JP7154015B2 - 電荷分配構造物を含むスイッチングデバイス - Google Patents
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Description
本出願は、現時点で放棄されている発明の名称を「電荷分配構造物を含むスイッチングデバイス(SWITCHING DEVICE WITH CHARGE DISTRIBUTION STRUCTURE)」とする2012年6月29日に出願された米国特許出願第13/537,407号の継続出願である、発明の名称を「電荷分配構造物を含むスイッチングデバイス(SWITCHING DEVICE WITH CHARGE DISTRIBUTION STRUCTURE)」とする2016年12月22日に出願された米国特許出願第15/388,812号の一部継続出願である。本出願は、参照により全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第9,245,879号(弁護士整理番号2024/8)および第9,425,195号(弁護士整理番号2024/8C1)、ならびに、発明の名称を「静電放電システム(Static Discharge System)」とする2016年7月25日に出願された同時係属中の米国特許出願第15/218,145号(弁護士整理番号2024/8C2)に関係する。
C(EM||EM+1) = (40V/150V) * C(EM+1||channel)
[付記項1]
基材と、
前記基材の上方に位置する第1の活性層と、
前記第1の活性層と第2の活性層との間に横方向導電チャネルが生じるように、前記第1の活性層上に位置する前記第2の活性層と、
前記第2の活性層の上方に位置する、ソース接点とゲート接点とドレイン接点と、
前記ゲート接点と前記ドレイン接点との間において前記第2の活性層の上方に位置する導電性電荷分配構造物と、
を備え、
前記導電性電荷分配構造物が、前記ゲート接点に容量的にのみ結合され、
前記導電性電荷分配構造物が、複数の電荷分配構造物コンポーネントを含み、
前記電荷分配構造物コンポーネントのうちの第1の電荷分配構造物コンポーネントが、前記ゲート接点に容量的にのみ結合され、
前記電荷分配構造物コンポーネントのうちの第2の電荷分配構造物コンポーネントが、前記第1の電荷分配構造物コンポーネントに容量的にのみ結合され、
前記電荷分配構造物コンポーネントの各々が、第1の長尺部材と第2の長尺部材とが互いに電気的に接続されるように、第1の層内に形成された前記第1の長尺部材と第2の層内に形成された前記第2の長尺部材とを含み、
前記横方向導電チャネルの長さが、25マイクロメートル未満である、
半導体デバイス。
[付記項2]
前記電荷分配構造物が、第1の距離ぶん前記ゲート接点から横方向に離間しており、
前記電荷分配構造物が、前記第1の距離より大きな第2の距離ぶん前記ドレイン接点から離間している、
付記項1に記載の半導体デバイス。
[付記項3]
前記第2の活性層と前記電荷分配構造物との間に位置する誘電体層をさらに備える、
付記項1に記載の半導体デバイス。
[付記項4]
前記誘電体層が、前記第2の活性層と前記ゲート接点との間にさらに位置する、
付記項3に記載の半導体デバイス。
[付記項5]
前記第1の活性層が、III族窒化物半導体材料を含む、
付記項1に記載の半導体デバイス。
[付記項6]
前記第1の活性層が、GaNを含む、
付記項5に記載の半導体デバイス。
[付記項7]
前記第2の活性層が、III族窒化物半導体材料を含む、
付記項1に記載の半導体デバイス。
[付記項8]
前記第2の活性層が、Al X Ga 1-X Nを含み、0<X<1である、
付記項7に記載の半導体デバイス。
[付記項9]
前記第2の活性層が、AlGaN、AlInN、およびAlInGaNからなる群から選択された、
付記項7に記載の半導体デバイス。
[付記項10]
電界効果トランジスタ(FET)であって、
基材上に位置する複数の半導体層と、
前記半導体層に電気的に結合されたソースとドレインとゲートと、
前記半導体層の上方に位置して、ゲートに容量的にのみ結合された、容量結合された電荷分配構造物と、
を備え、
前記電荷分配構造物が、オン状態からオフ状態への過渡状態中の、前記ゲートと前記ドレインとの間に位置する前記トランジスタの表面部分における表面放電と、前記オフ状態から前記オン状態への過渡状態中の、前記表面部分における表面再充電とをもたらすように構成され、
容量結合された前記電荷分配構造物が、前記表面部分の上方に位置する複数の導電性長尺部材を含む金属グリッドを含み、
前記導電性長尺部材が、互いに容量結合され、
前記導電性長尺部材の各々が、第1の長尺部材と第2の長尺部材とが互いに電気的に接続されるように、第1の層内に形成された前記第1の長尺部材と第2の層内に形成された前記第2の長尺部材とを含み、
前記導電性長尺部材のうちの1つの前記導電性長尺部材の前記第1の長尺部材が、前記導電性長尺部材のうちの別の前記導電性長尺部材の前記第2の長尺部材のうちの1つと少なくとも部分的に重なり、
前記横方向導電チャネルの長さが、25マイクロメートル未満である、
電界効果トランジスタ(FET)。
[付記項11]
前記FETが、設計目標のスイッチング速度をもち、
前記電荷分配構造物が、前記設計目標のスイッチング速度より大きな速度で前記表面放電と再充電とをもたらすようにさらに構成された、
付記項10に記載の電界効果トランジスタ。
[付記項12]
複数の前記導電性長尺部材が、周期的に反復する構造物を規定する、
付記項10に記載の電界効果トランジスタ。
[付記項13]
第1のセットの前記長尺部材に含まれる前記長尺部材が、互いに平行であり、
第2のセットの前記長尺部材に含まれる前記長尺部材が、互いに平行である、
付記項10に記載の電界効果トランジスタ。
[付記項14]
前記表面放電が、前記表面部分から、前記表面部分において達成される最大電荷の少なくとも約90%を除去する、
付記項10に記載の電界効果トランジスタ。
[付記項15]
前記表面再充電が、前記表面部分における電荷を少なくとも前記最大電荷の90%に増やす、
付記項14に記載の電界効果トランジスタ。
[付記項16]
半導体デバイスを形成する方法であって、
基材上に第1の活性層を形成することと、
前記第1の活性層と第2の活性層とが前記第1の活性層と前記第2の活性層との間において二次元電子気体層を発生させるように、前記第1の活性層の上方に前記第2の活性層を形成することと、
前記第2の活性層の上方にソース接点とゲート接点とドレイン接点とを形成することと、
前記ゲート接点に容量的にのみ結合されるように電荷分配構造物が結合されるように、前記ゲート接点と前記ドレイン接点との間において前記第2の活性層の上方に前記電荷分配構造物を形成することと、
を含み、
前記電荷分配構造物が、前記半導体デバイスの表面部分の上方に位置する複数の導電性長尺部材を含む金属グリッドを含み、
前記導電性長尺部材が、互いに容量結合され、
第1の長尺部材と第2の長尺部材とが互いに電気的に接続されるように、前記導電性長尺部材の各々が、第1の層内に形成された前記第1の長尺部材と第2の層内に形成された前記第2の長尺部材とを含み、
前記第1の層内における前記第1の長尺部材が、前記導電性長尺部材のうちの別の前記導電性長尺部材の前記第2の長尺部材のうちの1つと少なくとも部分的に重なる、
半導体デバイスを形成する方法。
[付記項17]
前記第1の層内における前記導電性長尺部材のうちの少なくとも1つが、前記第2の層内における前記長尺部材のうちの1つと少なくとも部分的に重なる、
付記項1に記載の半導体デバイス。
[付記項18]
前記導電性長尺部材が、互いに容量的にのみ結合された、
付記項10に記載の電界効果トランジスタ。
[付記項19]
前記導電性長尺部材が、互いに容量的にのみ結合された、
付記項16に記載の方法。
Claims (15)
- 基材と、
前記基材の上方に位置する第1の活性層と、
前記第1の活性層と第2の活性層との間に横方向導電チャネルが生じるように、前記第1の活性層上に位置する前記第2の活性層と、
前記第2の活性層の上方に位置する、ソース接点とゲート接点とドレイン接点と、
前記ゲート接点と前記ドレイン接点との間において前記第2の活性層の上方に位置する導電性電荷分配構造物と、
を備え、
前記導電性電荷分配構造物が、前記ゲート接点に容量的にのみ結合され、
前記導電性電荷分配構造物が、複数の電荷分配構造物コンポーネントを含み、
前記電荷分配構造物コンポーネントのうちの第1の電荷分配構造物コンポーネントが、前記ゲート接点に容量的にのみ結合され、
前記電荷分配構造物コンポーネントのうちの第2の電荷分配構造物コンポーネントが、前記第1の電荷分配構造物コンポーネントに容量的にのみ結合され、
前記電荷分配構造物コンポーネントの各々が、第1の長尺部材と第2の長尺部材とが互いに電気的に接続されるように、第1の層内に形成された前記第1の長尺部材と第2の層内に形成された前記第2の長尺部材とを含み、
前記横方向導電チャネルの長さが、25マイクロメートル未満であり、
静電容量の比であって、
金属グリッドの前記第1の電荷分配構造物コンポーネントと前記第2の電荷分配構造物コンポーネントとの間の静電容量と、
前記第2の電荷分配構造物コンポーネントと前記横方向導電チャネルとの間の静電容量と、
の前記比が、4:15であり、
前記第2の電荷分配構造物コンポーネントが、前記第1の電荷分配構造物コンポーネントより前記ドレイン接点に近い、
半導体デバイス。 - 前記導電性電荷分配構造物が、第1の距離ぶん前記ゲート接点から横方向に離間しており、
前記導電性電荷分配構造物が、前記第1の距離より大きな第2の距離ぶん前記ドレイン接点から離間している、
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記第2の活性層と前記導電性電荷分配構造物との間に位置する誘電体層をさらに備える、
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記誘電体層が、前記第2の活性層と前記ゲート接点との間にさらに位置する、
請求項3に記載の半導体デバイス。 - 前記第1の活性層が、III族窒化物半導体材料を含む、
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記第1の活性層が、GaNを含む、
請求項5に記載の半導体デバイス。 - 前記第2の活性層が、III族窒化物半導体材料を含む、
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記第2の活性層が、AlXGa1-XNを含み、0<X<1である、
請求項7に記載の半導体デバイス。 - 前記第2の活性層が、AlGaN、AlInN、およびAlInGaNからなる群から選択された、
請求項7に記載の半導体デバイス。 - 電界効果トランジスタ(FET)であって、
基材上に位置する複数の半導体層であって、前記複数の半導体層が、前記基材の上方に位置する第1の活性層と、前記第1の活性層上に位置する第2の活性層とを含み、横方向導電チャネルが、前記第1の活性層と前記第2の活性層との間に生じる、前記複数の半導体層と、
前記半導体層に電気的に結合されたソースとドレインとゲートと、
前記半導体層の上方に位置して、前記ゲートに容量的にのみ結合された、容量結合された電荷分配構造物と、
を備え、
前記電荷分配構造物が、オン状態からオフ状態への過渡状態中の、前記ゲートと前記ドレインとの間に位置する前記電界効果トランジスタの表面部分における表面放電と、前記オフ状態から前記オン状態への過渡状態中の、前記表面部分における表面再充電とをもたらすように構成され、
容量結合された前記電荷分配構造物が、前記表面部分の上方に位置する複数の導電性長尺部材を含む金属グリッドを含み、
前記導電性長尺部材が、互いに容量結合され、
前記導電性長尺部材の各々が、第1の長尺部材と第2の長尺部材とが互いに電気的に接続されるように、第1の層内に形成された前記第1の長尺部材と第2の層内に形成された前記第2の長尺部材とを含み、
前記導電性長尺部材のうちの1つの前記導電性長尺部材の前記第1の長尺部材が、前記導電性長尺部材のうちの別の前記導電性長尺部材の前記第2の長尺部材のうちの1つと少なくとも部分的に重なり、
前記横方向導電チャネルの長さが、25マイクロメートル未満であり、
前記導電性長尺部材が、第1の導電性長尺部材と第2の導電性長尺部材とを含み、
静電容量の比であって、
前記金属グリッドの前記第1の導電性長尺部材と前記第2の導電性長尺部材との間の静電容量と、
前記第2の導電性長尺部材と前記横方向導電チャネルとの間の静電容量と、
の前記比が、4:15であり、
前記第2の導電性長尺部材が、前記第1の導電性長尺部材より前記ドレインに近い、
電界効果トランジスタ(FET)。 - 前記FETが、設計目標のスイッチング速度をもち、
前記電荷分配構造物が、前記設計目標のスイッチング速度より大きな速度で前記表面放電と前記表面再充電とをもたらすようにさらに構成された、
請求項10に記載の電界効果トランジスタ。 - 複数の前記導電性長尺部材が、周期的に反復する構造物を規定する、
請求項10に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記第1の長尺部材が、互いに平行であり、
前記第2の長尺部材が、互いに平行である、
請求項10に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記電荷分配構造物によりもたらされる前記表面放電が、前記ゲートと前記ドレインとの間に位置する前記電界効果トランジスタの前記表面部分から、前記表面部分において達成される最大電荷の少なくとも90%を除去する、
請求項10に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記表面再充電が、前記表面部分における電荷を少なくとも前記最大電荷の90%に増やす、
請求項14に記載の電界効果トランジスタ。
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