JP7127330B2 - ブロック共重合体およびそれを用いた表面処理剤 - Google Patents
ブロック共重合体およびそれを用いた表面処理剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7127330B2 JP7127330B2 JP2018066538A JP2018066538A JP7127330B2 JP 7127330 B2 JP7127330 B2 JP 7127330B2 JP 2018066538 A JP2018066538 A JP 2018066538A JP 2018066538 A JP2018066538 A JP 2018066538A JP 7127330 B2 JP7127330 B2 JP 7127330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- polymer
- synthesis
- evaluation
- cell culture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Description
本発明は、短時間での細胞剥離を可能にする細胞培養用基材の表面処理剤として有用なブロック共重合体に関する。
細胞培養は生化学的な現象の理解や有用物質の産生などに用いられ、また近年、幹細胞の発見や培養技術の進歩により、再生医療を始めとする細胞を用いた治療に大きな注目が寄せられている。
細胞の多くは接着性を有しており、体内においてはコラーゲン、フィブロネクチン、ラミニンなどの生体高分子に接着し、増殖・分化することが知られている。同様に、細胞培養においても接着性を有する細胞の多くは、培養する際に何らかの基材に接着する必要がある。従来、基材としては表面処理したガラスあるいは高分子が用いられていた。例えば、ポリスチレンにγ線照射あるいはシリコーンコーティングを行なった基材がある。また、コラーゲンやフィブロネクチンのような生体高分子を表面に塗布した基材も用いられる。
増殖する細胞は基材上で培養後、一般的に別の基材に植え継ぐ必要が有り、多くの場合はタンパク質分解酵素が用いられている。タンパク質分解酵素は細胞表面にあるタンパク質を分解し、細胞と基材の間の結合および細胞間の結合を切る役目を担っている。一方、タンパク質分解酵素は細胞の生存率に大きな影響を与えることが知られており、タンパク質分解酵素を用いずに細胞を基材から分離する手法は細胞にダメージを与えない方法として重要である。再生医療においても同様に、体外で培養した細胞にダメージを与えずに、さらに細胞間の結合を切断しない方法で細胞又は組織化した細胞を基材から分離し、体内に戻すことが求められており、タンパク質分解酵素を用いずに基材から分離する方法が求められている。
上記問題を解決するために、温度応答性重合体を基材表面に被覆した細胞培養用基材が特許文献１に開示されている。このような基材によれば、周囲環境の温度降下による温度応答性重合体のゾル転移で基材表面の接着力を弱めて、細胞を剥離させ、回収することができる。通常、細胞は体温付近で接着・培養する必要があり、培養後、体温以下で細胞を剥離できる基材が必要となる。
文献２および３には、水中におけるゾル転移温度［下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）］が体温以下の範囲にある温度応答性重合体として、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）、Ｎ－ｎ－プロピルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝２１℃）、Ｎ－ｎ－プロピルメタクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝約３５℃）、Ｎ－テトラヒドロフルフリルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝約２８℃）、Ｎ－テトラヒドロフルフリルメタクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝約３５℃）、及びＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ＬＣＳＴ＝３２℃）等が記載されている（特許文献２および３）。
上記温度応答性重合体を細胞培養用基材に用いる場合、下限臨界溶解温度以下に細胞培養用基材の温度を下げる必要があるが、その時間によっては同時に細胞を低温化してしまう。細胞の低温化は細胞の活性低下を及ぼすため、冷却時間の短縮が必要である。
さらに、文献４には、細胞剥離のための冷却時間の短縮を可能にする細胞培養用基材として、特定構造のブロック共重合体で表面を被覆した細胞培養用基材が開示されているが（特許文献４）、更なる冷却時間の短縮が求められていた。
本発明の目的は、短時間での細胞剥離を可能にする細胞培養用基材の表面処理剤として有用なブロック共重合体およびそれを用いた表面処理剤を提供することにある。
本発明者らは、以上の点を鑑み、鋭意研究を重ねた結果、温度応答性の重合体および疎水性の重合体および親水性の重合体からなり、特定配列を有するブロック共重合体を基材上に被覆し成膜することで、短時間での細胞剥離を可能にすることを見出し、本発明を完成した。
［１］すなわち本発明によれば、下記（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）のブロックからなり、配列が（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であるブロック共重合体が提供される。
［１］すなわち本発明によれば、下記（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）のブロックからなり、配列が（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であるブロック共重合体が提供される。
（Ａ）水に対する下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ）が０～４５℃の範囲にある温度応答性重合体ブロック。
（Ｂ）０～４５℃の範囲にＬＣＳＴを持たない、ＨＬＢ値（グリフィン法）が０以上９未満の範囲にある疎水性重合体ブロック。
（Ｃ）０～４５℃の範囲にＬＣＳＴを持たない、ＨＬＢ値（グリフィン法）が９以上２０未満の範囲にある親水性重合体ブロック。
［２］また、本発明によれば、［１］に記載のブロック共重合体を含むことを特徴とする基材用表面処理剤が提供される。
［３］また、本発明によれば、［２］に記載の表面処理剤を基材に塗布されてなる膜が提供される。
［４］また、本発明によれば、［３］に記載の膜で表面を被覆した細胞培養用基材が提供される。
［５］また、本発明によれば、基材表面にブロック（Ａ）分として５．０μｇ／ｃｍ２以下の割合で被覆された［４］記載の細胞培養用基材が提供される。
［６］さらに、本発明によれば、［５］に記載の細胞培養用基材を用いて、ブロック（Ａ）のＬＣＳＴより高い温度で細胞を培養し、細胞増殖後に温度をブロック（Ａ）のＬＣＳＴより低くして増殖細胞を基材から剥離することを特徴とする細胞培養方法が提供される。
［２］また、本発明によれば、［１］に記載のブロック共重合体を含むことを特徴とする基材用表面処理剤が提供される。
［３］また、本発明によれば、［２］に記載の表面処理剤を基材に塗布されてなる膜が提供される。
［４］また、本発明によれば、［３］に記載の膜で表面を被覆した細胞培養用基材が提供される。
［５］また、本発明によれば、基材表面にブロック（Ａ）分として５．０μｇ／ｃｍ２以下の割合で被覆された［４］記載の細胞培養用基材が提供される。
［６］さらに、本発明によれば、［５］に記載の細胞培養用基材を用いて、ブロック（Ａ）のＬＣＳＴより高い温度で細胞を培養し、細胞増殖後に温度をブロック（Ａ）のＬＣＳＴより低くして増殖細胞を基材から剥離することを特徴とする細胞培養方法が提供される。
温度応答性重合体と疎水性重合体と親水性重合体からなり、特定配列を有する本発明に記載のブロック共重合体から得られる膜を細胞培養用基材に被覆すれば、細胞培養後、温度降下による基材表面の親水化が促進され、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮することができる。これによって、細胞培養後、冷却処理を施しても、細胞にダメージを与えることなく、短時間で細胞を回収できる細胞培養用基材が得られるようになる。
以下、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施の形態」という。）について詳細に説明する。以下の本実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。本発明は、その趣旨の範囲内で適宜に変形して実施できる。
１．ブロック共重合体
本発明のブロック共重合体は特定のブロック（Ａ）および特定のブロック（Ｂ）および特定のブロック（Ｃ）からなり、配列が（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であるブロック共重合体である。
１．ブロック共重合体
本発明のブロック共重合体は特定のブロック（Ａ）および特定のブロック（Ｂ）および特定のブロック（Ｃ）からなり、配列が（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であるブロック共重合体である。
本明細書において、下限臨界溶解温度（ＬＣＳＴ；Ｌｏｗｅｒ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）とは、この温度よりも低い温度では高分子が水に溶解して透明の溶液になるが、この温度よりも高い温度では不溶化して白濁するか沈殿が生じ、相分離する温度である。
本発明におけるブロック（Ａ）はＬＣＳＴが０℃～４５℃の範囲にある温度応答性重合体ブロックである。本発明のブロック共重合体を細胞培養用基材に用いた場合は、体温付近で細胞接着性を付与すると共に、温度降下で細胞を剥離し、ダメージを与えることなく細胞を分別回収するために、ブロック（Ａ）のＬＣＳＴは２０℃～４５℃の範囲にあることが好ましく、３０℃～４０℃の範囲にあることがさらに好ましい。ＬＣＳＴが０℃未満であれば細胞にダメージを与えることなく剥離することが困難となり、４５℃を超えれば体温付近で細胞を接着できなくなり、細胞培養が困難となる。
本明細書において、ＨＬＢ値（ＨＬＢ；Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ－Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ Ｂａｌａｎｃｅ）とは、Ｗ．Ｃ．Ｇｒｉｆｆｉｎ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｏｓｍｅｔｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｓ， １， ３１１（１９４９）．に記載の、水と油への親和性の程度を表す値であり、０から２０までの値を取り、０に近いほど疎水性が高く、２０に近いほど親水性が高くなる。計算によって決定する方法として、アトラス法、グリフィン法、デイビス法、川上法があるが、本発明においてはグリフィン法で計算した値を使用し、繰り返し単位中の親水部の式量と繰り返し単位の総式量を元に、下記の計算式で求めた。
ＨＬＢ値＝２０×（親水部の式量）÷（総式量）
本発明におけるブロック（Ｂ）は、０℃～４５℃の範囲にＬＣＳＴを持たない、特定範囲のＨＬＢ値を有する疎水性重合体のブロックであり、ブロック共重合体の基材への接着に寄与する。
ＨＬＢ値＝２０×（親水部の式量）÷（総式量）
本発明におけるブロック（Ｂ）は、０℃～４５℃の範囲にＬＣＳＴを持たない、特定範囲のＨＬＢ値を有する疎水性重合体のブロックであり、ブロック共重合体の基材への接着に寄与する。
本発明におけるブロック（Ｂ）のＨＬＢ値は０以上９未満の範囲にあるが、基材に塗布して水中で剥離しない安定な膜を得るために、好ましくは０以上８以下の範囲に有り、さらに好ましくは０以上６以下の範囲にある。ＨＬＢ値が９以上である場合は、基材に塗布した場合に水中で剥離しやすく安定な膜を得ることができない。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、０℃～４５℃の範囲にＬＣＳＴを持たない、特定範囲のＨＬＢ値を有する親水性重合体のブロックである。
本発明におけるブロック（Ｃ）としては、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、カルボン酸金属塩、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルホン酸金属塩、ヒドロキシ基、アルコキシ基、フェノキシ基、アミド基、アミノアルキル基、カルバモイル基、スルホンアミド基、スルファモイル基、カルバメート基、リン酸基、リン酸基の金属塩、オキシリン酸基、オキシリン酸基の金属塩、ホスホベタイン基、スルホベタイン基、カルボベタイン基、ポリエチレングリコール基、ピロリドン基から選ばれる少なくとも１種の親水性基を有するモノマーの重合体を例示することができる。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはタンパク質、ペプチド、糖タンパク質等の生体高分子と親和性の無いブロックまたは細胞と親和性の無いブロックであり、ホスホベタイン基、スルホベタイン基、カルボベタイン基、ポリエチレングリコール基、メトキシエチレン基、フルフリル基、ジアルキルアミノアルキル基、ピロリドン基から選ばれる少なくとも１種の親水性基を有するモノマーの重合体である。
本発明におけるブロック（Ｃ）のＨＬＢ値は９以上２０未満の範囲にあるが、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは１１以上２０未満の範囲にあり、さらに好ましくは１３以上２０未満の範囲にある。ＨＬＢ値が９未満である場合は、細胞剥離に必要な冷却時間が長くなり、細胞の活性低下を招く。
ブロック共重合体中のブロック（Ａ）、ブロック（Ｂ）、ブロック（Ｃ）の配列は（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であり、膜表面にブロック（Ａ）とブロック（Ｃ）の両方が出やすくなり、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できる。一方、配列が（Ａ）－（Ｃ）－（Ｂ）、（Ｃ）－（Ａ）－（Ｂ）であれば、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できない。
本発明のブロック共重合体を構成するブロック（Ａ）は、特に限定は無いが、下記一般式（１）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、水素原子が用いられる。
Ｒ２およびＲ３は各々独立して、水素基、炭素数１～６の炭化水素基、フルフリル基またはテトラヒドロフルフリル基であり、Ｒ２とＲ３は互いに結合してピロリジン環、ピペリジン環もしくはモルホリン環を形成しても良い。
炭素数１～６の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基を例示できるが、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、好ましくはｎ－プロピル基、イソプロピル基が用いられる。
本発明における一般式（１）で表される繰り返し単位としては、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－エチルアクリルアミド、Ｎ－ｎ－プロピルアクリルアミド、Ｎ－ｎ－プロピルメタクリルアミド、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド、Ｎ－イソプロピルメタクリアミド、Ｎ－シクロプロピルアクリルアミド、Ｎ－シクロプロピルメタクリルアミド、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド、Ｎ－エトキシエチルメタクリルアミド、Ｎ－テトラヒドロフルフリルアクリルアミド、Ｎ－テトラヒドロフルフリルメタクリルアミド、１－（１－オキソ－２－プロペニル）ピロリジン、１－（１－オキソ－２－メチル－２－プロペニル）ピロリジン、１－（１－オキソ－２－プロペニル）ピペリジン、１－（１－オキソ－２－メチル－２－プロペニル）ピペリジン、４－（１－オキソ－２－プロペニル）モルホリン、４－（１－オキソ－２－メチル－２－プロペニル）モルホリンを重合して生成する繰り返し単位を例示できるが、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、好ましくはＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－ｎ－プロピルアクリルアミド、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド、Ｎ－ｎ－プロピルメタクリルアミド、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド、Ｎ－テトラヒドロフルフリルアクリルアミド、Ｎ－テトラヒドロフルフリルメタクリルアミドを重合して生成する繰り返し単位を、ＬＣＳＴを３０℃～４０℃の範囲にするために、さらに好ましくはＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド、Ｎ－ｎ－プロピルメタクリルアミド、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド、Ｎ－テトラヒドロフルフリルメタクリルアミドを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ａ）は、特に限定は無いが、下記一般式（２）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ４は水素原子またはメチル基を表し、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、水素原子が用いられる。
Ｒ５は、水素原子、炭素数１～６の炭化水素基であり、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、炭素数１～３のアルキル基が用いられる。
炭素数１～６の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基を例示できるが、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が用いられる。
ｒは１～１０の整数であり、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、１～３の整数が用いられる。
本発明における一般式（２）で表される繰り返し単位としては、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、好ましくは２－（２－エトキシ）エトキシエチルビニルエーテルを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ａ）は、特に限定は無いが、下記一般式（３）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ６は水素原子またはメチル基を表し、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、水素原子が用いられる。
Ｒ７は炭素数１～６の炭化水素基を表し、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基を例示できるが、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、好ましくはメチル基、エチル基が用いられる。
本発明における一般式（３）で表される繰り返し単位としては、ＬＣＳＴを２０℃～４５℃の範囲にするために、好ましくはメチルビニルエーテルを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ｂ）は、特に限定は無いが、下記一般式（４）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ８は水素原子またはメチル基を表し、基材に塗布して水中で剥離しない安定な膜を得るためにメチル基が用いられる。
Ｙは水素原子、塩素原子、アセトキシ基、ニトリル基、炭素数６～３０の芳香族炭化水素基を例示することができ、水中で剥離しない安定な膜を得るために、好ましくは水素原子、塩素原子、炭素数６～３０の芳香族炭化水素を用いることができる。炭素数６～３０の芳香族炭化水素基としてはフェニル基、１－ナフタレン基、２－ナフタレン基、９－アントラセン基、１－ピレン基およびその誘導体を例示することができる。
本発明における一般式（４）で表される繰り返し単位としては、エチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン、１－ビニルナフタレン基、２－ビニルナフタレン基、９－ビニルアントラセン基、１－ビニルピレンを重合して生成する繰り返し単位を例示できる。
本発明におけるブロック（Ｂ）は、特に限定は無いが、一般式（５）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ９は水素原子またはメチル基を表し、基材に塗布して水中で剥離しない安定な膜を得るためにメチル基が用いられる。
Ｒ１０は炭素数１～３０の炭化水素基であり、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－オクタデシル基を例示できるが、水中で剥離しない安定な膜を得るために、好ましくはｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－オクタデシル基が用いられる。
Ｚは、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びエーテル結合からなる群から選択される２価の結合であり、水中で剥離しない安定な膜を得るために、好ましくはエステル結合、アミド結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
本発明における一般式（５）で表される繰り返し単位としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ｎ－デシル（メタ）アクリレート、ｎ－ウンデシル（メタ）アクリレート、ｎ－ドデシル（メタ）アクリレート、ｎ－テトラデシル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクタデシル（メタ）アクリレート、ｎ－エイコシル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート化合物、Ｎ－ｎ－オクチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－デシル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ドデシル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ヘキサデシル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－オクタデシル（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド化合物、Ｎ－ビニル－ｎ－オクチルアミド、Ｎ－ビニル－ｎ－デシルアミド、Ｎ－ビニル－ｎ－ドデシルアミド、Ｎ－ビニル－ｎ－ヘキサデシルアミド等のＮ－ビニルアミド化合物を重合して生成する繰り返し単位を例示できるが、水中で剥離しない安定な膜を得るために、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘプチル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ｎ－トリデシル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート化合物を重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ｂ）としては、上記以外に、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－フェニルマレイミド等のＮ－アルキルマレイミド化合物、フマル酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル、フマル酸ジ－ｎ－ブチル等のフマル酸ジエステル化合物、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルカルバゾール等から選ばれる少なくとも１つのモノマーの重合体を用いることができる。
本発明のブロック共重合体を構成するブロック（Ｃ）は特に限定は無いが、下記一般式（６）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ１１は水素原子又はメチル基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはメチル基を用いる。
Ｒ１２は、炭素数１～１０の２価の炭化水素基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは炭素数１～６の２価の炭化水素基、特にアルキレンである。このようなアルキレンとして、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレンなどが例示され、好ましくはエチレンである。
Ｒ１３は、炭素数１～４の２価の炭化水素基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは炭素数１～４のアルキレン、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンなどが例示され、エチレンが特に好ましい。
Ｒ１４、Ｒ１５、及びＲ１６は、互いに独立して、水素原子又は炭素数１～２の炭化水素基、例えばメチル基又はエチル基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、特にＲ１４、Ｒ１５、及びＲ１６が同時に、水素原子又はメチル基、特にメチル基であることが好ましい。
Ａ１はエステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びエーテル結合からなる群から選択される２価の結合であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、エステル結合、アミド結合、特にエステル結合が好ましい。
本発明における一般式（６）で表される繰り返し単位としては、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン、２－アクリロイルオキシエチルホスホリルコリン、３－（メタ）アクリロイルオキシプロピルホスホリルコリン、４－（メタ）アクリロイルオキシブチルホスホリルコリン、６－（メタ）アクリロイルオキシヘキシルホスホリルコリン、１０－（メタ）アクリロイルオキシデシルホスホリルコリン、ω－（メタ）アクリロイル（ポリ）オキシエチレンホスホリルコリン、２－アクリルアミドエチルホスホリルコリン、３－アクリルアミドプロピルホスホリルコリン、４－アクリルアミドブチルホスホリルコリン、６－アクリルアミドヘキシルホスホリルコリン、１０－アクリルアミドデシルホスホリルコリン、ω－（メタ）アクリルアミド（ポリ）オキシエチレンホスホリルコリンを重合して生成する繰り返し単位を例示できる。これらの繰り返し単位は、細胞膜の構成要素であるリン脂質に類似する構造を有することから、細胞の接着性を抑制することができる。細胞培養用基材にした場合に細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、特に限定は無いが、下記一般式（７）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ１７は水素原子またはメチル基を表し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するためにメチル基が用いられる。
Ｒ１８は－（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｉ－（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ）ｊ－Ｒ１９（式中、Ｒ１９は水素原子、炭素数１～３０のアルキル基であり、ｉは１～３００の整数であり、ｊは０～６０の整数である。）で表されるポリオキシアルキレン基、－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２０（式中、Ｒ２０は水素原子、炭素数１～６の炭化水素基である。）で表される置換基、フルフリル基、テトラヒドロフルフリル基、水素原子を示す。
Ｒ１９に用いられる炭素数１～３０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基を例示できるが、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために好ましくはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基が用いられる。
Ｒ２０に用いられる炭素数１～６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ．－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基を例示できるが、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために好ましくはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基が用いられる。
本発明における一般式（７）で表される繰り返し単位としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシメチルアクリレート、ヒドロキシメチルメタクリレート、２－メトキシエチルアクリレート、２－メトキシエチルメタクリレート、フルフリルアクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートまたはテトラヒドロフルフリルメタクリレートを重合して生成する繰り返し単位を例示できるが、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはポリエチレングリコールメタクリレート、２－メトキシエチルアクリレートまたはテトラヒドロフルフリルアクリレートを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、特に限定は無いが、下記一般式（８）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ２１は水素原子またはメチル基を表し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するためにメチル基が用いられる。
Ｒ２２は、炭素数１～１０の２価の炭化水素基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン等の炭素数１～６の２価のアルキレン基であり、更に好ましくはエチレンである。
Ｒ２３は、炭素数１～４の２価の炭化水素基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン等のアルキレン基であり、更に好ましくはエチレンである。
Ｒ２４及びＲ２５は、各々独立して、水素原子又は炭素数１～４の炭化水素基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは、Ｒ２４及びＲ２５が同時に水素原子またはメチル基であり、更に好ましくは同時にメチル基である。
Ａ２は、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びエーテル結合からなる群から選択される２価の結合であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはエステル結合、アミド結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
Ｘはスルホン酸アニオン基、カルボン酸アニオン基、リン酸アニオン基、オキシアニオン基である。
本発明における一般式（８）で表される繰り返し単位としては、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（カルボキシラトメチル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（２－カルボキシラトエチル）アミニウム、ジメチル（２－アクリロイルオキシエチル）（２－カルボキシラトエチル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（３－カルボキシラトプロピル）アミニウム、ジメチル（２－アクリロイルオキシエチル）（３－カルボキシラトプロピル）アミニウム、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（４－スルホナトブチル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（２－スルホナトエチル）アミニウム、ジメチル（２－アクリロイルオキシエチル）（２－スルホナトエチル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム、ジメチル（２－アクリロイルオキシエチル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（２－ホスホナトエチル）アミニウム、ジメチル（２－アクリロイルオキシエチル）（２－ホスホナトエチル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（３－ホスホナトプロピル）アミニウム、またはジメチル（２－アクリロイルオキシエチル）（３－ホスホナトプロピル）アミニウムを重合して生成する繰り返し単位を例示できるが、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（カルボキシラトメチル）アミニウム、ジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（２－カルボキシラトエチル）アミニウム、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（４－スルホナトブチル）アミニウムまたはジメチル（２－メタクリロイルオキシエチル）（２－スルホナトエチル）アミニウムを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、特に限定は無いが、下記一般式（９）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ２６は水素原子またはメチル基を表し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するためにメチル基が用いられる。
Ｒ２７、Ｒ２８は各々独立して水素原子又はメチル基である。
本発明における一般式（９）で表される繰り返し単位としては、アクリルアミドまたはＮ，Ｎ－ジメチルアクリルアミドを重合して生成する繰り返し単位を用いることができる。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、特に限定は無いが、一般式（１０）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ２９は水素原子またはメチル基を表し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するためにメチル基が用いられる。
本発明における下記一般式（１０）で表される繰り返し単位としては、Ｎ－ビニルピロリドンを重合して生成する繰り返し単位を用いることができる。
本発明におけるブロック（Ｃ）は、特に限定は無いが、下記一般式（１１）で表される繰り返し単位の内、少なくとも１種類の繰り返し単位を含む重合体を用いることができる。
Ｒ３０は水素原子又はメチル基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはメチル基を用いる。
Ｒ３１は、炭素数１～１０の２価の炭化水素基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくは炭素数１～６の２価の炭化水素基、特にアルキレンである。このようなアルキレンとして、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレンなどが例示され、好ましくはエチレンである。
Ｒ３２及びＲ３３は、互いに独立して、水素原子又は炭素数１～２の炭化水素基、例えばメチル基又はエチル基であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、特にＲ３２及びＲ３３が同時に、水素原子又はメチル基、特にメチル基であることが好ましい。
Ａ３はエステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びエーテル結合からなる群から選択される２価の結合であり、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、エステル結合、アミド結合、特にエステル結合が好ましい。
本発明における一般式（１１）で表される繰り返し単位としては、アミノメチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノメチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノメチル（メタ）アクリレート、アミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、３－アミノプロピル（メタ）アクリレート、３－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）－プロピル（メタ）アクリレート、３－（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）－プロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミドメチルアミン、ジメチル［（メタ）アクリルアミドメチル］アミン、ジエチル［（メタ）アクリルアミドメチル］アミン、（メタ）アクリルアミドエチルアミン、ジメチル［（メタ）アクリルアミドエチル］アミン、ジエチル［（メタ）アクリルアミドエチル］アミン、３－（メタ）アクリルアミドプロピルアミン、ジメチル［３－（メタ）アクリルアミドプロピル］アミン、ジエチル［３－（メタ）アクリルアミドエチル］アミンを重合して生成する繰り返し単位を例示できるが、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、好ましくはＮ，Ｎ－ジメチルアミノメチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチル［（メタ）アクリルアミドメチル］アミン、ジメチル［（メタ）アクリルアミドエチル］アミンを重合して生成する繰り返し単位を用いる。
ブロック共重合体中の各ブロックは直接結合していてもよいし、スペーサーを介して結合していてもよい。また、ブロック間の結合の少なくとも１つが下記一般式（１２）および（１３）で表される２価の結合の内、少なくとも１種類の結合を含む２価の結合であってもよい。
Ｒ３４は水素原子または炭素数１～２０の炭化水素基であるが、ブロック間の安定な結合を得ることを目的に水素原子であることが好ましい。炭素数１～２０の炭化水素基としてはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基を例示することができる。
ブロック共重合体を構成する全繰り返し単位の量に対するブロック（Ａ）を構成する繰り返し単位（ａ）の量の比率は１～９０ｍｏｌ％であり、基材に被覆した場合に、細胞接着性を付与すると共に、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、５～８５ｍｏｌ％であることが好ましい。全繰り返し単位の量に対するブロック（Ａ）を構成する繰り返し単位（ａ）の量の比率が１ｍｏｌ％未満であれば細胞接着性が低下し、９０ｍｏｌ％を超えれば細胞剥離に必要な冷却時間が長くなる。
ブロック共重合体を構成する全繰り返し単位の量に対するブロック（Ａ）を構成する繰り返し単位（ａ）の量の比率は１～９０ｍｏｌ％であり、基材に被覆した場合に、細胞接着性を付与すると共に、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、５～８５ｍｏｌ％であることが好ましい。全繰り返し単位の量に対するブロック（Ａ）を構成する繰り返し単位（ａ）の量の比率が１ｍｏｌ％未満であれば細胞接着性が低下し、９０ｍｏｌ％を超えれば細胞剥離に必要な冷却時間が長くなる。
ブロック共重合体を構成する全繰り返し単位の量に対するブロック（Ｂ）を構成する繰り返し単位（ｂ）の量の比率は１～９０ｍｏｌ％であり、基材に被覆する場合に、基材への接着性を付与すると共に、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、５～８５ｍｏｌ％であることが好ましい。全繰り返し単位の量に対するブロック（Ｂ）を構成する繰り返し単位（ｂ）の量の比率が１ｍｏｌ％未満であれば基材への接着性が低下し、９０ｍｏｌ％を超えれば細胞剥離に必要な冷却時間が長くなる。
ブロック共重合体を構成する全繰り返し単位の量に対するブロック（Ｃ）を構成する繰り返し単位（ｃ）の量の比率は１～９０ｍｏｌ％であり、基材に被覆した場合に、細胞接着性を付与すると共に、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、５～８５ｍｏｌ％であることが好ましい。全繰り返し単位の量に対するブロック（Ｃ）を構成する繰り返し単位（ｃ）の量の比率が１ｍｏｌ％未満であれば細胞剥離に必要な冷却時間が長くなり、９０ｍｏｌ％を超えれば細胞接着性が低下する。
本発明のブロック共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は３，０００以上１，０００，０００以下の範囲にあり、好ましくは４，０００以上５００，０００以下、さらに好ましくは５，０００以上２００，０００以下である。３，０００未満の場合は細胞培養用基材に被覆しても細胞培養中に基材から培地中に溶出してしまう。また、１，０００，０００を越える場合は溶液粘度が高くなり、細胞培養用基材への被覆が困難になる。
本発明のブロック共重合体の合成方法としては、特に限定はないが、株式会社エヌ・ティー・エス発行、“ラジカル重合ハンドブック”、ｐ．１６１～２２５（２０１０）に記載のリビングラジカル重合技術を用いて、共重合する方法を用いることができる。
重合するモノマーの順番としては、ブロック（Ａ）を生成するモノマーを（共）重合した後、ブロック（Ｂ）を生成するモノマーを（共）重合し、さらにブロック（Ｃ）を生成するモノマーを（共）重合する方法、ブロック（Ｃ）を生成するモノマーを（共）重合した後、ブロック（Ｂ）を生成するモノマーを（共）重合し、さらにブロック（Ａ）を生成するモノマーを（共）重合する方法を用いることができる。
本発明のブロック共重合体の合成方法としては、特に限定はないが、Ａ． Ｍｉｃｈａｅｌ， Ｊ． Ｐｒａｋｔ． Ｃｈｅｍ． ４８， ９４（１８９３）、Ｒ． Ｈｕｉｓｇｅｎ， ｉｎ １，３－Ｄｉｐｏｌａｒ Ｃｙｃｌｏａｄｄｉｔｉ－ｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ｅｄ． ｂｙ Ａ． Ｐａｄｗａ， Ｗｉｌｅｙ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， Ｖｏｌ． １， １－１７６（１９８４）、Ｃ． Ｗ． Ｔｏｒｎｏｅ， Ｃ． Ｃｈｒｉｓｔｅｎｓｅｎ， Ｍ． Ｍｅｌｄａｌ， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ６７， ３０５７－３０６２、Ｖ． Ｖ． Ｒｏｓｔｏｖｔｓｅｖ， Ｌ． Ｇ． Ｇｒｅｅｎ， Ｖ． Ｖ． Ｆｏｋｉｎ， Ｋ． Ｂ． Ｓｈａｒｐｌｅｓｓ， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ．， Ｉｎｔ． Ｅｄ． ４１， ２５９６－２５９９（２００２）に記載の、アジド基を有するブロックとアルキン基を有するブロックのクリック反応を用いることができる。
クリック反応の方法としては、ブロック（Ｂ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアルキン基を有するブロック（Ｂ）を合成し、さらにブロック（Ａ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアルキン基を有するブロック（Ｂ）とブロック（Ａ）からなるジブロック体を合成した後、末端にアジド基を有するブロック（Ｃ）を反応させる方法、ブロック（Ｂ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアジド基を有するブロック（Ｂ）を合成し、さらにブロック（Ａ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアジド基を有するブロック（Ｂ）とブロック（Ａ）からなるジブロック体を合成した後、末端にアルキン基を有するブロック（Ｃ）を反応させる方法、ブロック（Ｂ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアルキン基を有するブロック（Ｂ）を合成し、さらにブロック（Ｃ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアルキン基を有するブロック（Ｂ）とブロック（Ｃ）からなるジブロック体を合成した後、末端にアジド基を有するブロック（Ａ）を反応させる方法、ブロック（Ｂ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアジド基を有するブロック（Ｂ）を合成し、さらにブロック（Ｃ）を生成するモノマーのリビングラジカル重合で末端にアジド基を有するブロック（Ｂ）とブロック（Ｃ）からなるジブロック体を合成した後、末端にアルキン基を有するブロック（Ａ）を反応させる方法を用いることができる。
ブロック共重合体の合成方法として上記アジド基を有するブロックとアルキン基を有するブロックのクリック反応を用いることによって、ブロック共重合体中のブロック間の少なくとも一つに、一般式（１２）または（１３）の２価の結合を含む２価の結合が導入される。
２．表面処理剤
本発明の基材用表面処理剤は、上記ブロック共重合体を含むものである。好ましくは、シャーレ、マルチウェルプレート、フラスコ、マイクロキャリアなどの細胞培養用基材用の表面処理剤である。
２．表面処理剤
本発明の基材用表面処理剤は、上記ブロック共重合体を含むものである。好ましくは、シャーレ、マルチウェルプレート、フラスコ、マイクロキャリアなどの細胞培養用基材用の表面処理剤である。
本発明の表面処理剤は、基材に塗布するだけで表面処理を行うことができるものである。
本発明の表面処理剤は、上記ブロック共重合体以外に、本ブロック共重合体を溶解することができる各種溶媒を含むものであってもよい。ブロック共重合体を溶解できる溶剤としては特に限定はされないが、適用後に蒸発して残留しない溶媒が好ましく、また、残留しても培養細胞に及ぼす影響が小さい、エタノール、水とエタノールの混合溶媒が特に好ましい。本発明の表面処理剤は、通常、溶液状のものであるが、上記の溶媒で溶解可能な粉末状であってもよい。
本発明の表面処理剤の対象基材としては、特に限定はないが、前記ブロック共重合体は疎水性相互作用で基材に接着することから、好ましくは各種疎水性ポリマー材料が用いられる。疎水性ポリマー材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系ポリマー、ポリジメチルシロキサン等の各種シリコーンゴム、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等が挙げられる。また、金属基材、セラミックス基材あるいはガラス基材にシランカップリング剤で表面処理したものも用いることができる。
また、基材の形状は、特に限定はないが、例えば、板状、ビーズ状および繊維状の形状のほか、板状の基材に設けられた穴や溝や突起なども挙げられる。
本発明の表面処理剤を基材に塗布する方法としては、例えば、はけ塗り、ディップコーティング、スピンコーティング、バーコーティング、流し塗り、スプレー塗装、ロール塗装、エアーナイフコーティング、ブレードコーティングなど通常知られている各種の方法を用いることが可能である。
３．膜
本発明の膜は、上記表面処理剤を各種基材に塗布した後、乾燥することによって得られる膜である。ブロック共重合体中にブロック（Ｂ）を含むことで細胞培養用基材に対して接着性を有する。また、ブロック共重合体中にブロック（Ａ）を含むことで、細胞培養温度である３７℃以上では膜表面は疎水性を示すことによりタンパク質などの付着を可能とし、細胞の接着培養が可能となる。さらに、細胞培養後に、温度降下させることで、膜表面が親水性に変化し、細胞剥離を促すことができる。また、ブロック共重合体中にブロック（Ｃ）を含むことで、温度を降下させた時の膜表面の親水化が更に進行し、剥離に必要な冷却時間を短縮することが可能になる。さらに、ブロック共重合体中に電荷を有するブロック（Ｃ）を含むことで、細胞の接着を促進し細胞増殖性の向上が期待できる。これらブロック共重合体中のブロック（Ａ）、ブロック（Ｂ）、ブロック（Ｃ）の配列は（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であり、膜表面にブロック（Ａ）とブロック（Ｃ）の両方が出やすくなり、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できる。一方、配列が（Ａ）－（Ｃ）－（Ｂ）であれば、ブロック（Ａ）のみが表面に出やすくなり、温度応答性を発現するが、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できない。また、配列が（Ｃ）－（Ａ）－（Ｂ）であれば、ブロック（Ｃ）のみが表面に出やすく、温度応答性を発現し難くなり、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できない。
本発明の膜は、上記表面処理剤を各種基材に塗布した後、乾燥することによって得られる膜である。ブロック共重合体中にブロック（Ｂ）を含むことで細胞培養用基材に対して接着性を有する。また、ブロック共重合体中にブロック（Ａ）を含むことで、細胞培養温度である３７℃以上では膜表面は疎水性を示すことによりタンパク質などの付着を可能とし、細胞の接着培養が可能となる。さらに、細胞培養後に、温度降下させることで、膜表面が親水性に変化し、細胞剥離を促すことができる。また、ブロック共重合体中にブロック（Ｃ）を含むことで、温度を降下させた時の膜表面の親水化が更に進行し、剥離に必要な冷却時間を短縮することが可能になる。さらに、ブロック共重合体中に電荷を有するブロック（Ｃ）を含むことで、細胞の接着を促進し細胞増殖性の向上が期待できる。これらブロック共重合体中のブロック（Ａ）、ブロック（Ｂ）、ブロック（Ｃ）の配列は（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であり、膜表面にブロック（Ａ）とブロック（Ｃ）の両方が出やすくなり、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できる。一方、配列が（Ａ）－（Ｃ）－（Ｂ）であれば、ブロック（Ａ）のみが表面に出やすくなり、温度応答性を発現するが、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できない。また、配列が（Ｃ）－（Ａ）－（Ｂ）であれば、ブロック（Ｃ）のみが表面に出やすく、温度応答性を発現し難くなり、細胞の接着性／増殖性と温度降下による剥離性を両立できない。
本発明の膜は、基材表面にブロック（Ａ）分として０．１μｇ／ｃｍ２以上５．０μｇ／ｃｍ２以下の割合で被覆されることが好ましく、より好ましくは０．３μｇ／ｃｍ２以上０．８μｇ／ｃｍ２以下である。０．１μｇ／ｃｍ２未満の場合は細胞培養用基材に被覆した時に細胞剥離に必要な冷却時間が長くなってしまう。５．０μｇ／ｃｍ２を超える場合は細胞が細胞培養基材に接着しなくなり細胞が増殖しなくなる。０．３μｇ／ｃｍ２以上０．８μｇ／ｃｍ２以下では剥離に必要な冷却時間の長さ短縮と良好な細胞接着と細胞増殖を特に並立できる。なおここでいう被覆量の測定は定法に従えばよく、例えば、天秤を用いた秤量を利用すればよい。
４．細胞培養用基材
本発明の細胞培養用基材は、上記膜で基材表面を被覆した細胞培養用基材である。本発明の培養基材の表面は、細胞培養後、温度降下による基材表面の親水化を促進し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、ミクロ相分離構造を有することが好ましい。
４．細胞培養用基材
本発明の細胞培養用基材は、上記膜で基材表面を被覆した細胞培養用基材である。本発明の培養基材の表面は、細胞培養後、温度降下による基材表面の親水化を促進し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、ミクロ相分離構造を有することが好ましい。
ミクロ相分離構造のドメイン径およびドメイン間隔は、各ブロック単位の比率、ブロック共重合体の分子量、塗布方法および塗布条件で任意に制御できる。細胞培養後、温度降下による基材表面の親水化を促進し、細胞剥離に必要な冷却時間を短縮するために、ドメイン径およびドメイン間隔を細胞増殖因子よりも大きく、細胞よりも小さいことが好ましい。
本発明の細胞培養用基材による細胞培養は、培養基材の表面に被覆されたブロック（Ａ）のＬＣＳＴよりも高い温度で行われるが、ヒト由来細胞を用いる場合は、高い培養効率を得ることを目的に体温付近で行うことが好ましく、３５～３９℃の温度範囲で行うことがより好ましく、３６～３８℃の温度範囲で行うことがさらに好ましい。その他の培養条件は特に限定されず、当分野において通常行われる条件下で培養を行ってよい。例えば、培地としては、ウシ胎児血清等の血清が添加されているものでもよいし、無血清培地でもよい。
培養後、増殖細胞を細胞培養用基材から剥離するには、周囲の温度をブロック（Ａ）のＬＣＳＴよりも低い温度、好ましくはＬＣＳＴより１０℃低い温度以下に変化させるだけでよく、細胞を培養していた培養液中においても、その他の培地溶液中においても可能であり、目的に応じて選択することができる。その際、増殖細胞を効果的にかつ容易に剥離させるため、細胞培養用基材を軽くたたいたり、揺らしたり、更にはピペット等を使用して培地を撹拌するなどしてもよい。
本発明の培養基材を用いることによって、好ましくは培養した細胞が冷却のみで最大径５μｍ～３００μｍの大きさで剥離することができる。さらに好ましくは冷却のみで単一細胞の形状で剥離することができる。剥離細胞の大きさ、形状は、ブロック共重合体の組成および分子量、細胞培養用基材の構造、細胞培養用基材の製造方法、細胞培養方法、培養される細胞の種類を選択することによって調整できる。例えば、ブロック共重合体の中のブロック（Ｃ）の比率を上げること、細胞培養用基材の製造方法によってブロック共重合体の厚さを増加させること、培養基材表面の凹凸を増加させることによって、細胞凝集塊の大きさを小さくでき、さらに単一細胞で剥離することができる。
本発明の細胞培養用基材を用いて培養される細胞としては、温度降下による刺激付与前の表面に接着可能なものであれば特に限定されるものではない。例えばチャイニーズハムスター卵巣由来ＣＨＯ細胞やマウス結合組織Ｌ９２９細胞、ヒト胎児腎臓由来細胞ＨＥＫ２９３細胞やヒト子宮頸癌由来ＨｅＬａ細胞等の種々の培養細胞株に加え、例えば生体内の各組織、臓器を構成する上皮細胞や内皮細胞、収縮性を示す骨格筋細胞、平滑筋細胞、心筋細胞、神経系を構成するニューロン細胞、グリア細胞、繊維芽細胞、生体の代謝に関与する肝実質細胞、肝非実質細胞や脂肪細胞、分化能を有する細胞として、種々の組織に存在する幹細胞、さらにはそれらから分化誘導した細胞等を用いることができる。これら以外でも、血液、リンパ液、髄液、喀痰、尿又は便に含まれる細胞（生細胞）や、体内あるいは環境中に存在する微生物、ウイルス、原虫等を例示できる。
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら制限されるものではない。なお、断りのない限り、試薬は市販品を用いた。
＜ブロック共重合体の組成、ブロック共重合体中のモノマー量、有機溶媒量＞
核磁気共鳴測定装置（日本電子製、商品名ＪＮＭ－ＥＣＺ４００Ｓ／ＬＩ）を用いたプロトン核磁気共鳴分光（１Ｈ－ＮＭＲ）スペクトル分析より求めた。
核磁気共鳴測定装置（日本電子製、商品名ＪＮＭ－ＥＣＺ４００Ｓ／ＬＩ）を用いたプロトン核磁気共鳴分光（１Ｈ－ＮＭＲ）スペクトル分析より求めた。
＜ブロック共重合体の分子量、分子量分布＞
重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した。ＧＰＣ装置は東ソー（株）製 ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣを用い、カラムは東ソー製 ＴＳＫｇｅｌα－Ｍを２本用い、カラム温度を４０℃に設定し、溶離液は１０ｍＭトリフルオロ酢酸ナトリウムを含む２，２，２－トリフルオロエタノールを用いて測定した。測定試料は１．０ｍｇ／ｍＬで調製して測定した。分子量の検量線は、分子量既知のポリメタクリル酸メチル（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製）を用いた。
＜ブロック共重合体コート膜の厚さ＞
ブロック共重合体がコートされた細胞培養基材の断面は透過型電子顕微鏡を用いて観察し、コート膜の厚さを評価した。透過型電子顕微鏡は日本電子製ＪＥＭ－２１００Ｆ を用いた。
重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した。ＧＰＣ装置は東ソー（株）製 ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣを用い、カラムは東ソー製 ＴＳＫｇｅｌα－Ｍを２本用い、カラム温度を４０℃に設定し、溶離液は１０ｍＭトリフルオロ酢酸ナトリウムを含む２，２，２－トリフルオロエタノールを用いて測定した。測定試料は１．０ｍｇ／ｍＬで調製して測定した。分子量の検量線は、分子量既知のポリメタクリル酸メチル（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製）を用いた。
＜ブロック共重合体コート膜の厚さ＞
ブロック共重合体がコートされた細胞培養基材の断面は透過型電子顕微鏡を用いて観察し、コート膜の厚さを評価した。透過型電子顕微鏡は日本電子製ＪＥＭ－２１００Ｆ を用いた。
＜ブロック共重合体の被覆量＞
濃度が既知の表面処理剤を細胞培養基材に塗布し、室温で５分間放置した後、加えた表面処理剤をパスツールピペット等で回収し、細胞培養基材上に残った表面処理剤の量を電子天秤で秤量した。表面処理剤の濃度と表面処理剤の量、および細胞培養基材への被覆面積から、ブロック共重合体の被覆量を単位μｇ／ｃｍ２で算出した。
濃度が既知の表面処理剤を細胞培養基材に塗布し、室温で５分間放置した後、加えた表面処理剤をパスツールピペット等で回収し、細胞培養基材上に残った表面処理剤の量を電子天秤で秤量した。表面処理剤の濃度と表面処理剤の量、および細胞培養基材への被覆面積から、ブロック共重合体の被覆量を単位μｇ／ｃｍ２で算出した。
＜基材表面の対水接触角＞
水中、４０℃および１５℃での気泡接触角（θ）（°）を測定し、４０℃および１５℃の対水接触角（１８０－θ）（°）を算出した。θは協和界面科学（株）製接触角計ＤＭ３００を用いて、水中、３μＬの気泡の接触角を測定した。
水中、４０℃および１５℃での気泡接触角（θ）（°）を測定し、４０℃および１５℃の対水接触角（１８０－θ）（°）を算出した。θは協和界面科学（株）製接触角計ＤＭ３００を用いて、水中、３μＬの気泡の接触角を測定した。
実施例１
［ブロック（Ｃ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管にＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．７９ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン５ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で３８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９８％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体ブロック（Ｃ）の繰り返し単位の親水部式量は炭素５個、水素１０個、窒素１個、酸素２個の合計（１１６．１）であり、繰り返し単位総式量は１５７．２であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１５であった。
［ブロック（Ｃ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管にＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．７９ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン５ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で３８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９８％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体ブロック（Ｃ）の繰り返し単位の親水部式量は炭素５個、水素１０個、窒素１個、酸素２個の合計（１１６．１）であり、繰り返し単位総式量は１５７．２であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１５であった。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、ｎ－ブチルメタクリレート０．７１ｇ（５．０ｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン５ｍＬを加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で７０時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９２％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。ｎ－ブチルメタクリレート重合体ブロック（Ｂ）の繰り返し単位の親水部式量は炭素１個、酸素２個の合計（４４．０）であり、繰り返し単位総式量は１４２．２であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は６であった。
上記で得られた反応溶液に、ｎ－ブチルメタクリレート０．７１ｇ（５．０ｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン５ｍＬを加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で７０時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９２％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。ｎ－ブチルメタクリレート重合体ブロック（Ｂ）の繰り返し単位の親水部式量は炭素１個、酸素２個の合計（４４．０）であり、繰り返し単位総式量は１４２．２であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は６であった。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で６５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９４％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液に、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で６５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９４％が重合していることを確認できた。
反応溶液を蒸留水０．５Ｌに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体をクロロホルム２００ｍＬに溶解し、得られた溶液に無水硫酸マグネシウムを３ｇ添加し、室温で１５分間撹拌した。得られた懸濁液をろ過して硫酸マグネシウムを除いた後、エバポレーターを用いて、減圧下でろ液からクロロホルムを留去し、２０ｍＬまで濃縮した。得られた濃縮溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。また、ブロック共重合体の１Ｈ－ＮＭＲ測定（測定溶媒：重水素化クロロホルム）でモノマーおよび有機溶媒は検出されなかった。
［表面処理剤の合成］
ブロック共重合体１５ｍｇをエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって３０秒で全て溶解し、０．５ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
ブロック共重合体１５ｍｇをエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって３０秒で全て溶解し、０．５ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［膜評価］
コーニング社製細胞培養用ポリスチレン製ディッシュ（φ６ｃｍ）に、得られた表面処理剤を１．０ｍＬ加え、室温で５分間放置した後、加えた表面処理剤をパスツールピペットで回収した。室温で５分間放置しディッシュ表面を乾燥させた後、さらに、７０℃で上記ディッシュを３０分間加熱し、その後、水洗浄を行うことでＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
コーニング社製細胞培養用ポリスチレン製ディッシュ（φ６ｃｍ）に、得られた表面処理剤を１．０ｍＬ加え、室温で５分間放置した後、加えた表面処理剤をパスツールピペットで回収した。室温で５分間放置しディッシュ表面を乾燥させた後、さらに、７０℃で上記ディッシュを３０分間加熱し、その後、水洗浄を行うことでＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を用い、ヒト脂肪由来間葉系幹細胞（Ｃｅｌｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．製）（１００個／ｍｍ２）を、３７℃、ＣＯ２濃度５％で培養した。培地はヒト前駆脂肪細胞増殖培地（基本培地＋添加剤）（Ｃｅｌｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．製）を用いた。細胞増殖が確認され、培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養したところで、１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。細胞培養用基材を１５℃に冷却後、アスピレーターで剥離した細胞を除去し、再度１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。４５分間冷却することで細胞は７０％剥離した。
上記にて作製した、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を用い、ヒト脂肪由来間葉系幹細胞（Ｃｅｌｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．製）（１００個／ｍｍ２）を、３７℃、ＣＯ２濃度５％で培養した。培地はヒト前駆脂肪細胞増殖培地（基本培地＋添加剤）（Ｃｅｌｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．製）を用いた。細胞増殖が確認され、培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養したところで、１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。細胞培養用基材を１５℃に冷却後、アスピレーターで剥離した細胞を除去し、再度１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。４５分間冷却することで細胞は７０％剥離した。
実施例２
［ブロック（Ｃ）の合成］
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートを０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、２２時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートを０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、２２時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
ｎ－ブチルメタクリレートを１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）用い、６９時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
ｎ－ブチルメタクリレートを１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）用い、６９時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却することで細胞は１００％剥離した。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却することで細胞は１００％剥離した。
比較例１
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン５ｍＬを加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で７０時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９８％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液に、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン５ｍＬを加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で７０時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９８％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、ｎ－ブチルメタクリレート０．７１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で６５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液に、ｎ－ブチルメタクリレート０．７１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で６５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体２．１１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
比較例２
［ブロック（Ｂ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管にｎ－ブチルメタクリレート０．７１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン５ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で３８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９３％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ブロック（Ｂ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管にｎ－ブチルメタクリレート０．７１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン５ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で３８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９３％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．７９ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン５ｍＬを加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で７０時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９２％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液に、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．７９ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン５ｍＬを加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で７０時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９２％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で６５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の８８％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液に、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル３．２８ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で６５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の８８％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとして、ｎ－ブチルメタクリレート重合体ブロック（Ｂ）とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体ブロック（Ｃ）とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体ブロック（Ａ）からなるブロック共重合体２．０５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルメタクリレート重合体ブロック（Ｂ）とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体ブロック（Ｃ）とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体ブロック（Ａ）からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルメタクリレート重合体ブロック（Ｂ）とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体ブロック（Ｃ）とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体ブロック（Ａ）からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．４μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
比較例３
［重合体ブロック（Ｂ）の合成］
三方コックを備えた１００ｍＬ試験管にｎ－ブチルメタクリレート２．４ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド１０８ｍｇ（２６７μｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル８．８ｍｇ（５３μｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン１０ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で２５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９３％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレートの重合体（重合体ブロック（Ｂ））を合成できた。
［重合体ブロック（Ｂ）の合成］
三方コックを備えた１００ｍＬ試験管にｎ－ブチルメタクリレート２．４ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド１０８ｍｇ（２６７μｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル８．８ｍｇ（５３μｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン１０ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で２５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９３％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレートの重合体（重合体ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液に、１，４－ジオキサン２０ｍＬ、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド４．８ｇ（４２ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル８．８ｍｇ（５３μｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で４５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９７％が重合していることを確認できた。反応溶液を蒸留水３００ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体をクロロホルム４０ｍＬに溶解し、得られた溶液に無水硫酸マグネシウムを１ｇ添加し、室温で３０分間撹拌した。得られた懸濁液をろ過して硫酸マグネシウムを除いた後、エバポレーターを用いて、減圧下でろ液からクロロホルムを留去し、１０ｍＬまで濃縮した。得られた濃縮溶液をヘキサン１００ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下、８０℃で、６時間乾燥し、白色パウダーとして、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体３ｇを得た。得られたジブロック共重合体の組成、ＭｎおよびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
上記で得られた反応溶液に、１，４－ジオキサン２０ｍＬ、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド４．８ｇ（４２ｍｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル８．８ｍｇ（５３μｍｏｌ）を加え、アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で４５時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９７％が重合していることを確認できた。反応溶液を蒸留水３００ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体をクロロホルム４０ｍＬに溶解し、得られた溶液に無水硫酸マグネシウムを１ｇ添加し、室温で３０分間撹拌した。得られた懸濁液をろ過して硫酸マグネシウムを除いた後、エバポレーターを用いて、減圧下でろ液からクロロホルムを留去し、１０ｍＬまで濃縮した。得られた濃縮溶液をヘキサン１００ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下、８０℃で、６時間乾燥し、白色パウダーとして、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体３ｇを得た。得られたジブロック共重合体の組成、ＭｎおよびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたジブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたジブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
比較例４
［膜評価］
ポリスチレン製ディッシュ表面にＮ－イソプロピルアクリルアミドが電子線重合された、セルシード製ＵｐＣｅｌｌ（Ｒ）φ３５ｍｍディッシュの４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
［膜評価］
ポリスチレン製ディッシュ表面にＮ－イソプロピルアクリルアミドが電子線重合された、セルシード製ＵｐＣｅｌｌ（Ｒ）φ３５ｍｍディッシュの４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
実施例３
［ブロック（Ｃ）の合成］
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートを０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、２２時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートを０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、２２時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルメタクリレート１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、６９時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルメタクリレート１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、６９時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却することで細胞は１００％剥離した。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却することで細胞は１００％剥離した。
比較例５
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例３［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９５％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例３［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９５％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルメタクリレート１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、６９時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルメタクリレート１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、６９時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体１．２５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
比較例６
［ブロック（Ｂ）の合成］
ｎ－ブチルメタクリレート１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、６９時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ブロック（Ｂ）の合成］
ｎ－ブチルメタクリレート１．０７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、６９時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルメタクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表１に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
実施例４
［ブロック（Ｃ）の合成］
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートを０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、２２時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートを０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、２２時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。スチレン重合体ブロック（Ｂ）の繰り返し単位の親水部式量は０であり、繰り返し単位総式量は１０４．１であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は０であった。
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。スチレン重合体ブロック（Ｂ）の繰り返し単位の親水部式量は０であり、繰り返し単位総式量は１０４．１であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は０であった。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却することで細胞は１００％剥離した。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却することで細胞は１００％剥離した。
比較例７
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例４［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例４［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認できた。Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認できた。Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９７％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９７％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体１．２５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で４５分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
比較例８
［ブロック（Ｂ）の合成］
スチレン０．７８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９７％が重合していることを確認し、スチレンの重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ブロック（Ｂ）の合成］
スチレン０．７８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９７％が重合していることを確認し、スチレンの重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、２２時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート０．３９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、２２時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート仕込み量の８７％が重合していることを確認し、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジメチルアミノエチルメタクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く、温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例１［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
実施例５
［ブロック（Ｃ）の合成］
２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンを０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素８個、水素１７個、窒素１個、酸素６個、リン１個の合計（２５４．２）であり、繰り返し単位総式量は２９５．３であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１７であった。
［ブロック（Ｃ）の合成］
２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンを０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素８個、水素１７個、窒素１個、酸素６個、リン１個の合計（２５４．２）であり、繰り返し単位総式量は２９５．３であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１７であった。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．１５ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を用い、ヒト骨髄由来間葉系幹細胞（ロンザ社、ＰＴ－２５０１）（１００個／ｍｍ２）を、３７℃、ＣＯ２濃度５％で培養した。培地および添加因子はロンザ社ＰＴ－３００１キットを用いた。細胞増殖が確認され、培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養したところで、１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。細胞培養用基材を１５℃に冷却後、アスピレーターで剥離した細胞を除去し、再度１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を用い、ヒト骨髄由来間葉系幹細胞（ロンザ社、ＰＴ－２５０１）（１００個／ｍｍ２）を、３７℃、ＣＯ２濃度５％で培養した。培地および添加因子はロンザ社ＰＴ－３００１キットを用いた。細胞増殖が確認され、培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養したところで、１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。細胞培養用基材を１５℃に冷却後、アスピレーターで剥離した細胞を除去し、再度１０×１０倍の顕微鏡で細胞数を確認した。１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
比較例９
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例５［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例５［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとして２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体２．１１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
比較例１０
［ブロック（Ｂ）の合成］
スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９０％が重合していることを確認できた。
［ブロック（Ｂ）の合成］
スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９０％が重合していることを確認できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量の９３％が重合していることを確認し、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））と２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量の９３％が重合していることを確認し、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））と２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとしてスチレン重合体（ブロック（Ｂ））と２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体２．３１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））と２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））と２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ブロック（Ｃ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
比較例１１
［ブロック（Ｂ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管に２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル６．５６ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン１０ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で４８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量およびスチレン仕込み量の９８％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））のＨＬＢ値は３であった。
［ブロック（Ｂ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管に２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン０．７４ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル６．５６ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン１０ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で４８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン仕込み量およびスチレン仕込み量の９８％が重合していることを確認し、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））のＨＬＢ値は３であった。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとして２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体２．２１ｇを得た。得られたジブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたジブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたジブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリンとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））とＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で３０％剥離した。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で３０％剥離した。
実施例６
［ブロック（Ｃ）の合成］
ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムを０．６９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量の９０％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素５個、水素１１個、窒素１個、酸素４個、硫黄１個の合計（１８１．２）であり、繰り返し単位総式量は２７８．４であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１３であった。
［ブロック（Ｃ）の合成］
ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムを０．６９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量の９０％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素５個、水素１１個、窒素１個、酸素４個、硫黄１個の合計（１８１．２）であり、繰り返し単位総式量は２７８．４であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１３であった。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、９０時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．２２ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
比較例１２
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例４［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量の９０％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例４［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量の９０％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７０時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとしてジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体２．４１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド（ブロック（Ａ））とスチレン重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表１に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
比較例１３
［ブロック（Ｂ）の合成］
スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９０％が重合していることを確認できた。
［ブロック（Ｂ）の合成］
スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９０％が重合していることを確認できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムを０．６９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量の９０％が重合していることを確認し、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムを０．６９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量の９０％が重合していることを確認し、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとしてスチレン重合体（ブロック（Ｂ））とジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体２．２１ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、スチレン重合体（ブロック（Ｂ））とジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
比較例１４
［ブロック（Ｂ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管にジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムを０．６９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル６．５６ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン１０ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で４８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量およびスチレン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））のＨＬＢ値は３であった。
［ブロック（Ｂ）の合成］
５０ｍＬシュレンク管にジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムを０．６９ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、スチレン０．７９ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、ＲＡＦＴ剤として４－シアノ－４－［（ドデシルスルフォニルチオカルボニル）スルフォニル］ペンタノイックアシッド４０．４ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル６．５６ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）を加え、１，４－ジオキサン１０ｍＬに溶解した。アルゴンバブリングを１０分行った後、６５℃で４８時間反応させた。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム仕込み量およびスチレン仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））を合成できた。ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））のＨＬＢ値は３であった。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９０％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド１．２６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、７５時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド仕込み量の９０％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとしてジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体２．４２ｇを得た。得られたジブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表２に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたジブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたジブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ジメチル（３－メタクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウムとスチレンのランダム共重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－エトキシエチルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表２に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例３［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で３０％剥離した。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例３［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で３０％剥離した。
実施例７
［ブロック（Ｃ）の合成］
２－メトキシエチルアクリレートを０．３３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）とＲＡＦＴ剤としてシアノメチルドデシルトリチオカルボナート３１．８ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）用い、２４時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メトキシエチルアクリレート仕込み量の９６％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素３個、水素４個、酸素３個の合計（８８．１）であり、繰り返し単位総式量は１３０．１であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１４であった。
［ブロック（Ｃ）の合成］
２－メトキシエチルアクリレートを０．３３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）とＲＡＦＴ剤としてシアノメチルドデシルトリチオカルボナート３１．８ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）用い、２４時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メトキシエチルアクリレート仕込み量の９６％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素３個、水素４個、酸素３個の合計（８８．１）であり、繰り返し単位総式量は１３０．１であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は１４であった。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルアクリレート０．９６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、２４時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルアクリレート仕込み量の９６％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。ｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素１個、酸素２個の合計（８８．１）であり、繰り返し単位総式量は１２８．２であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は７であった。
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルアクリレート０．９６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、２４時間反応させたこと以外は実施例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルアクリレート仕込み量の９６％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるジブロック共重合体を合成できた。ｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））の繰り返し単位の親水部式量は炭素１個、酸素２個の合計（８８．１）であり、繰り返し単位総式量は１２８．２であり、ＨＬＢ値（グリフィン法）は７であった。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９４％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９４％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液を実施例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で処理し、白色パウダーとして、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．５２ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表３に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．６μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．６μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
実施例８
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体２４ｍｇをエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって１２０秒で全て溶解し、０．８ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体２４ｍｇをエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって１２０秒で全て溶解し、０．８ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１３ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．８μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１３ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．８μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
実施例９
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体４８ｍｇを２－メトキシエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって６００秒で全て溶解し、１．６ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体４８ｍｇを２－メトキシエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって６００秒で全て溶解し、１．６ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは２６ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として１．６μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは２６ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として１．６μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞接着形状は伸展が低いが、細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞接着形状は伸展が低いが、細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
実施例１０
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体９３ｍｇを２－メトキシエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって６００秒で全て溶解し、３．０ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体９３ｍｇを２－メトキシエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって６００秒で全て溶解し、３．０ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは５０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として３．０μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは５０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として３．０μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞接着形状は伸展が低いが、細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞接着形状は伸展が低いが、細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
実施例１１
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体１５８ｍｇを２－メトキシエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって６００秒で全て溶解し、５．０ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［表面処理剤の合成］
実施例７で得られたブロック共重合体１５８ｍｇを２－メトキシエタノール３．０ｇに添加し、撹拌することによって６００秒で全て溶解し、５．０ｗｔ％の基材用表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは８０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として４．８μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは８０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として４．８μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞接着形状は伸展が低いが、細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
上記にて作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞接着形状は伸展が低いが、細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で１５分間冷却することで細胞は単一細胞の形状で１００％剥離した。
比較例１５
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例５［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メトキシエチルアクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ブロック（Ｃ）の合成］
実施例５［ブロック（Ｃ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メトキシエチルアクリレート仕込み量の９７％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレートの重合体（ブロック（Ｃ））を合成できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例１［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９２％が重合していることを確認し、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド（ブロック（Ａ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルアクリレート０．９６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、２４時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルアクリレート仕込み量の９６％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、ｎ－ブチルアクリレート０．９６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を用い、２４時間反応させたこと以外は比較例１［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、ｎ－ブチルアクリレート仕込み量の９６％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとして２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリレート（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体１．３８ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表３に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリレート（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリレート（ブロック（Ａ））とｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．５μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角とほぼ同じで温度応答性を示さなかった。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞は接着せず、増殖できなかった。
比較例１６
［ブロック（Ｂ）の合成］
ｎ－ブチルアクリレート０．９６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）とＲＡＦＴ剤としてシアノメチルドデシルトリチオカルボナート３１．８ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）用い、２４時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９３％が重合していることを確認できた。
［ブロック（Ｂ）の合成］
ｎ－ブチルアクリレート０．９６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）とＲＡＦＴ剤としてシアノメチルドデシルトリチオカルボナート３１．８ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）用い、２４時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック（Ｂ）の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、スチレン仕込み量の９３％が重合していることを確認できた。
［ジブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、２－メトキシエチルアクリレートを０．３３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、２４時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メトキシエチルアクリレート仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））と２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
上記で得られた反応溶液、２－メトキシエチルアクリレートを０．３３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用い、２４時間反応させたこと以外は比較例２［ジブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、２－メトキシエチルアクリレート仕込み量の９５％が重合していることを確認し、ｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））と２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））からなるジブロック共重合体を合成できた。
［ブロック共重合体の合成］
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９４％が重合していることを確認できた。
上記で得られた反応溶液、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド１．１３ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を用い、４８時間反応させたこと以外は比較例２［ブロック共重合体の合成］と同様の方法で合成を行った。反応後、反応溶液の一部を採取し１Ｈ－ＮＭＲを測定した結果、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド仕込み量の９４％が重合していることを確認できた。
得られた反応溶液をヘキサン２５０ｍＬに注ぎ込み、析出した白色固体をろ過した。得られた白色固体を減圧下で２時間乾燥し、白色パウダーとしてｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））と２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体１．３７ｇを得た。得られたブロック共重合体の組成、Ｍｎ、およびＭｗ／Ｍｎを表３に示す。
［表面処理剤の合成］
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
上記で得られたブロック共重合体を用いたこと以外は実施例１［表面処理剤の合成］と同様の方法で合成を行い、表面処理剤を合成した。
［膜評価］
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））と２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．６μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
上記で得られた表面処理剤を用いたこと以外は実施例１［膜評価］に記載の方法と同様の方法で細胞培養用基材の作製を行い、ｎ－ブチルアクリレート重合体（ブロック（Ｂ））と２－メトキシエチルアクリレート重合体（ブロック（Ｃ））とＮ－イソプロピルアクリルアミド重合体（ブロック（Ａ））からなるブロック共重合体からなる膜が導入された細胞培養用基材を作製した。膜の厚さは１０ｎｍであり、ブロック（Ａ）分として０．６μｇ／ｃｍ２の割合で被覆されていた。４０℃および１５℃での対水接触角を評価した結果を表３に示す。１５℃での対水接触角は４０℃での対水接触角よりも低く温度応答性を示した。
［細胞培養評価および剥離評価］
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
上記で作製した細胞培養用基材を用いたこと以外は実施例５［細胞培養評価および剥離評価］と同様の方法で評価した。細胞増殖が確認された。培養細胞が基材の１００％を覆うまで培養した後、１５℃で６０分間冷却しても細胞は全く剥離しなかった。
Claims (6)
- 下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のブロックからなり、配列が（Ａ）－（Ｂ）－（Ｃ）であるブロック共重合体。
（Ａ）Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド重合体、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド重合体、Ｎ－エトキシエチルアクリルアミド重合体の何れから選択される温度応答性重合体ブロック。
（Ｂ）ｎ－ブチル（メタ）アクリレート重合体、スチレン重合体の何れから選択される疎水性重合体ブロック。
（Ｃ）２－（メタ）アクリロイルオキシエチルホスホリルコリン重合体、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート重合体、ジメチル（３－（メタ）アクリロイルアミノプロピル）（３－スルホナトプロピル）アミニウム重合体の何れから選択される親水性重合体ブロック。 - 請求項１記載のブロック共重合体を含むことを特徴とする基材用表面処理剤。
- 請求項２記載の表面処理剤を基材に塗布されてなる膜。
- 基材表面にブロック（Ａ）分として５．０μｇ／ｃｍ２以下の割合で被覆された請求項３記載の膜。
- 請求項３または請求項４記載の膜で表面を被覆した細胞培養用基材。
- 請求項５記載の細胞培養用基材を用いて、ブロック（Ａ）のＬＣＳＴより高い温度で細胞を培養し、細胞増殖後に温度をブロック（Ａ）のＬＣＳＴより低くして増殖細胞を基材から剥離することを特徴とする細胞培養方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017078686 | 2017-04-12 | ||
| JP2017078686 | 2017-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018174919A JP2018174919A (ja) | 2018-11-15 |
| JP7127330B2 true JP7127330B2 (ja) | 2022-08-30 |
Family
ID=64279662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018066538A Active JP7127330B2 (ja) | 2017-04-12 | 2018-03-30 | ブロック共重合体およびそれを用いた表面処理剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7127330B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6954047B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2021-10-27 | 東ソー株式会社 | ブロック共重合体コートビーズおよびその製造方法 |
| JP2020110140A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | 東ソー株式会社 | 細胞培養方法 |
| JP7250248B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2023-04-03 | 東ソー株式会社 | ブロック共重合体、それを含む表面処理剤及び膜、並びに、それを用いた細胞培養用器材及び細胞培養方法 |
| JP2020171891A (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 東ソー株式会社 | 温度応答性ブロック共重合体膜の製造方法 |
| JP7432808B2 (ja) | 2019-05-17 | 2024-02-19 | 東ソー株式会社 | 細胞分化方法 |
| US20240158660A1 (en) * | 2021-03-29 | 2024-05-16 | Tosoh Corporation | Surface treatment agent |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016192957A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 東ソー株式会社 | 細胞培養基材、その製造方法、およびそれを用いた細胞培養方法 |
-
2018
- 2018-03-30 JP JP2018066538A patent/JP7127330B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016192957A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 東ソー株式会社 | 細胞培養基材、その製造方法、およびそれを用いた細胞培養方法 |
Non-Patent Citations (8)
| Title |
|---|
| HUANG,Youke et al.，Synthesis of Silica Particles Grafted with Well-Defined Living Polymeric Chains by Combination of RA，Macromolecules，2009年，Vol.42, No.15，p.5509-5517 |
| HUANG,Youke et al.，Synthesis of silica-polymer hybrids by combination of RAFT polymerization and azide-alkyne cycloaddi，Polymer Chemistry，2010年，Vol.1, No.10，p.1615-1623 |
| LI,Quanlong et al.，Doubly thermo-responsive ABC triblock copolymernanoparticles prepared through dispersion RAFT polyme，Polymer Chemistry，2014年，Vol.5, No.8，p.2961-2972 |
| Polymer Chemistry, 2014, Vol.5, pp.6244-6255 |
| QU,Yaqing et al.，In situ synthesis of thermo-responsive ABC triblockterpolymer nano-objects by seeded RAFT polymeriza，Polymer Chemistry，2014年，Vol.5, No.19，p.5569-5577 |
| Quanlong Li, et al.，Doubly thermo-responsive ABC triblock copolymer nanoparticles prepared through dispersion RAFT polym，Polymer Chemistry，5巻8号，Royal Society of Chemistry，2014年04月21日，2961-2972頁 |
| URBANI,Carl N. et al.，RAFT-Mediated Emulsion Polymerization of Styrene in Water using a Reactive Polymer Nanoreactor，Australian Journal of Chemistry，2009年，Vol.62, No.11，p.1528-1532 |
| VALADE,David et al.，Influence of the Z-Group on the RAFT-Mediated Polymerizations in Nanoreactors，Journal of Polymer Science. Part A. Polymer Chemistry，2012年，Vol.50, No.22，p.4762-4771 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018174919A (ja) | 2018-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6638706B2 (ja) | ブロック共重合体およびそれを用いた表面処理剤 | |
| JP7127330B2 (ja) | ブロック共重合体およびそれを用いた表面処理剤 | |
| JP2016192957A (ja) | 細胞培養基材、その製造方法、およびそれを用いた細胞培養方法 | |
| JP6497677B2 (ja) | ブロック共重合体、表面処理剤、その膜、およびそれを被覆した細胞培養基材 | |
| US11441120B2 (en) | Cell culture substrate | |
| JP6759958B2 (ja) | 温度応答性基材、その製造方法及びその評価方法 | |
| JP2016194054A (ja) | ブロック共重合体 | |
| WO2020080364A1 (ja) | 細胞培養基材、細胞培養基材の製造方法、及びスフェロイドの製造方法 | |
| JP2018154752A (ja) | 共重合体およびその製造方法 | |
| EP2430057B1 (en) | Temperature-responsive co-polymers and uses thereof | |
| JP2018012811A (ja) | ブロック共重合体 | |
| WO2019035436A1 (ja) | 多能性幹細胞の培養基材及び多能性幹細胞の製造方法 | |
| JP7250248B2 (ja) | ブロック共重合体、それを含む表面処理剤及び膜、並びに、それを用いた細胞培養用器材及び細胞培養方法 | |
| JP2020110140A (ja) | 細胞培養方法 | |
| JP7271870B2 (ja) | 多能性幹細胞の培養基材及び多能性幹細胞の製造方法 | |
| JP7293683B2 (ja) | ブロック共重合体及び培養基材、幹細胞の製造方法 | |
| JP7018175B2 (ja) | 共重合体、基材用表面処理剤および細胞培養基材 | |
| JP6954047B2 (ja) | ブロック共重合体コートビーズおよびその製造方法 | |
| JP2020014453A (ja) | 幹細胞の培養基材及び幹細胞の製造方法 | |
| JP2020174660A (ja) | 細胞分離方法 | |
| JP2006280206A (ja) | 細胞培養基材及び細胞培養方法 | |
| JP2019085520A (ja) | ブロック共重合体、細胞培養基材及び細胞培養方法 | |
| JP7183612B2 (ja) | 多能性幹細胞の培養基材及び多能性幹細胞の製造方法 | |
| JP7002414B2 (ja) | 温度応答性細胞培養基材 | |
| JP2019216653A (ja) | 細胞培養培地添加剤、細胞培養培地及び細胞凝集塊の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220322 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220719 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220801 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7127330 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |