JP7136057B2 - 薄膜積層体、薄膜素子及び積層型基板 - Google Patents
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Description
少なくとも一部の第一結晶の(100)面が、金属層の表面の法線方向において配向していてよく、少なくとも一部の第二結晶の(100)面が、金属層の表面の法線方向において配向していてよい。
BaTiO3 (1)
K1-xNaxNbO3(0<x<1) (2)
LiNbO3 (3)
PbTiO3 (4)
PbZrxTi1-xO3(0<x<1) (5)
Pb(1-x)LaxTi1-x/4O3(0<x<1) (6)
Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3(0<x<1,0<y<1) (7)
(NayBi1-y)1-xBaxTiO3(0<x<1,0<y<1) (8)
(BixBay)mFexTiyO3(xy>0、x+y=1、mは約1である。) (9)(BixBaySrz)mFexTi(y+z)O3(xyz>0、x+y+z=1、mは約1である。) (10)
(Bi(x+z)Bay)mFexTiyAlzO3(xyz>0、x+y+z=1、mは約1である。) (11)
AlN (12)
ZnO (13)
CdS (14)
HfO2 (15)
TiO2 (16)
Ta2O5 (17)
Al2O3 (18)
SiO2 (19)
Siの単結晶基板が薄膜積層体の作製に用いられた。単結晶基板の表面は、Siの(100)面であった。単結晶基板は、直径が3インチ(76.2mm)の円盤であった。単結晶基板の厚みは、400μmであった。
実施例1の10個の薄膜積層体を用いて、KNN膜の剥離率Rp(単位:%)が算出された。KNN膜の剥離率Rpは、以下のクロスハッチテストによって測定された。クロスハッチテストは、日本工業規格のK 5600‐5‐6:1999(ISO 2409:1992)に準拠する方法である。クロスハッチテストでは、互いに直交する複数の切込み(crоss hatch cuts)をKNN膜の表面に形成することにより、KNN膜を100個の格子(正方形)に分けた。切込みの間隔は1mmであった。格子の形成後、粘着テープがKNN膜の表面全体に貼り付けられた。KNN膜の表面からの粘着テープの剥離に伴い、金属層の表面からKNN膜の少なくとも一部が剥離した格子の個数Nが数えられた。Nは剥離率Rpそのものである。剥離率Rpは、A、B、C及びDの4つのランクに分類される。Aは、剥離率Rpが0%以上10%未満であることを意味する。Bは、剥離率Rpが10%以上20%未満あることを意味する。Cは、剥離率Rpが20%以上50%未満であることを意味する。Dは、剥離率Rpが50%以上100%以下であることを意味する。剥離率Rpのランクは、A又はBであることが好ましく、剥離率RpのランクはAであることが最も好ましい。実施例1の剥離率Rpのランクは、下記表1に示される。
実施例2~7及び比較例1其々の第二温度T2は、下記表1に示される温度に調整された。
Claims (19)
- 金属からなる金属層と、前記金属層の表面に積層された薄膜と、を備え、
第一方向が、前記金属層の表面に平行である一つの方向と定義され、
第二方向が、前記金属層の表面に平行であり、且つ前記第一方向と交差する一つの方向と定義され、
前記金属層が、
前記金属からなり、前記金属層の表面において前記第一方向に沿って延びる複数の第一金属粒と、
前記金属からなり、前記金属層の表面において前記第二方向に沿って延びる複数の第二金属粒と、
を含み、
前記第一方向における前記第一金属粒の幅が、L1と表され、
前記金属層の表面に平行であり、且つ前記第一方向に垂直な方向における前記第一金属粒の幅が、S1と表され、
前記第二方向における前記第二金属粒の幅が、L2と表され、
前記金属層の表面に平行であり、且つ前記第二方向に垂直な方向における前記第二金属粒の幅が、S2と表され、
複数の前記第一金属粒のL1/S1の平均値が、1.5以上20以下であり、
複数の前記第二金属粒のL2/S2の平均値が、1.5以上20以下である、
薄膜積層体。 - 前記第一金属粒が、前記金属からなる第一結晶であり、
前記第二金属粒が、前記金属からなる第二結晶である、
請求項1に記載の薄膜積層体。 - 少なくとも一部の前記第一結晶の(100)面が、前記金属層の表面の法線方向において配向しており、
少なくとも一部の前記第二結晶の(100)面が、前記金属層の表面の法線方向において配向している、
請求項2に記載の薄膜積層体。 - 前記薄膜が、誘電体を含む、
請求項1~3のいずれか一項に記載の薄膜積層体。 - 前記誘電体が、常誘電体、圧電体、焦電体及び強誘電体からなる群より選ばれる一種である、
請求項4に記載の薄膜積層体。 - 前記誘電体が、ペロブスカイト型構造を有する金属酸化物である、
請求項4又は5に記載の薄膜積層体。 - 金属からなる金属層と、前記金属層の表面に積層された薄膜と、を備え、
第一方向が、前記金属層の表面に平行である一つの方向と定義され、
第二方向が、前記金属層の表面に平行であり、且つ前記第一方向と交差する一つの方向と定義され、
前記金属層が、
前記金属からなり、前記金属層の表面において前記第一方向に沿って延びる複数の第一金属粒と、
前記金属からなり、前記金属層の表面において前記第二方向に沿って延びる複数の第二金属粒と、
を含み、
前記第一金属粒が、前記金属からなる第一結晶であり、
前記第二金属粒が、前記金属からなる第二結晶であり、
少なくとも一部の前記第一結晶の(100)面が、前記金属層の表面の法線方向において配向しており、
少なくとも一部の前記第二結晶の(100)面が、前記金属層の表面の法線方向において配向している、
薄膜積層体。 - 前記薄膜が、誘電体を含む、
請求項7に記載の薄膜積層体。 - 前記誘電体が、常誘電体、圧電体、焦電体及び強誘電体からなる群より選ばれる一種である、
請求項8に記載の薄膜積層体。 - 前記誘電体が、ペロブスカイト型構造を有する金属酸化物である、
請求項8又は9に記載の薄膜積層体。 - 金属からなる金属層と、前記金属層の表面に積層された薄膜と、を備え、
第一方向が、前記金属層の表面に平行である一つの方向と定義され、
第二方向が、前記金属層の表面に平行であり、且つ前記第一方向と交差する一つの方向と定義され、
前記金属層が、
前記金属からなり、前記金属層の表面において前記第一方向に沿って延びる複数の第一金属粒と、
前記金属からなり、前記金属層の表面において前記第二方向に沿って延びる複数の第二金属粒と、
を含み、
前記薄膜が、誘電体を含み、
前記誘電体が、ペロブスカイト型構造を有する金属酸化物である、
薄膜積層体。 - 前記誘電体が、常誘電体、圧電体、焦電体及び強誘電体からなる群より選ばれる一種である、
請求項11に記載の薄膜積層体。 - 前記金属層が、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、コバルト、ニッケル、金及び銀からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む、
請求項1~12のいずれか一項に記載の薄膜積層体。 - 前記薄膜が、エピタキシャル膜である、
請求項1~13のいずれか一項に記載の薄膜積層体。 - 前記金属層が、第一電極層であり、
前記薄膜積層体が、前記薄膜の表面に積層された第二電極層を更に備える、
請求項1~14のいずれか一項に記載の薄膜積層体。 - 前記第一方向と前記第二方向がなす角度が、90°である、
請求項1~15のいずれか一項に記載の薄膜積層体。 - 基板と、
前記基板の表面に積層された密着層と、
前記密着層の表面に積層された前記金属層と、
前記金属層の表面に積層された前記薄膜と、
を備え、
前記密着層が、酸化ジルコニウム及び希土類元素の酸化物を含む、
請求項1~16のいずれか一項に記載の薄膜積層体。 - 請求項1~17のいずれか一項に記載の薄膜積層体を備える、
薄膜素子。 - 請求項1~17のいずれか一項に記載の薄膜積層体を備え、
薄膜素子の製造に用いられる積層型基板。
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US20030117041A1 (en) | 2000-03-30 | 2003-06-26 | Kazuaki Kurihara | Piezoelectric actuator, method of manufacturing the same, ink-jet head using the same, and ink-jet printer |
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