JP7156466B2 - フォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ、並びにフォトンカウンティング型放射線検出器用の蛍光材料の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、イットリウムおよびアルミニウムを含む組成を有するペロブスカイト型セラミック蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びにセラミック蛍光材料の製造方法に関する。

放射線画像システムは、被写体にα線、β線、γ線、Ｘ線等の放射線を照射し、被写体を透過した放射線を画像化する。放射線画像システムは断層撮影などの医療分野、非破壊検査などの工業分野、手荷物検査などのセキュリティ分野、高エネルギー物理学などの学術分野等の多様な応用分野で利用されている。

現在、主として商業的に利用されている放射線画像システムは、放射線の強度を電気信号に変換する放射線検出器を用いる。放射線検出器は、放射線の強度を光に変換する為のシンチレータと、光を電気信号に変換する為のＣＣＤ等の光検出器とを含む。

種々の分野において、より高精細、かつ、より低放射線量で画像を取得できる放射線画像システムが求められている。このような放射線画像システムとして、例えば特許文献１に開示されているように、光子の数を計測することができるフォトンカウンターを用いて、放射線を検出するフォトンカウンティング型の放射線検出器が検討されている。

特開２０１２－３４９０１号公報

特許文献１に開示されたＸ線ＣＴ装置は、放射線検出器としてＣｄＴｅシンチレータを用いる。ＣｄＴｅシンチレータは比較的高価であり、毒性を有する。また、大型のＣｄＴｅ単結晶を得ることが容易ではないため、放射線の検出面を大きくすることが難しい。

本開示は、この様な課題に鑑み、フォトンカウンティング型の放射線検出器に使用可能なセラミック蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びにセラミック蛍光材料の製造方法を提供する。

本開示のセラミック蛍光材料は、Ｃｅ_ｘ（Ｙ_1-ｙＬｕ_ｙ）_１－ｘＡｌＯ_３で表される組成を有する主成分を含み、前記ｘ、ｙが０．００１≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１を満足する。

前記主成分はペロブスカイト構造を有し、Ｃｅを発光元素とする蛍光体であり、前記セラミック蛍光材料は、Ｃｅ、Ｙ、ＬｕおよびＡｌの合計量に対して、Ｃｅを０．０５原子％以上５０原子％未満、Ｙを０原子％以上４９．９５原子％以下、Ｌｕを０原子％以上４９．５原子％以下、かつ、Ｃｅ、ＹおよびＬｕの合計を５０原子％、およびＡｌを５０原子％の割合で含んでいてもよい。

前記セラミック蛍光材料は、９５質量％以上の割合で、前記主成分を含んでいてもよい。

前記ｘは、０．００６≦ｘ＜１を満足していてもよい。

前記ｘは、０．０１≦ｘ≦０．１を満足していてもよい。

前記ｙは、０＜ｙ＜０．５を満足していてもよい。

前記ｙは、０．０００３≦ｙ≦０．０１を満足していてもよい。

前記ｙは、０．４≦ｙ≦０．６を満足していてもよい。

前記セラミック蛍光材料は、異相としてＣｅＯ_２相を含み、前記セラミック蛍光材料の断面のＢＳＥ像における前記ＣｅＯ_２相の面積の割合は、０．５％以下であってもよい。

本開示のセラミックシンチレータは、上記いずれかに記載のセラミック蛍光材料を含み、相対密度が９９％以上である。

本開示の放射線検知器は、上記セラミックシンチレータと、光を電気信号、電流値または電圧値のいずれかに変換する光電変換素子とを備える。

本開示のセラミック蛍光材料の製造方法は、焼成後の組成が、Ｃｅ_ｘ（Ｙ_1-ｙＬｕ_ｙ）_１－ｘＡｌＯ_３（０．００１≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）となるように、Ｃｅと、Ａｌと、Ｙと、Ｌｕとをそれぞれ含む素原料を用意する工程と、前記素原料を混合及び粉砕し、原料粉末を得る工程と、前記原料粉末を成形し、成形体を得る工程と、前記成形体を還元雰囲気中、１６００℃～１８００℃の温度で焼結させる工程とを包含する。

本開示によれば、蛍光の減衰時定数が小さく、フォトンカウンティング型の放射線検出器に使用可能なセラミック蛍光材料、及びセラミック蛍光材料の製造方法が得られる。また、このような特性を備えたセラミック蛍光材料を含み、大面積化が可能なセラミックシンチレータおよび放射線検出器が得られる。

Ｃｅ_ｘＹ_1-ｙＡｌＯ_３で示される組成のセラミック蛍光材料の減衰時定数τ を求めた実験例であって、Ｃｅ量ｘと蛍光の減衰時定数τとの関係を示す図である。 Ｃｅ_0.03(Ｙ_1-ｙＬｕ_ｙ)_0.97ＡｌＯ_３で示される組成のセラミック蛍光材料の減衰時定数τを求めた実験例であって、Ｌｕ量ｙと蛍光の減衰時定数τとの関係を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、実験例のセラミック蛍光材料の粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。 （ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、酸素雰囲気下で焼成したセラミック蛍光材料、大気雰囲気下で焼成したセラミック材料および実験例のセラミック蛍光材料のＢＳＥ像である。 （ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）と同じ領域についてＣｅの元素マッピングを行った図である。 （ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すＢＳＥ像を画像処理した図である。

本願発明者は、フォトンカウンティング型の放射線検出器に使用可能な蛍光材料、セラミックシンチレータに必要な物性を検討し、その物性を実現し得る蛍光材料の組成を詳細に検討した。

従来の強度積分型の放射線検出器は、マイクロ秒からミリ秒オーダーの所定の時間間隔（この時間間隔を１フレームとよぶ）で放射線を対象物に照射し、対象物を透過した放射線が入射することによってシンチレータが発する蛍光を光検出器で検出し、電気信号に変換する。放射線は、上述の所定の時間間隔よりも短い期間、対象物に照射される。

シンチレータの蛍光材料は、放射線の照射時に強い蛍光を発するが、放射線照射が停止した後、すぐに蛍光はゼロとはならず、弱い蛍光が持続する。これを残光と呼ぶ。残光は例えば、放射線照射中の発光強度Ｉ_０と、放射線照射停止から一定時間経過後の発光強度Ｉ_ｒとを用い、Ｉ_ｒ/Ｉ_０（ｐｐｍ）で定義される。一定時間とは、光検出器からの信号処理速度や、被対象物の被爆なども考慮してミリ秒（ｍｓ）のオーダーが選ばれる。

放射線画像システムは、ノイズ等による影響を低減するため、各フレームにおいて、放射線の照射時に放射線検知器から得られた電気信号から、放射線の照射停止時に放射線検知器から得られた電気信号を差し引いた信号を、検出した放射線の強度として処理する。このため、残光が大きいと、相対的に検出した放射線強度が小さくなる。このことから、従来の強度積分型の放射線検出器では、蛍光材料の残光は小さいことが好ましい。

これに対し、フォトンカウンティング型の放射線検出器は、蛍光材料の極めて短時間の発光によるフォトンの数を計測することが可能な光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンター（シリコンフォトマルチプライヤー）などを備え、フォトンの数をパルス信号として読み出す。フォトンカウンティング型の放射線検出器では、発光強度に一定の閾値を設けて読み出しを行うため、蛍光材料の発光強度は上述した従来の強度積分型の放射線検出器に求められる蛍光材料ほど大きくなくてよい。また、残光が生じていても、残光の強度が上述した閾値以下であれば、残光が検出されることはないため、残光の有無は発光の検出に大きな影響を与えない。

一方、フォトンカウンティング型の放射線検出器を備えた放射線画像システムでは、発光の数が放射線の強度に比例するため、蛍光の減衰時間が長いと、発光が重複し、正確な発光の数が検出できない。このため、フォトンカウンティング型の放射線検出器に用いられるシンチレータおよび蛍光材料は、非常に短い時間で蛍光が減衰すること、具体的には、ナノ秒前後のオーダーの時間で発光強度が１／ｅ程度まで減衰する特性が求められる。このように、フォトンカウンティング型の放射線検出器に好適に用いられる蛍光材料には、従来の放射線検出器用の蛍光材料とは全く異なる特性が求められる。

蛍光材料における蛍光の減衰時間は、主として発光元素に依存する。本願発明者は、蛍光の減衰時間が短い発光元素としてＣｅに注目し、Ｃｅを発光元素として含有可能な蛍光材料を検討した。その結果、ＹＡｌＯ_３、すなわち、イットリウムアルミニウムペロブスカイト（以下、ＹＡＰと略す場合がある）を母材とし、Ｃｅを高い濃度で含有させることによって、蛍光の減衰時間が短い蛍光材料を実現し得ることが分かった。

ＹＡＰは陽電子放射断層撮影（以下、ＰＥＴと略す場合がある）用シンチレータとして知られている。しかし、ＰＥＴでは、γ線を十分に減衰できることが重要である。このため、重い元素を用い、密度の高い単結晶のＹＡＰが用いられる。本願発明者の詳細な検討によれば、単結晶に添加し得るＣｅの量は少なく、Ｃｅの添加量を多くすると、Ｃｅが遊離してしまい、単結晶を得ることが困難になる。このような知見に基づき、発明者は、新規なセラミック蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びにセラミック蛍光材料の製造方法を想到した。以下、本開示のセラミック蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びにセラミック蛍光材料の製造方法を詳細に説明する。

（蛍光材料の組成および物性）
本開示のセラミック蛍光材料は、一般式（以下、一般式（１）と呼ぶ）：Ｃｅ_ｘ（Ｙ_1-ｙＬｕ_ｙ）_１－ｘＡｌＯ_３で表される組成を有する主成分を含む。ｘおよびｙは、それぞれ、以下の範囲を満たしている。
０．００１≦ｘ＜１
０≦ｙ≦１

つまり主成分は、Ｃｅ、Ｙ、ＬｕおよびＡｌの合計量に対して、Ｃｅを０．０５原子％以上５０原子％未満、Ｙを０原子％以上４９．９５原子％以下、Ｌｕを０原子％以上４９．５原子％以下、かつ、Ｃｅ、ＹおよびＬｕの合計を５０原子％、およびＡｌを５０原子％の割合で含んでいる。

上記一般式（１）において、Ｃｅは発光イオンとして機能する。本開示のセラミック蛍光材料の特徴の１つは、上記一般式（１）で表される組成の材料を単結晶ではなく、多結晶体であるセラミックとしてシンチレータに用いる点にある。多結晶体であることにより、単結晶である場合に比べてより多くのＣｅをＹＡＰに固溶させることができる。後述するようにＣｅ濃度が高いほうが、蛍光の減衰時間が短くなる。本開示において、セラミック蛍光材料の蛍光の減衰時間は、蛍光の減衰時定数τで評価する。減衰時定数τは、励起光であるＸ線の照射停止時刻をゼロとして、Ｘ線照射停止後の蛍光の発光強度がＸ線照射中の蛍光の発光強度に対する強度比で１／ｅ（＝０．３６７９）になる時刻で定義される。より具体的には、例えば、パルスＸ線管を用い、３０ｋＶの管電圧でＸ線を発生させ、蛍光材料にＸ線を照射した場合において、Ｘ線の照射停止後、発光強度が１／ｅに減衰するまでの時間を減衰時定数τと定義する。減衰時定数の単位は時間であるため、残光のように強度比（ｐｐｍ）ではなく、ナノ秒（ｎｓ）などとなる。

一般に蛍光材料における残光は蛍光材料の欠陥の多さに関係している。これに対し、減衰時定数τは、発光元素のエネルギー源による励起によって生じる電子の遷移に関係しており、Ｘ線、紫外線、ガンマ線等のエネルギー源の種類によっても、減衰時定数τは異なり得る。

一般式（１）におけるＣｅ量を示すｘは、０．００１≦ｘ＜１を満たしている。ｘが０．００１以上であることにより、減衰時定数τを３５ｎｓ程度以下にすることができる。この減衰時定数τは、単結晶のＹＡＰでは、Ｃｅを添加しても達成することが困難な値である。Ｃｅ量が増えるにしたがって、減衰時定数τも短くなる。ｘは０．００６以上であれば、減衰の時定数τは約２０ｎｓ以下になるため、好ましい。また、ｘが０．０１以上であれば、減衰の時定数τは約１５ｎｓ以下になるため、さらに好ましい。

減衰の時定数τを短くするという観点では、Ｃｅの量の上限に制限はなく、ｘは１未満であればよい。しかし、Ｃｅ量が多くなると均一なセラミック体であるセラミック蛍光材料を得ることが難しくなる。このため、製造のしやすさという観点では、ｘは、０．１以下であることが好ましい。

Ｌｕ量を示すｙは、発光量に関連しており、０≦ｙ≦１を満たしている。発光量を多くするためには、ｙは０．４≦ｙ≦０．６を満たしていることが好ましい。ただし、フォトンカウンティング型の放射線検出器では、光子を高感度で検出することができるため、発光強度が高くなくてもフォトンカウンティング型の放射線検出器を実現できる場合がある。この場合、他の観点、例えば、製造のしやすさ、有効原子番号等の観点からＬｕの量を決定することができる。ＬｕはＹに比べて融点が高いため、Ｌｕ量が増えるほどＹＡＰセラミックスの融点も上昇し、緻密なセラミックスを得ることは困難になる。光の透過する透明セラミックスを得るという観点から、Ｌｕ量は少ない方が好ましい。例えば、ｙは０＜ｙ＜０．５であることが好ましい。

本開示のセラミック蛍光材料の密度は、以下に説明する相対密度の評価において９９％以上であることが好ましい。相対密度の計算方法は以下の通りである。まず、一般式（１）において、ｘ＝０、ｙ＝０の場合（組成式：ＹＡｌＯ_３）の格子定数をＩＣＤＤ（International Centre for Diffraction Data）のデータより引用し、それを基準に体積を算出する。次に相対密度を算出しようとする試料の組成式から質量として式量を算出する。そして、体積と式量とから求めた密度を理論密度とする。次に、蛍光材料の実測密度を測定し、前記理論密度で割って相対密度を算出する。相対密度が小さい場合、光が透過しなくなるため、相対密度は９９％以上が好ましい。

本開示のセラミック蛍光材料は上述した主成分を９５質量％以上の割合で含んでいることが好ましい。セラミック蛍光材料は、主成分以外に未反応の原料、副生成物、不可避的不純物等を０．５質量％未満の割合で含んでいてもよい。例えば、セラミック蛍光材料は、原料である酸化セリウム（ＣｅＯ_２）を異相として含んでいてもよい。セラミック蛍光材料が、酸化セリウムを異相として含む場合、主成分、つまり主相に固溶したＣｅと、異相に存在するＣｅとを、元素分析等で区別することは困難な場合ある。この場合、セラミック蛍光材料の断面を観察することによって、異相の割合を評価し得る。本開示のセラミック蛍光材料の断面のＢＳＥ像におけるＣｅＯ_２相の面積の割合は、０．５％以下であることが好ましい。ここで、断面の観察は、１０００倍から５０００倍の倍率で行う。

（蛍光材料の製造方法）
本開示による蛍光材料の製造方法の一例を説明する。まず、焼成後に一般式（１）で表される比率で、Ｃｅ、Ａｌ、ＹおよびＬｕを含む素原料を用意する。つまり、製造工程中、例えば素原料の粉砕工程において、メディア等からＡｌ_２Ｏ_３が混入する場合には、その混入量分だけ、一般式（１）で表される比率からＡｌを差し引いた量の素原料を用意する。具体的には、Ｃｅ、Ａｌ、ＹおよびＬｕの、酸化物、又は炭酸塩等の素原料を用意し、混入するＡｌ_２Ｏ_３を考慮した上で、一般式（１）で示す組成比となるように素原料を秤量する。次に、秤量した素原料に必要に応じて溶媒を加え、ボールミル等で混合及び粉砕する。混合物を乾燥させることによって原料粉末を得る。原料粉末を適当な篩で造粒し、プレス成形することによって成形体を得る。その後、成形体を還元雰囲気中、１６００℃～１８００℃の温度で、０．５～１２時間保持することによって成形体を焼結させる。れにより、多結晶のセラミック蛍光材料が得られる。還元雰囲気とは、例えば、水素が添加された窒素ガス等をいう。

一般式（１）で示す組成のセラミック蛍光材料中、Ｃｅは３価で存在すると考えられるが、Ｃｅを含む素原料として、一般的に入手が容易であるのは、ＣｅＯ_２であり、素原料中Ｃｅは４価の状態で存在する。このため、ＹＡＰにＣｅを導入するために、Ｃｅを還元する必要があり、還元雰囲気中で素原料を焼結させることが好ましい。これにより、高い濃度でＣｅをＹＡＰに導入することが可能となる。

上記製造方法の他、本開示のセラミック蛍光材料は、無機塩法などによって製造することも可能である。

本開示のセラミック蛍光材料は、一般的なセラミックと同様の工程によって作製することが可能であるため、低コストで生産性に優れた蛍光材料であり、かつ、大面積のセラミックシンチレータを比較的容易に作製することが可能である。そのため、本開示のセラミックシンチレータを用いることにより、単結晶シンチレータと異なり、大量の蛍光材料を配列したり、大面積のセラミックシンチレータを加工することで、放射線の検出面が大きな放射線検出器を容易に得ることができる。

（蛍光材料を用いた実施形態）
［セラミックシンチレータ］
得られた多結晶のセラミック蛍光材料を、例えば、内周スライサーで適当な厚さの板として切断し、酸素雰囲気中、例えば１２５０℃～１３５０℃の温度で、０．５～１２時間保持することによって熱処理を施す。その後、表面に光学研磨を施すことによって、セラミックシンチレータが得られる。焼結によって得られた蛍光材料が所望の形状を有している場合には、上述した熱処理および光学研磨を施すことによって、セラミックシンチレータを得ることが可能である。

［放射線検出器］
本開示のセラミックシンチレータと、高感度に光を計測可能な光電子増倍管や、マルチピクセルフォトンカウンター（シリコンフォトマルチプライヤー）などの光検出器とを組み合わせることによって、放射線検出器を構成することができる。例えば、放射線検出器は、受光面を備える光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンター等の光検出器と、前記光検出器の受光面に配置されたセラミックシンチレータとを備える。セラミックシンチレータには、上述した本開示のセラミックシンチレータを用いることができる。光検出器は、好ましくは光に対して高感度であり、極めて短時間の発光を計測可能である。さらに好ましくは５３０ｎｍ程度以上６００ｎｍ程度以下の波長範囲において、検出感度を有する。上述したように、本発明のシンチレータを構成している蛍光材料における蛍光の減衰時定数は小さい。このため、高時間分解能な光検出器と組み合わせて、放射線を検出することが可能であり、フォトンの数が計測可能な光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンター等と好適に組わせることが可能である。

（実施例）
［実験例１］
種々の組成の蛍光材料を作製し、特性を調べた結果を説明する。

素原料として、Ｙ_２Ｏ_３（純度５Ｎ）、ＣｅＯ_２（純度４Ｎ）、Ａｌ_２Ｏ_３（純度５Ｎ）を用意し、総重量が２００ｇとなるよう、下記表１の試料１から試料６に示す割合（元素比）で素原料を秤量した。ただし、粉砕工程においてメディアとして用いるアルミナのボールからＡｌ_２Ｏ_３が混入して、それが一般式（１）のセラミック蛍光材料を得るための原料Ａｌ_２Ｏ_３に加わる。このため、一般式（１）において、ＣｅとＹとの合計とＡｌとの割合が１：１ではなく、１：０．９８になるように、素原料を秤量した。

１Ｌの容量のポリプロピレン製ポットに、秤量済みの各試料の素原料と、１２５０ｇの直径５ｍｍのＡｌ_２Ｏ_３ボールと、２００ｍＬのエタノールをそれぞれ投入し、ポットを分速１００回転で４０時間回転させ、原料を混合・粉砕した。原料をアルミナ製の容器に回収し、ホットプレートによって、容器ごと１２０℃で加熱して、エタノールを蒸発させ、原料を乾燥させた。その後、原料をアルミナ乳鉢で解砕し、目開き５００μｍの篩に通した。

原料を成型金型に入れ、一軸加圧成型機を用いて金型に３０ＭＰａの圧力を印加して、粉末の成型体を得た。この成型体をビニル袋に真空封止したのち、冷間等方加圧装置を用いて２９４ＭＰａの圧力を印加して、さらに押し固めた。

成型体を、２％の水素を含む窒素雰囲気下にて１７００℃で６時間熱処理し（焼成し）、試料１～試料６のセラミック蛍光材料を得た。

［実験例２］
素原料として、Ｌｕ_２Ｏ_３（純度５Ｎ）、Ｙ_２Ｏ_３（純度５Ｎ）、ＣｅＯ_２（純度４Ｎ）、Ａｌ_２Ｏ_３（純度５Ｎ）を用意し、表２の組成で秤量し、実験例１と同様に試料７～試料１１のセラミック蛍光材料を得た。

[特性の測定]
作製した試料１～１１の蛍光の減衰時定数τを求めた。パルスＸ線管を用い、３０ｋＶの管電圧でＸ線を発生させ、試料１～１１にＸ線を照射し、Ｘ線の照射停止後、発光強度が１／ｅに減衰するまでの時間を減衰時定数τとして求めた。蛍光の測定には、浜松ホトニクス製蛍光寿命測定器のＱｕａｎｔａｕｒｕｓ－τ（Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ－Ｔａｕ）を用いた。試料１～６のＣｅの組成ｘと減衰時定数τとの関係を図１に示す。また、試料７～１１のＬｕの組成ｙと減衰時定数τとの関係を図２に示す。

試料３の粉末Ｘ線回折スペクトルを測定した。結果を図３（ａ）および（ｂ）に示す。比較のため、焼成時の雰囲気が、大気又は酸素雰囲気であることを除いて実験例１の試料３と同じ条件で作成した試料の粉末Ｘ線回折スペクトルを合わせて示す。

酸素雰囲気で焼成した試料、大気雰囲気で焼成した試料および試料３について、組織のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察をＪＥＯＬ製のＪＳＭ－７００１Ｆを用いて行った。５０００倍で観察したＢＳＥ（Backscattered electron）像を図４（ａ）～（ｃ）に示す。図５（ａ）～（ｃ）は、図４と同じ領域において、ＥＤＸ法（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）によってＣｅ元素を分析したＣｅ元素マッピングの結果を示す。また、図６（ａ）～（ｃ）は、図５（ａ）～（ｃ）に二値化処理を行い、黒色で示したＣｅＯ_２相の領域を示す。断面におけるＣｅＯ_２相の領域割合を表３に示す。

[考察]
図１に示すように、一般式（１）で示されるセラミック蛍光材料において、Ｃｅの添加量が増えるに従い、減衰時定数τは短くなることが分かる。図１において、単結晶のＣｅープＹＡＰの減衰時定数τを測定し、合わせて示した。Ｃｅの量ｘが、０．００１以上であれば、減衰時定数τを３５ｎｓ程度以下にすることができることが分かった。また、Ｃｅの量ｘが、０．００６以上であれば、減衰時定数τは約２０ｎｓ以下になり、ｘが０．０１以上であれば、減衰時定数τは約１５ｎｓ以下になることが分かった。

図２に示すように、一般式（１）で示されるセラミック蛍光材料において、Ｌｕの量ｙが増えるに従い、減衰時定数τはわずかに短くなる傾向にあるが、Ｌｕの量によって減衰時定数τは大きくは変化しないことが分かる。これは、上述したように、減衰時定数τは、Ｃｅが添加される母材にはあまり影響されず、主として発光元素に依存することを示していると考えられる。

したがって、例えば、減衰時定数τをあまり変化させずに、Ｌｕの量を異ならせて、セラミック蛍光材料の有効原子番号を調節することができる。

図３（ａ）は、作製した試料３の粉末Ｘ線回折スペクトルを示し、（ｂ）はその一部を拡大して示している。３４．５°付近にＣｅ_０．０３Ｙ_０．９７ＡｌＯ_３に由来する大きなピークがみられる（ペロブスカイト構造を同定）。図３（ａ）および（ｂ）に示すように、酸素雰囲気下又は大気雰囲気下で作成した試料には、２８．２℃付近にＣｅＯ_２に由来するピークがみられるのに対し、還元雰囲気で作製した試料３には、このピークは見られない。これらの結果から、本開示のセラミック蛍光材料を作製する際には、還元雰囲気で焼結を行うことが重要であること、還元雰囲気で焼結を行うことによって、高い濃度でＣｅをＹＡＰに固溶させることができることが分かる。

図４（ａ）～（ｃ）において、白色で示される領域は、一般式（１）で示される組成の相の粒界に析出したＣｅＯ_２相と考えられる。この図に示すように、焼成時の雰囲気に酸素が含まれるほど、ＣｅＯ_２が主相に固溶せず、大きな異相として存在していることが分かる。これに対し、還元性雰囲気で焼成した実施例の試料３では、ＣｅＯ_２相は小さい。なお、図４（ａ）～（ｃ）において、主相およびＣｅＯ_２相以外に、ガーネット相（主相より濃い領域）および気孔（黒）等が、示されていると考えられる。

表３に示すように、作成した試料３の観察した断面におけるＣｅＯ_２相の面積は、０．０１％であり、主相に固溶しなかったＣｅＯ_２はごくわずかである。これに対し、酸素雰囲気で焼成した試料では、ＣｅＯ_２の還元が十分には進まなかったため、主相に固溶しにくく、ＣｅＯ_２として残っていると考えられる。本開示のセラミック蛍光材料によれば、断面のＢＳＥ像におけるＣｅＯ_２相の領域の割合は、約０．５％以下である。

以上の結果から、本開示のセラミック蛍光材料によれば、一般式（１）の組成を有することにより、減衰時定数τが小さく、フォトンカウンティング型の放射線検出器に使用可能な蛍光材料を得ることが確認できた。

本開示のセラミック蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びにセラミック蛍光材料の製造方法は、種々の用途の蛍光材料、シンチレータおよび放射線検出器に好適に用いられ、例えば、放射線画像システム用のフォトンカウンティング型の放射線検出器に好適に用いられる。

Claims (10)

1. Ｃｅ_ｘ（Ｙ_1-ｙＬｕ_ｙ）_１－ｘＡｌＯ_３で表される組成を有する主成分を含み、前記ｘ、ｙが
   ０．００１≦ｘ＜１
   ０≦ｙ≦１
   を満足する蛍光材料を含む、フォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
2. 前記主成分はペロブスカイト構造を有し、Ｃｅを発光元素とする蛍光体であり、
   前記フォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータは、Ｃｅ、Ｙ、ＬｕおよびＡｌの合計量に対して、
   Ｃｅを０．０５原子％以上５０原子％未満、
   Ｙを０原子％以上４９．９５原子％以下、
   Ｌｕを０原子％以上４９．５原子％以下、
   かつ、
   Ｃｅ、ＹおよびＬｕの合計を５０原子％、および
   Ａｌを５０原子％、の割合で含む、請求項１に記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
3. 前記フォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータは、９５質量％以上の割合で、前記主成分を含む、請求項１に記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
4. 前記ｘは、
   ０．００６≦ｘ＜１
   を満足する請求項１から３のいずれかに記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
5. 前記ｘは、
   ０．０１≦ｘ≦０．１
   を満足する請求項１から３のいずれかに記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
6. 前記ｙは、
   ０＜ｙ＜０．５
   を満足する請求項１から５のいずれかに記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
7. 前記ｙは、
   ０．０００３≦ｙ≦０．０１
   を満足する請求項１から５のいずれかに記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
8. 前記ｙは、
   ０．４≦ｙ≦０．６
   を満足する請求項１から５のいずれかに記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
9. 請求項１から８のいずれかに記載のフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータであって、相対密度が９９％以上であるフォトンカウンティング型放射線検出器用のセラミックシンチレータ。
10. 焼成後の組成が、Ｃｅ_ｘ（Ｙ_1-ｙＬｕ_ｙ）_１－ｘＡｌＯ_３（０．００１≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）となるように、Ｃｅと、Ａｌと、Ｙと、Ｌｕとをそれぞれ含む素原料を用意する工程と、
    前記素原料を混合及び粉砕し、原料粉末を得る工程と、
    前記原料粉末を成形し、成形体を得る工程と、
    前記成形体を還元雰囲気中、１６００℃～１８００℃の温度で焼結させる工程と、
    を包含するフォトンカウンティング型放射線検出器用の蛍光材料の製造方法。
    

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