JP7127633B2 - センサユニット - Google Patents

Description

本明細書に記載の開示は、スイッチモジュールに接続されるバスバと、このバスバに流れる電流を検出する磁電変換部と、を備えるセンサユニットに関するものである。

特許文献１に示されるように、絶縁部材に一体成形された複数のバスバと、複数のバスバそれぞれと対向する態様で絶縁部材に設けられた複数の電流センサと、を備えるインバータ装置が知られている。

特許第６３５０７８５号公報

特許文献１に記載の構成の場合、絶縁部材の熱膨張などによって、電流センサとバスバとの相対的な位置関係に変化が生じる虞がある。これによって電流センサを透過する磁界が変動し、電流検出精度が低下する虞がある。

そこで本明細書に記載の開示は、電流検出精度の低下の抑制されたセンサユニットを提供することを目的とする。

開示の１つは、電力変換回路の一部を構成する複数のスイッチモジュール（３１２，３２２～３２７）それぞれと個別に接続される、第１所定方向に離間して並ぶ複数のバスバ（７１１～７１７）と、
複数のバスバそれぞれの一部を埋設する態様で連結する、第１所定方向に延びた絶縁性の樹脂ケース（７２１）と、
複数のバスバそれぞれにおける樹脂ケースに埋設された埋設部位（７１１ａ～７１７ａ）それぞれと第１所定方向に交差する第２所定方向で対向する態様で樹脂ケースに設けられ、複数のバスバに流れる電流の流動によって生じる磁界を検出することで複数のバスバに流れる電流を検出する複数の磁電変換部（７３１～７３７）と、
第１所定方向に延び、第１所定方向で離間した少なくとも２つの固定点（７２５，７７４）で樹脂ケースと連結される支持体（７７０）と、を有し、支持体は樹脂ケースよりも第２所定方向の長さが長く、その剛性が高い。
他の開示の１つは、電力変換回路の一部を構成する複数のスイッチモジュール（３１２，３２２～３２７）それぞれと個別に接続される、第１所定方向に離間して並ぶ複数のバスバ（７１１～７１７）と、
複数のバスバそれぞれの一部を埋設する態様で連結する、第１所定方向に延びた絶縁性の樹脂ケース（７２１）と、
複数のバスバそれぞれにおける樹脂ケースに埋設された埋設部位（７１１ａ～７１７ａ）それぞれと第１所定方向に交差する第２所定方向で対向する態様で樹脂ケースに設けられ、複数のバスバに流れる電流の流動によって生じる磁界を検出することで複数のバスバに流れる電流を検出する複数の磁電変換部（７３１～７３７）と、
第１所定方向に延び、第１所定方向で離間した少なくとも２つの固定点（７２５，７７４）で樹脂ケースと連結される支持体（７７０）と、を有し、
支持体は、絶縁性の樹脂体（７７１，７７２）と、樹脂体に一部が埋設する態様で連結された、第１所定方向に離間して並ぶ複数のナット（７７３）と、を有し、
複数のバスバにおける樹脂ケースから露出された露出部位（７１０ｂ）に連通孔（７１０ｃ）が形成され、
ナットのボルト孔と連通孔とが連通する態様で、複数のナットと複数のバスバそれぞれが対向配置されている。

これによれば、樹脂ケース（７２１）が熱伸縮などのために反ることが抑制される。樹脂ケース（７２１）に設けられた複数の磁電変換部（７３１～７３７）と樹脂ケース（７２１）に連結された複数のバスバ（７１１～７１７）との相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。これにより磁電変換部（７３１～７３７）を透過する磁界の変動が抑制される。磁電変換部（７３１～７３７）の電流検出精度の低下が抑制される。

なお、上記の括弧内の参照番号は、後述の実施形態に記載の構成との対応関係を示すものに過ぎず、技術的範囲を何ら制限するものではない。

車載システムを説明するための回路図である。 電力変換装置を説明するための模式図である。 ナットボックスを除くセンサユニットの上面図である。 ナットボックスを除くセンサユニットの下面図である。 ナットボックスを除くセンサユニットの背面図である。 図４に示すＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 センサユニットの上面図である。 センサユニットの下面図である。 センサユニットの背面図である。 電力変換装置の変形例を説明するための模式図である。 センサユニットの変形例を説明するための断面図である。 センサユニットの変形例を説明するための断面図である。 センサユニットの変形例を説明するための断面図である。

以下、本開示の実施形態と変形例を図に基づいて説明する。これら実施形態と変形例それぞれには共通要素が含まれている。この共通要素をある実施形態で説明した場合、その共通要素の説明を他の実施形態と変形例では省略する。この共通要素には複数の実施形態と変形例それぞれで同一の符号を付与する。

（第１実施形態）
＜車載システム＞
先ず、図１に基づいてセンサユニット７００の適用される車載システム１００を説明する。車載システム１００はハイブリッドシステムを構成している。

車載システム１００はバッテリ２００、電力変換装置３００、および、モータ４００を有する。また車載システム１００はエンジン５００と動力分配機構６００を有する。電力変換装置３００にセンサユニット７００が含まれている。モータ４００は第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２を有する。ＭＧはmotor generatorの略である。

さらに車載システム１００は図示しない複数のＥＣＵを有する。これら複数のＥＣＵはバス配線を介して相互に信号を送受信している。複数のＥＣＵは協調してハイブリッド自動車を制御している。複数のＥＣＵの協調制御により、バッテリ２００のＳＯＣに応じたモータ４００の力行と発電（回生）、および、エンジン５００の出力などが制御される。ＳＯＣはstate of chargeの略である。ＥＣＵはelectronic control unitの略である。

なお、ＥＣＵは、少なくとも１つの演算処理装置（ＣＰＵ）と、プログラムおよびデータを記憶する記憶媒体としての少なくとも１つのメモリ装置（ＭＭＲ）と、を有する。ＥＣＵはコンピュータで読み取り可能な記憶媒体を備えるマイクロコンピュータによって提供される。記憶媒体はコンピュータによって読み取り可能なプログラムを非一時的に格納する非遷移的実体的記憶媒体である。記憶媒体は半導体メモリまたは磁気ディスクなどによって提供され得る。以下、車載システム１００の構成要素を個別に概説する。

バッテリ２００は複数の二次電池を有する。これら複数の二次電池は直列接続された電池スタックを構成している。二次電池としてはリチウムイオン二次電池、ニッケル水素二次電池、および、有機ラジカル電池などを採用することができる。

二次電池は化学反応によって起電圧を生成する。二次電池は充電量が多すぎたり少なすぎたりすると劣化が促進する性質を有する。換言すれば、二次電池はＳＯＣが過充電だったり過放電だったりすると劣化が促進する性質を有する。

バッテリ２００のＳＯＣは、上記の電池スタックのＳＯＣに相当する。電池スタックのＳＯＣは複数の二次電池のＳＯＣの総和である。電池スタックのＳＯＣの過充電や過放電は上記の協調制御により回避される。これに対して複数の二次電池それぞれのＳＯＣの過充電や過放電は、複数の二次電池それぞれのＳＯＣを均等化する均等化処理によって回避される。

均等化処理は複数の二次電池を個別に充放電することで成される。バッテリ２００には、複数の二次電池を個別に充放電するためのスイッチを備える監視部が設けられている。またバッテリ２００には、複数の二次電池それぞれのＳＯＣを検出するための電圧センサや温度センサなどが設けられている。複数のＥＣＵのうちの１つの電池ＥＣＵはこれらセンサの出力などに基づいてスイッチを開閉制御する。これにより複数の二次電池それぞれのＳＯＣが均等化される。なおＳＯＣの検出には後述の電流センサ７３０の出力も活用される。

電力変換装置３００はバッテリ２００と第１ＭＧ４０１との間の電力変換を行う。また電力変換装置３００はバッテリ２００と第２ＭＧ４０２との間の電力変換も行う。電力変換装置３００はバッテリ２００の直流電力を第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２の力行に適した電圧レベルの交流電力に変換する。電力変換装置３００は第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２の発電によって生成された交流電力をバッテリ２００の充電に適した電圧レベルの直流電力に変換する。電力変換装置３００については後で詳説する。

第１ＭＧ４０１、第２ＭＧ４０２、および、エンジン５００それぞれは動力分配機構６００に連結されている。第１ＭＧ４０１はエンジン５００から供給される回転エネルギーによって発電する。この発電によって発生した交流電力は、電力変換装置３００によって直流電力に変換されるとともに降圧される。この直流電力がバッテリ２００に供給される。また直流電力はハイブリッド自動車に搭載された各種電気負荷にも供給される。

第２ＭＧ４０２はハイブリッド自動車の出力軸に連結されている。第２ＭＧ４０２の回転エネルギーは出力軸を介して走行輪に伝達される。逆に、走行輪の回転エネルギーは出力軸を介して第２ＭＧ４０２に伝達される。

第２ＭＧ４０２は電力変換装置３００から供給される交流電力によって力行する。この力行によって発生した回転エネルギーは、動力分配機構６００によってエンジン５００や走行輪に分配される。これによりクランクシャフトのクランキングや走行輪への推進力の付与が成される。また第２ＭＧ４０２は走行輪から伝達される回転エネルギーによって回生する。この回生によって発生した交流電力は、電力変換装置３００によって直流電力に変換されるとともに降圧される。この直流電力がバッテリ２００や各種電気負荷に供給される。

なお第２ＭＧ４０２は第１ＭＧ４０１よりも定格電流が大きくなっている。第２ＭＧ４０２には第１ＭＧ４０１よりも多くの電流が流れやすくなっている。

エンジン５００は燃料を燃焼駆動することで回転エネルギーを生成する。この回転エネルギーが動力分配機構６００を介して第１ＭＧ４０１や第２ＭＧ４０２に分配される。これにより第１ＭＧ４０１の発電や走行輪への推進力の付与が成される。

動力分配機構６００は遊星歯車機構を有する。動力分配機構６００はサンギヤ、プラネタリーギヤ、プラネタリーキャリア、および、リングギヤを有する。

サンギヤとプラネタリーギヤそれぞれは円盤形状を成す。サンギヤとプラネタリーギヤそれぞれの円周面に複数の歯が周方向に並んで形成されている。

プラネタリーキャリアは環状を成す。プラネタリーキャリアとプラネタリーギヤそれぞれの平坦面が互いに対向する態様で、プラネタリーキャリアの平坦面に複数のプラネタリーギヤが連結されている。

複数のプラネタリーギヤはプラネタリーキャリアの回転中心を中心とする円周上に位置している。これら複数のプラネタリーギヤの隣接間隔は相等しくなっている。本実施形態では３つのプラネタリーギヤが１２０°間隔で並んでいる。

リングギヤは環状を成す。リングギヤの外周面と内周面それぞれに複数の歯が周方向に並んで形成されている。

サンギヤはリングギヤの中心に設けられている。サンギヤの外周面とリングギヤの内周面とが互いに対向している。両者の間に３つのプラネタリーギヤが設けられている。３つのプラネタリーギヤそれぞれの歯がサンギヤとリングギヤそれぞれの歯とかみ合わさっている。これにより、サンギヤ、プラネタリーギヤ、プラネタリーキャリア、および、リングギヤそれぞれの回転が相互に伝達可能になっている。

サンギヤに第１ＭＧ４０１のモータシャフトが連結されている。プラネタリーキャリアにエンジン５００のクランクシャフトが連結されている。リングギヤに第２ＭＧ４０２のモータシャフトが連結されている。これにより第１ＭＧ４０１、エンジン５００、および、第２ＭＧ４０２の回転数が共線図において直線の関係になっている。

電力変換装置３００から第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２に交流電力が供給されることでサンギヤとリングギヤにトルクが発生する。エンジン５００の燃焼駆動によってプラネタリーキャリアにトルクが発生する。これにより第１ＭＧ４０１の発電、第２ＭＧ４０２の力行と回生、および、走行輪への推進力の付与それぞれが行われる。

例えば、上記した複数のＥＣＵのうちの１つのＭＧＥＣＵは、ハイブリッド自動車に搭載された各種センサで検出される物理量、および、他のＥＣＵから入力される車両情報などに基づいて、第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２それぞれの目標トルクを決定する。そしてＭＧＥＣＵは第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２それぞれに生成されるトルクが目標トルクになるようにベクトル制御する。このＭＧＥＣＵは後述の制御回路基板に搭載されている。

＜電力変換装置の回路構成＞
次に電力変換装置３００を説明する。図１に示すように電力変換装置３００は電力変換回路の構成要素としてコンバータ３１０とインバータ３２０を備えている。コンバータ３１０は直流電力の電圧レベルを昇降圧する機能を果たす。インバータ３２０は直流電力を交流電力に変換する機能を果たす。インバータ３２０は交流電力を直流電力に変換する機能を果たす。

コンバータ３１０はバッテリ２００の直流電力を第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２のトルク生成に適した電圧レベルに昇圧する。インバータ３２０はこの直流電力を交流電力に変換する。この交流電力が第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２に供給される。またインバータ３２０は第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２で生成された交流電力を直流電力に変換する。コンバータ３１０はこの直流電力をバッテリ２００の充電に適した電圧レベルに降圧する。

図１に示すようにコンバータ３１０は正極バスバ３０１と負極バスバ３０２を介してバッテリ２００と電気的に接続されている。コンバータ３１０はＰバスバ３０３とＮバスバ３０４を介してインバータ３２０と電気的に接続されている。

＜コンバータ＞
コンバータ３１０は電気素子として、フィルタコンデンサ３１１、Ａ相スイッチモジュール３１２、および、Ａ相リアクトル３１３を有する。

図１に示すように正極バスバ３０１の一端がバッテリ２００の正極に接続されている。負極バスバ３０２の一端がバッテリ２００の負極に接続されている。この正極バスバ３０１にフィルタコンデンサ３１１の有する２つの電極のうちの一方が接続されている。負極バスバ３０２にフィルタコンデンサ３１１の有する２つの電極のうちの他方が接続されている。

Ａ相リアクトル３１３の一端が正極バスバ３０１の他端に接続されている。Ａ相リアクトル３１３の他端が第１連結バスバ７１１を介してＡ相スイッチモジュール３１２に接続されている。これによりＡ相リアクトル３１３と第１連結バスバ７１１を介してバッテリ２００の正極とＡ相スイッチモジュール３１２とが電気的に接続されている。なお図１では各種バスバの接続部位を白丸で示している。これら接続部位は例えばボルトや溶接などによって電気的に接続されている。

Ａ相スイッチモジュール３１２はハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２を有する。またＡ相スイッチモジュール３１２はハイサイドダイオード３３１ａとローサイドダイオード３３２ａを有する。これら半導体素子は図示しない封止樹脂によって被覆保護されている。

本実施形態では、ハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２としてｎチャネル型のＩＧＢＴを採用している。これらハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２それぞれのコレクタ電極、エミッタ電極、および、ゲート電極それぞれに接続された端子の先端が上記の封止樹脂の外に露出されている。

図１に示すようにハイサイドスイッチ３３１のエミッタ電極とローサイドスイッチ３３２のコレクタ電極とが接続されている。これによりハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２とが直列接続されている。

また、ハイサイドスイッチ３３１のコレクタ電極にハイサイドダイオード３３１ａのカソード電極が接続されている。ハイサイドスイッチ３３１のエミッタ電極にハイサイドダイオード３３１ａのアノード電極が接続されている。これによりハイサイドスイッチ３３１にハイサイドダイオード３３１ａが逆並列接続されている。

同様にして、ローサイドスイッチ３３２のコレクタ電極にローサイドダイオード３３２ａのカソード電極が接続されている。ローサイドスイッチ３３２のエミッタ電極にローサイドダイオード３３２ａのアノード電極が接続されている。これによりローサイドスイッチ３３２にローサイドダイオード３３２ａが逆並列接続されている。

上記したようにハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２は封止樹脂によって被覆保護されている。この封止樹脂から、ハイサイドスイッチ３３１のコレクタ電極とゲート電極、ハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２との間の中点、ローサイドスイッチ３３２のエミッタ電極とゲート電極それぞれに接続された端子の先端が露出されている。以下においてはこれら端子を、コレクタ端子３３０ａ、中点端子３３０ｃ、エミッタ端子３３０ｂ、および、ゲート端子３３０ｄと示す。

このコレクタ端子３３０ａがＰバスバ３０３に接続される。エミッタ端子３３０ｂがＮバスバ３０４に接続される。これによりハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２とがＰバスバ３０３からＮバスバ３０４へ向かって順に直列接続されている。

また中点端子３３０ｃが第１連結バスバ７１１に接続される。第１連結バスバ７１１はＡ相リアクトル３１３と正極バスバ３０１を介してバッテリ２００の正極と電気的に接続されている。

以上により、Ａ相スイッチモジュール３１２の備える２つのスイッチの中点には、正極バスバ３０１、Ａ相リアクトル３１３、および、第１連結バスバ７１１を介してバッテリ２００の直流電力が供給される。Ａ相スイッチモジュール３１２のハイサイドスイッチ３３１のコレクタ電極には、インバータ３２０によって直流電力に変換されたモータ４００の交流電力が供給される。この直流電力に変換されたモータ４００の交流電力が、ハイサイドスイッチ３３１、第１連結バスバ７１１、Ａ相リアクトル３１３、および、正極バスバ３０１を介してバッテリ２００に供給される。

このように第１連結バスバ７１１にはバッテリ２００を入出力する直流電力が流れる。流れる物理量を限定して言えば、第１連結バスバ７１１にはバッテリ２００を入出力する直流電流が流れる。

ハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２それぞれのゲート端子３３０ｄは上記のゲートドライバに接続されている。ＭＧＥＣＵは制御信号を生成し、それをゲートドライバに出力する。ゲートドライバは制御信号を増幅し、それをゲート端子３３０ｄに出力する。これによりハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２はＭＧＥＣＵによって開閉制御される。この結果、コンバータ３１０に入力される直流電力の電圧レベルが昇降圧される。

ＭＧＥＣＵは制御信号としてパルス信号を生成している。ＭＧＥＣＵはこのパルス信号のオンデューティ比と周波数を調整することで直流電力の昇降圧レベルを調整している。この昇降圧レベルはモータ４００の目標トルクとバッテリ２００のＳＯＣに応じて決定される。

バッテリ２００の直流電力を昇圧する場合、ＭＧＥＣＵはハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２それぞれを交互に開閉する。これとは反対にインバータ３２０から供給された直流電力を降圧する場合、ＭＧＥＣＵはローサイドスイッチ３３２に出力する制御信号をローレベルに固定する。それとともにＭＧＥＣＵはハイサイドスイッチ３３１に出力する制御信号をハイレベルとローレベルに順次切り換える。

＜インバータ＞
インバータ３２０は電気素子として、平滑コンデンサ３２１、図示しない放電抵抗、および、Ｕ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７を有する。

平滑コンデンサ３２１の有する２つの電極のうちの一方がＰバスバ３０３に接続されている。平滑コンデンサ３２１の有する２つの電極のうちの他方がＮバスバ３０４に接続されている。放電抵抗もＰバスバ３０３とＮバスバ３０４に接続されている。Ｕ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７もＰバスバ３０３とＮバスバ３０４に接続されている。平滑コンデンサ３２１、放電抵抗、および、Ｕ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７それぞれはＰバスバ３０３とＮバスバ３０４との間で並列接続されている。

Ｕ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７それぞれは、Ａ相スイッチモジュール３１２と同等の構成要素を有する。すなわちＵ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７それぞれは、ハイサイドスイッチ３３１、ローサイドスイッチ３３２、ハイサイドダイオード３３１ａ、ローサイドダイオード３３２ａ、および、封止樹脂を有する。またこれら６相のスイッチモジュールそれぞれはコレクタ端子３３０ａ、エミッタ端子３３０ｂ、中点端子３３０ｃ、および、ゲート端子３３０ｄを有する。

これら６相のスイッチモジュールそれぞれのコレクタ端子３３０ａはＰバスバ３０３に接続されている。エミッタ端子３３０ｂはＮバスバ３０４に接続されている。

そしてＵ相スイッチモジュール３２２の中点端子３３０ｃが第２連結バスバ７１２を介して第１ＭＧ４０１のＵ相ステータコイルに接続されている。Ｖ相スイッチモジュール３２３の中点端子３３０ｃが第３連結バスバ７１３を介して第１ＭＧ４０１のＶ相ステータコイルに接続されている。Ｗ相スイッチモジュール３２４の中点端子３３０ｃが第４連結バスバ７１４を介して第１ＭＧ４０１のＷ相ステータコイルに接続されている。

同様にして、Ｘ相スイッチモジュール３２５の中点端子３３０ｃが第５連結バスバ７１５を介して第２ＭＧ４０２のＸ相ステータコイルに接続されている。Ｙ相スイッチモジュール３２６の中点端子３３０ｃが第６連結バスバ７１６を介して第２ＭＧ４０２のＹ相ステータコイルに接続されている。Ｚ相スイッチモジュール３２７の中点端子３３０ｃが第７連結バスバ７１７を介して第２ＭＧ４０２のＺ相ステータコイルに接続されている。

これら６相のスイッチモジュールそれぞれのゲート端子３３０ｄは上記のゲートドライバに接続されている。第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２それぞれを力行する場合、ＭＧＥＣＵからの制御信号の出力によって６相のスイッチモジュールの備えるハイサイドスイッチ３３１とローサイドスイッチ３３２それぞれがＰＷＭ制御される。これによりインバータ３２０で３相交流が生成される。第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２それぞれが発電（回生）する場合、ＭＧＥＣＵは例えば制御信号の出力を停止する。これにより発電によって生成された交流電力が６相のスイッチモジュールの備えるダイオードを通る。この結果、交流電力が直流電力に変換される。

以上に示した第１ＭＧ４０１および第２ＭＧ４０２それぞれに入出力する交流電力が、第１ＭＧ４０１および第２ＭＧ４０２それぞれとインバータ３２０とを接続する第２連結バスバ７１２～第７連結バスバ７１７を流れる。流れる物理量を限定して言えば、第１ＭＧ４０１および第２ＭＧ４０２それぞれを入出力する交流電力が、第２連結バスバ７１２～第７連結バスバ７１７を流れる。

なお、Ａ相スイッチモジュール３１２、Ｕ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７それぞれの備えるスイッチ素子の種類としては特に限定されず、例えばＭＯＳＦＥＴを採用することもできる。そしてこれらスイッチモジュールに含まれるスイッチやダイオードなどの半導体素子は、Ｓｉなどの半導体、および、ＳｉＣなどのワイドギャップ半導体によって製造することができる。半導体素子の構成材料としては特に限定されない。

＜電力変換装置の機械的構成＞
次に、電力変換装置３００の機械的構成を説明する。それに当たって、以下においては互いに直交の関係にある３方向をｘ方向、ｙ方向、および、ｚ方向とする。ｘ方向が第１所定方向に相当する。ｙ方向が第３所定方向に相当する。ｚ方向が第２所定方向に相当する。

電力変換装置３００はこれまでに説明した電力変換回路の構成要素の他に、図２に示すコンデンサケース３５０、リアクトルケース３６０、冷却器３７０、センサユニット７００、インバータハウジング３８０、および、入出力コネクタ３９０を有する。

なお図２では正極バスバ３０１と負極バスバ３０２とをまとめて電極バスバ３０５として示している。これら２つのバスバの端部が入出力コネクタ３９０に設けられている。この入出力コネクタ３９０にワイヤハーネスの端子が接続される。このワイヤハーネスを介してバッテリ２００と電力変換装置３００とが電気的に接続される。

また図２ではＰバスバ３０３とＮバスバ３０４とをまとめてＰＮバスバ３０６として図示している。これら２つのバスバは絶縁シートを介してｚ方向で積層配置されている。

コンデンサケース３５０とリアクトルケース３６０それぞれは絶縁性の樹脂材料から成る。コンデンサケース３５０にフィルタコンデンサ３１１と平滑コンデンサ３２１が収納されている。リアクトルケース３６０にＡ相リアクトル３１３が収納されている。

冷却器３７０にはコンバータ３１０とインバータ３２０に含まれるスイッチモジュールが収納されている。冷却器３７０はこれら複数のスイッチモジュールを冷却する機能を果たしている。冷却器３７０に複数のスイッチモジュールが収納されることで、パワーモジュールが構成されている。

センサユニット７００は絶縁性の樹脂材料からなる端子台７２０を有する。この端子台７２０に上記した第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７の一部がインサート成形されている。そして端子台７２０にはこれら複数の連結バスバに流れる電流を検出する電流センサ７３０が設けられている。センサユニット７００については後で詳説する。

インバータハウジング３８０はコンデンサケース３５０、リアクトルケース３６０、冷却器３７０、センサユニット７００、および、入出力コネクタ３９０それぞれを収納している。またインバータハウジング３８０は電極バスバ３０５とＰＮバスバ３０６も収納している。

図示しないが、インバータハウジング３８０は第１ＭＧ４０１と第２ＭＧ４０２それぞれを収納するモータハウジングに連結されている。電力変換装置３００とモータ４００とが連結されることで、いわゆる機電一体型の電力変換ユニットが構成されている。

インバータハウジング３８０とモータハウジングはｚ方向に並ぶ態様で連結されている。ＰＮバスバ３０６の一部は複数のスイッチモジュールの収納された冷却器３７０とｚ方向で対向する態様で並んでいる。

上記したように冷却器３７０にはコンバータ３１０とインバータ３２０に含まれる計７個のスイッチモジュールが収納されている。これらスイッチモジュールは封止樹脂を有し、この封止樹脂からコレクタ端子３３０ａ、エミッタ端子３３０ｂ、中点端子３３０ｃ、および、ゲート端子３３０ｄそれぞれの先端が露出されている。これら４つの端子のうち、コレクタ端子３３０ａ、エミッタ端子３３０ｂ、および、中点端子３３０ｃそれぞれがＰＮバスバ３０６に向かってｚ方向に延びている。ゲート端子３３０ｄはこれら３つの端子とは逆向きにｚ方向に延びている。

コレクタ端子３３０ａはＰバスバ３０３と溶接されている。エミッタ端子３３０ｂはＮバスバ３０４と溶接されている。中点端子３３０ｃはセンサユニット７００に含まれる連結バスバに溶接されている。

また、図示しないが、インバータハウジング３８０には上記のゲートドライバを備えるドライバ基板、および、ＭＧＥＣＵの搭載された制御回路基板それぞれが収納されている。これらドライバ基板と制御回路基板それぞれは冷却器３７０を介してＰＮバスバ３０６とｚ方向で並んでいる。このドライバ基板にゲート端子３３０ｄがはんだ付けされている。制御回路基板に後述の出力ピン７２３ａがはんだ付けされている。ドライバ基板と制御回路基板とはワイヤを介して電気的に接続されている。

＜センサユニット＞
次にセンサユニット７００を図２～図９に基づいて詳説する。センサユニット７００はこれまでに説明した第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７、端子台７２０、および、電流センサ７３０を有する。またセンサユニット７００は図６に示す遮蔽シールド７４０、樹脂カバー７５０、および、対向シールド７６０を有する。さらにセンサユニット７００は図７～図９に示すナットボックス７７０を有する。ナットボックス７７０が支持体に相当する。

上記した７つの連結バスバに対応して、電流センサ７３０は磁気平衡方式の第１磁電変換部７３１～第７磁電変換部７３７と、これら７つの磁電変換部の搭載されるセンサ基板７３８と、を有する。遮蔽シールド７４０は端子台７２０よりも透磁率の高い金属材料から成る第１遮蔽シールド７４１～第７遮蔽シールド７４７を有する。対向シールド７６０は樹脂カバー７５０よりも透磁率の高い金属材料から成る第１対向シールド７６１～第７対向シールド７６７を有する。

第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７それぞれは端子台７２０にインサート成形されている。第１磁電変換部７３１～第７磁電変換部７３７はこれら７つの連結バスバにおける端子台７２０にインサート成形された部位とｚ方向で対向する態様で端子台７２０に設けられている。

端子台７２０に第１遮蔽シールド７４１～第７遮蔽シールド７４７がインサート成形されている。樹脂カバー７５０に第１対向シールド７６１～第７対向シールド７６７がインサート成形されている。樹脂カバー７５０はこれら７つの遮蔽シールドと７つの対向シールドとがｚ方向で離間して並ぶ態様で端子台７２０に設けられている。

ｚ方向に並ぶ１つの遮蔽シールドと１つの対向シールドとの間に１つの連結バスバにおける端子台７２０にインサート成形された部位と１つの磁電変換部とが位置する。これにより磁電変換部への外部ノイズの入力が抑制される。連結バスバにおける端子台７２０にインサート成形された部位に流れる電流から発せられる磁界（被測定磁界）の分布が規制される。磁電変換部を透過する被測定磁界の方向の変動が抑制される。

ナットボックス７７０は第１樹脂体７７１および第２樹脂体７７２と、これらに一部の埋設された７つのナット７７３とを有する。第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２は端子台７２０に連結される。７つのナット７７３は第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７それぞれを後述のインナーバスバとアウターバスバにボルト止めするための機能を果たしている。以下、センサユニット７００の構成要素を個別に説明する。

＜連結バスバ＞
第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７は端子台７２０よりも剛性の高い銅やアルミニウムなどの金属材料から成る。これら７つの連結バスバは平板形状の金属板をプレス加工することで製造される。７つの連結バスバの中央部が端子台７２０にインサート成形されている。７つの連結バスバの両端が端子台７２０から露出されている。

端子台７２０から露出した第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７の一端７１０ａにスイッチモジュールの中点端子３３０ｃが接合される。第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７の他端７１０ｂに７つのナット７７３が個別に対向配置される。第１連結バスバ７１１の他端７１０ｂと１つのナット７７３にインナーバスバがボルト止めされる。インナーバスバはＡ相リアクトル３１３に接続される。第２連結バスバ７１２～第７連結バスバ７１７の他端７１０ｂと６つのナット７７３に６つのアウターバスバが個別にボルト止めされる。アウターバスバはワイヤハーネスを介してモータ４００のステータコイルに接続される。他端７１０ｂが露出部位に相当する。

＜端子台＞
端子台７２０は、細分化して説明すると、基部７２１、フランジ部７２２、および、コネクタ部７２３を有する。これら基部７２１、フランジ部７２２、および、コネクタ部７２３それぞれは端子台７２０を構成する樹脂材料によって一体的に連結されている。基部７２１が樹脂ケースに相当する。

基部７２１はｘ方向を長手方向とする略直方体形状を成している。そのために基部７２１はｘ方向に並ぶ左面７２１ａと右面７２１ｂ、ｙ方向に並ぶ前面７２１ｃと後面７２１ｄ、および、ｚ方向に並ぶ上面７２１ｅと下面７２１ｆを有する。

図３～図６に示すように基部７２１の左面７２１ａと右面７２１ｂそれぞれにフランジ部７２２が一体的に連結されている。これら２つのフランジ部７２２のうちの一方は左面７２１ａから離間する態様でｘ方向に突起している。２つのフランジ部７２２のうちの他方は右面７２１ｂから離間する態様でｘ方向に突起している。

これら２つのフランジ部７２２には金属製のカラー７２２ａがインサート成形されている。カラー７２２ａはｚ方向に開口する環状を成している。このカラー７２２ａの中空にボルトが通される。このボルトの先端側がインバータハウジング３８０に締結される。これによりセンサユニット７００がインバータハウジング３８０に固定される。

図３および図５に示すように基部７２１の上面７２１ｅには複数の柱部７２５が形成されている。柱部７２５は上面７２１ｅから離間する態様でｚ方向に延びている。図７および図９に示すようにこれら複数の柱部７２５に第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２が連結される。

図４および図５に示すように基部７２１の下面７２１ｆにコネクタ部７２３が一体的に連結されている。コネクタ部７２３は下面７２１ｆから離間する態様でｚ方向に延びている。

コネクタ部７２３には複数の出力ピン７２３ａがインサート成形されている。出力ピン７２３ａはｚ方向に延びている。出力ピン７２３ａの一端はコネクタ部７２３の先端面７２３ｂから露出されている。この出力ピン７２３ａの一端が制御回路基板にはんだ付けされる。出力ピン７２３ａの他端は基部７２１の上面７２１ｅから露出されている。この出力ピン７２３ａの他端がセンサ基板７３８にはんだ付けされる。

図３～図５に示すように基部７２１には第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７の中央部がインサート成形されている。これら７つの連結バスバはｘ方向に離間して並んでいる。詳しく言えば、左面７２１ａから右面７２１ｂに向かって、第５連結バスバ７１５、第６連結バスバ７１６、第７連結バスバ７１７、第１連結バスバ７１１、第２連結バスバ７１２、第３連結バスバ７１３、および、第４連結バスバ７１４の順に並んでいる。

これら７つの連結バスバの一端７１０ａが後面７２１ｄから突出している。一端７１０ａはｘ方向の厚さの薄い扁平形状を成している。この一端７１０ａのｘ方向に面する連結面と中点端子３３０ｃとがｘ方向で対向する態様で接触配置される。一端７１０ａと中点端子３３０ｃとにｚ方向からレーザが照射される。これにより連結バスバと中点端子３３０ｃとが溶接接合されている。

これら７つの連結バスバの他端７１０ｂが前面７２１ｃから突出している。他端７１０ｂは前面７２１ｃから離間する態様でｙ方向に延びた後、屈曲して、ｚ方向において下面７２１ｆから上面７２１ｅに向かって延びている。なお、他端７１０ｂはｚ方向において上面７２１ｅから下面７２１ｆに向かって延びてもよい。

図７に示すように、この他端７１０ｂにおけるｚ方向に延びる部位とナットボックス７７０とがｙ方向で対向配置される。すなわち、７つの連結バスバの他端７１０ｂとナットボックス７７０の備える７つのナット７７３とが個別にｙ方向で対向配置される。

他端７１０ｂにおけるｚ方向に延びる部位は、ｙ方向の厚さの薄い扁平形状を成している。この他端７１０ｂにｙ方向に連通する連通孔７１０ｃが形成されている。ナット７７３にはｙ方向に開口するボルト孔７７３ａが形成されている。これら連通孔７１０ｃとボルト孔７７３ａとがｙ方向で連通している。

また、図示しない１つのインナーバスバと６つのアウターバスバそれぞれの端部がｙ方向で７つの他端７１０ｂそれぞれと対向配置される。これら７つのバスバの端部には連通孔７１０ｃと同等の形状の連通孔が形成されている。これらバスバの連通孔、連結バスバの連通孔７１０ｃ、および、ナット７７３のボルト孔７７３ａがｙ方向に順に並ぶことで１つの孔が構成されている。

この孔に固定ボルト７７４の軸部が挿入されるとともにその先端側がボルト孔７７３ａに締結される。これにより７つの連結バスバに１つのインナーバスバと６つのアウターバスバが個別に機械的および電気的に接続される。

基部７２１にインサート成形された第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７それぞれの中央部は、後面７２１ｄから前面７２１ｃに向かって延びた後、左面７２１ａから右面７２１ｂに向かって延びている。そして中央部は前面７２１ｃに向かって延びている。

以下においては表記を簡明とするために、第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７における端子台７２０にインサート成形された部位（中央部）を、必要に応じて第１埋設部位７１１ａ～第７埋設部位７１７ａと示す。そしてこれら埋設部位における左面７２１ａから右面７２１ｂに向かって延びる部位を延長部位７１８と示す。埋設部位における第１延長部位から後面７２１ｄに向かって延びる部位を第１延設部位７１９ａと示す。埋設部位における延長部位７１８から前面７２１ｃに向かって延びる部位を第２延設部位７１９ｂと示す。

図３および図４に示すように、延長部位７１８は左面７２１ａから右面７２１ｂに向かってｘ方向に沿って延びている。第１延設部位７１９ａは延長部位７１８の左面７２１ａ側の端部から一端７１０ａ側に向かってｙ方向に沿って延びている。第２延設部位７１９ｂは延長部位７１８の右面７２１ｂ側の端部から他端７１０ｂ側に向かってｙ方向に沿って延びている。

第１埋設部位７１１ａ～第７埋設部位７１７ａそれぞれの第１延設部位７１９ａのｙ方向の長さは異なっている。同様にして、これら７つの埋設部位それぞれの第２延設部位７１９ｂのｙ方向の長さも異なっている。ただし、７つの埋設部位それぞれの第１延設部位７１９ａと第２延設部位７１９ｂのｙ方向の長さを合算した長さは同等になっている。

図５および図６に示すように基部７２１にはインターロックピン７２４がインサート成形されている。このインターロックピン７２４は図示しない保護カバーがセンサユニット７００に取り付けられた否かを判定するためのものである。

インターロックピン７２４の一端は基部７２１の後面７２１ｄから突出している。この一端に保護カバーの接続ピンが接続される。インターロックピン７２４の他端は基部７２１の上面７２１ｅから突出している。この他端がセンサ基板７３８に接続される。インターロックピン７２４と接続ピンとの接続状態を示す信号が、保護カバーとセンサユニット７００との取り付け状態を示す信号として、センサ基板７３８と出力ピン７２３ａを介して制御回路基板のＭＧＥＣＵに入力される。

図６に示すように基部７２１の上面７２１ｅにはｚ方向に局所的に凹んだ複数の凹部７２１ｇが形成されている。基部７２１には７個の凹部７２１ｇが形成されている。これら７つの凹部７２１ｇはｘ方向に離間して並んでいる。これら７つの凹部７２１ｇはｚ方向で第１埋設部位７１１ａ～第７埋設部位７１７ａと対向する態様で並んでいる。

上面７２１ｅには電流センサ７３０が設けられる。上記した７つの凹部７２１ｇそれぞれの中空に第１磁電変換部７３１～第７磁電変換部７３７が設けられる。センサ基板７３８における磁電変換部の搭載面７３８ａが上面７２１ｅに設けられる。搭載面７３８ａはｚ方向に面している。

上面７２１ｅにおけるｘ方向に離間して並ぶ２つの凹部７２１ｇの間からはｚ方向に突起する突起部７２１ｈが形成されている。センサ基板７３８にはこれら突起部７２１ｈの通される貫通孔が形成されている。貫通孔に突起部７２１ｈが通された後、突起部７２１ｈの先端が熱カシメされる。またセンサ基板７３８は基部７２１にボルト止めされる。これによりセンサ基板７３８が基部７２１に固定されている。７つの磁電変換部それぞれの７つの連結バスバに対する相対位置が決定づけられている。

＜電流センサ＞
上記したように電流センサ７３０は第１磁電変換部７３１～第７磁電変換部７３７を有する。これら７つの磁電変換部は自身を透過する磁界（透過磁界）に応じて抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子を複数有する。この磁気抵抗効果素子は透過磁界における搭載面７３８ａに沿う方向の成分に応じて抵抗値が変化する。すなわち磁気抵抗効果素子は透過磁界のｘ方向に沿う成分とｙ方向に沿う成分に応じて抵抗値が変化する。

その反面、磁気抵抗効果素子はｚ方向に沿う透過磁界によって抵抗値が変化しない。したがってｚ方向に沿う外部ノイズが磁気抵抗効果素子を透過したとしても、それによって磁気抵抗効果素子の抵抗値は変化しない。

磁気抵抗効果素子は磁化方向の固定されたピン層、磁化方向が透過磁界に応じて変化する自由層、および、両者の間に設けられた非磁性の中間層を有する。中間層が非導電性の場合、磁気抵抗効果素子は巨大磁気抵抗素子である。中間層が導電性の場合、磁気抵抗効果素子はトンネル磁気抵抗素子である。なお、磁気抵抗効果素子は異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ）でもよい。さらに言えば、磁電変換部は磁気抵抗効果素子の代わりにホール素子を有してもよい。

磁気抵抗効果素子はピン層と自由層それぞれの磁化方向の成す角度によって抵抗値が変化する。ピン層の磁化方向はｚ方向に面する方向である。自由層の磁化方向は透過磁界におけるｚ方向に面する方向に沿う成分によって定まる。磁気抵抗効果素子の抵抗値は、自由層と固定層それぞれの磁化方向が平行の場合に最も小さくなる。磁気抵抗効果素子の抵抗値は、自由層と固定層それぞれの磁化方向が反平行の場合に最も大きくなる。

７つの磁電変換部それぞれはピン層の磁化方向の反転した第１磁気抵抗効果素子と第２磁気抵抗効果素子を含むブリッジ回路を有する。また７つの磁電変換部およびセンサ基板７３８のうちのいずれか一方は差動アンプ、フィードバックコイル、および、シャント抵抗を有する。

差動アンプの反転入力端子と非反転入力端子にブリッジ回路が接続されている。差動アンプの出力端子にフィードバックコイルとシャント抵抗とが直列接続されている。差動アンプは図示しない帰還回路によってバーチャルショートしている。

以上に示した接続構成により差動アンプの入力端子には透過磁界に応じた電流が流れる。差動アンプは反転入力端子と非反転入力端子とが同電位となるように動作する。すなわち差動アンプは入力端子に流れる電流と出力端子に流れる電流とがゼロとなるように動作する。したがって差動アンプの出力端子からは、透過磁界に応じた電流（フィードバック電流）が流れる。

このフィードバック電流がフィードバックコイルとシャント抵抗に流れる。このフィードバック電流の流動によって、フィードバックコイルに相殺磁界が発生する。この相殺磁界が磁電変換部を透過する。これによって磁電変換部を透過する被測定磁界が相殺される。以上により磁電変換部は、自身を透過する被測定磁界と相殺磁界とが平衡となるように動作する。

相殺磁界を発生するフィードバック電流の電流量に応じたフィードバック電圧がフィードバックコイルとシャント抵抗との間の中点に生成される。このフィードバック電圧が、被測定電流を検出した電気信号として、出力ピン７２３ａを介して制御回路基板のＭＧＥＣＵに入力される。

上記したように第１磁電変換部７３１～第７磁電変換部７３７それぞれはセンサ基板７３８の搭載面７３８ａに搭載されている。これら７つの磁電変換部はｘ方向に離間して並んでいる。詳しく言えば、左面７２１ａから右面７２１ｂに向かって、第５磁電変換部７３５、第６磁電変換部７３６、第７磁電変換部７３７、第１磁電変換部７３１、第２磁電変換部７３２、第３磁電変換部７３３、および、第４磁電変換部７３４が順に並んでいる。

第５磁電変換部７３５～第７磁電変換部７３７は第５埋設部位７１５ａ～第７埋設部位７１７ａの第１延設部位７１９ａとｚ方向で対向配置されている。したがって第５磁電変換部７３５～第７磁電変換部７３７には第２ＭＧ４０２に流れる交流電流から発生する磁界が透過する。第５磁電変換部７３５～第７磁電変換部７３７は第２ＭＧ４０２に流れる交流電流を検出する。

第１磁電変換部７３１は第１埋設部位７１１ａの第１延設部位７１９ａとｚ方向で対向配置される。したがって第１磁電変換部７３１にはコンバータ３１０に流れる直流電流から発生する磁界が透過する。第１磁電変換部７３１はコンバータ３１０に流れる直流電流を検出する。

第２磁電変換部７３２～第４磁電変換部７３４は第２埋設部位７１２ａ～第４埋設部位７１４ａの第１延設部位７１９ａとｚ方向で対向配置される。したがって第２磁電変換部７３２～第４磁電変換部７３４には第１ＭＧ４０１に流れる交流電流から発生する磁界が透過する。第２磁電変換部７３２～第４磁電変換部７３４は第１ＭＧ４０１に流れる交流電流を検出する。

これら７つの磁電変換部で検出された交流電流や直流電流が制御回路基板に入力される。制御回路基板に設けられたＭＧＥＣＵは検出された交流電流や図示しない回転角センサで検出されるモータ４００の回転角などに基づいてモータ４００をベクトル制御する。またＭＧＥＣＵは検出された直流電流を電池ＥＣＵなどの他のＥＣＵに出力する。

＜遮蔽シールド＞
上記したように遮蔽シールド７４０は第１遮蔽シールド７４１～第７遮蔽シールド７４７を有する。これら７つの遮蔽シールドはｚ方向の厚さの薄い平板形状を成している。７つの遮蔽シールドはｘ方向に離間して並ぶ態様で基部７２１にインサート成形されている。７つの遮蔽シールドは７つの埋設部位とｚ方向で対向する態様で並んでいる。これら複数の遮蔽シールドには、磁界におけるｚ方向に面する方向の成分が積極的に透過しやすくなっている。

＜樹脂カバー＞
樹脂カバー７５０は絶縁性の樹脂材料から成る。樹脂カバー７５０はｘ方向を長手方向とする略直方体形状を成している。樹脂カバー７５０はｚ方向に並ぶ内面７５０ａと外面７５０ｂを有する。樹脂カバー７５０は、内面７５０ａがセンサ基板７３８とｚ方向で対向する態様で、基部７２１の上面７２１ｅ側に設けられる。

樹脂カバー７５０にはナットがインサート成形されている。このナットにボルト７５３の軸部が通される。そしてこのボルト７５３が基部７２１に締結される。

＜対向シールド＞
上記したように対向シールド７６０は第１対向シールド７６１～第７対向シールド７６７を有する。これら７つの対向シールドはｚ方向の厚さの薄い平板形状を成している。７つの対向シールドはｘ方向に離間して並ぶ態様で樹脂カバー７５０にインサート成形されている。これら複数の対向シールドには、磁界におけるｚ方向に面する方向の成分が積極的に透過しやすくなっている。

樹脂カバー７５０が基部７２１にボルト７５３によって固定された状態で、７つの対向シールドそれぞれは７つの遮蔽シールドそれぞれとｚ方向で並んでいる。７つの対向シールドと７つの遮蔽シールドとの間に７つの埋設部位と７つの磁電変換部が位置している。

詳しく言えば、ｚ方向において、第５遮蔽シールド７４５と第５対向シールド７６５との間に第５埋設部位７１５ａの第１延設部位７１９ａと第５磁電変換部７３５が位置している。第６遮蔽シールド７４６と第６対向シールド７６６との間に第６埋設部位７１６ａの第１延設部位７１９ａと第６磁電変換部７３６が位置している。第７遮蔽シールド７４７と第７対向シールド７６７との間に第７埋設部位７１７ａの第１延設部位７１９ａと第７磁電変換部７３７が位置している。

ｚ方向において、第１遮蔽シールド７４１と第１対向シールド７６１との間に第１埋設部位７１１ａの第１延設部位７１９ａと第１磁電変換部７３１が位置している。

ｚ方向において、第２遮蔽シールド７４２と第２対向シールド７６２との間に第２埋設部位７１２ａの第１延設部位７１９ａと第２磁電変換部７３２が位置している。第３遮蔽シールド７４３と第３対向シールド７６３との間に第３埋設部位７１３ａの第１延設部位７１９ａと第３磁電変換部７３３が位置している。第４遮蔽シールド７４４と第４対向シールド７６４との間に第４埋設部位７１４ａの第１延設部位７１９ａと第４磁電変換部７３４が位置している。

＜ナットボックス＞
図７、図８、および、図９に示すようにナットボックス７７０は、第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２、および、これらに一部の埋設された複数のナット７７３を有する。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２は絶縁性の樹脂材料から成る。本実施形態では、第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２は基部７２１と同等の樹脂材料から構成されている。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２は直方体形状を成している。そのためにこれら樹脂体それぞれは、ｘ方向に並ぶ第１横面７７０ａと第２横面７７０ｂ、ｙ方向に並ぶ第１縦面７７０ｃと第２縦面７７０ｄ、ｚ方向に並ぶ第１端面７７０ｅと第２端面７７０ｆを有する。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２はｘ方向を長手方向としている。しかしながらこれら樹脂体それぞれは基部７２１（端子台７２０）よりもｘ方向の長さが短くなっている。そのためにこれら樹脂体それぞれは端子台７２０よりもｘ方向に直交する方向に熱伸縮などによって反りがたくなっている。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２はｙ方向とｚ方向を短手方向としている。しかしながらこれら樹脂体それぞれは基部７２１（端子台７２０）よりもｚ方向の長さが長くなっている。そのためにこれら樹脂体それぞれは端子台７２０よりもｚ方向の剛性が高くなっている。なお、これら樹脂体それぞれは連結バスバの他端７１０ｂにおけるｚ方向に延びる部位よりもｚ方向の長さが長くなっている。

また、第１樹脂体７７１は第２樹脂体７７２よりもｘ方向の長さが長くなっている。第１樹脂体７７１は、ｘ方向に並ぶ第１連結バスバ７１１～第４連結バスバ７１４それぞれの第２延設部位７１９ｂのｘ方向の長さを合算した合算長さよりも長くなっている。第２樹脂体７７２のｘ方向の長さは、ｘ方向に並ぶ第５連結バスバ７１５～第７連結バスバ７１７それぞれのｘ方向の長さを合算した合算長さよりも長くなっている。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれの第１縦面７７０ｃにはｙ方向に局所的に凹む窪みが形成されている。この窪みにナット７７３が圧入されている。この圧入によって、ナット７７３の備えるボルト孔７７３ａの２つの開口のうちの一方が樹脂体の壁面によって閉塞されている。その一方、ボルト孔７７３ａの２つの開口のうちの他方がｙ方向に開口している。

第１樹脂体７７１には上記の窪みがｙ方向に離間して並ぶ態様で計４つ形成されている。第２樹脂体７７２には窪みがｙ方向に離間して並ぶ態様で計３つ形成されている。これら計７つの窪みそれぞれに、７つのナット７７３が個別に圧入されている。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれには、第１端面７７０ｅと第２端面７７０ｆとに開口する固定孔７７０ｇが形成されている。この固定孔７７０ｇは、ｚ方向に離間して並ぶ第１開口孔７７０ｈと第２開口孔７７０ｉ、および、これらを連通するボルト軸通し孔７７０ｊを有する。第１開口孔７７０ｈは第１端面７７０ｅに開口している。第２開口孔７７０ｉは第２端面７７０ｆに開口している。ボルト軸通し孔７７０ｊは第１開口孔７７０ｈの一部を区画する底面と第２開口孔７７０ｉの一部を区画する底面それぞれに開口している。ボルト軸通し孔７７０ｊは第１開口孔７７０ｈと第２開口孔７７０ｉそれぞれよりも孔の径が短くなっている。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれには上記の固定孔７７０ｇが２つずつ形成されている。２つの固定孔７７０ｇはｘ方向で離間している。２つの固定孔７７０ｇのうちの１つは第１横面７７０ａ側に形成されている。残り１つの固定孔７７０ｇは第２横面７７０ｂ側に形成されている。第１樹脂体７７１に形成された２つの固定孔７７０ｇの間に４つのナット７７３が位置している。第２樹脂体７７２に形成された２つの固定孔７７０ｇの間に３つのナット７７３が位置している。

上記したように基部７２１の上面７２１ｅには複数の柱部７２５が形成されている。本実施形態では計４本の柱部７２５が上面７２１ｅに形成されている。これら４本の柱部７２５はｘ方向に離間して並んでいる。

４本の柱部７２５のうちの１つはｘ方向において第７連結バスバ７１７の第２延設部位７１９ｂと第１連結バスバ７１１の第２延設部位７１９ｂとの間に位置している。残り３つのうちの１つは第４連結バスバ７１４の第２延設部位７１９ｂと基部７２１の右面７２１ｂとの間に位置している。これら２つの柱部７２５の間に第１連結バスバ７１１～第４連結バスバ７１４それぞれの第２延設部位７１９ｂが位置している。これら２つの柱部７２５が第１樹脂体７７１の固定孔７７０ｇに挿入される。

残り２本の柱部７２５のうちの１つはｘ方向において基部７２１の左面７２１ａと第４連結バスバ７１４の第１延設部位７１９ａとの間に位置している。最後の１本の柱部７２５はｘ方向において第７連結バスバ７１７の第２延設部位７１９ｂと第１連結バスバ７１１の第２延設部位７１９ｂとの間に位置している。これら２つの柱部７２５の間に第５連結バスバ７１５～第７連結バスバ７１７が位置している。これら２つの柱部７２５が第２樹脂体７７２の固定孔７７０ｇに挿入される。

第２開口孔７７０ｉの開口からその内側に柱部７２５の先端側が挿入される。この挿入によって、柱部７２５の先端面が第２開口孔７７０ｉの一部を区画する底面に接触する。柱部７２５には、その先端面に開口するボルト孔７２５ａ形成されている。このボルト孔７２５ａと固定孔７７０ｇのボルト軸通し孔７７０ｊとがｚ方向で連通する。

第１開口孔７７０ｈの開口からその内側に固定ボルト７７４が挿入される。固定ボルト７７４の軸部がボルト軸通し孔７７０ｊとボルト孔７２５ａとに通される。そして固定ボルト７７４の軸部の先端側がボルト孔７２５ａを区画する壁面に形成されたネジ溝に締結される。固定ボルト７７４の頭部が第１開口孔７７０ｈの一部を区画する底面に接触する。これにより第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれが基部７２１にボルト止めされる。

このボルト止め状態で、第１樹脂体７７１に埋設された４つのナット７７３と第１連結バスバ７１１～第４連結バスバ７１４それぞれの他端７１０ｂとがｙ方向で並ぶ。第２樹脂体７７２に埋設された３つのナット７７３と第５連結バスバ７１５～第７連結バスバ７１７それぞれの他端７１０ｂとがｙ方向で並ぶ。ナット７７３のボルト孔７７３ａと他端７１０ｂの連通孔７１０ｃとがｙ方向で連通する。

図示しないが、第１連結バスバ７１１の他端７１０ｂにインナーバスバが対向配置される。これにより他端７１０ｂに形成された連通孔７１０ｃとインナーバスバに形成された連通孔とがｙ方向で連通する。第２連結バスバ７１２～第７連結バスバ７１７の他端７１０ｂに６つのアウターバスバが個別に対向配置される。これにより他端７１０ｂに形成された連通孔７１０ｃとアウターバスバに形成された連通孔とがｙ方向で連通する。

以上により、バスバに形成された２つの連通孔とナット７７３の備える１つのボルト孔７７３ａとによってｙ方向に連通する孔が構成される。この孔にボルトの軸部が通される。そしてボルトの軸部の先端側がボルト孔７７３ａに締結される。

これにより第１連結バスバ７１１の他端７１０ｂとインナーバスバとがナット７７３とボルトの頭部との間で挟持される。第２連結バスバ７１２～第７連結バスバ７１７の他端７１０ｂと６つのアウターバスバとが６つのナット７７３と６つのボルトの頭部との間で個別に挟持される。

この結果、７つの連結バスバに１つのインナーバスバと６つのアウターバスバが個別に機械的および電気的に接続される。それとともに、７つの連結バスバが７つのナット７７３に連結される。基部７２１に一部の埋設された連結バスバと樹脂体に一部の埋設されたナット７７３とが連結される。すなわち、端子台７２０とナットボックス７７０とが機械的に接続される。

＜作用効果＞
上記したように、端子台７２０の基部７２１にはｘ方向に離間した４つの柱部７２５が形成されている。これら４つの柱部７２５のうちの２つにナットボックス７７０の第１樹脂体７７１が固定ボルト７７４によって固定される。残り２つの柱部７２５に第２樹脂体７７２が固定ボルト７７４によって固定される。

このように基部７２１に対して第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれが複数の固定点で連結されている。そして複数の固定点がｘ方向で離れている。係る連結形態のため、端子台７２０が熱伸縮などによって反ることが抑制される。端子台７２０に設けられた複数の磁電変換部と端子台７２０に連結された複数の連結バスバとの相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。磁電変換部を透過する磁界の変動が抑制される。電流センサ７３０の電流検出精度の低下が抑制される。

第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２は基部７２１（端子台７２０）よりもｘ方向の長さが短く、ｘ方向に直交する方向に熱伸縮などによって反りがたくなっている。また、第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２は基部７２１よりもｚ方向の長さが長く、ｚ方向の剛性が高くなっている。これら樹脂体が基部７２１に複数の固定点で固定されている。そのため、基部７２１（端子台７２０）に熱伸縮などに起因する反りが生じることが効果的に抑制される。

また、第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれに埋設されたナット７７３に第１連結バスバ７１１～第７連結バスバ７１７がボルト止めされる。これによっても基部７２１に第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２それぞれが連結されている。このように端子台７２０とナットボックス７７０との連結点（固定点）が増加する。そのために端子台７２０が熱伸縮などのために反ることが効果的に抑制される。

端子台７２０に第１遮蔽シールド７４１～第７遮蔽シールド７４７がｘ方向に並ぶ態様でインサート成形されている。

上記したように端子台７２０に反りが生じることが抑制されている。そのため、端子台７２０に一体的に連結された複数の遮蔽シールドそれぞれの位置が端子台７２０の反りによって変位することが抑制される。端子台７２０に設けられた複数の磁電変換部と複数の遮蔽シールドとの相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。

第１対向シールド７６１～第７対向シールド７６７がｘ方向に並ぶ態様でインサート成形された樹脂カバー７５０が端子台７２０に設けられている。ｚ方向で対向配置される磁電変換部と埋設部位が、１つの遮蔽シールドと１つの対向シールドとの間に位置している。

これによれば磁電変換部への外部ノイズの入力が遮蔽シールドと対向シールドとによって抑制される。それとともに、埋設部位に流れる電流から発せられる磁界の分布を遮蔽シールドと対向シールドとによって規制される。

以下においては話を簡便とするために、図３と図４に示す第１埋設部位７１１ａ～第７埋設部位７１７ａのうち、ｘ方向で並ぶ２つの埋設部位を左側埋設部位、右側埋設部位と示す。例えば左側埋設部位が第１埋設部位７１１ａの場合、右側埋設部位は第２埋設部位７１２ａになる。

図３および図４に示すように左側埋設部位の第１延設部位７１９ａは、右側埋設部位の第１延設部位７１９ａ、延長部位７１８、および、第２延設部位７１９ｂの延長部位７１８側それぞれとｘ方向で並んでいる。左側埋設部位の第１延設部位７１９ａにおける延長部位７１８側、延長部位７１８、および、第２延設部位７１９ｂそれぞれと右側埋設部位の第２延設部位７１９ｂとがｘ方向で並んでいる。そして左側埋設部位の延長部位７１８と右側埋設部位の延長部位７１８とがｙ方向で並んでいる。これら左側埋設部位と右側埋設部位は両者の間に位置する基部７２１の形成材料によって一体的に連結されている。

係る構成のため、端子台７２０のｘ方向とｙ方向の剛性が高まっている。端子台７２０に一体的に連結された複数の連結バスバそれぞれのｘ方向とｙ方向それぞれの位置が振動や熱膨張などによって変位することが抑制される。端子台７２０に設けられた複数の磁電変換部、複数の連結バスバ、および、複数の遮蔽シールドの相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。この結果、磁電変換部を透過する磁界の変動が抑制され、電流センサ７３０の電流検出精度の低下が抑制される。

第１延設部位７１９ａと磁電変換部とがｚ方向で並んでいる。第１延設部位７１９ａと一体的に同一方向に延びる一端７１０ａがスイッチモジュールの中点端子３３０ｃに溶接接合される。その一方、第２延設部位７１９ｂと一体的に連結部位が同一方向に延びる他端７１０ｂにインナーバスバやアウターバスバがボルト止めされる。

そして第１延設部位７１９ａと延長部位７１８の延長方向が直交している。延長部位７１８と第２延設部位７１９ｂの延長方向が直交している。

以上により、他端７１０ｂのボルト止めの際に連結バスバに作用する応力によって、第１延設部位７１９ａの形状に歪みが生じることが抑制される。第１延設部位７１９ａと磁電変換部との相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。この結果、磁電変換部を透過する磁界の変動が抑制される。

以上、本開示の好ましい実施形態について説明したが、本開示は上記した実施形態になんら制限されることなく、本開示の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

（第１の変形例）
本実施形態では７つの連結バスバの他端７１０ｂが前面７２１ｃから離間する態様でｙ方向に延びた後、屈曲して、ｚ方向において下面７２１ｆから上面７２１ｅに向かって延びる例を示した。しかしながら、他端７１０ｂはｚ方向において上面７２１ｅから下面７２１ｆに向かって延びてもよい。この場合、ナットボックス７７０は基部７２１の下面７２１ｆ側に設けられる。

（第２の変形例）
本実施形態では第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２に固定孔７７０ｇが形成され、基部７２１に柱部７２５が形成され、固定孔７７０ｇに柱部７２５の挿入される例を示した。しかしながらこれとは反対に、第１樹脂体７７１と第２樹脂体７７２に柱部が形成され、基部７２１に固定孔が形成され、この固定孔に柱部の挿入された構成を採用することもできる。

（第３の変形例）
本実施形態ではインバータ３２０がＵ相スイッチモジュール３２２～Ｚ相スイッチモジュール３２７の６つを有する例を示した。しかしながらインバータ３２０がＸ相スイッチモジュール３２５～Ｚ相スイッチモジュール３２７の３つを有する構成を採用することもできる。

そして、本実施形態では電力変換装置３００がコンバータ３１０とインバータ３２０を備える例を示した。しかしながら例えば図１０に示すように電力変換装置３００はインバータ３２０のみを備えてもよい。この場合、例えば図１１、図１２、および、図１３に示すように端子台７２０には３つの連結バスバがインサート成形される。そしてナットボックス７７０は第２樹脂体７７２と３つのナット７７３を有する。

（第４の変形例）
本実施形態では第１延設部位７１９ａと磁電変換部とがｚ方向で並ぶ例を示した。しかしながらこれとは異なり、第２延設部位７１９ｂと磁電変換部とがｚ方向で並ぶ構成を採用することもできる。

本実施形態で説明したように、連結バスバの一端７１０ａがスイッチモジュールの中点端子３３０ｃに接合される。複数の他端７１０ｂのうちの一部にアウターバスバがボルト止めされている。そしてこのアウターバスバがワイヤハーネスを介してモータ４００に接続されている。

したがって、例えば電流の流動に起因して生じる電磁力などによってスイッチモジュールが振動した場合、その振動がスイッチモジュールの中点端子３３０ｃと接合された連結バスバの一端７１０ａ（第１延設部位７１９ａ）に伝達される。この振動は延長部位７１８を介して第２延設部位７１９ｂへと伝達しようとする。

しかしながら、第１延設部位７１９ａと延長部位７１８の延長方向が直交し、延長部位７１８と第２延設部位７１９ｂの延長方向が直交している。したがって第１延設部位７１９ａから延長部位７１８への振動の伝達が両者の連結部位で抑制される。延長部位７１８から第２延設部位７１９ｂへの振動の伝達が両者の連結部位で抑制される。

また、モータ４００の振動が第２連結バスバ７１２～第７連結バスバ７１７の他端７１０ｂに伝達される虞がある。しかしながら他端７１０ｂ（第２延設部位７１９ｂ）に連結されたアウターバスバはワイヤハーネスを介してモータ４００と接続されている。したがってモータ４００から第２延設部位７１９ｂへの振動の伝達がワイヤハーネスで抑制される。

以上に示したように、スイッチモジュールおよびモータ４００の振動によって第２延設部位７１９ｂが振動することが抑制される。そのためにｚ方向で並ぶ第２延設部位７１９ｂと磁電変換部の相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。磁電変換部を透過する磁界の変動が抑制され、電流検出精度の低下が抑制される。

（第５の変形例）
なお、延長部位７１８と磁電変換部とがｚ方向で並ぶ構成を採用することもできる。

この場合、第１延設部位７１９ａと延長部位７１８の延長方向が直交しているため、一端７１０ａに接合されたスイッチモジュールで生じた振動が、延長部位７１８に伝達することが抑制される。第２延設部位７１９ｂと延長部位７１８の延長方向が直交しているため、他端７１０ｂのボルト止めの際に連結バスバに作用する応力によって、延長部位７１８の形状に歪みが生じることが抑制される。そのためにｚ方向で並ぶ延長部位７１８と磁電変換部の相対的な位置関係に変化が生じることが抑制される。

（第６の変形例）
本実施形態では遮蔽シールド７４０と対向シールド７６０それぞれがｚ方向の厚さの薄い平板形状である例を示した。しかしながらシールドの形状としては特に限定されない。例えば遮蔽シールドと対向シールドそれぞれがｚ方向の厚さの薄い平板部と、この平板部のｘ方向の両端からｚ方向に延びた側板部と、を有する形状を採用することもできる。遮蔽シールドと対向シールドそれぞれの側板部の先端面をｚ方向で対向する態様とすることで、これら２つのシールドによって磁電変換部と埋設部位とが囲まれる構成を採用することもできる。さらに言えば、センサユニット７００が遮蔽シールド７４０と対向シールド７６０のうちの一方のみを有する構成も採用することができる。

（その他の変形例）
各実施形態ではセンサユニット７００を含む電力変換装置３００がハイブリッドシステムを構成する車載システム１００に適用される例を示した。しかしながら電力変換装置３００の適用としては特に上記例に限定されない。例えば電気自動車の車載システムに電力変換装置３００が適用された構成を採用することもできる。

１００…車載システム、２００…バッテリ、３００…電力変換装置、３１２…Ａ相スイッチモジュール、３２２～３２７…Ｕ相スイッチモジュール～Ｚ相スイッチモジュール、４００…モータ、４０１…第１ＭＧ、４０２…第２ＭＧ、５００…エンジン、６００…動力分配機構、７００…センサユニット、７１０ａ…一端、７１０ｂ…他端、７１０ｃ…連通孔、７１１～７１７…第１連結バスバ～第７連結バスバ、７１１ａ～７１７ａ…第１埋設部位～第７埋設部位、７１８…延長部位、７１９ａ…第１延設部位、７１９ｂ…第２延設部位、７２０…端子台、７２１…基部、７２５…柱部、７３１～７３７…第１磁電変換部～第７磁電変換部、７４１～７４７…第１遮蔽シールド～第７遮蔽シールド、７５０…樹脂カバー、７６１～７６７…第１対向シールド～第７対向シールド、７７０…ナットボックス、７７１…第１樹脂体、７７２…第２樹脂体、７７３…ナット、７７４…固定ボルト

Claims (6)

1. 電力変換回路の一部を構成する複数のスイッチモジュール（３１２，３２２～３２７）それぞれと個別に接続される、第１所定方向に離間して並ぶ複数のバスバ（７１１～７１７）と、
   複数の前記バスバそれぞれの一部を埋設する態様で連結する、前記第１所定方向に延びた絶縁性の樹脂ケース（７２１）と、
   複数の前記バスバそれぞれにおける前記樹脂ケースに埋設された埋設部位（７１１ａ～７１７ａ）それぞれと前記第１所定方向に交差する第２所定方向で対向する態様で前記樹脂ケースに設けられ、複数の前記バスバに流れる電流の流動によって生じる磁界を検出することで複数の前記バスバに流れる電流を検出する複数の磁電変換部（７３１～７３７）と、
   前記第１所定方向に延び、前記第１所定方向で離間した少なくとも２つの固定点（７２５，７７４）で前記樹脂ケースと連結される支持体（７７０）と、を有し、
   前記支持体は前記樹脂ケースよりも前記第２所定方向の長さが長く、その剛性が高いセンサユニット。
2. 前記支持体は、絶縁性の樹脂体（７７１，７７２）と、前記樹脂体に一部が埋設する態様で連結された、前記第１所定方向に離間して並ぶ複数のナット（７７３）と、を有し、
   複数の前記バスバにおける前記樹脂ケースから露出された露出部位（７１０ｂ）に連通孔（７１０ｃ）が形成され、
   前記ナットのボルト孔と前記連通孔とが連通する態様で、複数の前記ナットと複数の前記バスバそれぞれが対向配置されている請求項１に記載のセンサユニット。
3. 電力変換回路の一部を構成する複数のスイッチモジュール（３１２，３２２～３２７）それぞれと個別に接続される、第１所定方向に離間して並ぶ複数のバスバ（７１１～７１７）と、
   複数の前記バスバそれぞれの一部を埋設する態様で連結する、前記第１所定方向に延びた絶縁性の樹脂ケース（７２１）と、
   複数の前記バスバそれぞれにおける前記樹脂ケースに埋設された埋設部位（７１１ａ～７１７ａ）それぞれと前記第１所定方向に交差する第２所定方向で対向する態様で前記樹脂ケースに設けられ、複数の前記バスバに流れる電流の流動によって生じる磁界を検出することで複数の前記バスバに流れる電流を検出する複数の磁電変換部（７３１～７３７）と、
   前記第１所定方向に延び、前記第１所定方向で離間した少なくとも２つの固定点（７２５，７７４）で前記樹脂ケースと連結される支持体（７７０）と、を有し、
   前記支持体は、絶縁性の樹脂体（７７１，７７２）と、前記樹脂体に一部が埋設する態様で連結された、前記第１所定方向に離間して並ぶ複数のナット（７７３）と、を有し、
   複数の前記バスバにおける前記樹脂ケースから露出された露出部位（７１０ｂ）に連通孔（７１０ｃ）が形成され、
   前記ナットのボルト孔と前記連通孔とが連通する態様で、複数の前記ナットと複数の前記バスバそれぞれが対向配置されているセンサユニット。
4. 前記第１所定方向に並ぶ態様で前記樹脂ケースに埋設された、複数の前記磁電変換部それぞれへの外部ノイズの入力を抑制する複数の遮蔽シールド（７４１～７４７）を有する請求項１～３いずれか１項に記載のセンサユニット。
5. 前記樹脂ケースに固定される、絶縁性の樹脂カバー（７５０）と、
   前記第１所定方向に離間して並ぶ態様で前記樹脂カバーに埋設された、複数の前記磁電変換部それぞれへの外部ノイズの入力を抑制する複数の対向シールド（７６１～７６７）と、を有し、
   前記樹脂カバーが前記樹脂ケースに固定されることで、複数の前記磁電変換部と複数の前記埋設部位それぞれのうちの１つが、複数の前記遮蔽シールドのうちの１つと複数の前記対向シールドのうちの１つとの間に位置する請求項４に記載のセンサユニット。
6. 複数の前記埋設部位それぞれが前記第１所定方向に延びる延長部位（７１８）を備え、
   複数の前記埋設部位のうち、前記第１所定方向で隣り合って並ぶ任意の２つの前記埋設部位それぞれの前記延長部位が、前記第１所定方向と前記第２所定方向それぞれに交差する第３所定方向で並んでいる請求項１～５いずれか１項に記載のセンサユニット。

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