JP7131757B2 - 有機発光ダイオード表示パネル及び装置、その駆動方法と製造方法 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１７年１２月１５日に出願された米国特許出願番号１５／８４３９４４号の一部継続出願であり、２０１７年５月１２日に出願された中国特許出願番号２０１７１０３３６００６．Ｘ号の優先権を主張する。前述の出願の各々は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

本発明は、表示技術に関連し、特に、有機発光ダイオード表示パネル、有機発光ダイオード表示装置、有機発光ダイオード表示パネルの駆動方法と有機発光ダイオード表示パネルの製造方法に関連する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）表示装置は、自発光装置であり、バックライトを必要としない。ＯＬＥＤ表示装置は、従来の液晶表示（ＬＣＤ）装置に比べ、より鮮やかな色と、より大きな色域を提供する。さらに、ＯＬＥＤ表示装置は、典型的なＬＣＤよりも、もっと柔軟に、もっと薄く、もっと軽くすることができる。

一態様では、本発明は、有機発光ダイオード表示パネルを提供し、前記有機発光ダイオード表示パネルは、ベース基板と、ベース基板上にあり、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも含むピクセルを定義するためのピクセル定義層と、ベース基板上にあり、第１サブピクセルと第２サブピクセル中に位置する第１電極と、第１電極のベース基板から遠い側に位置し、第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層と、第１電極のベース基板から遠い側に位置し、第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層と、第１有機発光層および第２有機発光層の第１電極から遠い側に位置する第２電極と、第２電極のベース基板から遠い側に位置し、第３色の光を発光するための第３有機発光層と、第３有機発光層のベース基板から遠い側位置する第３電極と、を含み、第１電極と第２電極は、第１サブピクセルにおける第１有機発光層の発光と第２サブピクセルにおける第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、第２電極と第３電極は、第３有機発光層の発光を駆動するように構成される。

必要に応じて、第３サブピクセルのベース基板における正投影は、第１サブピクセルのベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、かつ、第２サブピクセルのベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なる。そして、第１サブピクセルのベース基板における正投影と第２サブピクセルのベース基板における正投影は、実質的に互いに重ならない。

必要に応じて、第２電極のベース基板における正投影は、第１電極のベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なる。

必要に応じて、第２電極のベース基板における正投影は、第１電極のベース基板における正投影を実質的に覆う。

必要に応じて、第３有機発光層のベース基板における正投影は、第１有機発光層のベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、かつ、第２有機発光層のベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なる。そして、第１有機発光層のベース基板における正投影と第２有機発光層のベース基板における正投影は、実質的に互いに重ならない。

必要に応じて、第３有機発光層のベース基板における正投影は、第１有機発光層のベース基板における正投影と第２有機発光層のベース基板における正投影を実質的に覆う。

必要に応じて、第２電極は、複数のピクセルのそれぞれに複数の第２電極ブロックを含み、前記複数のピクセルのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロックは、互いに絶縁されている。

必要に応じて、ピクセル定義層は、隣接するピクセル間の領域に位置し、同じピクセル内の隣接するサブピクセル間の領域には位置しない第１サブ層を含む。第１サブ層は、実質的に互いに対向する第１側面と第２側面、及び第１側面と第２側面を連結する第３側面を有する。第１側面は、第２側面のベース基板から遠い側に位置する。第１サブ層の第３側面は、第１サブ層の第２側面に対して第１傾斜角を有し、第１傾斜角は、約６０度より大きい。複数のピクセルのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロックは、第１サブ層によって互いに絶縁されている。

必要に応じて、第１サブ層は、約２０ｎｍから約５００ｎｍの範囲の厚さを有する。

必要に応じて、ピクセル定義層は、隣接するサブピクセル間の領域に位置する第２サブ層をさらに含む。前記第２サブ層は、第１サブ層のベース基板に近い側に位置する。第２サブ層は、実質的に互いに対向する第４側面と第５側面、及び第４側面と第５側面を連結する第６側面を有する。第４側面は、第５側面のベース基板から遠い側に位置する。第２サブ層の第６側面は、第２サブ層の第５側面に対して第２傾斜角を有し、前記第２傾斜角は、前記第１傾斜角より小さい。

必要に応じて、第２傾斜角は、約２０度から約４０度までの範囲にある。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、ピクセル駆動回路をさらに含み、ピクセルは、ピクセル定義層によって定義される電極接続領域を有する。そして、第２電極は、電極接続領域を通じてピクセル駆動回路に電気的に接続される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、電極接続領域において第４電極をさらに含み、前記第４電極は、第２電極をピクセル駆動回路に電気的に接続する。そして、第２電極のベース基板における正投影は、第４電極のベース基板における正投影を実質的に覆う。

必要に応じて、第４電極は、金属酸化物材料によって形成され、第２電極は、金属材料によって形成される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、ピクセル駆動回路をさらに含み、前記ピクセル駆動回路は、第１サブピクセルにおける発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタ及び第１駆動薄膜トランジスタと、第２サブピクセルにおける発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタと、第３サブピクセルにおける発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタ及び第３駆動薄膜トランジスタと、を含む。第１駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、第１電極に電気的に接続される。第２駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、第１電極に電気的に接続される。第３駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、第２電極に電気的に接続される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第２電極と第１有機発光層との間、および、第２電極と第２有機発光層との間に、電子注入層をさらに含む。

必要に応じて、第３有機発光層は、ブルーライトを発光するためのブルーライト発光層である。

必要に応じて、第１電極は、反射電極であり、第２電極及び第３電極は、実質的に透明電極である。

他の態様では、本発明は、本文で説明される有機発光ダイオード表示パネルまたは本文で説明される方法によって製造される有機発光ダイオード表示パネルを有する有機発光ダイオード表示装置を提供する。

他の態様では、本発明は、有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法を提供する。前記有機発光ダイオード表示パネルは、ベース基板と、ベース基板上にあり、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも有するピクセルを定義するためのピクセル定義層と、ベース基板上にあり、第１サブピクセルと第２サブピクセル中に位置する第１電極と、第１電極のベース基板から遠い側に位置し、第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層と、第１電極のベース基板から遠い側に位置し、第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層と、第１有機発光層および第２有機発光層の第１電極から遠い側に位置する第２電極と、第２電極のベース基板から遠い側に位置し、第３色の光を発光するための第３有機発光層と、第３有機発光層のベース基板から遠い側位置する第３電極と、ピクセル駆動回路と、を含み、第１電極と第２電極は、第１サブピクセルにおける第１有機発光層の発光と第２サブピクセルにおける第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、第２電極及び第３電極は、第３有機発光層の発光を駆動するように構成され、前記ピクセル駆動回路は、第１サブピクセルにおける発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタ及び第１駆動薄膜トランジスタと、第２サブピクセルにおける発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタと、第３サブピクセルにおける発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタ及び第３駆動薄膜トランジスタと、を含み、第１駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、第１電極に電気的に接続され、第２駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、第１電極に電気的に接続され、第３駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、第２電極に電気的に接続される、有機発光ダイオード表示パネルであって、前記有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法は、第１発光モードと第２発光モードを含む時分割駆動モードで前記有機発光ダイオード表示パネルを駆動することを含む。第１発光モードでは、第１切替薄膜トランジスタ、第２切替薄膜トランジスタ及び第３切替薄膜トランジスタをオンにし、第１駆動薄膜トランジスタのソース電極に高電圧信号を供給し、第２駆動薄膜トランジスタのソース電極に高電圧信号を供給し、第３駆動薄膜トランジスタのソース電極に低電圧信号を供給する。第２発光モードでは、第１切替薄膜トランジスタと第２切替薄膜トランジスタをオフにし、第３切替薄膜トランジスタをオンにし、第３駆動薄膜トランジスタのソース電極に高電圧信号を供給する。第１サブピクセルと第２サブピクセルは、第１発光モードで発光し、第２発光モードでは実質的に発光しないように駆動される。第３サブピクセルは、第２発光モードで発光し、第１発光モードでは実質的に発光しないように駆動される。

他の態様では、本発明は、有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法を供給する。前記方法は、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも含むピクセルを定義するためのピクセル定義層をベース基板上に形成するステップと、ベース基板上かつ第１サブピクセル及び第２サブピクセル中に、第１電極を形成するステップと、第１電極のベース基板から遠い側に、第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層を形成するステップと、第１電極のベース基板から遠い側に、第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層を形成するステップと、第１有機発光層および第２有機発光層の第１電極から遠い側に第２電極を形成するステップと、第２電極のベース基板から遠い側に、第３色の光を発光するための第３有機発光層を形成するステップと、第３有機発光層のベース基板から遠い側に、第３電極を形成するステップと、を含む。第１電極及び第２電極は、第１サブピクセルにおける第１有機発光層の発光と第２サブピクセルにおける第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、第２電極及び第３電極は、第３有機発光層の発光を駆動するように構成される。

下記の図面は、開示した様々な実施例による例示的な目的のための単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではない。

本開示によるいくつかの実施例における有機発光ダイオード表示パネルの構造を示す模式図である。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルにおける有機発光ダイオードの構造を示す模式図である。 図１における有機発光ダイオード表示パネルの平面図である。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルにおける第２電極の構造を示す模式図である。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルにおけるピクセル定義層の構造を示す模式図である。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルにおけるピクセル駆動回路の構造を示す模式図である。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。 本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。

本開示は、下記の実施例を参照して詳しく説明される。下記のいくつかの実施例の説明は、明細書の例示及び説明のみを目的として提示されることに留意されたい。網羅的であること、または開示された正確な形態に限定されることを意図するものではない。

一般に、従来の有機発光表示装置は、複数のピクセル部を有するアレイ基板を有し、ピクセル部はそれぞれ発光ダイオードを有する。従来の発光ダイオードは、アノード層と、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、カソード層と、を有する。従来の有機発光ダイオードを有する有機発光表示パネルを製造する際、発光ダイオードは、一般的にはマスクプレートを用いた蒸着によって形成される。異なる三色の三つの発光層を有する従来の有機発光ダイオードを製造する際には、発光ダイオードの異なる位置に対応する開口を有する三つの異なるマスクプレートを用いた蒸着工程が必要である。各発光層は、基板に正確に堆積しなければならない。これは、高い位置合わせ精度が必要であり、製造工程をより複雑にする。また、発光層は、発光材料を有するインクを基板上に印刷または塗布することによって形成してもよい。しかしながら、印刷または塗布する方法を用いて、優れた性能と長寿命を有する発光層、特にブルーライト発光層を製造することは難しい。

よって、本開示は、特に、従来技術の制限や欠点に起因する１つまたは複数の問題を実質的に取り除くために、有機発光ダイオード表示パネル、有機発光ダイオード表示装置、有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法及び有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法を供給する。一態様では、本開示は、有機発光ダイオード表示パネルを供給する。いくつかの実施例では、有機発光ダイオード表示パネルは、ベース基板と、ベース基板上にあり、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも含むピクセルを定義するためのピクセル定義層と、ベース基板上にあり、かつ第１サブピクセルと第２サブピクセルの中に位置する第１電極と、第１電極のベース基板から遠い側に位置し、第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層と、第１電極のベース基板から遠い側に位置し、第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層と、第１有機発光層および第２有機発光層の第１電極から遠い側に位置する第２電極と、第２電極のベース基板から遠い側に位置し、第３色の光を発光するための第３有機発光層と、第３有機発光層のベース基板から遠い側位置する第３電極と、を備え、第１電極と第２電極は、第１サブピクセルにおける第１有機発光層の発光と第２サブピクセルにおける第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、第２電極と第３電極は、第３有機発光層の発光を駆動するように構成される。

図１は、本開示によるいくつかの実施例における有機発光ダイオード表示パネルの構造を示す模式図である。図３は、図１における有機発光ダイオード表示パネルの平面図である。図１と図３に示されているように、いくつかの実施例における有機発光ダイオード表示パネルは、ベース基板１０と、ベース基板１０上にあり、第１サブピクセルＳｐ１、第２サブピクセルＳｐ２、第３サブピクセルＳｐ３を少なくとも含むピクセルＰを定義するためのピクセル定義層２０と、ベース基板１０上にあり、かつ第１サブピクセルＳｐ１と第２サブピクセルＳｐ２中に位置する第１電極３０と、第１電極３０のベース基板１０から遠い側に位置し、第１サブピクセルＳｐ１において第１色の光を発光するための第１有機発光層４０と、第１電極３０のベース基板１０から遠い側に位置し、第２サブピクセルＳｐ２において第２色の光を発光するための第２有機発光層５０と、第１有機発光層４０および第２有機発光層５０の第１電極３０から遠い側に位置する第２電極６０と第２電極６０のベース基板１０から遠い側に位置し、第３色の光を発光するための第３有機発光層７０と、第３有機発光層７０のベース基板１０から遠い側に位置する第３電極８０と、を備える。第１電極３０と第２電極６０は、第１サブピクセルＳｐ１における第１有機発光層４０の発光と第２サブピクセルＳｐ２における第２有機発光層５０の発光を駆動するように構成され、第２電極６０と第３電極８０は、第３有機発光層７０の発光を駆動するように構成される。

必要に応じて、第１電極は、反射電極であり、第２電極と第３電極は、実質的に透明電極である。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、トップエミッション型有機発光ダイオード表示パネルである。ここで、「実質的に透明」とは、可視波長範囲内の光が少なくとも５０パーセント透過する（例えば、少なくとも６０パーセント、少なくとも７０パーセント、少なくとも８０パーセント、少なくとも９０パーセント、少なくとも９５パーセント）ことである。

図２は、本開示によるいくつかの実施例にいて、有機発光ダイオード表示パネルにおける有機発光ダイオードの構造を示す模式図である。図２に示されているように、いくつかの実施例では、有機発光ダイオード表示パネルは、少なくとも、第１サブピクセルＳｐ１の第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と、第２サブピクセルＳｐ２の第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２と、第３サブピクセルＳｐ３の第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３と、を有する。第１サブピクセルＳｐ１の第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１は、少なくとも第１電極３０、第１有機発光層４０、第２電極６０によって形成される。第２サブピクセルＳｐ２の第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、少なくとも第１電極３０、第２有機発光層５０、第２電極６０によって形成される。第３サブピクセルＳｐ３の第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、少なくとも第２電極６０、第３有機発光層７０、第３電極８０によって形成される。

図１に示されているように、いくつかの実施例では、第３サブピクセルＳｐ３のベース基板１０における正投影は、第１サブピクセルＳｐ１のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なり、第２サブピクセルＳｐ２のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なる。必要に応じて、第３サブピクセルＳｐ３のベース基板１０における正投影は、第１サブピクセルＳｐ１のベース基板１０における正投影と第２サブピクセルＳｐ２のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。必要に応じて、第３サブピクセルＳｐ３の面積は、ピクセルＰの面積と実質的に同じである。必要に応じて、第３サブピクセルＳｐ３の面積は、第１サブピクセルＳｐ１の面積と第２サブピクセルＳｐ２の面積の合計より大きい。必要に応じて、第２電極６０は、実質的にピクセルＰの全域にわたって延在する。必要に応じて、第３有機発光層７０は、実質的にピクセルＰの全域にわたって延在する。

必要に応じて、第１サブピクセルＳｐ１のベース基板１０における正投影と第２サブピクセルＳｐ２のベース基板１０における正投影は、実質的に互いに重ならない。必要に応じて、第１サブピクセルＳｐ１のベース基板１０における正投影と第２サブピクセルＳｐ２のベース基板１０における正投影は、互いに少なくとも部分的に重なる。

必要に応じて、第１色、第２色、第３色は、三つの異なる色である。必要に応じて、第１色、第２色、第３色は、赤色、緑色、青色から選択される三つの異なる色である。必要に応じて、第１色、第２色、第３色は、イエロー、シアン、マゼンダから選択される三つの異なる色である。必要に応じて、第３色は、青色であり、例えば、第３有機発光層は、ブルーライト発光材料を有する。必要に応じて、第３色は、赤色であり、例えば、第３有機発光層は、レッドライト発光材料を有する。必要に応じて、第３色は、緑色であり、例えば、第３有機発光層は、グリーンライト発光材料を有する。必要に応じて、第１有機発光層４０は、第１発光材料を含むインクを用いて第１サブピクセルＳｐ１に印刷される。必要に応じて、第２有機発光層５０は、第２発光材料を含むインクを用いて第２サブピクセルＳｐ２に印刷される。必要に応じて、第３有機発光層７０は、例えば、蒸着法を用いて第３発光材料を堆積することによって第３サブピクセルＳｐ３に形成される。

いくつかの実施例では、第３有機発光層７０は、実質的にピクセルＰ全体にわたって延在する連続層である。よって、本有機発光ダイオード表示パネルは、従来の表示パネルに比べて開口率が非常に大きい。場合により、発光材料は、蒸着によって堆積される場合に、印刷や塗布によって堆積される場合に比べてはるかに高い性能を有し、発光材料は、第３有機発光層７０を形成するために選択され得る。一例において、ブルーライト発光材料は、蒸着によって堆積される場合に、印刷や塗布によって堆積される場合に比べてはるかに高い性能を有するため、第３有機発光層７０は、ブルーライト発光材料を有する。その結果、有機発光ダイオード表示パネルの表示品質を向上させ、寿命を長くすることができる。

いくつかの実施例では、第２電極６０のベース基板１０における正投影は、第１電極３０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なる。必要に応じて、第２電極６０のベース基板１０における正投影は、第１電極３０のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。

いくつかの実施例では、第２電極６０のベース基板１０における正投影は、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なり、かつ第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なる。必要に応じて、第２電極６０のベース基板１０における正投影は、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。

いくつかの実施例では、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影は、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なり、第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なる。必要に応じて、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影は、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。必要に応じて、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影は、実質的に互いに重ならない。

いくつかの実施例では、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影は、第１電極３０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なる。必要に応じて、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影は、第１電極３０のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。

いくつかの実施例では、有機発光ダイオード表示パネルは、第２電極と第１有機発光層との間、および、第２電極と第２有機発光層との間に、電子注入層をさらに有する。必要に応じて、電子注入層は、フッ化リチウムとフッ化ナトリウム等の金属ハロゲン化物を含む。

図４は、本開示によるいくつかの実施例にいて、有機発光ダイオード表示パネルにおける第２電極の構造を示す模式図である。図１と図４に示されているように、第２電極６０は、複数のピクセルＰは、それぞれ複数の第２電極ブロック６０ｂを含む。複数のピクセルＰのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロック６０ｂは、互いに絶縁されかつ離間している。複数の第２電極ブロック６０ｂは、任意の適切な方法によって形成することができる。一例において、複数の第２電極ブロック６０ｂは、まず電極材料層をベース基板１０に堆積してから電極材料層をパターンニングすることによって形成される。

いくつかの実施例では、複数の第２電極ブロック６０ｂは、さらにパターンニングすることなく電極材料層をベース基板１０に堆積することによって形成される。一例では、ピクセル定義層２０は、隣接するピクセル間の領域に位置し、同じピクセル内の隣接するサブピクセル間の領域には位置しない第１サブ層２０ａを含む。第１サブ層２０ａは、第１サブ層２０ａの急な傾斜角によって電極材料層が第１サブ層２０ａで分断されるように、十分に急な傾斜角を有する。

図５は、本開示によるいくつかの実施例にいて、有機発光ダイオード表示パネルにおけるピクセル定義層の構造を示す模式図である。図５に示されているように、ピクセル定義層２０の第１サブ層２０ａは、実質的に互いに対向する第１側面Ｓ１と第２側面Ｓ２、及び第１側面Ｓ１と第２側面Ｓ２を連結する第３側面Ｓ３を有する。第１側面Ｓ１は、第２側面Ｓ２のベース基板１０から遠い側に位置する。図１と図５に示されているように、第１サブ層２０ａの第３側面Ｓ３は、第１サブ層２０ａの第２側面Ｓ２に対して第１傾斜角θ１を有する。第１傾斜角θ１は、第２電極６０の電極材料がピクセル定義層２０に堆積される際、電極材料が第３側面Ｓ３を完全には覆わないことで、第１サブ層２０ａでまたはその周りで第２電極６０が破断されるように、十分に急である。上記のように形成される第２電極６０は、複数の第２電極ブロック６０ｂを有する。必要に応じて、第１傾斜角θ１は、約６０度より大きい。必要に応じて、第１傾斜角θ１は、約６０度から約９０度までの範囲にあり、例えば、約７０度から約９０度までの範囲にあり、約８０度から約９０度までの範囲にある。図４に示されているように、複数のピクセルＰのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロック６０ｂは、第１サブ層２０ａによって互いに絶縁される。

必要に応じて、第１サブ層２０ａは、約２０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲、例えば、約２０ｎｍから約２００ｎｍまで、約２００ｎｍから約４００ｎｍまで、約４００ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の厚さを有する。必要に応じて、第１サブ層２０ａは、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｙ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｙ、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）のうちの一つまたはその組み合わせによって形成される。

必要に応じて、第２電極６０は、約７ｎｍから約２０ｎｍまでの範囲の厚さを有する。必要に応じて、第１電極３０は、約２０ｎｍから約２００ｎｍまでの範囲の厚さを有する。

いくつかの実施例では、図１と図５に示されているように、ピクセル定義層２０は、隣接するサブピクセル間の領域に位置する第２サブ層２０ｂをさらに有する。必要に応じて、第２サブ層２０ｂは、同じピクセル内の隣接するサブピクセル間の領域に限定される。必要に応じて、第２サブ層２０ｂは、同じピクセル内の隣接するサブピクセル（ピクセル内隣接サブピクセル）間の領域に限定されず、隣接するピクセルに由来する隣接するサブピクセル（ピクセル間隣接サブピクセル）間の領域にも位置する。必要に応じて、図５に示されているように、第２サブ層２０ｂは、第１サブ層２０ａのベース基板１０に近い側に位置する。図５に示されているように、ピクセル定義層２０の第２サブ層２０ｂは、実質的に互いに対向する第４側面Ｓ４と第５側面Ｓ５、及び第４側面Ｓ４と第５側面Ｓ５を連結する第６側面Ｓ６を有する。第４側面Ｓ４は、第５側面Ｓ５のベース基板１０から遠い側に位置する。図１と図５に示されているように、第２サブ層２０ｂの第６側面Ｓ６は、第２サブ層２０ｂの第５側面Ｓ５に対して第２傾斜角θ２を有する。必要に応じて、第２傾斜角θ２は、第１傾斜角θ１より小さい。第２傾斜角θ２は、第２電極６０の電極材料がピクセル定義層２０に堆積される際、電極材料が第２サブ層２０ｂ（特に、ピクセル間隣接サブピクセルの間の領域以外の領域に位置する第２サブ層２０ｂ）の第６側面Ｓ６を完全に覆うように、十分に平らである。複数のピクセルＰは、それぞれ複数の第２電極ブロック６０ｂのうち単一の連続した電極ブロックを有する。必要に応じて、第２傾斜角θ２は、約２０度から約４０度までの範囲にあり、例えば、約２０度から約３０度までの範囲にあり、約３０度から約４０度までの範囲にある。必要に応じて、第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂは、異なる材料を用いて形成される。一例では、第２サブ層２０ｂは、有機材料を含み、第１サブ層２０ａは、無機材料を含む。必要に応じて、第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂは、単一のパターンニング工程（例えば、同じ材料を用いて形成され、ハーフトーンまたはグレートーンマスクプレート等のような同じマスクプレートを用いてパターンニングされる）によって形成される一体化ピクセル定義層である。

必要に応じて、第２サブ層２０ｂは、約２０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の厚さを有し、例えば、約２０ｎｍから約２００ｎｍまで、約２００ｎｍから約４００ｎｍまで、約４００ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の厚さを有する。必要に応じて、第２サブ層２０ｂは、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｙ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｙ、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）のうちの一つまたはその組み合わせによって形成される。

必要に応じて、複数の第２電極ブロック６０ｂの各々は、連続ブロックである。必要に応じて、複数の第２電極ブロック６０ｂの各々は、互いに離間しつつも電気的に接続された複数のサブブロックを含む。必要に応じて、複数の第２電極ブロック６０ｂの各々は、金属メッシュ電極ブロックである。

いくつかの実施例では、図１と図３に示されているように、有機発光ダイオード表示パネルの各ピクセルＰは、ピクセル定義層によって定義される（例えば、ピクセル定義層２０の第２サブ層２０ｂによって定義される）電極接続領域ＥＣＲをさらに含む。第２電極６０は、電極接続領域ＥＣＲを介してピクセル駆動回路に電気的に接続される。

いくつかの実施例では、第２電極６０は、ピクセル駆動回路に直接接続され、例えば、ピクセル駆動回路中の駆動薄膜トランジスタのドレイン電極に直接接続される。例えば、複数の第２電極ブロック６０ｂの各々は、例えば電極接続領域ＥＣＲのような介在層や部材を介することなく、ドレイン電極に直接電気的に接続される。

いくつかの実施例では、図１に示されているように、有機発光ダイオード表示パネルの各ピクセルＰは、電極接続領域ＥＣＲにおいて第４電極９０をさらに含む。第４電極９０は、第２電極６０をピクセル駆動回路に電気的に接続する。必要に応じて、第２電極６０のベース基板１０における正投影は、第４電極９０のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。必要に応じて、第４電極９０は、金属酸化物材料によって形成され、第２電極６０は、金属材料によって形成される。

図６は、本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルにおけるピクセル駆動回路の構造を示す模式図である。図６に示されているように、いくつかの実施例によるピクセル駆動回路は、第１サブピクセルＳｐ１の発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタＭｓ１及び第１駆動薄膜トランジスタＭｄ１と、第２サブピクセルＳｐ２の発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタＭｓ２及び第２駆動薄膜トランジスタＭｄ２と、第３サブピクセルＳｐ３の発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタＭｓ３及び第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３と、を含む。第１切替薄膜トランジスタＭｓ１のゲート電極は、複数のゲートラインＧのうちの一つに電気的に接続され、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１のソース電極は、複数のデータラインＤのうちの一つに電気的に接続され、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１のドレイン電極は、第１駆動薄膜トランジスタＭｄ１のゲート電極に電気的に接続される。第１駆動薄膜トランジスタＭｄ１のソース電極は、高電圧信号ＶＤＤが供給されるように構成され、第１駆動薄膜トランジスタＭｄ１のドレイン電極は、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１に電気的に接続され、例えば、第１駆動薄膜トランジスタＭｄ１のドレイン電極は、第１電極３０に電気的に接続される。第２切替薄膜トランジスタＭｓ２のゲート電極は、複数のゲートラインＧのうちの一つに電気的に接続され、第２切替薄膜トランジスタＭｓ２のソース電極は、複数のデータラインＤのうちの一つに電気的に接続され、第２切替薄膜トランジスタＭｓ２のドレイン電極は、第２駆動薄膜トランジスタＭｄ２のゲート電極に電気的に接続される。第２駆動薄膜トランジスタＭｄ２のソース電極は、高電圧信号ＶＤＤが供給するように構成され、第２駆動薄膜トランジスタＭｄ２のドレイン電極は、第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２に電気的に接続され、例えば、第２駆動薄膜トランジスタＭｄ２のドレイン電極は、第１電極３０に電気的に接続される。第３切替薄膜トランジスタＭｓ３のゲート電極は、複数のゲートラインＧのうちの一つに電気的に接続され、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３のソース電極は、複数のデータラインＤのうちの一つに電気的に接続され、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３のドレイン電極は、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のゲート電極に電気的に接続される。第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のソース電極は、クロック電圧信号ＣＬＫが供給されるように構成され、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のドレイン電極は、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３に電気的に接続され、例えば、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のドレイン電極は、第２電極６０に電気的に接続される。上記説明したように、図２に示されているように、第２電極６０は、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３のための電極の一つとして機能し、また、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１のための電極の一つとして及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２のための電極の一つとしても機能する。

第１サブピクセルＳｐ１における第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１は、第１電極３０、第１有機発光層４０、第２電極６０によって形成される。第２サブピクセルＳｐ２における第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、第１電極３０、第２有機発光層５０、第２電極６０によって形成される。第３サブピクセルＳｐ３における第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、第２電極６０、第３有機発光層７０、第３電極８０によって形成される。

他の態様では、本開示は、有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法を供給する。いくつかの実施例では、前記方法は、第１発光モードと第２発光モードを有する時分割駆動モードで有機発光ダイオード表示パネルを駆動することを含む。第１発光モードでは、第１サブピクセルＳｐ１における第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第２サブピクセルＳｐ２における第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２が発光し、第３サブピクセルＳｐ３における第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は発光しないように構成される。

いくつかの実施例では、図６に示されているように、第１発光モードでは、前記方法は、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１、第２切替薄膜トランジスタＭｓ２、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３をオンにすることを含む。例えば、高電圧を有するゲート走査信号を、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１、第２切替薄膜トランジスタＭｓ２、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３の、ゲート電極にそれぞれ電気的に接続されるゲートラインに供給することで、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１、第２切替薄膜トランジスタＭｓ２、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３をオンにする。第１発光モードでは、前記方法は、第１駆動薄膜トランジスタＭｄ１のソース電極に高電圧信号ＶＤＤを供給し、第２駆動薄膜トランジスタＭｄ２のソース電極に高電圧信号ＶＤＤを供給し、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のソース電極に低電圧信号ＶＳＳを供給することをさらに含む。一例では、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のソース電極に供給される電圧信号は、第１発光モードにおいて低電圧レベルＶＳＳを有するクロック電圧信号ＣＬＫである。図６に示されているように、第１発光モードでは、第２電極６０と第３電極８０に供給される電圧信号は共に低電圧信号ＶＳＳであるため、第２電極６０と第３電極８０の電圧レベル差は、実質的にゼロである。第３サブピクセルＳｐ３における第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、実質的に発光しない。第１電極３０と第２電極６０の電圧レベル差は、（ＶＤＤ－ＶＳＳ）であるので、第１サブピクセルＳｐ１における第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第２サブピクセルＳｐ２における第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、発光するように構成される。

第２発光モードでは、前記方法は、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１と第２切替薄膜トランジスタＭｓ２をオフにし、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３をオンにすることを含む。例えば、低電圧を有するゲート走査信号を、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１と第２切替薄膜トランジスタＭｓ２のゲート電極に電気的それぞれに接続されるゲートラインに供給することで、第１切替薄膜トランジスタＭｓ１と第２切替薄膜トランジスタＭｓ２をオフにする。高電圧を有するゲート走査信号を、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３のゲート電極に電気的に接続されるゲートラインに供給することで、第３切替薄膜トランジスタＭｓ３をオンにする。第２発光モードでは、前記方法は、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のソース電極に高電圧信号ＶＤＤを供給することをさらに含む。一例では、第３駆動薄膜トランジスタＭｄ３のソース電極に供給される電圧信号は、第２発光モードにおいて高電圧レベルＶＤＤを有するクロック電圧信号ＣＬＫである。図６に示されているように、第２発光モードでは、第２電極６０と第３電極８０の電圧レベル差は、（ＶＤＤ－ＶＳＳ）である。第３サブピクセルＳｐ３における第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３は、発光するように構成される。

他の態様では、本発明は、有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法を供給する。いくつかの実施例では、前記方法は、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも有するピクセルを定義するためのピクセル定義層をベース基板上に形成するステップと、ベース基板上かつ第１サブピクセル及び第２サブピクセル中に、第１電極を形成するステップと、第１電極のベース基板から遠い側に、第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層を形成するステップと、第１電極のベース基板から遠い側に、第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層を形成するステップと、第１有機発光層および第２有機発光層の第１電極から遠い側に第２電極を形成するステップと、第２電極のベース基板から遠い側に第３色の光を発光するための、第３有機発光層を形成するステップと、第３有機発光層のベース基板から遠い側位置する第３電極を形成するステップと、を含む。第１電極と第２電極は、第１サブピクセルにおける第１有機発光層の発光と第２サブピクセルにおける第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、第２電極と第３電極は、第３有機発光層の発光を駆動するように構成される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法は、第１サブピクセルに第１有機発光ダイオードを形成するステップと、第２サブピクセルに第２有機発光ダイオードを形成するステップと、第３サブピクセルに第３有機発光ダイオードを形成するステップと、を少なくとも含む。第１サブピクセルにおける第１有機発光ダイオードは、少なくとも第１電極、第１有機発光層、第２電極によって形成される。第２サブピクセルにおける第２有機発光ダイオードは、少なくとも第１電極、第２有機発光層、第２電極によって形成される。第３サブピクセルにおける第３有機発光ダイオードは、少なくとも第２電極、第３有機発光層、第３電極によって形成される。

いくつかの実施例では、有機発光ダイオード表示パネルは、第３サブピクセルのベース基板における正投影が、第１サブピクセルのベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、第２サブピクセルのベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なるように形成される。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第３サブピクセルのベース基板における正投影が、第１サブピクセルのベース基板における正投影と第２サブピクセルのベース基板における正投影を実質的に覆うように形成される。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第３サブピクセルの面積が、ピクセルの面積と実質的に同じであるように形成される。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第３サブピクセルの面積が、第１サブピクセルの面積と第２サブピクセルの面積の合計より大きいように形成される。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第２電極が、実質的にピクセルの全域にわたって延在するように形成される。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第３有機発光層が、実質的にピクセルの全域にわたって延在するように形成される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第１サブピクセルのベース基板における正投影と第２サブピクセルのベース基板における正投影が、実質的に互いに重ならないように形成される。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、第１サブピクセルのベース基板における正投影と第２サブピクセルのベース基板における正投影が、互いに少なくとも部分的に重なるように、形成される。

必要に応じて、第１色、第２色、第３色は、三つの異なる色である。必要に応じて、第１色、第２色、第３色は、赤色、緑色、青色から選択される三つの異なる色である。必要に応じて、第１色、第２色、第３色は、イエロー、シアン、マゼンダから選択される三つの異なる色である。必要に応じて、第３色は、青色であり、例えば、第３有機発光層は、ブルーライト発光材料を含む。必要に応じて、第３色は、赤色であり、例えば、第３有機発光層は、レッドライト発光材料を含む。必要に応じて、第３色は、緑色であり、例えば、第３有機発光層は、グリーンライト発光材料を含む。

図７Ａ－７Ｆは、本開示によるいくつかの実施例において、有機発光ダイオード表示パネルを製造するプロセスを示す。図７Ａに示されているように、いくつかの実施例における方法は、ピクセル定義層２０の第２サブ層２０ｂを形成するステップを含む。第２サブ層２０ｂは、同じピクセル内の隣接するサブピクセル（ピクセル内隣接サブピクセル）間の領域に形成され、かつ、隣接するピクセルに由来する隣接するサブピクセル（ピクセル間隣接サブピクセル）間の領域に形成される。よって、第２サブ層２０ｂは、第１サブピクセルＳｐ１、第２サブピクセルＳｐ２、第３サブピクセルＳｐ３を少なくとも含む複数のサブピクセルを、有機発光ダイオード表示パネルに定義するように形成される。前記方法は、ベース基板１０上かつ第１サブピクセルＳｐ１及び第２サブピクセルＳｐ２中に、第１電極３０を形成するステップをさらに含む。必要に応じて、前記方法は、ピクセル定義層２０の第２サブ層２０ｂによって定義される電極接続領域ＥＣＲに、第４電極９０を形成するステップをさらに含む。必要に応じて、電極接続領域ＥＣＲは、第１サブピクセルＳｐ１と第２サブピクセルＳｐ２の間にある。必要に応じて、電極接続領域ＥＣＲは、第１サブピクセルＳｐ１の第２サブピクセルＳｐ２から遠い側にある。必要に応じて、電極接続領域ＥＣＲは、第２サブピクセルＳｐ２の第１サブピクセルＳｐ１から遠い側にある。

必要に応じて、ピクセル定義層２０の第２サブ層２０ｂは、実質的に互いに対向する第４側面と第５側面、及び第４側面と第５側面を連結する第６側面を有するように形成され、第４側面は、第５側面のベース基板１０から遠い側に位置する。必要に応じて、第２サブ層２０ｂの第６側面は、第２サブ層２０ｂの第５側面に対して第２傾斜角を有するように形成される。第２傾斜角は、後に形成される第２電極６０の電極材料がピクセル定義層２０に堆積される際、電極材料が第２サブ層２０ｂ（特に、ピクセル間隣接サブピクセルの間の領域以外の領域に位置する第２サブ層２０ｂ）の第６側面を完全に覆うように、十分に平らである。必要に応じて、第２傾斜角は、約２０度から約４０度までの範囲にあり、例えば、約２０度から約３０度までの範囲にあり、約３０度から約４０度までの範囲にある。

図７Ｂに示されているように、いくつかの実施例における前記方法は、第１電極３０のベース基板１０から遠い側に、第１サブピクセルＳｐ１において第１色の光を発光するための第１有機発光層４０を形成するステップと、第１電極３０のベース基板１０から遠い側に、第２サブピクセルＳｐ２において第２色の光を発光するための第２有機発光層５０を形成するステップと、をさらに含む。必要に応じて、第１有機発光層４０は、第１発光材料を含むインクを用いて第１サブピクセルＳｐ１に印刷または塗布される。必要に応じて、第２有機発光層５０は、第２発光材料を含むインクを用いて第２サブピクセルＳｐ２に印刷または塗布される。必要に応じて、第１有機発光層４０と第２有機発光層５０は、レッドライト発光層とグリーンライト発光層から選択される異なる発光層であり、例えば、第１発光材料と第２発光材料は、レッドライト発光材料とグリーンライト発光材料から選択される異なる発光材料である。

図７Ｃに示されているように、いくつかの実施例における前記方法は、隣接するピクセル間の領域に位置し、同じピクセル内の隣接するサブピクセル間の領域には位置しない、ピクセル定義層２０の第１サブ層２０ａを形成するステップをさらに含む。必要に応じて、第１サブ層２０ａは、第２サブ層２０ｂのベース基板１０から遠い側に形成される。必要に応じて、第１サブ層２０ａは、実質的に互いに対向する第１側面と第２側面、及び第１側面と第２側面を連結する第３側面を有するように形成される。第１側面は、第２側面のベース基板１０から遠い側に位置する。必要に応じて、第１サブ層２０ａの第３側面は、第１サブ層の第２側面に対して第１傾斜角を有するように形成される。第１傾斜角は、後に形成される第２電極の電極材料がピクセル定義層２０に堆積される際、電極材料が第３側面を完全には覆わないことで、後に形成される第２電極が第１サブ層でまたはその周りで破断されるように、十分に急である。必要に応じて、第１傾斜角は、約６０度より大きい。必要に応じて、第１傾斜角は、約６０度から約９０度までの範囲にあり、例えば、約７０度から約９０度までの範囲にあり、約８０度から約９０度までの範囲にある。必要に応じて、第１傾斜角は、第２傾斜角より大きい。必要に応じて、第１サブ層２０ａは、約２０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の厚さを有し、例えば、約２０ｎｍから約２００ｎｍまで、約２００ｎｍから約４００ｎｍまで、約４００ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の厚さを有する。

いくつかの実施例では、第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂは、単一のパターンニング工程（例えば、同じ材料を用いて形成され、同じマスクプレートを用いてパターンニングされる）によって形成される一体化ピクセル定義層である。必要に応じて、一体化ピクセル定義層は、ハーフトーンまたはグレートーンのマスクプレートを用いて形成される。ハーフトーンまたはグレートーンのマスクプレートは、光非透過領域、光半透過領域、光全透過領域を有する。必要に応じて、ピクセル定義材料層がまずベース基板に形成され、その後ピクセル定義材料層のベース基板から遠い側にフォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、ハーフトーンまたはグレートーンのマスクプレートを用いて露光され、その後現像されて、光非透過領域に対応する第１部分、光半透過領域に対応する第２部分、光全透過領域に対応する第３部分、を有するフォトレジストパターンを取得する。第１部分は、第２サブ層２０ｂに堆積される第１サブ層２０ａを有する領域に対応し、第２部分は、第２サブ層２０ｂのみを有する領域（例えば、第１サブ層２０ａが第２サブ層２０ｂに堆積された領域以外の、第２サブ層２０ｂを有する領域）に対応し、第３部分は、第１部分と第２部分の外側にある。第１部分は実質的に露光されず、第２部分は部分的に露光され、第３部分は完全に露光され、フォトレジスト材料は、第３部分において除去される。

第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂの傾斜角は、各種適切な方法によって制御することができる。いくつかの実施例では、第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂの傾斜角は、フォトレジスト層における露光の程度によって制御される。フォトレジスト層がＵＶ光に曝される場合、フォトレジスト層における露光の程度は、入射ＵＶ光の方向に沿って徐々に減少する。フォトレジスト層の材料と現像液の間の反射の程度も、入射ＵＶ光の方向に沿って徐々に減少する。その結果、現像ステップにおいてフォトレジスト層から取り除くフォトレジスト材料の一部も、入射ＵＶ光の方向に沿って徐々に減少する。従って、第１部分と第２部分における露光の程度が異なるように制御することによって、現像ステップの後にそれぞれ形成される第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂは異なる傾斜角を有することができる。

必要に応じて、第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂは、異なる材料を用いて形成される。一例では、第２サブ層２０ｂは、有機材料を含み、第１サブ層２０ａは、無機材料を含む。必要に応じて、第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂは、単一のパターンニング工程において、例えばハーフトーンまたはグレートーンマスクプレートを用いて形成される。必要に応じて、前記方法は、有機材料層をベース基板に形成し、無機材料層を有機材料層の一側に形成し、上記のようなハーフトーンまたはグレートーンマスクプレートを用いて有機材料層と無機材料層をパターンニングして第１サブ層２０ａと第２サブ層２０ｂを形成することを含む。必要に応じて、無機材料層は、比較的大きな傾斜角を実現するためにドライエッチャントを用いてエッチングされ、例えば、傾斜角は、約６０から約９０度までの範囲にある。

必要に応じて、第１電極３０は、約２０ｎｍから約２００ｎｍまでの範囲の厚さを有するように形成される。

図７Ｄに示されているように、いくつかの実施例における前記方法は、第２電極６０を、第１有機発光層４０および第２有機発光層５０の第１電極３０から遠い側に形成するステップをさらに有する。第１電極３０と第２電極６０は、第１サブピクセルＳｐ１における第１有機発光層４０の発光と第２サブピクセルＳｐ２における第２有機発光層５０の発光を駆動するよう構成されるように形成される。第２電極６０を形成するステップは、複数のピクセルＰのそれぞれに複数の第２電極ブロック６０ｂを形成することを含む。複数のピクセルＰのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロック６０ｂは、互いに絶縁されかつ離間している。いくつかの実施例では、第２電極ブロック６０ｂは、オープンマスクプロセスを用いて形成される。上記説明したように、第１サブ層２０ａの第３側面は、第１サブ層の第２側面に対して第１傾斜角を有するように形成される。第１傾斜角は、第２電極６０の電極材料がピクセル定義層２０に堆積される（例えば、オープンマスクプロセスにおいて）際、堆積された電極材料が第３側面を完全には覆わないことで、第２電極６０が、第１サブ層２０ａまたはその周りで破断するように、十分に急である。よって、複数のピクセルＰのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロック６０ｂは、第１サブ層２０ａによって互いに絶縁される。必要に応じて、複数の第２電極ブロック６０ｂのいずれも、複数のピクセルＰの各々内で、連続層として形成される。

必要に応じて、第２電極６０は、第２電極６０のベース基板１０における正投影が、第１電極３０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なるように形成される。必要に応じて、第２電極６０のベース基板１０における正投影は、第１電極３０のベース基板１０における正投影を実質的に覆う。必要に応じて、第２電極６０は、第２電極６０のベース基板１０における正投影が、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なり、第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なるように形成される。必要に応じて、第２電極６０は、第２電極６０のベース基板１０における正投影が、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影を実質的に覆うように形成される。

必要に応じて、第２電極６０は、蒸着法によって形成される。必要に応じて、第２電極６０は、約７ｎｍから約２０ｎｍまでの範囲の厚さを有するように形成される。必要に応じて、第２電極６０は、金属材料（例えば、マグネシウム、銀、イッテルビウム及び他の金属や合金）によって形成される。

いくつかの実施例では、前記方法は、ピクセル駆動回路を形成するステップをさらに含む。第２電極６０は、電極接続領域を通じてピクセル駆動回路に電気的に接続されるように形成される。必要に応じて、第２電極６０は、ピクセル駆動回路、例えば、ピクセル駆動回路における駆動薄膜トランジスタのドレイン電極に直接電気的に接続されるように形成される。例えば、複数の第２電極ブロック６０ｂの各々は、介在層や部材を通じることなく、ドレイン電極に直接電気的に接続されるように形成される。必要に応じて、第２電極ブロック６０ｂは、電極接続領域ＥＣＲにおいて第４電極９０を通じてピクセル駆動回路に電気的に接続される。必要に応じて、第２電極ブロック６０ｂと第４電極９０は、介在層や部材を通じることなく、互いに接触して接続される。必要に応じて、第２電極ブロック６０ｂと第４電極９０は、第２電極６０のベース基板１０における正投影が、第４電極９０のベース基板１０における正投影を実質的に覆うように形成される。必要に応じて、第４電極９０は、金属酸化物材料によって形成され、第２電極６０は、金属材料によって形成される。

複数の第２電極ブロック６０ｂは、任意の適切な方法によって形成される。一例では、複数の第２電極ブロック６０ｂは、まず電極材料層をベース基板１０に堆積してから、電極材料層をパターンニングすることによって形成される。いくつかの実施例では、複数の第２電極ブロック６０ｂは、さらにパターンニングすることなく、電極材料層をベース基板１０に堆積することによって形成される。一例では、ピクセル定義層２０は、隣接するピクセル間の領域に位置し、同じピクセル内の隣接するサブピクセル間の領域には位置しない第１サブ層２０ａを含む。第１サブ層２０ａは、第１サブ層２０ａの急な傾斜角によって電極材料層が第１サブ層２０ａで分断するように、十分に急な傾斜角を有する。

図７Ｅに示されているように、いくつかの実施例における前記方法は、第２電極６０のベース基板１０から遠い側に、第３色の光を発光するための第３有機発光層７０を形成するステップをさらに含む。必要に応じて、第３有機発光層７０は、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影が、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なり、第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なるように形成される。必要に応じて、第３有機発光層７０は、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影が、第１有機発光層４０のベース基板１０における正投影と第２有機発光層５０のベース基板１０における正投影を実質的に覆うように形成される。必要に応じて、第３有機発光層７０は、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影が、第１電極３０のベース基板１０における正投影と少なくとも部分的に重なるように形成される。必要に応じて、第３有機発光層７０は、第３有機発光層７０のベース基板１０における正投影が、第１電極３０のベース基板１０における正投影を実質的に覆うように形成される。

第３有機発光層７０は、任意の適切な方法によって形成される。必要に応じて、第３有機発光層７０は、例えば、蒸着法を用いて第３発光材料を堆積することによって第３サブピクセルＳｐ３に形成される。本方法では、第３有機発光層７０は、実質的にピクセルＰ全体にわたって延在する連続層として形成される。よって、本方法によって製造される有機発光ダイオード表示パネルは、従来の表示パネルに比べて、開口率が非常に大きい。必要に応じて、発光材料は、蒸着によって堆積された場合、印刷や塗布によって堆積される場合に比べてはるかに高い性能を有し、発光材料は、第３有機発光層７０を形成するために選択される。一例では、ブルーライト発光材料は、蒸着によって堆積された場合に、印刷や塗布によって堆積される場合に比べてはるかに高い性能を有するので、第３有機発光層７０は、ブルーライト発光材料を含む。その結果、有機発光ダイオード表示パネルの表示品質を向上させ、寿命を長くすることができる。

いくつかの実施例では、第３有機発光層７０は、オープンマスクプロセスを用いて形成される。上記説明したように、第１サブ層２０ａの第３側面は、第１サブ層の第２側面に対して第１傾斜角を有するように形成される。第１傾斜角は、第３有機発光層７０の電極材料がピクセル定義層２０に堆積される（例えば、オープンマスクプロセスにおいて）際、電極材料が第３側面を完全には覆わないことで、第３有機発光層７０が第１サブ層２０ａまたはその周りで破断するように、十分に急である。よって、複数のピクセルＰのうち隣接するピクセルにおける複数の第３有機発光ブロックは、第１サブ層２０ａによって互いに絶縁される。必要に応じて、複数の第３有機発光ブロックのいずれも、複数のピクセルＰの各々内に連続層として形成される。

図７Ｆに示されているように、いくつかの実施例における前記方法は、第３有機発光層７０のベース基板１０から遠い側に第３電極８０を形成するステップをさらに含み、第２電極と第３電極は、第３有機発光層７０の発光を駆動するよう構成されるように形成される。よって、有機発光ダイオード表示パネルの製造は、少なくとも、第１サブピクセルＳｐ１に第１有機発光ダイオードを形成することと、第２サブピクセルＳｐ２に第２有機発光ダイオードを形成することと、第３サブピクセルＳｐ３に第３有機発光ダイオードを形成することと、を含む。第１サブピクセルＳｐ１の第１有機発光ダイオードは、少なくとも第１電極３０、第１有機発光層４０、第２電極６０によって形成される。第２サブピクセルＳｐ２の第２有機発光ダイオードは、少なくとも第１電極３０、第２有機発光層５０、第２電極６０によって形成される。第３サブピクセルＳｐ３の第３有機発光ダイオードは、少なくとも第２電極６０、第３有機発光層７０、第３電極８０によって形成される。必要に応じて、第３電極を形成するステップは、その後のパターンニングステップなしに、第３有機発光層７０のベース基板１０から遠い側に、一体化電極層を形成することを含む。

いくつかの実施例では、前記方法は、ピクセル駆動回路を形成するステップをさらに含む。必要に応じて、ピクセル駆動回路を形成するステップは、第１サブピクセルの発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタと第１駆動薄膜トランジスタを形成することと、第２サブピクセルの発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタと第２駆動薄膜トランジスタを形成することと、第３サブピクセルの発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタと第３駆動薄膜トランジスタを形成することと、を含む。ピクセル駆動回路は、第１駆動薄膜トランジスタのドレイン電極が第１電極に電気的に接続され、第２駆動薄膜トランジスタのドレイン電極が第１電極に電気的に接続され、第３駆動薄膜トランジスタのドレイン電極が、第２電極に電気的に接続されるように形成される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、トップエミッション型の有機発光ダイオード表示パネルである。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、ボトムエミッション型の有機発光ダイオード表示パネルである。必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルは、デュアルエミッション型の有機発光ダイオード表示パネルである。

第１電極３０、第２電極６０、第３電極８０、第４電極９０は、各種適切な材料及び各種適切な製造方法を用いて形成される。例えば、電極材料はスパッタリング、蒸着、溶液塗布等によって基板に堆積され、パターンニングされてもよい。第１電極３０、第２電極６０、第３電極８０、第４電極９０を形成する適切な材料の例としては、金属酸化物（例えば酸化インジウムスズ等）、アルミニウム、モリブデン、銀、イッテルビウム、アルミニウムーネオジム（ＡｌＮｄ）、銅、モリブデンーニオブ（ＭｏＮｂ）、それらの合金や積層体（例えば、モリブデンーアルミニウムーモリブデン積層構造）があるが、これらに限定されない。

第２電極６０は、実質的に透明電極である。必要に応じて、第２電極６０は、実質的に透明金属薄層である。必要に応じて、第２電極６０は、マグネシウム、銀、イッテルビウムのうちの一つまたは組み合わせによって形成される。

必要に応じて、有機発光ダイオード表示パネルがトップエミッション型の表示パネルである場合、第１電極３０は反射電極である。

必要に応じて、第４電極９０は、例えば、酸化インジウムスズのような透明な金属酸化物によって形成される。

他の態様では、本開示は、本文で説明されるまたは本文で説明される方法によって製造される有機発光ダイオード表示パネルを有する有機発光ダイオード表示装置を供給する。適切な表示装置の例としては、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニター、ノートパソコン、デジタルアルバム、ＧＰＳなどを含むが、これらに限定されない。

本発明の実施例の前述の説明は、例示及び説明の目的で提示されたものである。網羅的であること、或いは本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図したものではない。従って、前述の説明は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変更は自明なものであろう。本実施例は、本発明の原理及びその最適形態の実用的な適用を説明するために選択及び記載され、これにより、当業者は、本発明の特定用途又は意図される実施形態に適した様々な実施例及び様々な変形を理解できるようになる。本発明の範囲は、本文に添付される特許請求の範囲及びその均等物により定義されることが意図されており、その中で、すべての用語は、特に明記しない限り、その最も広い合理的な意味である。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例への言及は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような制限が推論されるべきではない。本発明は、添付された請求項の範囲の精神及び範囲のみにより限定される。なお、これらの請求項は、名詞又は要素の前に「第１」、「第２」等の用語を使用してもよい。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に特定の数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾された要素の数量を限定するものとして解釈されるべきではない。記載された効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されるわけではない。理解すべきことは、当業者は、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、記載された実施例に対する変形を行うことができる。なお、本開示におけるいかなる要素及び構成成分も、該要素又は構成成分が以下の請求項に明示的に列挙されているか否かを問わず、公衆に捧げることを意図するものではない。

Claims (20)

1. 有機発光ダイオード表示パネルであって、
   ベース基板と、
   前記ベース基板上にあり、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも含むピクセルを定義するためのピクセル定義層と、
   前記ベース基板上にあり、前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセル中に位置する第１電極と、
   前記第１電極の前記ベース基板から遠い側に位置し、前記第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層と、
   前記第１電極の前記ベース基板から遠い側に位置し、前記第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層と、
   前記第１有機発光層および前記第２有機発光層の前記第１電極から遠い側に位置する第２電極と、
   前記第２電極の前記ベース基板から遠い側に位置し、第３色の光を発光するための第３有機発光層と、
   前記第３有機発光層の前記ベース基板から遠い側に位置する第３電極と、
   を含み、
   前記第１電極と前記第２電極は、前記第１サブピクセルにおける前記第１有機発光層の発光と前記第２サブピクセルにおける前記第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、
   前記第２電極と前記第３電極は、前記第３有機発光層の発光を駆動するように構成され、
   前記有機発光ダイオード表示パネルは、ピクセル駆動回路をさらに含み、
   前記ピクセル駆動回路は、第１サブピクセルにおける発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタ及び第１駆動薄膜トランジスタと、第２サブピクセルにおける発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタと、第３サブピクセルにおける発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタ及び第３駆動薄膜トランジスタと、を含み、
   前記第１駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
   前記第２駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
   前記第３駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第２電極に電気的に接続される、有機発光ダイオード表示パネル。
2. 前記第３サブピクセルの前記ベース基板における正投影は、前記第１サブピクセルの前記ベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、前記第２サブピクセルの前記ベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、
   前記第１サブピクセルの前記ベース基板における正投影と前記第２サブピクセルの前記ベース基板における正投影は、実質的に互いに重ならない、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
3. 前記第２電極の前記ベース基板における正投影は、前記第１電極の前記ベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なる、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
4. 前記第２電極の前記ベース基板における正投影は、前記第１電極の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う、請求項３に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
5. 前記第３有機発光層の前記ベース基板における正投影は、前記第１有機発光層の前記ベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、前記第２有機発光層の前記ベース基板における正投影と少なくとも部分的に重なり、
   前記第１有機発光層の前記ベース基板における正投影と前記第２有機発光層の前記ベース基板における正投影は、実質的に互いに重ならない、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
6. 前記第３有機発光層の前記ベース基板における正投影は、前記第１有機発光層の前記ベース基板における正投影と前記第２有機発光層の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う、請求項５に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
7. 前記第２電極は、複数のピクセルのそれぞれに複数の第２電極ブロックを有し、
   前記複数のピクセルのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロックは、互いに絶縁されている、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
8. 前記ピクセル定義層は、隣接するピクセル間の領域に位置し、同じピクセル内の隣接するサブピクセル間の領域には位置しない第１サブ層を含み
   前記第１サブ層は、実質的に互いに対向する第１側面と第２側面、及び前記第１側面と前記第２側面を連結する第３側面を有し、前記第１側面は、第２側面のベース基板から遠い側に位置し、
   前記第１サブ層の前記第３側面は、前記第１サブ層の前記第２側面に対して第１傾斜角を有し、前記第１傾斜角は、６０度より大きく、
   複数のピクセルのうち隣接するピクセルにおける複数の第２電極ブロックは、前記第１サブ層によって互いに絶縁されている、請求項７に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
9. 前記第１サブ層は、２０ｎｍから５００ｎｍまでの範囲の厚さを有する、請求項８に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
10. 前記ピクセル定義層は、隣接するサブピクセル間の領域に位置する第２サブ層をさらに含み、
    前記第２サブ層は、前記第１サブ層の前記ベース基板に近い側に位置し、
    前記第２サブ層は、実質的に互いに対向する第４側面と第５側面、及び前記第４側面と前記第５側面を連結する第６側面を有し、前記第４側面は、前記第５側面の前記ベース基板から遠い側に位置し、
    前記第２サブ層の前記第６側面は、前記第２サブ層の前記第５側面に対して第２傾斜角を有し、
    前記第２傾斜角は、第１傾斜角より小さい、請求項８に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
11. 前記第２傾斜角は、２０度から４０度までの範囲にある、請求項１０に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
12. ピクセル駆動回路をさらに含み、
    前記ピクセルは、前記ピクセル定義層によって定義される電極接続領域を有し、
    前記第２電極は、前記電極接続領域を通じて前記ピクセル駆動回路に電気的に接続される、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
13. 電極接続領域において第４電極をさらに含み、
    前記第４電極は、前記第２電極をピクセル駆動回路に電気的に接続し、
    前記第２電極の前記ベース基板における正投影は、前記第４電極の前記ベース基板における正投影を実質的に覆う、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
14. 前記第４電極は、金属酸化物材料によって形成され、
    前記第２電極は、金属材料によって形成される、請求項１３に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
15. 前記第２電極と前記第１有機発光層との間、および、前記第２電極と前記第２有機発光層との間に、電子注入層をさらに含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
16. 前記第３有機発光層は、ブルーライトを発光するためのブルーライト発光層である、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
17. 前記第１電極は、反射電極であり、前記第２電極と前記第３電極は、実質的に透明電極である、請求項１に記載の有機発光ダイオード表示パネル。
18. 請求項１～１７のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード表示パネルを含む有機発光ダイオード表示装置。
19. 有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法であって、
    前記有機発光ダイオード表示パネルは、
    ベース基板と、
    前記ベース基板上にあり、第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも有するピクセルを定義するためのピクセル定義層と、
    前記ベース基板上にあり、前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセル中に位置する第１電極と、
    前記第１電極の前記ベース基板から遠い側に位置し、前記第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層と、
    前記第１電極の前記ベース基板から遠い側に位置し、前記第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層と、
    前記第１有機発光層および前記第２有機発光層の前記第１電極から遠い側に位置する第２電極と、
    前記第２電極の前記ベース基板から遠い側に位置し、第３色の光を発光するための第３有機発光層と、
    前記第３有機発光層の前記ベース基板から遠い側に位置する第３電極と、
    ピクセル駆動回路と、
    を含み、
    前記第１電極と前記第２電極は、前記第１サブピクセルにおける前記第１有機発光層の発光と前記第２サブピクセルにおける前記第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、
    前記第２電極と前記第３電極は、前記第３有機発光層の発光を駆動するように構成され、
    前記ピクセル駆動回路は、前記第１サブピクセルにおける発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタ及び第１駆動薄膜トランジスタと、前記第２サブピクセルにおける発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタと、前記第３サブピクセルにおける発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタ及び第３駆動薄膜トランジスタと、を含み、
    前記第１駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
    前記第２駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
    前記第３駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第２電極に電気的に接続される、有機発光ダイオード表示パネルであって、
    前記有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法は、
    第１発光モードと第２発光モードを有する時分割駆動モードで前記有機発光ダイオード表示パネルを駆動することを含み、
    前記第１発光モードでは、前記第１切替薄膜トランジスタ、前記第２切替薄膜トランジスタ及び前記第３切替薄膜トランジスタをオンにし、前記第１駆動薄膜トランジスタのソース電極に高電圧信号を供給し、前記第２駆動薄膜トランジスタのソース電極に高電圧信号を供給し、前記第３駆動薄膜トランジスタのソース電極に低電圧信号を供給し、
    前記第２発光モードでは、前記第１切替薄膜トランジスタと前記第２切替薄膜トランジスタをオフにし、前記第３切替薄膜トランジスタをオンにし、前記第３駆動薄膜トランジスタのソース電極に高電圧信号を供給し、
    前記第１サブピクセルと前記第２サブピクセルは、前記第１発光モードで発光し、前記第２発光モードでは実質的に発光しないように駆動され、
    前記第３サブピクセルは、前記第２発光モードで発光し、前記第１発光モードでは実質的に発光しないように駆動される、有機発光ダイオード表示パネルを駆動する方法。
20. 有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法であって、
    第１サブピクセル、第２サブピクセル、第３サブピクセルを少なくとも有するピクセルを定義するためのピクセル定義層をベース基板上に形成するステップと、
    前記ベース基板上かつ第１サブピクセル及び第２サブピクセル中に、第１電極を形成するステップと、
    前記第１電極の前記ベース基板から遠い側に、前記第１サブピクセルにおいて第１色の光を発光するための第１有機発光層を形成するステップと、
    前記第１電極の前記ベース基板から遠い側に、前記第２サブピクセルにおいて第２色の光を発光するための第２有機発光層を形成するステップと、
    前記第１有機発光層および前記第２有機発光層の前記第１電極から遠い側に、第２電極を形成するステップと、
    前記第２電極の前記ベース基板から遠い側に、第３色の光を発光するための第３有機発光層を形成するステップと、
    前記第３有機発光層の前記ベース基板から遠い側に、第３電極を形成するステップと、
    を含み、
    前記第１電極と前記第２電極は、前記第１サブピクセルにおける前記第１有機発光層の発光と前記第２サブピクセルにおける前記第２有機発光層の発光を駆動するように構成され、
    前記第２電極と前記第３電極は、前記第３有機発光層の発光を駆動するように構成され、
    前記有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法は、ピクセル駆動回路を形成するステップをさらに含み、
    前記ピクセル駆動回路は、第１サブピクセルにおける発光を制御するための第１切替薄膜トランジスタ及び第１駆動薄膜トランジスタと、第２サブピクセルにおける発光を制御するための第２切替薄膜トランジスタ及び第２駆動薄膜トランジスタと、第３サブピクセルにおける発光を制御するための第３切替薄膜トランジスタ及び第３駆動薄膜トランジスタと、を含み、
    前記第１駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
    前記第２駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１電極に電気的に接続され、
    前記第３駆動薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第２電極に電気的に接続される、有機発光ダイオード表示パネルを製造する方法。

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