所定枚数のウエハ20に対するプラズマ処理を全て実施した場合(S108で「Yes」の場合)、排出装置188を停止する。これにより、温度調整ガスフローを停止する(S109)。このように、所定枚数のウエハ20に対してプラズマ処理を行うまで、流路140に温度調整ガスを流し続ける。
プラズマ処理装置10から、処理済みのウエハ20を有するポッドが搬出される(S110)。このようにして、本実施形態におけるプラズマ処理工程を終了する。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
におけるプラズマ処理の均一性が向上する。
より、処理中または処理ごとにおいて、経時的にプラズマ処理の速度またはプラズマ処理の度合いが変化することを抑制できる。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
処理対象物を処理する処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ、前記処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、
前記処理容器の周方向に開設され、前記流路に前記温度調整ガスを導入する導入孔と、
前記流路を流れた前記温度調整ガスを排出する排出孔と、
を有するプラズマ処理装置が提供される。
付記1のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記排出孔に接続され、前記温度調整ガスを前記排出孔から排出する排出管と、
前記排出管に設けられた調整弁と、
前記調整弁の開度を調整して、前記温度調整ガスの流量を制御する制御部と、
を有する。
本発明の他の態様によれば、
処理対象物を収容する処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ、前記処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、
前記流路に前記温度調整ガスを導入する導入孔と、
前記流路を流れた前記温度調整ガスを排出する排出孔と、
前記排出孔に接続され、前記温度調整ガスを前記排出孔から排出する排出管と、
前記排出管に設けられた調整弁と、
前記調整弁の開度を調整して、前記温度調整ガスの流量を制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置が提供される。
付記2又は3のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記処理容器の温度を測定する温度測定部を有し、
前記制御部は、前記温度測定部からの温度情報に基づいて前記調整弁を制御する。
付記1〜4のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記流路のうち前記プラズマ生成部と前記排出孔との間に設けられたガス緩衝部を有し、
前記ガス緩衝部内のコンダクタンスは、前記流路のうち前記ガス緩衝部よりも前記導入孔側のコンダクタンスよりも大きい。
付記5のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記ガス緩衝部は、前記処理容器の上に設けられている。
付記5または6のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記排出孔は、鉛直上から見て前記ガス緩衝部の中央に設けられている。
付記1〜7のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記流路のうち前記プラズマ生成部と前記排出孔との間に設けられ、前記流路のうち前記処理容器の周方向に均等に開設された複数の中間開口を有し、
前記複数の中間開口は、前記排出孔から均等な距離で配置されている。
付記1〜8のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記プラズマ生成部の外側を囲むように設けられ、前記導入孔を有し、導電性を有する遮蔽部を有し、
前記流路の一部は、少なくとも前記処理容器と前記遮蔽部との間に設けられている。
付記1〜9のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に前記処理容器の外側を囲むように設けられ、前記導入孔から前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に前記温度調整ガスを案内するガス案内部を有し、
前記流路の一部は、前記処理容器と前記ガス案内部との間に設けられている。
付記10のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記ガス案内部は、低誘電率の材料により形成されている。
付記10又は11のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記ガス案内部は、絶縁性の材料により形成されている。
付記10〜12のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記ガス案内部は、耐熱性を有する材料により形成されている。
付記10〜13のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記プラズマ生成部の外側を囲むように設けられ、前記導入孔を有し、導電性を有する遮蔽部を有し、
前記ガス案内部と前記処理容器との間隔は、前記ガス案内部と前記遮蔽部との間隔よりも狭い。
付記10〜14のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記ガス案内部は、
前記処理容器を囲むように設けられた中間部と、
前記中間部のうち前記導入孔側に接し、前記温度調整ガスが前記ガス案内部と前記遮蔽部との間に流入することを抑制するように設けられたフランジ部と、
を有する。
付記15のプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記フランジ部は、前記中間部から径方向に外側に拡張されている。
付記10〜16のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記ガス案内部は、テフロン(登録商標)、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、POM(ポリオキシメチレン)、べスペル(登録商標)、PBI(ポリベンゾイ
ミダゾール)のいずれかの材料により形成されている。
付記1〜17のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記温度調整ガスは大気または窒素ガスである。
付記1〜18のいずれかのプラズマ処理装置であって、好ましくは、
前記導入孔は複数設けられ、
前記複数の導入孔は、前記処理容器の周方向に均等な間隔で開設されている。
本発明の他の態様によれば、
処理容器内に処理対象物を搬送する工程と、
前記処理容器内に処理ガスを導入し、前記処理容器の外側に設けられたプラズマ生成部により前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成して、前記処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ前記処理容器の外壁に沿った流路に、前記処理容器の周方向に開設された導入孔から、温度調整ガスを流すプラズマ処理方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
処理容器内に処理対象物を搬送する工程と、
前記処理容器内に処理ガスを導入し、前記処理容器の外側に設けられたプラズマ生成部により前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成して、前記処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ前記処理容器の外壁に沿った流路に温度調整ガスを流すとともに、前記処理容器の温度が所定の温度となるように前記温度調整ガスの流量を制御するプラズマ処理方法が提供される。
付記20又は21のプラズマ処理方法であって、好ましくは、
所定数の前記処理対象物に対して、前記プラズマ処理工程を行い、
前記所定数の前記処理対象物に対して前記プラズマ処理工程を行うまで、前記流路に前記温度調整ガスを流し続ける。
付記20〜22のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、好ましくは、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、
前記流路に、前記処理容器の周方向に均等な間隔で開設された複数の導入孔から、温度調整ガスを流す。
20 ウエハ
120 処理容器
132 共振コイル
140 流路
152 遮蔽部
152a 導入孔
153 ガス案内部
156 中間開口
185 排出孔
Claims (6)
- 処理対象物を処理する処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ、前記処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、
前記処理容器の周方向に開設され、前記流路に前記温度調整ガスを導入する導入孔と、
前記流路を流れた前記温度調整ガスを排出する排出孔と、
を有するプラズマ処理装置。 - 処理対象物を収容する処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給系と、
前記処理容器内を排気する排気系と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、
少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ、前記処理容器の外壁に沿って温度調整ガスを流す流路と、
前記流路に前記温度調整ガスを導入する導入孔と、
前記流路を流れた前記温度調整ガスを排出する排出孔と、
前記排出孔に接続され、前記温度調整ガスを前記排出孔から排出する排出管と、
前記排出管に設けられた調整弁と、
前記調整弁の開度を調整して、前記温度調整ガスの流量を制御する制御部と、
を有するプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ生成部と前記排出孔との間に設けられたガス緩衝部を有し、
前記ガス緩衝部内のコンダクタンスは、前記流路の前記ガス緩衝部よりも前記導入孔側におけるコンダクタンスよりも大きい請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に前記処理容器の外側を囲むように設けられ、前記導入孔から前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に前記温度調整ガスを案内するガス案内部を有し、
前記流路の一部は、前記処理容器と前記ガス案内部との間に設けられた請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 処理容器内に処理対象物を搬送する工程と、
前記処理容器内に処理ガスを導入し、前記処理容器の外側に設けられたプラズマ生成部により前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成して、前記処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ前記処理容器の外壁に沿った流路に、前記処理容器の周方向に開設された導入孔から、温度調整ガスを流すプラズマ処理方法。 - 処理容器内に処理対象物を搬送する工程と、
前記処理容器内に処理ガスを導入し、前記処理容器の外側に設けられたプラズマ生成部により前記処理容器内に供給された前記処理ガスのプラズマを生成して、前記処理対象物に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理工程と、
を有し、
少なくとも前記プラズマ処理工程では、少なくとも前記処理容器と前記プラズマ生成部との間に設けられ前記処理容器の外壁に沿った流路に温度調整ガスを流すとともに、前記処理容器の温度が所定の温度となるように前記温度調整ガスの流量を制御するプラズマ処理方法。
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