JP7154409B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１には、基板に光学膜を形成する光学膜形成装置が開示されている。この光学膜形成装置では、基板に光学材料を含む塗布液を塗布して光学膜を形成した後、光学膜の周囲の雰囲気を減圧して、当該光学膜を乾燥させる。

特開２０１８－４８６２号公報

本開示にかかる技術は、基板を保持する基板保持部の基板保持面の平面度を適切に調節する。

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する保持面を有する基板保持部と、前記保持面に保持された前記基板に所望の処理を施す基板処理部と、前記基板保持部の裏面側から圧力を付与することで前記保持面の平面度を調節する平面度調節部と、を有し、前記基板保持部は内部に中空部を有し、前記平面度調節部は、前記中空部を加圧する加圧機構を有する。

本開示によれば、基板を保持する基板保持部の基板保持面の平面度を適切に調節する。

本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成の概略を示す平面図である。 本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成の概略を示す側面図である。 塗布ノズルの構成の概略を示す斜視図である。 第１の実施形態にかかるステージの構成の概略を示す（ａ）縦断面図（ｂ）平面図である。 本実施形態にかかる塗布膜形成処理の主な工程の説明図である。 基板に直線偏光膜を形成する様子を示す説明図である。 基板にλ／４波長膜を形成する様子を示す説明図である。 ステージの変形の様子を模式定期に示す縦断面図である。 基板と塗布ノズルの平行度調節の様子を模式的に示す説明図である。 第２の実施形態にかかるステージの構成の概略を示す縦断面図である。 第２の実施形態にかかるステージの変形例を示す縦断面図である。 第３の実施形態にかかるステージの構成の概略を示す縦断面図である。 本開示の他の適用例を示す説明図である。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）には、外光の反射防止のために円偏光板が用いられている。円偏光板は、直線偏光板と波長板（位相差板）を、その偏光軸が４５度で交差するように積層して作製される。また、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）にも、表示における旋光性や複屈折性を制御するために、これら直線偏光板と波長板が用いられている。

従来、このような偏光板や波長板は、例えば延伸フィルムを用いて作製されている。延伸フィルムは、フィルムを一方向に延伸させることで、その材料中の分子を一方向に配向させたものである。しかしながら、近年のＯＬＥＤやＬＣＤの薄型化に伴い、偏光板や波長板における薄膜化が求められているが、延伸フィルム自体の膜厚を小さくするのには限界があり、十分な薄膜を得ることができない。

そこで、上述した特許文献１に開示された方法のように、基板に所望の材料（液晶性材料）を含む塗布液を塗布し、必要な膜厚の塗布膜を形成することで、薄膜化が図られている。具体的には、例えば液晶性材料を含む塗布液を基板に塗布し、流延・配向させる。液晶は塗布液中で超分子会合体を形成しており、せん断応力を加えながら塗布液を流動させると超分子会合体が流動方向に配向する。

ここで、前述した必要な膜厚の塗布膜を形成するためには、基板上に塗布液を塗布する塗布ノズルの吐出口と、基板保持部としてのステージ上に保持された基板とのギャップを制御することが重要になる。具体的には、特許文献１に開示されるように、前記塗布膜は塗布ノズルから吐出された塗布液をステージに保持された基板に当接させた状態で、ステージと塗布ノズルを移動させることによって形成される。かかる際、形成される塗布膜の膜厚を小さくするためには、ステージに保持された基板と塗布ノズルの吐出口とのギャップを小さくする必要がある。

しかしながら、基板を保持するステージとして大型のステージを使用する場合、当該大型ステージ上で行われる基板処理の影響、例えば温度変化により当該大型ステージの平面度を確保することが困難になり、基板の保持面に凹凸が生じる場合がある。このようにステージ上に凹凸が生じた場合、ステージ上に保持された基板と塗布ノズルの吐出口とのギャップが基盤の面内において均一とならず、形成された塗布膜の膜厚が面内で均一とならず、偏光板や波長板における光学特性が悪化する場合がある。したがって、従来の塗布膜形成装置には改善の余地がある。

本開示にかかる技術は、基板を保持する基板保持部の基板保持面の平面度を適切に調節する。具体的には、ステージの平面度の悪化を検出した際、当該ステージの裏面側から圧力を付与することによって、ステージの平面度を調節する。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての塗布膜形成装置及び基板処理方法としての塗布膜形成方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜塗布膜形成装置の構成＞
先ず、本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成について説明する。図１は、塗布膜形成装置１０の構成の概略を示す平面図である。図２は、塗布膜形成装置１０の構成の概略を示す側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

本実施形態では、ＯＬＥＤに用いられる円偏光板を作製する場合において、塗布膜として、直線偏光膜（直線偏光板）とλ／４波長膜（λ／４波長板）を、例えばガラス基板などの基板Ｗ（ワーク）に形成する場合を例にとって説明する。なお、直線偏光膜とλ／４波長膜が形成される前の基板Ｗ上には、例えば複数の有機膜（図示せず）などが積層して形成されている。

塗布膜形成装置１０は、処理容器１１を有している。処理容器１１の側面には基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器１１の内部には、塗布膜形成装置１０の外部との間で基板Ｗの搬入出を行う搬入出領域Ａ１と、後述のステージ２０上に保持された基板Ｗに対して所望の処理を行う処理領域Ａ２とが形成されている。

処理容器１１の内部には、基板Ｗを保持する保持面を上面に有する基板保持部としてのステージ２０が設けられている。ステージ２０は、基板Ｗに塗布液が塗布される表面が上方を向くように、その裏面を吸着保持する。また、ステージ２０は、平面視において基板Ｗよりも小さい形状を有している。なお、ステージ２０の大きさは本実施形態に限定されず、例えばステージ２０は、平面視において基板Ｗと同じ、あるいは基板Ｗよりも大きい形状を有していてもよい。なお、ステージ２０の詳細な構成については後述する。

ステージ２０は、ステージ２０の下面側のフレーム３０に設けられている。ステージ２０は、例えば移動機構（図示せず）を内蔵し、フレーム３０上を水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動自在に構成されている。具体的には、搬入出領域Ａ１と処理領域Ａ２との間で移動自在に構成されている。なお、本実施形態では、移動機構はステージ２０に内蔵されたが、移動機構の構成はこれに限定されず、例えばステージ２０をレール上で走行させるなど、任意の構成を取り得る。

図１及び図２に示すように搬入出領域Ａ１におけるステージ２０の上方には、測定部としての平面度測定部４１及び平行度測定部４２が設けられている。平面度測定部４１及び平行度測定部４２のそれぞれには、移動機構（図示せず）が設けられている。移動機構は、平面度測定部４１及び平行度測定部４２を水平方向（Ｘ軸方向）に移動させる。なお、移動機構は任意の構成を取り得る。

平面度測定部４１と平行度測定部４２はそれぞれ、Ｙ軸方向に沿って少なくともステージ２０よりも長く延伸している。なお、平面度測定部４１及び平行度測定部４２において測定されたステージ２０の平面度および平行度は、後述する制御部９０に出力される。

なお、平面度測定部４１と平行度測定部４２は図示のようにそれぞれ独立して設けられていてもよいし、それぞれを一体に構成してもよい。また、例えば一の測定部によりステージ２０の平面度および平行度の両方を測定できるように構成されてもよい。

なお、平面度測定部４１と平行度測定部４２の形状も図示の例には限定されず、例えば一般的なＣＣＤカメラや変位計が用いられてもよい。かかる場合、平面度測定部４１及び平行度測定部４２は、移動機構により水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）に移動可能に構成されることが望ましい。

また、図１及び図２に示すように処理領域Ａ２におけるステージ２０の上方には、当該ステージ２０に保持された基板Ｗに塗布液を塗布する、基板処理部としての塗布ノズル５０が設けられている。塗布ノズル５０は、水平方向には移動せず固定されているが、移動機構（図示せず）によって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、塗布ノズル５０は、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に延伸する長尺状のスリットノズルである。図３に示すように塗布ノズル５０の下端面には、基板Ｗに塗布液を吐出する吐出口５１が形成されている。図１に示すように吐出口５１は、塗布ノズル５０の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って、ステージ２０より長い範囲で延伸するスリット状の吐出口である。

図２に示すように塗布ノズル５０には、塗布液供給源５２に連通する供給管５３が接続されている。塗布液供給源５２内には、塗布液が貯留されている。供給管５３には、塗布液の流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群５４が設けられている。また、供給管５３には、塗布液を加熱する加熱器５５が設けられている。

また塗布ノズル５０には、図２に示すように当該塗布ノズル５０の長手方向の両端部における高さ位置を調節するための高さ調節機構５６が設けられており、ステージ２０に保持された基板Ｗと塗布ノズル５０の吐出口５１の平行度を調節自在に構成されている。

なお、塗布ノズル５０から吐出される塗布液は、液晶性材料を含む塗布液である。具体的には、直線偏光膜を形成するための偏光膜用塗布液と、λ／４波長膜を形成するための波長膜用塗布液であり、それぞれ例えば液晶性材料としてリオトロピック液晶やサーモトロピック液晶などの液晶が含まれる。

リオトロピック液晶は、水やその他の極性溶媒と混合した状態で液晶となる。具体的にリオトロピック液晶では、溶媒の量を増加させると、固体（結晶）→液晶→通常液体へと順次変化する。このようにリオトロピック液晶は、溶質（固形分）の濃度で液晶性が決まる。

サーモトロピック液晶は、液晶相となる条件から所望の温度範囲で液晶となる。具体的にサーモトロピック液晶では、温度を上げると、固体（結晶）→液晶→通常液体へと順次変化する。このようにサーモトロピック液晶は、温度で液晶性が決まる。

このようにリオトロピック液晶とサーモトロピック液晶では性質が異なり、結晶化させる方法も異なる。リオトロピック液晶を用いる場合、塗布膜中の液晶性材料の分子が配向された状態で、塗布膜の表面を乾燥させると、塗布膜が結晶化する。一方、サーモトロピック液晶を用いる場合、塗布膜中の液晶性材料の分子が配向された状態で、塗布膜を冷却すると、塗布膜が結晶化する。

なお、ステージ２０及び塗布ノズル５０の下方には、例えばフレーム３０において、塗布液の回収部（図示せず）が設けられていてもよい。回収部は、塗布液を一時的に貯留する。また、回収部で回収された塗布液は、次以降に処理される基板Ｗに対して再利用してもよい。

また、図１及び図２に示すように処理領域Ａ２におけるステージ２０の上方であって、塗布ノズル５０のＸ軸正方向側には、検出部６０と温調部７０が一体に設けられている。検出部６０と温調部７０には、移動機構８０が設けられている。移動機構８０は、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）と同じ方向に、検出部６０と温調部７０を水平方向（Ｘ軸方向）に移動させる。なお、移動機構８０の構成は本実施形態に限定されず、移動機構は任意の構成を取り得る。

検出部６０は、ステージ２０に保持された基板Ｗ上の塗布膜において、液晶性材料の分子の配向状態を検出する。検出部６０は、基板Ｗ上の塗布膜に光を照射する照明部６１と、塗布膜を撮像する撮像部６２を有している。照明部６１と撮像部６２はそれぞれ、Ｙ軸方向に沿って、基板Ｗの移動範囲より長い範囲で延伸している。

照明部６１には、例えば偏光照明が用いられる。撮像部６２には、例えば偏光カメラが用いられる。照明部６１から偏光された光を塗布膜に照射しながら、撮像部６２で当該塗布膜を撮像する。撮像部６２で撮像された画像は、後述する制御部９０に出力される。

制御部９０では、撮像された画像から画素の受光輝度に基づいて、塗布膜に照射する光の波長と、塗布膜から反射する光と波長の変化量、すなわち位相差を検出する。そして、測定された位相差と、正常に液晶性材料の分子が配向した状態の位相差とを比較して、測定時における液晶性材料の分子の配向状態（光学特性）を把握することができる。

なお、位相差は、反射光を用いずに透過光を用いて検出してもよい。すなわち、照明部６１をステージ２０側に設け、基板Ｗの下方から光を照射し、直線偏光板（図示せず）を介して撮像部６２で撮像してもよい。

温調部７０は、ステージ２０に保持された基板Ｗ上の塗布膜の表面に温調ガスを供給し、当該塗布膜の温度を調整する。温調部７０は、塗布膜の表面に温調ガスを供給する給気部７１と、給気部７１から供給された温調ガスを排出する排気部７２と、を有している。給気部７１と排気部７２はそれぞれ、Ｙ軸方向に沿って、基板Ｗの移動範囲より長い範囲で延伸している。また、排気部７２は、給気部７１に対して、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向の下流側（Ｘ軸正方向側）に設けられている。

給気部７１には、ガス供給源７３に連通する給気管７４が接続されている。ガス供給源７３内には、温調ガス、例えば不活性ガスが貯留されている。給気管７４には、温調ガスの流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群７５が設けられている。また、給気管７４は、温調ガスの温度を調整する温度調整部としての温調器７６が設けられている。なお、後述するように、液晶性材料がリオトロピック液晶の場合、温調器７６は温調ガスを所望の温度に加熱する。一方、液晶性材料がサーモトロピック液晶の場合、温調器７６は温調ガスを所望の温度に冷却する。また、温調ガスの温度を調整する方法は、温調器７６に限定されず、例えば給気部７１の供給口に温調器（図示せず）を設けてもよい。

排気部７２には、例えば真空ポンプ７７に連通する排気管７８が接続されている。真空ポンプ７７は、温調ガスを真空引きする。

そして、図１及び図２に示すように温調部７０では、給気部７１から供給された温調ガスは、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向（Ｘ軸正方向）に流れ、排気部７２から排出される。そして、この温調ガスにより、基板Ｗ上の塗布膜が所望の温度に調整される。この際、給気部７１と排気部７２が一対に設けられ、温調ガスは基板Ｗの移動方向下流側に流れ、上流側に流れないので、液晶性材料の分子の配向が乱れるのを抑制することができる。

なお、図１及び図２に示すように温調部７０は、給気部７１と排気部７２を覆い、温調ガスが外部に流出するのを抑制するためのカバー７９を有している。

以上の塗布膜形成装置１０には、制御部９０が設けられている。制御部９０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、塗布膜形成装置１０における基板Ｗの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各構成部の動作を制御して、塗布膜形成装置１０における後述の基板Ｗの処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部９０にインストールされたものであってもよい。

＜第１の実施形態にかかるステージの構成＞
次に、上述したステージ２０の構成の詳細について説明する。図４は、ステージ２０の構成の概略を模式的に示す（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図である。

図４に示すようにステージ２０は、天板２１、底板２２および側壁２３を有した箱型形状を有しており、これにより内部には中空部Ｖが形成されている。ステージ２０は、保持面としての天板２１の上面に基板Ｗを吸着保持する。

ステージ２０に保持された基板Ｗの裏面側には、基板Ｗを下方から支持し昇降させるための複数、例えば３本の昇降ピン２４ａ、２４ｂ、２４ｃが設けられている。昇降ピン２４は、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されており、これにより昇降ピン２４の先端が天板２１から上方に突出自在となり、塗布膜形成装置１０に対する基板Ｗの搬入出を行うための基板搬送機構（図示せず）との間で基板Ｗの授受が可能になっている。なお、昇降ピン２４とステージ２０との摺動部は封止されており、ステージ２０の内部、すなわち中空部Ｖは気密に保たれている。

ここで、塗布膜形成装置１０に大型のステージ２０が配置された場合、当該ステージ２０の温度変化やその他の基板処理に応じて、天板２１が変形する場合がある。具体的には、例えば天板２１が上方または下方に撓んでしまう場合がある。そして、このように保持面としての天板２１が撓んだ場合、保持する基板Ｗが保持面の撓みに追従して変形し、適切に表面に塗布膜を形成できない恐れがある。

そこで本実施の形態にかかるステージ２０には、中空部Ｖに流体、例えば空気を供給してステージ２０の内部を加圧する、平面度調節部としての加圧機構１００が設けられている。加圧機構１００は、例えばステージ２０の天板２１が下方に撓んだ際に作動させることで天板２１を上方に押し上げ、ステージ２０の変形を調節して平面度を調節する。すなわち、天板２１の上面が水平となるようにステージ２０の変形を補正する。

またステージ２０には、中空部Ｖの内部を減圧する、例えば真空ポンプ等の平面度調節部としての減圧機構１０１が設けられている。減圧機構１０１は、例えばステージ２０の天板２１が上方に撓んだ際に作動させることで天板２１を下方に引き下げ、ステージ２０の変形を調節して平面度を調節する。すなわち、天板２１の上面が水平となるようにステージ２０の変形を補正する。

なおステージ２０は、加圧機構１００および減圧機構１０１の動作により、内部圧力と変位量の関係がリニアとなるように構成されることが望ましい。例えば、天板２１の板厚を底板２２や側壁２３の板厚と比べて薄く構成することにより、内部圧力の変化に応じてより適切に平面度の調節することができる。

＜塗布膜形成方法＞
本実施の形態にかかる塗布膜形成装置１０およびステージ２０は以上のように構成されている。次に、以上のように構成された塗布膜形成装置１０を用いて行われる塗布膜形成方法について説明する。液晶性材料としては、リオトロピック液晶とサーモトロピック液晶が用いられるが、本実施の形態においては、リオトロピック液晶の塗布膜を形成する場合を例に説明する。

図５は、塗布膜形成処理の主な工程の説明図である。また、本実施形態では、上述したように塗布膜として、直線偏光膜とλ／４波長膜を、その偏光軸と進相軸が４５度で交差するように基板Ｗに積層して形成する。図６は、基板Ｗに直線偏光膜を形成する様子を示す説明図である。図７は、基板Ｗにλ／４波長膜を形成する様子を示す説明図である。

まず、図５（ａ）に示すように、ステージ２０の平面度および平行度を、平面度測定部４１と平行度測定部４２により測定する。具体的には、移動機構により平面度測定部４１と平行度測定部４２を水平方向（Ｘ軸方向）へ移動させることでステージ２０の全面を走査する。これにより平面度測定部４１は平面視における当該ステージ２０の高さ方向の変位を測定し、ステージ２０の平面度を測定する。また平行度測定部４２はステージ２０の周方向に沿った高さ方向に変位を測定し、ステージ２０の平行度を測定する。測定されたステージ２０の平面度と平行度は、制御部９０に出力される。

なお、ステージ２０の平面度および平行度の測定にあたっては、平面度測定部４１と平行度測定部４２を水平方向に移動させることに代え、ステージ２０を移動機構により移動させてもよい。

ステージ２０の平面度の測定により、ステージ２０の天板２１に高さ方向の変位が検出されなかった場合、すなわち天板２１が平坦であると測定された場合、図５（ｂ）及び図６（ａ）に示すように、ステージ２０上に基板Ｗが保持される。なお基板Ｗは、図示しない基板搬送機構から予め昇降して待機していた昇降ピン２４に受け渡され、続いて、昇降ピン２４を下降させることで、ステージ２０に保持される。

一方、ステージ２０の平面度の測定により、ステージ２０の天板２１に高さ方向の変位が検出された場合、すなわち天板２１に凸変形（図８（ａ））や凹変形（図８（ｂ））が検出された場合、当該天板２１の変形を調節した後に、図５（ｂ）及び図６（ａ）に示すように、ステージ２０上に基板Ｗが保持される。

ここで、平面度測定部４１により検出された天板２１の変形が図８（ａ）に示すような凸変形であった場合、当該天板２１の変形の調節は、図８（ｃ）に示すように、ステージ２０の内部、すなわち中空部Ｖを減圧機構１０１により減圧することにより行われる。このように中空部Ｖを減圧することにより、ステージ２０の内部圧とステージ２０の外気圧（大気圧）との間で差圧が生じ、これにより天板２１の凸変形が補正される。換言すれば、天板２１には裏面側からマイナスの応力が作用することにより平面度が補正される。

また、平面度測定部４１により検出された天板２１の変形が図８（ｂ）に示すような凹変形であった場合、当該天板２１の変形の調節は、図８（ｄ）に示すように、ステージ２０の内部、すなわち中空部Ｖを加圧機構１００により加圧することにより行われる。このように中空部Ｖを加圧することにより、ステージ２０の内部圧とステージ２０の外気圧（大気圧）との間で差圧が生じ、これにより天板２１の凸変形が補正される。換言すれば、天板２１には裏面側からプラスの応力が作用することにより平面度が補正される。

このように本実施の形態にかかるステージ２０においては、平面度測定部４１により測定されたステージ２０の高さ方向の変位、すなわち天板２１の変形に応じて加圧機構１００、減圧機構１０１を作動させ、適切にステージ２０の平面度を調節することができる。そしてこのように、ステージ２０の平面度を調節することで、適切にステージ２０の上面で基板Ｗを保持することができる。

なお、加圧機構１００及び減圧機構１０１によって調節されるステージ２０の内部圧力は、天板２１の変形の度合いによって任意に制御される。

ステージ２０に基板Ｗが保持されると、続いて、塗布ノズル５０が塗布液Ｐ１の目標膜厚に応じた高さに配置される。すなわち、ステージ２０に保持された基板Ｗと塗布ノズル５０の吐出口５１との距離（ギャップＧ１）が調節される。なお、かかる高さ調節におけるギャップＧ１の基準高さ位置は、ステージ２０の表面であってもよい。

ステージ２０上に基板Ｗが保持され、ギャップＧ１が調節されると、基板Ｗに直線偏光膜を形成する。この場合に塗布ノズル５０から基板Ｗに塗布される塗布液は、直線偏光膜を形成するための偏光膜用塗布液である。そして、塗布膜形成装置１０では、図６に示すように基板Ｗを、Ｘ軸方向に沿って、搬入出領域Ａ１から処理領域Ａ２のＹ軸正方向側まで移動させる。

次に、図５（ｃ）及び図６（ｂ）に示すようにステージ２０に保持された基板ＷをＸ軸正方向側に移動させつつ、塗布ノズル５０から塗布液Ｐ１を吐出する。この際、基板Ｗ上では、塗布ノズル５０のＸ軸正向側に塗布液Ｐ１の液だまりが形成され、Ｘ軸負方向側には液だまりは形成されない。そして、基板Ｗに塗布液Ｐ１が塗布され、塗布膜である直線偏光膜Ｐ２が形成される。なお、塗布液Ｐ１と直線偏光膜Ｐ２は、連続するものであり完全に区別されるものではないが、以下の説明においては、塗布ノズル５０から吐出された液を塗布液Ｐ１と称し、基板Ｗ上の膜を直線偏光膜Ｐ２と称する。

このように基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布する際、塗布液Ｐ１はせん断応力（図６中のブロック矢印）が加えられながら塗布される。塗布ノズル５０は移動せず、基板ＷがＸ軸正方向に移動するので、せん断応力はＸ軸負方向に加えられる。

また、せん断応力（シアレート）は、塗布速度（塗布ノズル５０に対するの基板Ｗ移動速度）を、ギャップＧ１で割った値である。塗布ノズル５０にはスリットノズルが用いられるので、塗布ノズル５０は、基板Ｗを傷つけることなく、当該基板Ｗに十分に近接できる。このため、ギャップＧ１を小さくすることができる。そうすると、塗布ノズル５０の移動速度を制御することで、塗布液Ｐ１に十分なせん断応力を加えることができる。またその結果、塗布液Ｐ１中の分子を一方向（Ｘ軸方向）に配向させることができる。

また、このようにギャップＧ１を小さくすることができるため、基板Ｗ上に形成される直線偏光膜Ｐ２を、所望の必要な膜厚まで小さくすることができる。

なお、塗布ノズル５０には、スリットノズル以外の他のノズルを用いることもできるが、精密な膜厚制御を行うことができるという観点からは、スリットノズルが好適である。また、基板Ｗに塗布される塗布液Ｐ１の膜厚は小さく、かかる観点からもスリットノズルが好適である。

図５（ｄ）に示すように基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布する際、基板Ｗの移動方向下流側（Ｘ軸正方向側）では、検出部６０により、基板ＷのＸ軸正方向側の端部における直線偏光膜Ｐ２中の液晶性材料の分子の配向状態が検出される。具体的には、照明部６１から偏光された光を直線偏光膜Ｐ２に照射しながら、撮像部６２で直線偏光膜Ｐ２を撮像する。撮像部６２で撮像された画像は、制御部９０に出力される。制御部９０では、直線偏光膜Ｐ２に照射する光の波長と、塗布膜から反射する光と波長との位相差から、液晶性材料の分子の配向状態を把握する。

この際、基板Ｗの移動と共に、移動機構８０により検出部６０と温調部７０をＸ軸正方向に移動させながら、検出部６０による液晶性材料の分子の配向状態を検出する。そして、検出部６０により液晶性材料の分子が適切に配向されたと検出された際、検出部６０と温調部７０の移動を停止させる。

なお本実施の形態においては、上述のように平行度測定部４２によるステージ２０の平行度が測定されている。そこで、かかるステージ２０の平面度の測定により、ステージ２０に傾斜が検出されていた場合、当該ステージ２０の傾斜を考慮して、塗布液Ｐ１が塗布される。

具体的には、平行度測定部４２により検出されたステージ２０の傾斜が、図９（ａ）や図９（ｂ）に示すようなステージ２０の進行方向に対する傾斜であった場合、当該傾斜に追従して、塗布ノズル５０の高さ方向位置を調節しながら塗布液Ｐ１の塗布を行う。すなわち、塗布液Ｐ１の塗布に際してギャップＧ１が一定となるように、塗布ノズル５０の高さ方向位置が調節される。

また、平行度測定部４２により検出されたステージ２０の傾斜が、図９（ｃ）に示すようなステージ２０の進行方向と直交する方向に対する傾斜であった場合、高さ調節機構５６により塗布ノズル５０の左右高さ位置を調節し、塗布液Ｐ１の塗布を行う。すなわち、塗布ノズル５０の吐出口５１とステージ２０に保持された基板Ｗの表面とが平行となるように、塗布ノズル５０の左右高さ位置が調節される。

なお、ステージ２０の傾斜がステージ２０の進行方向及びその直交方向のそれぞれに傾斜していると測定された場合には、塗布ノズル５０の左右高さ位置を調節すると共に、傾斜に追従して、塗布ノズル５０の高さ方向位置を調節しながら塗布液Ｐ１の塗布を行う。

いずれの場合であっても、本実施形態によれば平面度測定部４１の測定結果に応じて天板２１の平面度の調節が行われているため、すなわち天板２１が平坦に補正されているため、適切に塗布ノズル５０の高さ方向位置をギャップＧ１が一定となるように調節することができる。

続いて、図５（ｅ）に示すように基板Ｗを移動させながら、塗布ノズル５０からの塗布液Ｐ１の吐出を継続しつつ、温調部７０の給気部７１から直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスを供給する。温調ガスは、直線偏光膜Ｐ２の表面をＸ軸正方向に流れ、排気部７２から排出される。なお、図５（ｆ）に示すように基板Ｗが塗布ノズル５０の下方を通過し、塗布ノズル５０からの塗布液Ｐ１の吐出を吐出した後も、給気部７１の下方を基板Ｗが移動する間は、給気部７１からの温調ガスの供給を継続して行う。

この際、給気部７１から供給される温調ガスは、温調器７６によって所望の温度、例えば４０℃～６０℃に加熱されている。ここでリオトロピック液晶は、水やその他の極性溶媒と混合した状態で液晶となる。したがって、本実施形態のように４０℃～６０℃の温調ガスを直線偏光膜Ｐ２の表面に供給することで、直線偏光膜Ｐ２の表面が乾燥し、溶媒が減少するので、当該直線偏光膜Ｐ２が液晶化（固形化）される。

また、直線偏光膜Ｐ２を結晶化させるため、給気部７１から供給される温調ガスは、適切な風量及び風速に制御されている。

なお、本実施形態では、温調ガスにより直線偏光膜Ｐ２の表面を液晶化しているが、このように表面を液晶化すれば、内部もこれに倣って液晶化する。したがって、直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスを供給すれば、直線偏光膜Ｐ２を厚み方向に液晶化することができる。

そして、本実施形態のように温調部７０において、直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスを供給するので、直線偏光膜Ｐ２中の液晶性材料の分子が適切に配向された直後に、液晶化することができる。したがって、液晶性材料の分子の配向が乱れた状態で液晶化することを抑制し、直線偏光膜Ｐ２を適切に形成して、偏光板の所望の光学特性を得ることができる。

なお、塗布ノズル５０から吐出される塗布液Ｐ１の温度と、ステージ２０に保持された基板Ｗの温度はそれぞれ、温調ガスの温度と同じであるのが好ましい。すなわち、塗布ノズル５０から吐出される塗布液Ｐ１は、加熱器５５によって４０℃～６０℃に加熱されているため、ステージ２０に保持された基板Ｗも４０℃～６０℃に加熱されていることが好ましい。

このように塗布液Ｐ１を４０℃～６０℃に加熱しておくと、直線偏光膜Ｐ２の溶媒が内部から表面に流動する。また、基板Ｗを４０℃～６０℃に加熱しておくことで、この溶媒の流動をさらに促進させることができる。そして、溶媒が直線偏光膜Ｐ２の表面に流動した状態で当該表面に温調ガスを供給すると、溶媒が除去され（以下、界面剥離という場合がある）、表面が乾燥して結晶化する。換言すれば、加熱された温調ガス、塗布液Ｐ１、基板Ｗの温度は、直線偏光膜Ｐ２の内部の溶媒分子を拡散させるように補助的に用いられ、温調ガスは、その溶媒を除去するために用いられる。

また、本実施形態では、温調ガスの温度、塗布液Ｐ１の温度、基板Ｗの温度は４０～６０℃であるが、これは溶媒の種類によって決まる。例えば溶媒が水の場合、例えば１００℃まで上げてしまうと、水が沸騰し、液晶性材料の分子の配向を乱す恐れがある。そこで、上記温度によって分子がある程度拡散すればよく、上記温度は４０～６０℃が好ましい。

さらに、本実施形態では、温調ガスの温度、塗布液Ｐ１の温度、基板Ｗの温度を同じにしているので、これら温度差に起因する溶媒の撹拌が抑制される。その結果、液晶性材料の分子の配向の乱れをさらに抑制することができる。

このように、基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布して直線偏光膜Ｐ２を形成した後、直線偏光膜Ｐ２を乾燥させて結晶化する。そして、図６（ｃ）に示すように、基板Ｗを処理領域Ａ２まで移動させて、基板Ｗの全面に直線偏光膜Ｐ２が形成される。なお、基板Ｗに直線偏光膜Ｐ２が形成されると、基板Ｗは塗布膜形成装置１０から搬出され、またステージ２０は元の搬入出領域Ａ１に戻る。

以上のように基板Ｗに直線偏光膜が形成されると、次に、λ／４波長膜をさらに形成する。この場合に塗布ノズル５０から基板Ｗに塗布される塗布液は、λ／４波長膜を形成するための波長膜用塗布液である。そして、塗布膜形成装置１０では、図７に示すように基板Ｗを、Ｘ軸正方向及びＹ軸負方向に斜め４５度方向に沿って、搬入出領域Ａ１から処理領域Ａ２のＹ軸負方向側に移動させる。

なお、λ／４波長膜の形成にあたっては、再度、平面度測定部４１と平行度測定部４２による平面度及び平行度の測定が行われてもよいが、直線偏光膜Ｐ２の形成において既に測定が行われているため、省略することも可能である。

図７（ａ）に示すように搬入出領域Ａ１にステージ２０が移動すると、続いて、塗布ノズル５０が塗布液Ｑ１の目標膜厚に応じた高さに配置される。すなわち、ステージ２０に保持された基板Ｗ、より具体的には基板Ｗと塗布ノズル５０の吐出口５１との距離（ギャップＧ２）が調節される。なお、かかる高さ調節におけるギャップＧ２の基準高さ位置は、ステージ２０の表面であってもよい。

次に、図５（ｃ）及び図７（ｂ）に示すようにステージ２０に保持された基板Ｗを、基板ＷをＸ軸正方向及びＹ軸負方向に斜め４５度方向に移動させつつ、塗布ノズル５０から塗布液Ｑ１を吐出する。そうすると、基板Ｗに塗布液Ｑ１が塗布され、塗布膜であるλ／４波長膜Ｑ２が形成される。なお、塗布液Ｑ１とλ／４波長膜Ｑ２は、連続するものであり完全に区別されるものではないが、以下の説明においては、塗布ノズル５０から吐出された液を塗布液Ｑ１と称し、基板Ｗ上の膜をλ／４波長膜Ｑ２と称する。

このように基板Ｗに塗布液Ｑ１を塗布する際、塗布液Ｑ１はせん断応力（図７中のブロック矢印）が加えられながら塗布される。すなわち、せん断応力はＸ軸負方向及びＹ軸正方向に斜め４５度方向に加えられる。

また、λ／４波長膜Ｑ２を形成する際にも、直線偏光膜Ｐ２を形成する場合と同様に、検出部６０により液晶性材料の分子の配向状態を検出し、温調部７０によりλ／４波長膜Ｑ２を結晶化させる。すなわち、図５（ｄ）に示すように、検出部６０により液晶性材料の分子の配向状態を検出する。

ここで、ステージ２０の平面度が補正できるので、ギャップＧ２を小さくすることができる。これにより、基板Ｗ上に形成されるλ／４波長膜Ｑ２を、所望の必要な膜厚まで小さくすることができる。

なお本実施の形態においては、上述のように平行度測定部４２によるステージ２０の平行度が測定されている。そこで、かかるステージ２０の平面度の測定により、ステージ２０に傾斜が検出されていた場合、当該ステージ２０の傾斜を考慮して、塗布液Ｑ１が塗布される。すなわち、塗布液Ｑ１の塗布に際してギャップＧ２が一定となるように、塗布ノズル５０の高さ方向位置が調節される。

続いて、図５（ｅ）及び図５（ｆ）に示すように温調部７０において、給気部７１からλ／４波長膜Ｑ２の表面に温調ガスを供給する。温調ガスは、λ／４波長膜Ｑ２の表面をＸ軸正方向に流れ、排気部７２から排出される。温調ガスは所望の温度に加温され、λ／４波長膜Ｑ２が結晶化（固形化）される。

このように、基板Ｗに塗布液Ｑ１を塗布してλ／４波長膜Ｑ２を形成した後、λ／４波長膜Ｑ２を乾燥させて結晶化する。そして、図７（ｃ）に示すように基板Ｗを処理領域Ａ２まで移動させて、基板Ｗの全面にλ／４波長膜Ｑ２が形成される。

そして、基板Ｗに直線偏光膜Ｐ２が形成されると、ステージ２０が再び搬入出領域Ａ１に移動し、図示しない基板搬送機構により塗布膜形成装置１０の外部に基板Ｗが搬出される。なお基板Ｗは、昇降ピン２４を上昇されることでステージ２０から昇降ピン２４に受け渡され、続いて、図示しない基板搬送機構に受け渡され、塗布膜形成装置１０の外部に搬出される。こうして、塗布膜形成装置１０における一連の基板処理が終了する。

なお以上の説明において塗布膜は、塗布ノズル５０から塗布した塗布液を基板Ｗに当接させた状態でステージ２０をＸ軸正方向に移動させることで基板Ｗ上に形成されたが、塗布膜の形成方法はこれに限定されない。例えば、塗布ノズル５０から基板Ｗ上に所望の量の塗布液を供給して液だまりを形成した後、当該液だまりを任意の部材により基板Ｗの全面に押し拡げるようにして塗布膜を形成してもよい。

また、以上の説明においては、液晶性材料としてリオトロピック液晶が用いられる場合を例に説明を行ったが、液晶性材料としてサーモトロピック液晶を用いてもよい。かかる場合、塗布膜形成装置１０の温調部７０においては、温調ガスに代え、所望の温度に冷却された温調ガスを供給することで、直線偏光膜Ｐ２が液晶化（固形化）される。なお、温調ガスの冷却温度は、サーモトロピック液晶の種類によって決定される。

以上の実施形態によれば、ステージ２０の平面度を補正した後に、塗布ノズル５０の吐出口５１と基板Ｗの平行度を調節して基板Ｗに直線偏光膜とλ／４波長膜を形成する。すなわち、塗布ノズル５０と基板Ｗとのギャップを一定に保って、面内で均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。

また、上述のようにステージ２０の平面度が補正できるので、ギャップＧ１を小さくすることができ、これにより基板Ｗ上に形成される直線偏光膜とλ／４波長膜の膜厚を十分に小さくすることができる。

なお、以上の実施形態においては平面度調節部として加圧機構１００及び減圧機構１０１をステージ２０に接続したが、平面度調節部の構成はこれに限定されない。

例えば、塗布膜形成装置１０における基板処理においてステージ２０の天板２１が図８（ｂ）に示す凸形状に変形しないことが明らかである場合や、例えば基板処理においてステージ２０の天板２１が自重や外圧により凹形状に変形しやすいと認められる場合、減圧機構１０１を省略し、加圧機構１００のみがステージ２０に接続されてもよい。

また同様に、例えば塗布膜形成装置１０における基板処理においてステージ２０の天板２１が図８（ａ）に示す凹形状に変形しないことが明らかである場合、加圧機構１００を省略し、減圧機構１０１のみがステージ２０に接続されてもよい。

＜第２の実施形態にかかるステージの構成＞
また更に、以上の実施形態においてはステージ２０の内部圧力を加圧機構１００及び減圧機構１０１により調節し、ステージ２０の内部圧力と外気圧との差圧を利用して天板２１の変形を補正したが、平面度調節部は物理的（機械的）に天板２１の変形を補正してもよい。

図１０は、第２の実施形態にかかるステージ２００の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。なお、本実施形態において、上述した第１の実施形態と実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１０の示すようにステージ２００は、平面度調節部としての伸縮部材２０１を有している。伸縮部材２０１は、ステージ２００の平面視におけるステージ２００の中心部において中空部Ｖに設けられている。

伸縮部材２０１は、一端が天板２１の下面側、他端が底板２２の上面側にそれぞれ接続され、図示しないモータ等の駆動機構により長手方向に伸縮自在に構成されている。これにより、例えばステージ２００の天板２１が凸形状に変形した場合、駆動機構の動作により伸縮部材２０１を収縮させることで、天板２１に引張力を付与し、平面度を補正することができる。一方、例えばステージ２００の天板２１が凹形状に変形した場合、駆動機構の動作により伸縮部材２０１を伸長させることで、天板２１に押圧力を付与し、平面度を補正することができる。

このように、第２の実施形態にかかるステージ２００の構成によれば、天板２１の下方側から伸縮部材２０１による機械的な応力（引張力、押圧力）を付与することにより、天板２１に生じた変形を補正することができる。

第２の実施形態にかかるステージ２００の構成によれば、ステージ２００に対して加圧機構１００や減圧機構１０１といった外部機構を設ける必要が無く、装置構成も単純であるため、装置構成を簡略化することができる。

なお平面度調節部としての伸縮部材２０１は、ステージの形状が上述したような中空部Ｖを有していない場合にも適用することができる。具体的には、図１１に示すように塗布膜形成装置１０に設けられるステージ３００に中空部Ｖが形成されていない場合であっても、伸縮部材２０１の一端をステージ３００の下面側、伸縮部材２０１の他端を例えばフレーム３０の上面側に接続することができる。かかる場合、ステージ３００の外周部は、例えばリブ２０２により高さ方向において固定されていることが望ましい。

＜第３の実施形態にかかるステージの構成＞
以上の実施形態によれば、ステージの天板２１が凸形状または凹形状に変形した場合であっても、適切に当該変形を補正することができる。しかしながら、上記実施形態にかかるステージの構成においては、天板２１が不規則に変形した場合、例えば鞍形状や波形状に変形した場合にあっては、適切に平面度の調節をすることができない。

そこで、第３の実施形態にかかるステージ４００においては、天板２１に発生した前記不規則な変形を補正するため、ステージに対して複数の平面度調節部を設ける。図１２は、本実施形態にかかるステージ４００の構成の概略を模式的に示す（ａ）縦断面図、（ｂ）とこ断面図である。

図１２に示すように、本実施形態にかかるステージ４００の中空部Ｖは、例えばリブ４０１により複数の領域に分割され、これにより、天板２１の変形を補正するための複数、例えば５つの平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５が形成されている。なお、昇降ピン２４は平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５を避けてステージ４００に設けられる。

平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５は、平面視において天板２１の変形が特に発生しやすいと想定される位置に形成されている。具体的には、平面度調節領域Ｒ１は平面視におけるステージ４００の中心部、平面度調節領域Ｒ２～Ｒ５は平面視におけるステージ４００の外周部において均等に、それぞれ形成されている。

また平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５には、加圧機構１００がバルブ４０２を介して接続され、また減圧機構１０１がバルブ４０３を介して接続されている。

かかる構成により、バルブ４０２、４０３の開閉動作及び加圧機構１００、減圧機構１０１の動作を制御することで、平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５はそれぞれ独立して天板２１の平面度を調節可能に構成されている。

具体的には、例えば前述のように天板２１が凸形状に変形している場合、平面度調節領域Ｒ１におけるバルブ４０３を開にした状態で減圧機構１０１を作動させると共に、他のバルブ４０２、４０３を閉にすることで、天板２１の変形を補正することができる。また例えば、天板２１が不規則に変形している場合、平面視において天板２１が基準高さよりも上方に変形している箇所においてはバルブ４０３を開にして減圧機構１０１による減圧を行い、天板２１が基準高さよりも下方に変形している箇所においてはバルブ４０２を開にして加圧機構１００による加圧を行うことにより、天板２１の変形を適切に補正することができる。

なお、平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５に接続される加圧機構１００および減圧機構１０１は、バルブ４０２、４０３により平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５への接続が制御されることに代え、それぞれの平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５に対して独立して設けられるようにしてもよい。すなわち、ステージ４００には、複数の加圧機構１００および減圧機構１０１が接続されていてもよい。

このように、本実施の形態にかかるステージ４００の構成によれば、天板２１の変形に応じて適切に平面度を調節することができる。

なお、平面度調節領域Ｒ１～Ｒ５における平面度を調節する平面度調節部としては、圧力調節機構に代えて伸縮部材２０１がそれぞれ設けられていてもよい。

また、ステージの中空部Ｖの領域の分割方法は上記実施例には限定されない。例えば、天板２１の変形を補正するための平面度調節領域の数は５つに限定されるものではなく、また当然に平面度調節領域の形成位置もステージの中心部や外周部に限定されるものではない。

以上の実施形態では、ＯＬＥＤに用いられる円偏光板を作製する場合において、ガラス基板に塗布膜として、直線偏光膜（直線偏光板）とλ／４波長膜（λ／４波長板）を形成する場合を例にとって説明したが、本開示は他にも適用できる。例えばＬＣＤに用いられる偏光板や波長板にも、本開示を適用することができる。また、波長板もλ／４波長膜に限定されず、例えばλ／２波長膜などの他の波長板にも、本開示を適用することができる。

また以上の実施形態では、実施形態にかかるステージが塗布膜形成装置に設けられている場合を例にとって説明したが、本開示は他の基板処理装置にも適用できる。例えば、基板保持部としてのステージを備え、基板Ｗの平面度が要求される接合装置にも、本開示を適用することができる。なお、本開示にかかる技術は、特に内部に中空部Ｖを有するステージにおいて、好適に効果を奏することができる。

また以上の実施形態では、上面に保持面としての水平面を有するステージに保持された基板Ｗに塗布膜を形成する場合を例にとって説明したが、本開示はほかにも適用できる。例えば、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、基板保持部としてのローラー５００に巻回された基板Ｗに変わるフィルムＦに対して塗布液Ｐを供給して塗布膜Ｑを形成する場合においても、本開示を適用することができる。すなわち、ローラー５００の内部から圧力を付与し、当該ローラー５００の表面の平面度を調節する場合にも、本開示に係る技術を適用することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する保持面を有する基板保持部と、
前記保持面に保持された前記基板に所望の処理を施す基板処理部と、
前記基板保持部の裏面側から圧力を付与することで前記保持面の平面度を調節する平面度調節部と、を有する基板処理装置。
前記（１）によれば、平面度調節部により基板保持部の保持面の平面度を調節しすることができるため、基板保持部において適切に基板を保持することができる。

なお、前記（１）における「前記基板保持部の裏面側から圧力を付与する」ことには、当該基板保持部の裏面側から負の応力を加える場合を含み、例えば基板保持部の表面側と裏面側との差圧により、当該基板保持部の表面側から差圧による正の応力が付与される場合を含む。すなわち、かかる場合基板保持部の裏面側から差圧による負の応力が付与されたものとする。

（２）前記基板保持部は内部に中空部を有し、
前記平面度調節部は、前記中空部を加圧する加圧機構を有する、前記（１）に記載の基板処理装置。
前記（２）によれば、基板保持部の中空部を加圧することにより、基板保持部の裏面側から差圧による正の応力が付与される。

（３）前記基板保持部は内部に中空部を有し、
前記平面度調節部は、前記中空部を減圧する減圧機構を有する、前記（１）または（２）に記載の基板処理装置。
前記（３）によれば、基板保持部の中空部を減圧することにより、基板保持部の裏面側から差圧による負の応力が付与される。

（４）前記基板保持部は内部に中空部を有し、
前記平面度調節部は、前記保持面の裏面側に当接し、駆動機構により前記保持面と直交する方向に伸縮自在な伸縮部材を有する、前記（１）に記載の基板処理装置。
前記（４）によれば、基板保持部の裏面側から物理的（機械的）な押圧力、引張力が付与される。

（５）前記平面度調節部は、平面視における前記保持面の複数箇所において平面度を調節する、前記（１）～（４）のいずれかに記載の基板処理装置。
前記（５）によれば、前記保持面が不規則に変形した場合においても、適切に平面度を調節することができる。

（６）前記保持面の高さ位置を当該保持面の面内で測定する測定部を有する、前記（１）～（５）のいずれかに記載の基板処理装置。

（７）前記測定部により測定された前記保持面の高さ位置に基づいて前記平面度調節部の動作を制御する制御部を有する、前記（６）に記載の基板処理装置。
前記（７）のように、前記平面度調節部は、測定部による平面度の測定結果によりフィードバック制御を行ってもよい。

（８）前記基板処理部は、前記基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成機構を有し、
前記塗布膜形成機構は、
スリット状の吐出口から前記基板に塗布液を吐出する塗布ノズルを有する前記（１）～（７）のいずれかに記載の基板処理装置。

（９）基板を処理する基板処理方法であって、
基板保持部の裏面側から圧力を付与することで前記基板の保持面の平面度を調節する工程と、
平面度が調節された前記前記保持面に基板を保持する工程と、
前記保持面に保持された前記基板に所望の処理を施す工程と、を備える基板処理方法。

（１０）前記保持面の高さ位置を当該保持面の面内で測定することで、前記基板保持部の保持面の平面度を検出する工程を含む、前記（９）に記載の基板処理方法。

（１１）前記基板の保持面の平面度を調節する工程は、前記平面度の測定結果に基づいて行われる、前記（１０）に記載の基板処理方法。

（１２）前記基板保持部は内部に中空部を有し、
前記平面度を調節する工程は、前記中空部の内部圧力を調節することにより行われる、前記（９）～前記（１１）のいずれかに記載の基板処理方法。

（１３）前記基板保持部は内部に中空部を有し、
前記平面度を調節する工程は、前記中空部に設けられた伸縮部材の伸縮により行われる、前記（９）～前記（１１）のいずれかに記載の基板処理方法。

（１４）前記基板に所望の処理を施す工程においては、
前記基板保持部に保持された前記基板に塗布液を吐出し、前記基板の表面に塗布膜を形成する、前記（９）～（１３）のいずれかに記載の処置方法。

１０ 塗布膜形成装置
２０ ステージ
５０ 塗布ノズル
１００ 加圧機構
１０１ 減圧機構
Ｗ 基板

Claims (12)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持する保持面を有する基板保持部と、
   前記保持面に保持された前記基板に所望の処理を施す基板処理部と、
   前記基板保持部の裏面側から圧力を付与することで前記保持面の平面度を調節する平面度調節部と、を有し、
   前記基板保持部は内部に中空部を有し、
   前記平面度調節部は、前記中空部を加圧する加圧機構を有する、基板処理装置。
2. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持する保持面を有する基板保持部と、
   前記保持面に保持された前記基板に所望の処理を施す基板処理部と、
   前記基板保持部の裏面側から圧力を付与することで前記保持面の平面度を調節する平面度調節部と、を有し、
   前記基板保持部は内部に中空部を有し、
   前記平面度調節部は、前記中空部を減圧する減圧機構を有する、基板処理装置。
3. 前記基板保持部は内部に中空部を有し、
   前記平面度調節部は、前記保持面の裏面側に当接し、駆動機構により前記保持面と直交する方向に伸縮自在な伸縮部材を有する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記平面度調節部は、平面視における前記保持面の複数箇所において平面度を調節する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記保持面の高さ位置を当該保持面の面内で測定する測定部を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記測定部により測定された前記保持面の高さ位置に基づいて前記平面度調節部の動作を制御する制御部を有する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記基板処理部は、前記基板の表面に塗布膜を形成する塗布膜形成機構を有し、
   前記塗布膜形成機構は、
   スリット状の吐出口から前記基板に塗布液を吐出する塗布ノズルを有する請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 基板を処理する基板処理方法であって、
   基板保持部の裏面側から圧力を付与することで前記基板の保持面の平面度を調節する工程と、
   平面度が調節された前記保持面に基板を保持する工程と、
   前記保持面に保持された前記基板に所望の処理を施す工程と、を備え、
   前記基板保持部は内部に中空部を有し、
   前記平面度を調節する工程は、前記中空部の内部圧力を調節することにより行われる、基板処理方法。
9. 前記保持面の高さ位置を当該保持面の面内で測定することで、前記基板保持部の保持面の平面度を検出する工程を含む、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記基板の保持面の平面度を調節する工程は、前記平面度の測定結果に基づいて行われる、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記基板保持部は内部に中空部を有し、
    前記平面度を調節する工程は、前記中空部に設けられた伸縮部材の伸縮により行われる、請求項８～１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
12. 前記基板に所望の処理を施す工程においては、
    前記基板保持部に保持された前記基板に塗布液を吐出し、前記基板の表面に塗布膜を形成する、請求項８～１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
    

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