JP7144753B2 - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7144753B2 JP7144753B2 JP2019209366A JP2019209366A JP7144753B2 JP 7144753 B2 JP7144753 B2 JP 7144753B2 JP 2019209366 A JP2019209366 A JP 2019209366A JP 2019209366 A JP2019209366 A JP 2019209366A JP 7144753 B2 JP7144753 B2 JP 7144753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulator
- plasma
- wall surface
- communicating hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
(1)本発明は、ガスが供給される導入部と、該導入部の下流側に配設され、上流側から順に積層された第1絶縁体、第1電極、第2絶縁体および第2電極を有する生成部とを備え、該生成部は、該第1絶縁体、該第1電極、該第2絶縁体および該第2電極を上流側から下流側に貫通するスリット状の連通孔を有し、さらに、該連通孔の下流側に載置されるワークを該連通孔に対して相対移動させる移動手段を備え、該第1電極と該第2電極の間に電圧を印加したときに該連通孔内で生成したプラズマを該連通孔の下端開口から相対移動する該ワークに向けて噴出し得るプラズマ装置である。
本発明は、上述した装置により発生されたプラズマを用いた処理(表面改質、成膜、洗浄等)の方法、または、その処理方法により得られた結果物(被処理物)としても把握され得る。
(1)本明細書でいう上流と下流は、導入部または生成部(特に連通孔)において、ガスまたはプラズマが流れる方向に沿う。鉛直方向(実際の配置)とは関係なく、適宜、その流れる方向を上下方向ともいう。例えば、上流側にある面や端等を上面や上端等といい、その反対側である下流側にある面や端等を下面や下端等という。
(1)電極と絶縁体
生成部は、少なくとも上流側から順に、第1絶縁体、第1電極、第2絶縁体、第2電極が積層されてなる。第1電極は、第1絶縁体と第2絶縁体の間に介装されているため、第1電極に高電圧が印加されても、第1電極の外周囲にある他の金属体(例えばチャンバー等の囲い)との間で放電は生じ難い。第1電極は、その外周側も絶縁体で覆われているとよりよい。例えば、第1絶縁体、第2絶縁体および環状絶縁体(絶縁環)で形成される(閉)空間内に、第1電極が収容されているとよい。
連通孔はスリット状である。スリット状とは、連通孔の横断面(ガス等の流れに対する直交断面)が、短手方向に対して長手方向に十分に長い形状である。具体的な形状は、長方形状、楕円状、長穴状等のいずれでもよい。
移動手段により、連通孔の下端開口から噴出するプラズマは、ワークの被処理面上を走査できる。連通孔側(生成部側)が移動しても、ワークを載置するステージが移動してもよい。
電源から各電極間に、プラズマ発生に必要な電圧が印加される。電源は、直流電源でも、交流電源でも、パルス電源でもよい。交流電源またはパルス電源は、例えば、周波数を1k~100kHzさらには10k~75kHzとするとよい。
本発明の装置を用いたプラズマ処理は、種々の雰囲気下でなされ得る。例えば、低圧雰囲気中でプラズマ処理されてもよいし、大気圧付近の雰囲気下でプラズマ処理されてもよい。
導入部には、種々のガスを供給し得る。例えば、不活性ガス(希ガス(Ar、Ne、He等)、N2等)、炭化水素等の原料ガス、それらの混合ガス等である。なお、導入部へ供給するプラズマ源ガスとは別に、プラズマと反応させる原料ガスを、連通孔の下端開口近傍またはワークの表面近傍へ供給してもよい。
本発明のプラズマ装置は、種々のプラズマ処理に用いられる。プラズマ処理は、例えば、電子部品や機械部品に対する表面改質、成膜、洗浄等である。
本発明の一実施例であるプラズマ装置S(単に「装置S」という。)の概要を図1に示した。また、装置Sの前後方向の断面図とその左右方向の断面図とをそれぞれ、図2Aと図2B(両図を合わせて「図2」という。)に示した。なお、説明の便宜上、前後方向、左右方向または上下方向は、図中に示した矢印方向とする。上下方向は、装置S内におけるガスまたはプラズマの流れに沿い、概ね上方側が上流側、下方側が下流側となる。
(1)次のような装置Sを実際に試作した。電極板221、222にはステンレス鋼(SUS304)の圧延板を、絶縁板211、212と絶縁環213にはアルミナ(Al2O3)の焼成体を用いた。電極板221と絶縁環213の厚みは2mm、電極板222の厚みは1mm、絶縁板211の厚みは2mm、絶縁板212の厚み(t)は1mmとした。
1 導入部
2 生成部
20 ノズル(連通孔)
211 絶縁板(第1絶縁体)
212 絶縁板(第2絶縁体)
221 電極板(第1電極)
222 電極板(第2電極)
3 ステージ
Claims (5)
- ガスが供給される導入部と、
該導入部の下流側に配設され、上流側から順に積層された第1絶縁体、第1電極、第2絶縁体および第2電極を有する生成部とを備え、
該生成部は、該第1絶縁体、該第1電極、該第2絶縁体および該第2電極を上流側から下流側に貫通するスリット状の連通孔を有し、
該連通孔は、該第2絶縁体の内壁面が、該第1電極の内壁面または該第2電極の内壁面よりも外周側に偏位しており、
さらに、該連通孔の下流側に載置されるワークを該連通孔に対して相対移動させる移動手段を備え、
該第1電極と該第2電極の間に電圧を印加したときに該連通孔内で生成したプラズマを該連通孔の下端開口から相対移動する該ワークに向けて噴出し得るプラズマ装置。 - 前記第2絶縁体の内壁面は、少なくとも長手方向に沿って偏位している請求項1に記載のプラズマ装置。
- 前記第1電極の内壁面または前記第2電極の内壁面から、前記第2絶縁体の内壁面までの偏位量は、少なくとも該第2絶縁体の厚さ以上である請求項1または2に記載のプラズマ装置。
- 前記移動手段は、前記ワークを載置するステージを移動させる請求項1~3のいずれかに記載のプラズマ装置。
- 前記ステージは、前記ワークの加熱手段を有する請求項4に記載のプラズマ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019209366A JP7144753B2 (ja) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019209366A JP7144753B2 (ja) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | プラズマ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021082491A JP2021082491A (ja) | 2021-05-27 |
JP7144753B2 true JP7144753B2 (ja) | 2022-09-30 |
Family
ID=75965409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019209366A Active JP7144753B2 (ja) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7144753B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073835A (ja) | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Tdk Corp | プラズマcvd装置およびプラズマcvd膜の形成方法 |
US20090162263A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Industrial Technology Research Institute | Atmospheric-pressure plasma reactor |
JP2019021708A (ja) | 2017-07-13 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用部品の溶射方法及びプラズマ処理装置用部品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3575822B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2004-10-13 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | プラズマ計測装置 |
-
2019
- 2019-11-20 JP JP2019209366A patent/JP7144753B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073835A (ja) | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Tdk Corp | プラズマcvd装置およびプラズマcvd膜の形成方法 |
US20090162263A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Industrial Technology Research Institute | Atmospheric-pressure plasma reactor |
JP2019021708A (ja) | 2017-07-13 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用部品の溶射方法及びプラズマ処理装置用部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021082491A (ja) | 2021-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100552378B1 (ko) | 플라즈마 표면 처리 장치의 전극 구조 | |
JP6339218B2 (ja) | 成膜装置へのガス噴射装置 | |
JP2020017419A (ja) | プラズマ発生装置 | |
US20200383197A1 (en) | Atmospheric pressure linear rf plasma source for surface modification and treatment | |
KR101688338B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 | |
JP2010009890A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2015137364A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2009087697A (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP2013004405A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
JP6973429B2 (ja) | プラズマ装置 | |
US11309167B2 (en) | Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus | |
JP7144753B2 (ja) | プラズマ装置 | |
KR101297711B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
JP7276367B2 (ja) | プラズマ装置 | |
JP2015111543A (ja) | プラズマ処理装置及び方法、並びに電子デバイスの製造方法 | |
JP2005302681A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5126983B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
KR101649304B1 (ko) | 선형 유전체 장벽 방전 플라즈마 발생기 및 이를 포함한 플라즈마 처리 시스템 | |
JP2003007497A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
JP6292470B2 (ja) | ノズル式のプラズマエッチング装置 | |
JP2007026981A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006318762A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
WO2014045565A1 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP4154838B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP4504723B2 (ja) | 放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7144753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |