JP7146890B2 - 窒素酸化物還元用希土類金属バナジウム酸塩触媒 - Google Patents
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Description
2NO2+4NH3+O2→3N2+6H2O…(2)
前述のSCR工程の性能・安定性・持続性の向上は、SCR工程に適用される商用触媒の表面特性の改善を通じて可能である。例えば、発電所、焼結炉、低速/高速船泊及びセメント工場のSCR工程に適用される代表的な商用触媒は、バナジウム酸化物-WO3/TiO2である(バナジウム酸化物(V oxide)は、V2O3、VO2、V2O5のうちから選択される1つ以上の種である)。商用触媒の表面物性を改善させる方法論の1つは、商用触媒の活性点として適用されるバナジウム酸化物の構造的変形になりうる。具体的に、バナジウム酸化物と遷移金属(transition metal:TM)または希土類金属(rare-earth metal:RM)酸化物との化学結合(chemical fusion)によって形成された金属バナジウム酸塩(metal vanadate)が、SCR反応の活性点として望ましい。より具体的に、金属バナジウム酸塩は、バナジウムと遷移金属または希土類金属との複合酸化物であって、前記商用触媒に含まれたバナジウム酸化物の活性点の改善要求事項である、1)低融点に起因したSCR反応途中、触媒活性点の凝集(congregation)現象、2)比較的微弱な酸化還元特性(redox cycling trait)、3)比較的少量のブレンステッド酸点(Bronsted acid site)またはルイス酸点(Lewis acid site)、4)NH3/NOXと酸点との間の微弱な相互作用(interaction)またはH2Oと酸点との間の強靭な相互作用に起因した単位時間当たりSCR反応効率の低下、5)低温で早いSCR反応の不在(反応式(3))、6)排ガスに含まれたSO2の触媒表面被毒(poison)に対する耐久性不足、7)反応式(4)ないし反応式(6)に提示された一連の化学反応に基づいたSCR反応途中、形成される硫酸アンモニウム(ammonium sulfate、(NH4)2SO4)、AS)、重硫酸アンモニウム(ammonium bisulfate、(NH4)HSO4)、ABS)の触媒表面被毒に対する耐久性不足、8)排ガスに含まれたアルカリ金属(alkali-metal)基盤の化合物の触媒表面被毒に対する耐久性不足、9)劣化現象(hydrothermal aging)に対するバナジウム酸化物の活性点または担持体の構造的安定性の不在に起因した耐久性不足のうち1つ以上を解決することができる。
SO2+1/2O2→SO3…(4)
SO3+2NH3+H2O→(NH4)2SO4…(5)
SO3+NH3+H2O→(NH4)HSO4…(6)
しかし、前述の希土類金属バナジウム酸塩が、SCR触媒の活性点として提供する長所にも拘らず、現在までの報告例は、単に(RM)VO4(RM:希土類金属;RM=Ce、Er、Tb、Ybなど)で特徴づけられる触媒結晶相(catalytic crystal phase)に関するもののみで限定されている。
〔化学式1〕
LaVO4(ここで、LaVO4は、多型であって、結晶構造は、正方晶系(tetragonal)または単斜晶系(monoclinic)である)
〔化学式2〕
LaV3O9(ここで、LaV3O9の結晶構造は、単斜晶系である)
本発明の他の観点によれば、化学式1で表される第1活性点;化学式2で表される第2活性点;及び前記第1活性点及び第2活性点がいずれも担持される担持体;を含む窒素酸化物還元用触媒が提供される。
〔化学式1〕
LaVO4(ここで、LaVO4は、多型であって、結晶構造は、正方晶系または単斜晶系である)
〔化学式2〕
LaV3O9(ここで、LaV3O9の結晶構造は、単斜晶系である)
本発明の一実施例によれば、前記バナジウム前駆体溶液は、NH4VO3、NaVO3、VCl2、VCl3、VBr3、VCl3・3C4H8O、VO(C5H7O2)2、VO(OC2H5)3、VC10H10Cl2、VC18H14I、VOCl3、VOF3、VO(OCH(CH3)2)3、V(C5H7O2)3、VOSO4及びV(C5H5)2のうち何れか1つ以上が溶解された溶液を含みうる。
〔化学式1〕
LaVO4(ここで、LaVO4は、多型であって、結晶構造は、正方晶系または単斜晶系である)
本発明の第3実施例による窒素酸化物還元用触媒は、前記の化学式1で表される正方晶系(t)相または単斜晶系(m)相のランタンバナジウム酸塩及び下記の化学式2で表される単斜晶系(m)相のランタンバナジウム酸塩を同時に活性点として含む。それをそれぞれ「t-LaVO4/m-LaV3O9」または「m-LaVO4/m-LaV3O9」と名付ける。
〔化学式2〕
LaV3O9(ここで、LaV3O9の結晶構造は、単斜晶系である)
本発明の第4実施例による窒素酸化物還元用触媒は、前記の化学式2で表される単斜晶系(m)相のランタンバナジウム酸塩を活性点として含む。それを「m-LaV3O9」と名付ける。
SO3+2NH3+H2O→(NH4)2SO4…(5)
SO3+NH3+H2O→(NH4)HSO4…(6)
前記プロモーターは、SCR反応中に起こりうる二酸化硫黄(SO2)や硫酸アンモニウム系の被毒物などによる触媒表面の被毒に対する抵抗性を向上させる役割を行える。例えば、プロモーターは、二酸化硫黄(SO2)と触媒の表面との間に結合エネルギー(binding energy)を減少させることができる。これにより、低温SCR反応途中で起こりうる二酸化硫黄(SO2)の酸化反応(反応式4)を最小化することもできる。また、二酸化硫黄とアンモニアとが反応して触媒表面に吸着される硫酸アンモニウム(AS、反応式5)または重硫酸アンモニウム(ABS、反応式6)の量を最小化して、触媒表面が被毒されて触媒の単位時間当たりSCR活性が減少する問題を防止することができる。また、前記プロモーターは、低温で前述のAS及びABSを分解させることができる触媒表面の構成要素として添加される。
硫酸化処理されてSOY 2-機能化によって変形された触媒は、SOY 2--NH4種を追加的に形成する。SOY 2--NH4種は、還元剤であるアンモニア(NH3)を吸着することができるブレンステッド酸点になる。すなわち、本発明による硫酸化処理されて機能化された触媒は、非機能化された触媒に比べて、反応活性点の個数を増加させることができる。また、SOY 2-を利用した機能化によって変形された触媒は、金属-SOY 2-種を追加的に形成して、非機能化された触媒に比べて、酸化/還元特性を増大させることができる。また、金属-SOY 2-種は、前記の式(3)の早いSCR反応のためのNO2の生成効率を向上させうる。
0.79mmolのNH4VO3が溶解された48mLの蒸留水に0.79mmolのエチレンジアミン四酢酸(ethylenediaminetetraacetic acid、EDTA)に添加した後、0.79mmolのLa(NO3)3・6H2Oを入れて撹拌させる。以後、前記混合溶液にアナターゼ(anatase)TiO2粉末(支持体)1.85gを添加し、pHを4に保持させた状態で2時間撹拌する。製造された混合溶液を180℃で48時間水熱合成条件に露出した後、冷却させ、常温で濾過させた後、水で洗浄して乾燥させる。最終的に乾燥された合成中間物質を500℃で5時間か焼(calcination)処理する。か焼処理後、得られた固形物を反応器内に装着し、N2で希釈(dilution)された二酸化硫黄(SO2)と酸素(O2)とを500mL min-1の流速で同時に投入して、常圧下、500℃で45分間露出させた後、N2雰囲気下で常温に冷却させた。露出段階での二酸化硫黄の含量は、500ppmであり、酸素は、3vol%であった。前記の条件によってSOY 2-(Y=3または4)機能化がなされた実施例1に該当する触媒を製造した。以下、実施例1に該当する触媒をt-LaVO4と名付ける。
実施例1のt-LaVO4触媒の製造に使われる合成条件と同じ条件を利用するが、0.79mmolのEDTAの代わりに、0.79mmolのシュウ酸(oxalic acid)を用いて、m-LaVO4のみがTiO2支持体表面に分散されている実施例2に該当する触媒を製造した。以下、実施例2に該当する触媒をm-LaVO4と名付ける。
実施例2のm-LaVO4触媒の製造に使われる合成条件と同じ条件を利用するが、pHを4に調節する代わりに、2に調節して、m-LaVO4及びm-LaV3O9がTiO2支持体表面に同時に分散されている実施例3に該当する触媒を製造した。以下、実施例3に該当する触媒をm-LaVO4/m-LaV3O9と名付ける。
実施例2のm-LaVO4触媒の製造に使われる合成条件と同じ条件を利用するが、pHを4に調節する代わりに、1に調節して、m-LaV3O9のみがTiO2支持体表面に分散されている実施例4に該当する触媒を製造した。以下、実施例4に該当する触媒をm-LaV3O9と名付ける。
実施例4のm-LaV3O9触媒の製造に使われる合成条件と同じ条件を利用するが、アンチモン酸化物(Sb oxide)が助触媒として含有されたTiO2粉末1.85gを用いて、実施例5に該当する触媒を製造した。以下、実施例5に該当する触媒をm-LaV3O9-Sbと名付ける。アンチモン酸化物が助触媒として含有されたTiO2粉末(支持体)合成の場合、200mLの蒸留水に19.4gのTiO2を添加した後、1.47gのSb(CH3COOH)3が溶解された酢酸(acetic acid)50mLを前記水溶液に添加し、それを撹拌及び脱水させた後、500℃で5時間か焼処理して、TiO2に比べて、3wt.%のSbが混入されたTiO粉末を製造する。
前記実施例1ないし実施例5の触媒と類似したバナジウム(V)含量(~2wt%)を有するが、活性点として正方晶系相のErVO4を含む触媒を比較例で製造した。具体的に、3.93mmolのNH4VO3が溶解された170mLの蒸留水に3.93mmolのEr(NO3)3・5H2Oが溶解された70mLの蒸留水を添加して混合溶液を製造した後、1時間撹拌した。前記混合溶液にTiO2粉末9.14g添加し、1時間撹拌後、pHを8に調節(正方晶系ErVO4の核形成・成長に望ましい)し、4時間撹拌後、脱水処理した。得られた固形物を500℃で5時間か焼処理した。か焼処理後、得られた固形物を反応器内に装着し、N2で希釈された二酸化硫黄(SO2)と酸素(O2)とを500mL min-1の流速で同時に投入して、常圧下、500℃で45分間露出させた後、N2雰囲気下で常温に冷却させた。露出段階での二酸化硫黄の含量は、500ppmであり、酸素は、3vol%であった。前記の条件によってSOY 2-(Y=3または4)機能化がなされた比較例1に該当する触媒をt-ErVO4触媒と名付ける。
前記実施例1ないし実施例5の触媒と類似したバナジウム(V)含量(~2wt%)を有するが、活性点として正方晶系相のCe0.5Er0.5VO4を含む触媒を比較例で製造した。具体的に、3.93mmolのNH4VO3が溶解された170mLの蒸留水に1.96mmolのCe(NO3)3・6H2O及び1.96mmolのEr(NO3)3・5H2Oが溶解された70mLの蒸留水を添加して混合溶液を製造した後、1時間撹拌した。前記混合溶液にTiO2粉末9.19g添加し、1時間撹拌後、pHを8に調節(正方晶系Ce0.5Er0.5VO4の核形成・成長に望ましい)し、4時間撹拌後、脱水処理した。得られた固形物を500℃で5時間か焼処理した。か焼処理後、得られた固形物を反応器内に装着し、N2で希釈された二酸化硫黄(SO2)と酸素(O2)とを500mL min-1の流速で同時に投入して、常圧下、500℃で45分間露出させた後、N2雰囲気下で常温に冷却させた。露出段階での二酸化硫黄の含量は、500ppmであり、酸素は、3vol%であった。前記の条件によってSOY 2-(Y=3または4)機能化がなされた比較例2に該当する触媒をt-Ce0.5Er0.5VO4触媒と名付ける。
前記実施例1ないし実施例5の触媒と類似したバナジウム(V)含量(~2wt%)を有するが、活性点としてタングステン(W)を含む触媒を比較例で製造した。具体的に、0.46gのNH4VO3、0.67gの(NH4)10(H2W12O42)・4H2O及び0.84gのC2H2O4・2H2Oを100mLの蒸留水に溶解した後、9.3gのアナターゼTiO2粉末を添加した後、それを撹拌及び脱水させた。次に、連続して500℃で5時間か焼処理して、タングステン(W)を含む触媒を製造した。比較例3の触媒は、活性点としてバナジウム酸化物とタングステン酸化物とがそれぞれ別途に存在して物理的に混合されている形態である。製造された触媒を実施例1のSOY 2-(Y=3または4)機能化条件に露出させて、最終的に比較例3の触媒を製造した。以下、便宜上、比較例3に該当する触媒をV2-W5触媒と名付ける。
前記実施例5によって製造されたm-LaV3O9-Sb触媒に含まれたLa、V及びSb全体mol数に比べて、60mol%のNa種を触媒表面に混入させて、触媒の表面を意図的に被毒させたm-LaV3O9-Sb-Naを製造した。具体的に、1.6gのMn-Se(S)触媒に0.08268gのNaNO3を物理的混合(mechanical mixing)して、得られた固形物を500℃で5時間か焼処理して、m-LaV3O9-Sb-Na触媒を製造し、それを実施例7と名付ける。前記実施例4及び比較例3によって製造されたm-LaV3O9及びV2-W5触媒の場合、前記と同じ方法で触媒表面を被毒させて、実施例6及び比較例4のm-LaV3O9-Na及びV2-W5-Na触媒を製造した。
前記実施例4、実施例5、及び比較例3によって製造されたm-LaV3O9、m-LaV3O9-Sb及びV2-W5触媒を反応器内に装着し、N2で希釈された酸素(O2)を500mL min-1の流速で同時に投入して、常圧下、700℃で10時間露出させた後、N2雰囲気下で常温に冷却させた。露出段階での酸素は、3vol%であり、水蒸気(H2O)は、6vol%であった。前記の条件によって劣化現象に露出された実施例8、実施例9及び比較例5に該当する触媒を製造した。以下、実施例8、実施例9及び比較例5に該当する触媒をm-LaV3O9-HT、m-LaV3O9-Sb-HT及びV2-W5-HTと名付ける。
前記実施例1ないし実施例5から製造された触媒の表面形状(morphology)を走査電子顕微鏡(SEM)及び高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM)を用いて分析し、その結果をそれぞれ図1及び図2に図示した。
実施例1ないし実施例5の触媒を用いてSCR工程の性能を測定した。220℃の温度範囲で、H2Oを注入するか、O2を注入する場合の窒素酸化物の転換率(NOx conversion、XNox)を図5に図示した。SCR工程の条件として、反応流体は、800ppmのNOx、800ppmのNH3、3vol%のO2、6vol%のH2O及び不活性ガス(inert gas)であるN2を含み、全体流量(total flow rate)は、500mL min-1であり、空間速度(space velocity)は、30,000hr-1であった。
空間速度を30,000hr-1から60,000hr-1に替えるが、800ppmのNOx、800ppmのNH3、3vol%のO2、6vol%のH2O及び不活性ガスであるN2を含む反応流体下で実施例1ないし実施例5の触媒及び比較例1ないし比較例2の触媒のSCR工程の性能を測定し、図6Aに窒素酸化物の転換率(NOx conversion)及び図6Bに窒素選択度(N2 selectivity)の結果を示した。図6A及び図6Bを参照すれば、実施例1ないし実施例5の触媒が、実験例2と類似に反応途中、相当量の水蒸気(H2O)を含むにも拘らず、400℃以下で望ましい活性を示すということが分かった。例えば、SN2の場合、400℃以下の温度区間でほぼ100%を示すということが分かった。XNOXの場合、実施例3ないし実施例5の触媒は、実施例1ないし実施例2の触媒に比べて、相対的に大きなXNOX値を400℃以下で提供するということが分かった。これは、実施例3ないし実施例5の触媒表面に内在されたm-LaV3O9またはm-LaV3O9とm-LaVO4との適切な混合または助触媒であるアンチモン酸化物(Sb oxide)が、水蒸気(H2O)が含まれたSCR反応能の増進に友好的であることを意味する。また、実施例3ないし実施例5の触媒は、比較例1ないし比較例2の触媒に比べて、類似しているか、相対的に大きなXNOX値を400℃以下で提供するということが分かった。これは、本発明から提案されたm-LaV3O9またはm-LaV3O9とm-LaVO4との適切な混合または助触媒であるアンチモン酸化物(Sb oxide)が、既報告されたt-ErVO4及びt-Ce0.5Er0.5VO4に比べて、向上した脱窒性能を提供することができるということを意味する。
前記実験例3と同じ反応条件及び500ppmのSO2存在下で実施例1ないし実施例5及び比較例3の触媒のSCR工程の性能を測定し、図7Aに窒素酸化物の転換率(NOx conversion)及び図7Bに窒素選択度(N2 selectivity)の結果を示した。図7A及び図7Bを参照すれば、実験例3と類似に反応途中、相当量の水蒸気(H2O)及び二酸化硫黄(SO2)を含むにも拘らず、400℃以下で望ましい活性を示すということが分かった。例えば、SN2の場合、400℃以下の温度区間でほぼ100%を示すということが分かった。また、実施例3ないし実施例5の触媒は、実施例1ないし実施例2の触媒に比べて、相対的に大きなXNOX値を400℃以下で提供するが、商用触媒である比較例3と類似あるいは向上したXNOX値を400℃以下で提供するということが分かった。これは、実施例3ないし実施例5の触媒表面に内在されたm-LaV3O9またはm-LaV3O9とm-LaVO4との適切な混合または助触媒であるアンチモン酸化物(Sb oxide)がSO2によって被毒される現象を最小化させることを意味する。これは、実施例3ないし実施例5の触媒が発電所/焼結炉/船舶の相当量のSO2が含まれた排ガス内のNOXを還元させるSCR触媒として適用可能であることを意味し、商用触媒を代替しうるということを意味する。
Naで被毒された実施例6ないし実施例7に該当する触媒及び比較例4の触媒のSCR性能を前記実験例4と同じ反応条件で測定した。実験の結果として、窒素酸化物の転換率(NOx conversion)及び窒素選択度(N2 selectivity)を図8A及び図8Bに示した。
劣化現象に露出された実施例8ないし実施例9に該当する触媒及び比較例5の触媒のSCR性能を前記実験例4と同じ反応条件で測定した。実験の結果として、窒素酸化物の転換率(NOx conversion)及び窒素選択度(N2 selectivity)を図9A及び図9Bに示した。
30,000hr-1の空間速度及び800ppmのNOx、800ppmのNH3、500ppmのSO2、3vol%のO2、6vol%のH2O及び不活性ガスであるN2を含む反応流体下で実施例4ないし実施例5の触媒及び比較例3の触媒のSCR工程の性能を220℃で測定し、図10に、その結果を示した。具体的に、触媒の窒素酸化物の転換率(XNOX)をそれぞれの反応初期(SO2不在)での窒素酸化物の転換率(XNOX,0)で割った。また、H2O/SO2/AS/ABSなどによる触媒表面の被毒現象に基づいて触媒が、初期性能に比べて、70%の性能(XNOX/XNOX,0~0.7)を示すのに要求される時間を測定した。
Claims (15)
- 化学式2で表されるランタンバナジウム酸塩を含む活性点と、
前記活性点が担持される担持体と、
を含む、窒素酸化物還元用触媒。
〔化学式2〕
結晶構造が単斜晶系からなる、LaV3O9 - 化学式1で表されるバナジウム酸塩を含む第1活性点と、
化学式2で表されるバナジウム酸塩を含む第2活性点と、
前記第1活性点及び第2活性点がいずれも担持される担持体と、
を含む、窒素酸化物還元用触媒。
〔化学式1〕
多型であって、結晶構造が正方晶系または単斜晶系からなる、LaVO4
〔化学式2〕
結晶構造が単斜晶系からなる、LaV3O9 - 前記担持体内に15族または16族元素の酸化物であるプロモーターがさらに含まれる、請求項1または2に記載の窒素酸化物還元用触媒。
- 化学式1で表されるランタンバナジウム酸塩を含む活性点と、
前記活性点が担持される担持体と、
を含み、
前記担持体内に15族または16族元素の酸化物であるプロモーターがさらに含まれる、窒素酸化物還元用触媒。
〔化学式1〕
多型であって、結晶構造が正方晶系または単斜晶系からなる、LaVO4 - 前記プロモーターは、担持体に比べて、1~5wt%の組成範囲を有する、請求項3または4に記載の窒素酸化物還元用触媒。
- 前記15族または16族元素は、
窒素(N)、リン(P)、硫黄(S)、ヒ素(As)、セレン(Se)、アンチモン(Sb)、テルル(Te)、ビスマス(Bi)、及びポロニウム(Po)からなる群から選択された何れか1つまたはその組み合わせである、請求項3または4に記載の窒素酸化物還元用触媒。 - 前記窒素酸化物還元用触媒は、
表面の少なくとも一部が硫酸化処理される、請求項1、2または4に記載の窒素酸化物還元用触媒。 - 前記担持体は、炭素(C)、Al2O3、MgO、ZrO2、CeO2、TiO2及びSiO2のうち何れか1つを含む、請求項1、2または4に記載の窒素酸化物還元用触媒。
- 前記化学式2で表されるランタンバナジウム酸塩は、前記担持体100重量部に対して、10-4~50重量部を含む、請求項1または2に記載の窒素酸化物還元用触媒。
- 前記化学式1で表されるランタンバナジウム酸塩は、前記担持体100重量部に対して、10-4~50重量部を含む、請求項2または4に記載の窒素酸化物還元用触媒。
- 前記担持体は、多孔性構造を有する、請求項1、2または4に記載の窒素酸化物還元用触媒。
- バナジウム前駆体溶液及びランタン前駆体溶液を混合する段階と、
前記混合溶液に担持体を構成する物質を投入する段階と、
前記混合溶液のpHを制御した後、前記混合溶液から固形物を収得し、か焼処理を行って、担持体に化学式2で表されるランタンバナジウム酸塩が活性点として担持されるか、化学式1で表されるランタンバナジウム酸塩である第1活性点及び化学式2で表されるランタンバナジウム酸塩である第2活性点がいずれも担持される触媒を製造する段階と、
を含む、窒素酸化物還元用触媒の製造方法。
〔化学式1〕
多型であって、結晶構造が正方晶系または単斜晶系からなる、LaVO4
〔化学式2〕
結晶構造が単斜晶系からなる、LaV3O9 - バナジウム前駆体溶液及びランタン前駆体溶液を混合する段階と、
前記混合溶液に担持体を構成する物質を投入する段階と、
前記混合溶液のpHを制御した後、前記混合溶液から固形物を収得し、か焼処理を行って、担持体に化学式1または化学式2で表されるランタンバナジウム酸塩が活性点として担持されるか、化学式1で表されるランタンバナジウム酸塩である第1活性点及び化学式2で表されるランタンバナジウム酸塩である第2活性点がいずれも担持される触媒を製造する段階と、
を含み、
前記担持体内に15族または16族元素の酸化物であるプロモーターがさらに含まれる、窒素酸化物還元用触媒の製造方法。
〔化学式1〕
多型であって、結晶構造が正方晶系または単斜晶系からなる、LaVO4
〔化学式2〕
結晶構造が単斜晶系からなる、LaV3O9 - 前記バナジウム前駆体溶液は、NH4VO3、NaVO3、VCl2、VCl3、VBr3、VCl3・3C4H8O、VO(C5H7O2)2、VO(OC2H5)3、VC10H10Cl2、VC18H14I、VOCl3、VOF3、VO(OCH(CH3)2)3、V(C5H7O2)3、VOSO4及びV(C5H5)2のうち何れか1つ以上が溶解された溶液を含む、請求項12または13に記載の窒素酸化物還元用触媒の製造方法。
- 前記ランタン前駆体溶液は、LaF3、LaB6、LaCl3、La(CH3CO2)3、LaI3、La2(C2O4)3、La(CF3SO3)3、La(NO3)3、La(C9H21O3)、La(C5H7O2)3、LaBr3、LaPO4、La2(CO3)3、La(OH)3、La2(SO4)3のうち何れか1つ以上が溶解された溶液を含む、請求項12または13に記載の窒素酸化物還元用触媒の製造方法。
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