JP2007148034A - 電気光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (001)面を主表面とする単結晶材料からなる支持基板の主表面上に、結晶構造が蛍石構造である下地膜がエピタキシャル成長している。下地膜の上に、(111)面が下地基板の主表面と平行になるように、中間膜がエピタキシャル成長している。(111)面が支持基板の主表面と平行になるように配向しており、電気光学効果を有する酸化物材料からなるコア層が、中間膜の上に形成されている。コア層の一部の領域に電界を生じさせる電極が配置されている。
【選択図】 図1
Description
E.J. Tarsa et al.,"Common Themes in The Epitaxial Growth of Oxides on Semiconductors",Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.341, p.73-p.85 (1994)
を有する電気光学素子が提供される。
(001)面を主表面とする単結晶材料からなる支持基板と、
前記支持基板の主表面上にエピタキシャル成長し、結晶構造が蛍石構造である下地膜と、
前記下地膜の上に配置され、(111)面が前記下地基板の主表面と平行になるように、該下地膜の表面上にエピタキシャル成長した中間膜と、
前記中間膜の上に配置され、(111)面が前記支持基板の主表面と平行になるように配向しており、電気光学効果を有する酸化物材料からなるコア層と、
前記コア層の一部の領域に電界を生じさせる電極と
を有する電気光学素子。
前記下地膜が、酸化ジルコニウムを主成分とする材料で形成されている付記1に記載の電気光学素子。
前記下地膜が、希土類元素またはアルカリ土類元素を含有する付記2に記載の電気光学素子。
前記中間膜は面内に分布する複数のドメインを含み、該ドメインは、結晶軸の方位が面内方向に関して30°ずつずれている4種類のドメインに分類される付記1〜3のいずれかに記載の電気光学素子。
前記中間膜が白金族の元素で形成され、前記電極の一部を構成する付記1〜4のいずれかに記載の電気光学素子。
前記中間膜が導電性を持ち、その結晶構造がペロブスカイト構造である付記1〜4のいずれかに記載の電気光学素子。
前記コア層の結晶構造が、ペロブスカイト構造である付記1〜6のいずれかに記載の電気光学素子。
さらに、前記コア層の下に、該コア層に接するように配置され、該コア層よりも屈折率の小さな材料で形成された下部クラッド層を有する付記1〜7のいずれかに記載の電気光学素子。
さらに、前記コア層の上に、該コア層に接するように配置され、該コア層よりも屈折率の小さな材料で形成された上部クラッド層を有する付記1〜8のいずれかに記載の電気光学素子。
前記コア層が、入射端面と出射端面とを有し、
さらに、
前記入射端面から前記コア層内に光線束を入射させる入射側光学系と、
前記コア層内に電界が生じていないときに前記入射側光学系から前記コア層内に入射し、前記コア層を伝搬して該出射端面から出射した光線束を後段に伝搬させる第1の出射側光学系と、
前記コア層内に電界が生じているときに前記入射側光学系から前記コア層内に入射し、前記コア層を伝搬する際に屈折率の変化した領域と変化していない領域との境界で屈折した後、該出射端面から出射した光線束を後段に伝搬させる第2の出射側光学系と
を有する付記1〜9のいずれかに記載の電気光学素子。
前記電極が、前記コア層よりも下に配置された下部電極と、該コア層の上に配置された上部電極とを含み、該上部電極は、直線状の第1の縁と、該第1の縁に対して斜めの直線状の第2の縁とを含む付記1〜10のいずれかに記載の電気光学素子。
(001)面を主表面とする単結晶材料からなる支持基板の該主表面上に、結晶構造が蛍石構造である下地膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記下地膜の上に、(111)面が前記主表面に平行になるように配向する条件で、中間膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記中間膜の上に、電気光学効果を有する酸化物材料からなるコア層をエピタキシャル成長させる工程と
を有する電気光学素子の製造方法。
2 下地膜
3 第1中間膜(下部電極)
4 第2中間膜
5 コア層
6、6A、6B 上部電極
11 入射側光学系
14 第1の出射側光学系
17 第2の出射側光学系
30 下部クラッド層
31 上部クラッド層
Claims (5)
- (001)面を主表面とする単結晶材料からなる支持基板と、
前記支持基板の主表面上にエピタキシャル成長し、結晶構造が蛍石構造である下地膜と、
前記下地膜の上に配置され、(111)面が前記下地基板の主表面と平行になるように、該下地膜の表面上にエピタキシャル成長した中間膜と、
前記中間膜の上に配置され、(111)面が前記支持基板の主表面と平行になるように配向しており、電気光学効果を有する酸化物材料からなるコア層と、
前記コア層の一部の領域に電界を生じさせる電極と
を有する電気光学素子。 - 前記下地膜が、酸化ジルコニウムを主成分とする材料で形成されている請求項1に記載の電気光学素子。
- 前記中間膜は面内に分布する複数のドメインを含み、該ドメインは、結晶軸の方位が面内方向に関して30°ずつずれている4種類のドメインに分類される請求項1または2に記載の電気光学素子。
- 前記コア層が、入射端面と出射端面とを有し、
さらに、
前記入射端面から前記コア層内に光線束を入射させる入射側光学系と、
前記コア層内に電界が生じていないときに前記入射側光学系から前記コア層内に入射し、前記コア層を伝搬して該出射端面から出射した光線束を後段に伝搬させる第1の出射側光学系と、
前記コア層内に電界が生じているときに前記入射側光学系から前記コア層内に入射し、前記コア層を伝搬する際に屈折率の変化した領域と変化していない領域との境界で屈折した後、該出射端面から出射した光線束を後段に伝搬させる第2の出射側光学系と
を有する請求項1〜3のいずれかに記載の電気光学素子。 - (001)面を主表面とする単結晶材料からなる支持基板の該主表面上に、結晶構造が蛍石構造である下地膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記下地膜の上に、(111)面が前記主表面に平行になるように配向する条件で、中間膜をエピタキシャル成長させる工程と、
前記中間膜の上に、電気光学効果を有する酸化物材料からなるコア層をエピタキシャル成長させる工程と
を有する電気光学素子の製造方法。
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- 2005-11-28 JP JP2005342705A patent/JP2007148034A/ja active Pending
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