JP6934060B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
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Description
主に、サセプタ217及びヒータ217b、電極217cにより、本実施形態に係る基板載置部が構成されている。
また、処理室201内の圧力が、例えば1〜250Pa、好ましくは50〜200Paの範囲内の所定圧力、より好ましくは約150Paとなるように、APC242の開度を調整して処理室201内の排気を制御する。このように、処理室201内を適度に排気しつつ、後述のプラズマ処理工程S140の終了時までO2ガス及びH2ガスの供給を継続する。
まず、真空ポンプ246により処理室201を真空排気し、処理室201の圧力を所定の値とする。真空ポンプ246は、少なくとも排気・調圧工程S440が終了するまで作動させておく。なお、ヒータ217bも同様にサセプタ217を加熱するよう制御されている。
次に、放電用ガスとして、図4に示す処理レシピにおける反応ガスと同じく、O2ガスとH2ガスの混合ガスを処理室201内へ供給する。具体的なガス供給手順や、供給ガス流量、処理室201の圧力等の条件については、図4に示す処理レシピと同様である。
次に、共振コイル212に対して高周波電源273から高周波電力の印加を開始する。共振コイル212に供給する高周波電力の大きさも図4に示す処理レシピと同様である。ただし、高周波電力の大きさは、プラズマ放電を促進させるため図4に示す処理レシピより大きくしてもよく、また、他の処理条件に合わせて、100〜5000Wの範囲内で異ならせてもよい。
処理室201のガスを処理室201外へと排気する。その後、APCバルブ242の開度を調整し、処理室201の圧力を真空搬送室と同じ圧力とする。これにより、前処理工程を終了し、引き続き図4に示すロット処理が実行される。
先ず、プラズマを生成する前の前準備工程が実行される。具体的には、図4に示す真空排気工程S410及び放電ガス供給工程S420が実行される。よって、詳細は省略する。
温度センサ280の温度(検出温度)が目標温度の上限値以下か比較される。目標温度の上限値より低い温度である場合、高周波電源273がオンとなり、高周波電力を処理室201に供給し、プラズマ処理が行われる(S530)と共に次のステップ(S550)へ移行する。プラズマ処理の詳細は、プラズマ放電工程S430にて説明済なので詳細は省略する。これにより、石英ドーム210の温度が上昇する。
上述の実施形態では、プラズマを用いて基板表面に対して酸化処理や窒化処理を行う例について説明したが、これらの処理に限らず、プラズマを用いて基板に対して処理を施すあらゆる技術に適用することができる。例えば、プラズマを用いて行う基板表面に形成された膜に対する改質処理やドーピング処理、酸化膜の還元処理、当該膜に対するエッチング処理、レジストのアッシング処理、等に適用することができる。
Claims (18)
- 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する処理容器と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及び前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成空間に前記処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器の温度を検出するよう構成されている温度センサと、
基板を処理するための処理レシピの実行前に前処理レシピを実行することにより、前記温度センサにより検出される前記処理容器の温度が、予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるよう、前記プラズマ生成部及び前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、
を有し、
前記前処理レシピは、基板の搬送を行なうことなく、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給するように構成されている基板処理装置。 - 前記処理容器は、上側容器と下側容器を構成し、前記温度センサは、前記上側容器に設けられるよう構成される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記処理容器の温度を上昇させるように前記高周波電力を前記コイルに供給するよう構成されている請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の上限値よりも高い場合、前記高周波電力を前記コイルに供給しないように構成されている請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記処理容器の温度を上昇させるように前記高周波電源をオンにして前記高周波電力を前記コイルに供給しつつ、前記目標温度の上限値を超えた場合に前記高周波電源をオフにして、前記処理容器の温度を低下させるよう構成されている請求項1記載の基板処理装置。
- 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する処理容器と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及び前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成空間に前記処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器の温度を検出するよう構成されている温度センサと、
基板を処理するための処理レシピの実行前に前処理レシピを実行することにより、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給して、前記温度センサにより検出される前記処理容器の温度が、予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるよう、前記プラズマ生成部及び前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるように構成されている基板処理装置。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する処理容器と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及び前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成空間に前記処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器の温度を検出するよう構成されている温度センサと、
基板を処理するための処理レシピの実行前に前処理レシピを実行することにより、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給して、前記温度センサにより検出される前記処理容器の温度が、予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるよう、前記プラズマ生成部及び前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、
を有し、
更に、前記処理容器を複数有し、
前記制御部は、前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサにより検出される各々の温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるように構成されている基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理容器に形成されるそれぞれの基板処理室に前記基板を振分け搬送し、それぞれ前記処理レシピを実行するように構成されている請求項7に記載の基板処理装置。
- 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する処理容器と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイル、及び前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源を備えるプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成空間に前記処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器の温度を検出するよう構成されている温度センサと、
基板を処理するための処理レシピの実行前に前処理レシピを実行することにより、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給して、前記温度センサにより検出される前記処理容器の温度が、予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるよう、前記プラズマ生成部及び前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、
を有し、
更に、前記処理容器を複数有し、
前記制御部は、前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサのうち、少なくとも一つの温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の上限値よりも高い場合、若しくは、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記前処理レシピを継続するように構成されている基板処理装置。 - 更に、前記制御部はアイドルレシピを実行するように構成されており、前記前処理レシピは前記アイドルレシピの後に実行されるように構成されている請求項1、請求項6、請求項7および請求項9のうちいずれかに記載の基板処理装置。
- 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、該プラズマ生成空間に連通する基板処理空間を有する処理容器の温度を検出する工程と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する工程と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する工程と、
を有する前処理レシピを実行する工程と、
処理レシピを実行することにより、前記プラズマ生成空間を介して前記基板処理空間に配置された基板に前記処理ガスを供給しつつ、前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、基板の搬送を行なうことなく、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給するよう構成されている半導体装置の製造方法。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する処理容器の温度を検出する手順と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する手順と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する手順と、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、基板の搬送を行なうことなく、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給する手順と、を有する前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、該プラズマ生成空間に連通する基板処理空間を有する処理容器の温度を検出する工程と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する工程と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する工程と、
を有する前処理レシピを実行する工程と、
処理レシピを実行することにより、前記プラズマ生成空間を介して前記基板処理空間に配置された基板に前記処理ガスを供給しつつ、前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給するよう構成されている半導体装置の製造方法であって、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器に設けられた温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるように構成されている半導体装置の製造方法。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する処理容器の温度を検出する手順と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する手順と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する手順と、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給する手順と、
を有する前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記高周波電力を前記コイルに供給する手順では、
前記処理容器に設けられた温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるように構成されている前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、該プラズマ生成空間に連通する基板処理空間を有する複数の処理容器の温度を検出する工程と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する工程と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記複数の処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する工程と、
を有する前処理レシピを実行する工程と、
処理レシピを実行することにより、前記プラズマ生成空間を介して前記基板処理空間に配置された基板に前記処理ガスを供給しつつ、前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給するよう構成されている半導体装置の製造方法であって、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサにより検出される各々の温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるように構成されている半導体装置の製造方法。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する複数の処理容器の温度を検出する手順と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する手順と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記複数の処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する手順と、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給する手順と、
を有する前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記高周波電力を前記コイルに供給する手順では、
前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサにより検出される各々の温度が、前記目標温度の下限値よりも高く、前記目標温度の上限値よりも低い場合、前記前処理レシピを終了させるように構成されている前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、該プラズマ生成空間に連通する基板処理空間を有する複数の処理容器の温度を検出する工程と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する工程と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記複数の処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する工程と、
を有する前処理レシピを実行する工程と、
処理レシピを実行することにより、前記プラズマ生成空間を介して前記基板処理空間に配置された基板に前記処理ガスを供給しつつ、前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給するよう構成されている半導体装置の製造方法であって、
前記前処理レシピを実行する工程では、
前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサのうち、少なくとも一つの温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の上限値よりも高い場合、若しくは、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記前処理レシピを継続するように構成されている半導体装置の製造方法。 - 処理ガスがプラズマ励起されるプラズマ生成空間と、前記プラズマ生成空間に連通する基板処理空間と、を構成する複数の処理容器の温度を検出する手順と、
前記処理ガスを前記プラズマ生成空間に供給する手順と、
前記プラズマ生成空間を囲うように配置されると共に前記複数の処理容器の外周に巻回するように設けられたコイルに高周波電力を供給して前記プラズマ生成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ励起する手順と、
前記処理容器の温度が予め設定される上限値及び下限値により規定される目標温度の範囲内に収まるように、前記処理ガスをプラズマ励起する高周波電力を前記コイルに供給する手順と、
を有する前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記高周波電力を前記コイルに供給する手順では、
前記処理容器にそれぞれ設けられた温度センサのうち、少なくとも一つの温度センサにより検出される温度が、前記目標温度の上限値よりも高い場合、若しくは、前記目標温度の下限値よりも低い場合、前記前処理レシピを継続するように構成されている前処理レシピをコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021120100A JP7162705B2 (ja) | 2017-09-20 | 2021-07-21 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2022166726A JP2022189876A (ja) | 2017-09-20 | 2022-10-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017179784 | 2017-09-20 | ||
JP2017179784 | 2017-09-20 | ||
PCT/JP2018/009440 WO2019058597A1 (ja) | 2017-09-20 | 2018-03-12 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021120100A Division JP7162705B2 (ja) | 2017-09-20 | 2021-07-21 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019058597A1 JPWO2019058597A1 (ja) | 2020-04-02 |
JP6934060B2 true JP6934060B2 (ja) | 2021-09-08 |
Family
ID=65810210
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542972A Active JP6934060B2 (ja) | 2017-09-20 | 2018-03-12 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2021120100A Active JP7162705B2 (ja) | 2017-09-20 | 2021-07-21 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2022166726A Pending JP2022189876A (ja) | 2017-09-20 | 2022-10-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021120100A Active JP7162705B2 (ja) | 2017-09-20 | 2021-07-21 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP2022166726A Pending JP2022189876A (ja) | 2017-09-20 | 2022-10-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200216961A1 (ja) |
JP (3) | JP6934060B2 (ja) |
KR (4) | KR102393155B1 (ja) |
CN (1) | CN111033700A (ja) |
SG (1) | SG11202002510YA (ja) |
WO (1) | WO2019058597A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7270029B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-05-09 | 株式会社Kokusai Electric | レシピ作成方法、作成されたレシピを用いた半導体装置の製造方法、及び基板処理装置、並びにレシピ作成プログラム |
US20230029782A1 (en) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | System, method and device for temperature control |
WO2023239494A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | Lam Research Corporation | Radio frequency system protection based on temperature inference |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6063233A (en) * | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
JP3018627B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-03-13 | 富士電機株式会社 | 絶縁膜の製造方法 |
US5571366A (en) * | 1993-10-20 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP4340221B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2009-10-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 窒化金属膜作製装置及び窒化金属膜作製方法 |
WO2008005773A2 (en) * | 2006-07-03 | 2008-01-10 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool for advanced front-end processing |
JP2008244224A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2011029475A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012109429A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
JP2013045933A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2013222878A (ja) | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ熱処理方法および装置 |
US9984906B2 (en) * | 2012-05-25 | 2018-05-29 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device and plasma processing method |
JP6257071B2 (ja) | 2012-09-12 | 2018-01-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6162980B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2017-07-12 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2016046957A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
JP6077147B2 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-02-08 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
KR102501660B1 (ko) * | 2017-09-13 | 2023-02-20 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 프로그램 |
-
2018
- 2018-03-12 KR KR1020207007911A patent/KR102393155B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-12 KR KR1020227028447A patent/KR102462379B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-12 KR KR1020227037917A patent/KR20220151032A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-03-12 CN CN201880052010.6A patent/CN111033700A/zh active Pending
- 2018-03-12 JP JP2019542972A patent/JP6934060B2/ja active Active
- 2018-03-12 WO PCT/JP2018/009440 patent/WO2019058597A1/ja active Application Filing
- 2018-03-12 KR KR1020227014234A patent/KR102434943B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-12 SG SG11202002510YA patent/SG11202002510YA/en unknown
-
2020
- 2020-03-19 US US16/824,286 patent/US20200216961A1/en active Pending
-
2021
- 2021-07-21 JP JP2021120100A patent/JP7162705B2/ja active Active
-
2022
- 2022-10-18 JP JP2022166726A patent/JP2022189876A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019058597A1 (ja) | 2020-04-02 |
KR102462379B1 (ko) | 2022-11-03 |
SG11202002510YA (en) | 2020-04-29 |
JP2022189876A (ja) | 2022-12-22 |
WO2019058597A1 (ja) | 2019-03-28 |
JP7162705B2 (ja) | 2022-10-28 |
JP2021168422A (ja) | 2021-10-21 |
KR20220151032A (ko) | 2022-11-11 |
KR102393155B1 (ko) | 2022-05-02 |
KR20200041962A (ko) | 2020-04-22 |
KR20220121899A (ko) | 2022-09-01 |
US20200216961A1 (en) | 2020-07-09 |
KR102434943B1 (ko) | 2022-08-23 |
CN111033700A (zh) | 2020-04-17 |
KR20220061270A (ko) | 2022-05-12 |
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